，所述集电极和输出端B之间连接有第三电阻25。
[0021]所述电流变换检测电路可用于在IGBT关断时，检测电路中电流的变化情况，电流变换检测电路检测的电流变化率与所述第二电阻的阻值和电容器的电容相对应，即通过设置电容器和电容的数值可实现对不同电流变化率的检测。
[0022]进一步地，所述栅极电阻变化电路30具体包括:第二晶体管31、第三晶体管32、二极管33、第四电阻34、以及第五电阻35。其中，所述第四电阻34与所第一电阻40相串联，且所述第四电阻34的两端并联有第二晶体管31和二极管33，所述第二晶体管31和二极管33之间相互串联，所述第二晶体管31的基极串联有所述第五电阻35和第三晶体管32，所述第三晶体管32的基极与第一晶体管21的集电极相连接。
[0023]所述第四电阻34在IGBT开通时，被与其相并联的第二晶体管31短路。具体地，IGBT开通时，栅极电阻仅为第一电阻40，此时栅极电阻的阻值等于第一电阻40的阻值；当所述电流变换检测电路20检测到电流减小时，即IGBT关断时，所述栅极电阻变化电路30中第二晶体管31由开通状态转换为截止状态，所述第三晶体管32由截止状态转换为开通状态，从而第一电阻40与第四电阻34共同形成IGBT的栅极电阻，此时栅极电阻34相对IGBT开通时变大，IGBT关断时栅极电阻的阻值为第一电阻40和第四电阻34的阻值之和。从而，本发明的电路满足了 IGBT开通时对小栅极电阻的需求，而在关断时对相对大阻值栅极电阻的需求，平衡了 IGBT开通和关断时的矛盾。
[0024]优选地，如上所述的第一晶体管21、第二晶体管31、第三晶体管32为三极管。
[0025]综上所述，本发明的改善IGBT关断性能的电路能够改变IGBT关断过程中IGBT的栅极电阻的大小，满足IGBT开通时小栅极电阻、关断时相对大栅极电阻的需求。解决了关断损耗与电压过冲之间的矛盾，提高了 IGBT关断性能。保证IGBT具有小关断损耗的同时降低了芯片过压风险，满足了 IGBT芯片低关断损耗及高可靠性的要求。
[0026]对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0027]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种改善IGBT关断性能的电路，其特征在于，所述改善IGBT关断性能的电路包括:IGBT、电流变化检测电路、以及栅极电阻变化电路，所述IGBT与第一电阻相串联； 所述电流变换检测电路包括:第一晶体管、电容器、分流电阻，所述第一晶体管与所述电容器相串联，且与所述分流电阻相并联，所述第一晶体管的基极和集电极分别与供电端和输出端相连接，所述基极和供电端之间连接有第二电阻，所述集电极和输出端之间连接有第三电阻； 所述栅极电阻变化电路包括:第二晶体管、第三晶体管、二极管、第四电阻、以及第五电阻；所述第四电阻与所第一电阻相串联，且所述第四电阻的两端并联有第二晶体管和二极管，所述第二晶体管和二极管之间相互串联，所述第二晶体管的基极串联有所述第五电阻和第三晶体管，所述第三晶体管的基极与第一晶体管的集电极相连接。2.根据权利要求1所述的改善IGBT关断性能的电路，其特征在于，所述电流变换检测电路检测到关断时的电流减小时，所述栅极电阻变化电路中第二晶体管由开通状态转换为截止状态，所述第三晶体管由截止状态转换为开通状态。3.根据权利要求1所述的改善IGBT关断性能的电路，其特征在于，所述IGBT开通时，IGBT栅极电阻的阻值为第一电阻的阻值，所述IGBT关断时，IGBT栅极电阻的阻值为第一电阻和第四电阻的阻值之和。4.根据权利要求1所述的改善IGBT关断性能的电路，其特征在于，所述IGBT开通时，所述栅极电阻变化电路中的第四电阻被第二晶体管短路，所述IGBT关断时，所述第一电阻和第四电阻形成栅极电阻。5.根据权利要求1所述的改善IGBT关断性能的电路，其特征在于，所述电流变换检测电路检测的电流变化速率与所述第二电阻的阻值和电容器的电容相对应。6.根据权利要求1所述的改善IGBT关断性能的电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管为三极管。
【专利摘要】本发明公开了一种改善IGBT关断性能的电路，其包括：IGBT、电流变化检测电路、以及栅极电阻变化电路，所述IGBT与第一电阻相串联；所述电流变换检测电路包括：第一晶体管、电容器、分流电阻，所述第一晶体管的基极和集电极分别与供电端和输出端相连接，所述基极和供电端之间连接有第二电阻，所述集电极和输出端之间连接有第三电阻；所述栅极电阻变化电路包括：第二晶体管、第三晶体管、二极管、第四电阻、以及第五电阻。本发明的改善IGBT关断性能的电路能够改变IGBT关断过程中IGBT的栅极电阻的大小，满足IGBT开通时小栅极电阻、关断时相对大栅极电阻的需求。解决了关断损耗与电压过冲之间的矛盾，提高了IGBT关断性能。
【IPC分类】H03K17/567
【公开号】CN104883167
【申请号】CN201410073568
【发明人】曹琳
【申请人】西安永电电气有限责任公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月28日