预钻孔的湿式镀法金属基板及其制造方法

文档序号:9399923阅读:352来源:国知局
预钻孔的湿式镀法金属基板及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明有关于一种预钻孔的湿式电镀金属基板及其制造方法,特别是指一种FCCL 在金属化作业前先在预定位置钻孔,再进行金属化作业,可有效达到降低生产成本及达到 细线、微孔及高密度的需求。
【背景技术】
[0002] 可烧性铜箱积层板(Flexible copper clad laminate,FCCL)广泛应用于电子产 业中作为电路基板(PCB),FCCL除了具有轻、薄及可挠的优点外,用聚酰亚胺膜还具有电性 能、热性能及耐热性优良的特点外,其较低的介电常数(Dk)性,使得电信号得到快速的传 递,良好的热性能,可使组件易于降温,较高的玻璃化温度(Tg),可使组件在较高的温度下 良好运行。
[0003] 挠性铜箱基材要分为二大类,一为传统接着剂型三层软板基材(3FCCL),另一种为 新型无接着剂二层软板基材(2FCCL)两大类,此两类基材材料,其制造方法不同,其应用产 品项目也不同,三层软板基材一般应用于大宗软板产品上,二层软板基材具有轻薄短小的 优势,可应用于较高阶软板制造上。就现有二层软板基材的制造方法而言,可分为涂布型 (Casting Type)、压合型(Lamination)、派镀型及湿式镀法型四种,其皆在一介电材料上形 成金属层,以完成可挠性金属基板的制作,所述制造方法皆为现有技术,于此不加赘述。
[0004] 而现有可挠性电路板的制造方式,是先将前述挠性铜箱基板进行钻孔,如图1及 图2所示,在一具有铜层10的基板12上先进行钻孔作业,使基板12上形成多个贯孔14,再 于贯孔14内形成导电介质16 (如传统化铜、电镀铜及传统导电石墨等金属化微孔,以形成 导电介质16),最后再将挠性金属基板12上进行电镀二次铜18,使铜层10上方及贯孔14 内形成二次铜18,而得以使基板12上、下电路导通,此种现有可挠性电路板的制造上较为 繁琐,且成本较高,且于基板12的铜10上再形成二次铜18,将造成电路板的厚度增加,不利 于细线及高密度的需求,而贯孔14内的传统导电介层16制作方式(如传统化铜、电镀铜及 传统导电石墨等金属化微孔),其厚度较大,亦不利于微孔化的需求。

【发明内容】

[0005] 为解决上述现有可挠性电路板及制作的缺点,本发明的目的是提供一种预钻孔的 湿式镀法金属基板及其制造方法。
[0006] 本发明为一种预钻孔的湿式电镀金属基板的制造方法,其包括有提供一聚酰亚胺 膜;于该聚酰亚胺膜上进行钻孔作业,使其形成多个贯孔;将该聚酰亚胺膜表面清洁处理, 该表面清洁处理包括有干式处理及湿式处理;将清洁后的聚酰亚胺膜进行化学沉积,使其 表面及贯孔壁上形成有一第一金属层;及将该聚酰亚胺膜进行电镀沉积,使该第一金属层 上形成一第二金属层。
[0007] 本发明为一种预钻孔的湿式电镀金属基板,其包括有一聚酰亚胺膜;该聚酰亚胺 膜上形成多个贯孔;一第一金属层形成于聚酰亚胺膜表面及贯孔壁上,一第二金属层形成 于该第一金属层上。
【附图说明】
[0008] 图1为现有挠性电路基板的剖视图。
[0009] 图2为图1钻孔的剖视图。
[0010] 图3为本发明的制造流程图。
[0011] 图4为本发明聚酰亚胺膜的剖视图。
[0012] 图5为本发明聚酰亚胺膜预钻孔的剖视图。
[0013] 图6为图5形成第一金属层的剖视图。
[0014] 图7为图6形成第二金属层的剖视图。
[0015] 图8为未实施膜面清洗而直接化镀。
[0016] 图9为未实施膜面清洗而直接化镀。
[0017] 图10为实施膜面清洗后进行化镀。
[0018] 【符号说明】
[0019] 铜层 10
[0020] 基板 12
[0021] 贯孔 14
[0022] 导电介质 16
[0023] 二次铜 18
[0024] 聚酰亚胺膜 20
[0025] 贯孔 22
[0026] 第一金属层 24
[0027] 第二金属层 26
【具体实施方式】
[0028] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照 附图,对本发明进一步详细说明。
[0029] 本发明预钻孔的湿式电镀金属基板的制造方法,请参阅图3及图4所示,其包括有 提供一聚酰亚胺膜20 (Polyimide film) (SI),本实施例中其单体成份及备制方法并未特别 限制,可通过本技术领域的通常技术进行,其厚度可为7-50微米(μ m)。
[0030] 请配合参阅图3所示,步骤Sl :提供一聚酰亚胺膜10,步骤S2 :请配合参阅图5所 示,聚酰亚胺膜(Polyimide film) 10上先行预钻孔作业,使聚酰亚胺膜20表面形成多个贯 孔22。
[0031] 步骤S3 :将完成预钻孔的聚酰亚胺膜20进行一黏层作业,再进行一表面清洁处 理,以去除聚酰亚胺膜20上的杂质/污垢,其中,步骤S4 :该表面清洁处理包括先进行一干 式处理,步骤S5 :再进行一湿式处理,该干式处理可为电晕(corona)、或电衆(plasma)或紫 外光照射(UV irradiation)等物理性高能量处理方式,此不但可清洁膜面,亦可具有不同 程度表改质,以增加膜面的附着力,而电晕方式更可活化膜面的亲水性,有利于后续湿式处 理。该湿式处理为化学药液清洗,其还包括有一超因波震荡,可促进化学药液对膜面污垢的 处理效率。
[0032] 步骤S6 :将完成清洁处理的聚酰亚胺膜20以化学电镀法制程,使其表面及贯孔22 壁面形成一第一金属层24,本实施例中第一金属层24为镍金属,其厚度可为0. 05-0. 2微 米。
[0033] 步骤S7 :将完成第一金属层24的聚酰亚胺膜20进行一热处理,通过该热处理, 可改善现有金属层与聚酰亚胺膜间的接着力问题(即两者间的剥离强度的高温信赖性不 足)。经由该热处理,可于维持金属层与聚酰亚胺膜的剥离强度的同时,提高铜层电镀的良 率,并改善铜层电镀的操作性。
[0034] 步骤S8 :请参阅图6所示,将完成热处理后的聚酰亚胺膜20进行电镀第二金属层 26制程,使第一金属层24上方形成一第二金属层26。
[0035] 再者,本发明将聚酰亚胺膜20在金属化前先行预钻孔,再于清洁处理后,以湿式 电镀形成金属层,可改善图1所示现有挠性电路板的制程复杂度,且可达到细线、微孔及高 密度的产品需求。
[0036] 本发明预钻孔的湿式电镀金属基板,请参阅图7所示,其包括有一聚酰亚胺膜20, 其上形成有多个贯孔22 ;于聚酰亚胺膜20上设有一第一金属层24位于其表面及贯孔22壁 面上,其可为镍金属,厚度可为0. 05-0. 2微米及一第二金属层26设于第一金属层24上,第 二金属层26为铜,其厚度为0. 2-12微米。
[0037] 如下表格显示,经电晕处理可提升化镍作业的质量。
[0038]
[0039] 图8为未实施膜面清洗而直接化镀,而有漏镀的情形发生。
[0040] 图9为未实施膜面清洗而直接化镀,而钻孔边缘有漏镀的情形发生。
[0041] 图10为实施膜面清洗后进行化镀,其外观正常,未有漏镀的情形。
[0042] 以上所述,仅为本发明中的【具体实施方式】,但本发明的保护范围并不局限于此,任 何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内,可理解想到的变换或替换,都应涵盖在 本发明的包含范围之内。
【主权项】
1. 一种预钻孔的湿式电镀金属基板制造方法,其包括下列步骤: 提供一聚酰亚胺膜; 于该聚酰亚胺膜上进行多个预钻孔作业,使该聚酰亚安膜形成多个贯孔; 将该聚酰亚胺膜进行表面清洁处理,该表面清洁处理包括干式处理及湿式处理; 将该聚酰亚胺膜进行化学法沉积,使其表面及多个贯孔壁上形成一第一金属层;及 将该聚酰亚胺膜进行电镀法沉积,使该第一金属层上方形成一第二金属层。2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,该第一金属层为镍金属,其厚度为0. 05-0. 2 微米。3. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,该第二金属层为铜金属,其厚度为0. 2-12微 米。4. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,该表面清洁处理包括先进行干式处理后再 进行湿式处理。5. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,该干式处理可为电晕、或电浆或紫外光照射 的物理性高能量处理方式。6. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,该表面清洁处理前可进行一黏层作业。7. 如权利要求1述的方法,其特征在于,该湿式处理为化学药液清洗,其还包括有一超 音波震荡处理。8. -种预钻孔的湿式电镀金属基板,其特征在于包括有: 一聚酰亚胺膜; 该聚酰亚胺膜上形成多个贯孔; 以化学镀镍沉积一镍层于该聚酰亚胺膜表面及贯孔壁上;及 以电镀铜法沉积一铜层于该镍层上,使该聚酰亚胺膜的表面及贯孔壁形成一镍层及一 铜层。9. 如权利要求8所述预钻孔的湿式电镀金属基板,其特征在于,该第一金属层厚度为 0. 05-0. 2微米,该第二金属层厚度为0. 2-12微米。
【专利摘要】本发明是一种预钻孔的湿式电镀金属基板及其制造方法,其包括有提供一聚酰亚胺膜;于该聚酰亚胺膜上进行多个预钻孔作业,使该聚酰亚安膜形成多个贯孔;将该聚酰亚胺膜进行表面清洁处理;将该聚酰亚胺膜进行化学法沉积,使其表面及多个贯孔壁上形成一第一金属层;及将该聚酰亚胺膜进行电镀法沉积,使该第一金属层上方形成一第二金属层。
【IPC分类】H05K3/18, H05K1/14, H05K1/05, H05K3/42
【公开号】CN105120592
【申请号】CN201510178377
【发明人】陈宗仪, 滨泽晃久, 陈文钦, 邱建峰, 范士诚
【申请人】柏弥兰金属化研究股份有限公司, 达迈科技股份有限公司, 荒川化学工业股份有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年4月16日
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