同，以保证系统振荡维持下去。其由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管Dl组成。
[0029]连接时，场效应管Ql的漏极经电阻R6后与放大器Pl的输出端相连接、其源极则同时与极性电容ClO的负极以及电阻R3相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管Dl的P极与场效应管Ql的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接，由此则可以很好的控制反馈电流的输出大小。该场效应管Ql的源极则还与选频电路相连接。
[0030]而选频电路则可以对频率进行筛选，其只允许特定的频率通过，使振荡系统维持单一频率的输出。其包括放大器P2，电容C5，电阻R8。连接时，该放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管Dl的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、反相输入端与场效应管Ql的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。
[0031]所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻RlI，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的同时接地的电阻RlO组成。
[0032]该双栅极场效应管Ql对输出电路有很好的缓冲作用，在连接时，该双栅极场效应管Q2的b栅极还与二极管Dl的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地，电阻R9和电容C6的连接点则与电容反馈三点式振荡电路相连接。通过缓冲电路的作用可以有效的防止系统中的负载效应以及因负载变化而产生的频率漂移现像，从而实现振荡电路的低失真度。
[0033]如图2所示，该电容反馈三点式振荡电路包括三极管VT4，三极管VT5，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极则与三极管VT2的集电极相连接的二极管D4，一端与二极管D4的P极相连接、另一端则与三极管VT4的基极相连接的电阻R18，正极经振荡器Xl后与三极管VT5的集电极相连接、负极接地的极性电容C12，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端则经电阻R20后与极性电容C12的负极相连接的电阻R19。
[0034]为了达到更好的辅助效果，该电容反馈三点式振荡电路还设置有正极与三极管VT4的发射极相连接、负极则与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C11，与极性电容Cll相并联的可调电感L1，N极与三极管VT4的发射极相连接、P极则经电阻R21后与极性电容C12的负极相连接的二极管D5，以及正极与三极管VT5的发射极相连接、负极则与极性电容C12的负极相连接的极性电容C13。
[0035]同时，所述三极管VT4的发射极与缓冲电路相连接的同时接15V电压，其集电极则与电阻R19和电阻R20的连接点相连接。所述三极管VT5的基极则与三极管VT4的集电极相连接、其发射极则与二极管D5的P极相连接。
[0036]其中，电阻R18为分压电阻，其可对电路进行过压保护。该三极管VT5呈并联谐振状态，而其谐振特性则可以使振荡器Xl具有稳定的工作频率。而电阻R19和电阻R20以及电阻R21则为偏置电阻，其可调节三极管VT5基极的偏置电流，使其符合工作要求。同时，极性电容Cl I和可调电感LI则形成LC回路，而振荡器Xl的振荡强度取决于该LC回路，当调节可调电感LI时则可以调节振荡器Xl的振荡强度。为了达到更好的实施效果，该三极管VT5可优先采用3DG11B型晶体管来实现。
[0037]如上所述，便可很好的实现本发明。
【主权项】
1.基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其包括信号变换电路，与信号变换电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，与选频电路相连接的缓冲电路，以及同时与正反馈电路和选频电路以及选频电路相连接的移相处理电路；其特征在于:还包括设置在移相处理电路与缓冲电路之间的电容反馈三点式振荡电路；所述电容反馈三点式振荡电路由三极管VT4，三极管VT5，N极与三极管VT4的集电极相连接、P极则与移相处理电路相连接的二极管D4，一端与二极管D4的P极相连接、另一端则与三极管VT4的基极相连接的电阻R18，正极经振荡器Xl后与三极管VT5的集电极相连接、负极接地的极性电容C12，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端则经电阻R20后与极性电容C12的负极相连接的电阻R19，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极则与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C11，与极性电容Cll相并联的可调电感L1，N极与三极管VT4的发射极相连接、P极则经电阻R21后与极性电容C12的负极相连接的二极管D5，以及正极与三极管VT5的发射极相连接、负极则与极性电容C12的负极相连接的极性电容C13组成；所述三极管VT4的发射极与缓冲电路相连接的同时接15V电压，其集电极则与电阻R19和电阻R20的连接点相连接；所述三极管VT5的基极则与三极管VT4的集电极相连接、其发射极则与二极管D5的P极相连接。
2.根据权利要求1所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT3，三极管VT2，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R16，负极经电阻R17后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C10，正极经电阻R15后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C8，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C9，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2组成；所述移相芯片Ul的VCC+管脚与选频电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT3的发射极与三极管VT2的基极相连接，三极管VT2的集电极与二极管D4的P极相连接，极性电容ClO的负极与选频电路相连。
3.根据权利要求2所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述信号变换电路由转换芯片K，变压器Tl，串接在变压器Tl副边同名端与非同名端之间的电容Cl，与电容Cl相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的OSCl管脚相连接、发射极经电阻Rl后与转换芯片K的0SC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的0SC2管脚相连的三极管VT1，一端与三极管VTl的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；所述三极管VTl的基极与外部电源相连接，转换芯片K的INl管脚与变压器Tl副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器Tl副边的同名端相连接、GND管脚与变压器Tl原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VTl的基极相连接、0UT2管脚和OUTl管脚均与信号放大电路相连。
4.根据权利要求3所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述的信号放大电路由放大器P1，正极与转换芯片K的0UT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器Pl的反相输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2，一端与放大器Pl的正相输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器Pl的反相输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器Pl的反相输入端与转换芯片K的OUTl管脚相连接，其输出端则与正反馈电路相连。
5.根据权利要求4所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述的正反馈电路由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管Dl组成；场效应管Ql的漏极经电阻R6后与放大器Pl的输出端相连接、其源极则同时与极性电容ClO的负极以及电阻R3相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管Dl的P极与场效应管Ql的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接，场效应管Ql的源极还与选频电路相连接。
6.根据权利要求5所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述的选频电路包括放大器P2，电容C5，电阻R8 ;放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管Dl的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、反相输入端与场效应管Ql的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。
7.根据权利要求6所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻Rl I，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的同时接地的电阻RlO组成；所述双栅极场效应管Q2的b栅极还与二极管Dl的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地，而电阻R9和电容C6的连接点则与三极管VT4的发射极相连接。
8.根据权利要求2?7任一项所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述的移相芯片Ul为LM741集成芯片。
9.根据权利要求7所述的基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其特征在于:所述的转换芯片K为NE602集成电路。
【专利摘要】本发明公开了基于电容反馈三点式振荡电路的单片晶控变换振荡系统，其包括信号变换电路，与信号变换电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，与选频电路相连接的缓冲电路，以及同时与正反馈电路和选频电路以及选频电路相连接的移相处理电路；其特征在于：还包括设置在移相处理电路与缓冲电路之间的电容反馈三点式振荡电路；本发明采用电容反馈三点式振荡电路作为本发明的辅助振荡电路，其可以使本发明所发出的频率信号更加稳定。
【IPC分类】H03B5-36
【公开号】CN104868851
【申请号】CN201510307158
【发明人】周云扬
【申请人】成都冠深科技有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年6月6日
【公告号】CN104410288A