一种利用控深钻去除cob板上电镀银引导线的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于金属基印制线路板制作技术领域，具体涉及一种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法。
【背景技术】
[0002]金属基镀银是金属基工艺中的一种，就是在金属基原材的表面电镀一层银，能更好的促进线路导电作用和传导作用，在线路的表面镀银是市场上目前主流工艺，也是以后金属基发展的一个趋势。但镀银工艺有一个缺点，非常容易氧化，如水平线中的蚀刻药水温度高对COB银面的攻击、未包装处理、让镀银层裸露在空气;人手直接接触;长期未用，存放环境不符要求都很容易氧化。如COB类型有电镀银引导线的工艺板，制作过程中保护好银面的亮度，也要将已经镀好银的引导线蚀刻掉，而COB在制作蚀刻引线时无法保证COB的区域被蚀刻药水攻击，为此需要改变原有的制作方法。
【发明内容】
[0003]针对上述现有技术之不足，本发明提供一种改用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，以规避传统技术中用蚀刻方法去除引导线时蚀刻药水进入银面对银面的攻击。
[0004]本发明的目的通过以下技术方案予以实现:
[0005]—种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，其是使用带平头钻咀的高精度数控锣机将COB板上电镀银引导线钻断，具体操作时，先设置好平台钻咀的钻削深度，所述钻削深度为正好将电镀银引导线钻断且不会伤到介质层表面，然后根据电镀银引导线的布设位置控制平头钻咀的进给方向，直至将电镀银引导线全部钻断，而后退刀，即控制平头钻咀退离COB板，完成电镀银引导线的去除工作。
[0006]进一步的，所述平头钻咀的直径为3.175mm。
[0007]进一步的，所述锣机的主轴速度为每分钟二万转以上。
[0008]进一步的，所述锣机的主轴速度为每分钟二万二千转。
[0009]与现有技术相比，本发明具有如下优点:本发明不走传统的做法，改用CNC数控工艺技术来解决电镀银引导线的去除问题，具体来说，其是使用带平头钻咀的高精度数控锣机(MRD-1800盛方源真空锣机)将COB板上电镀银引导线钻断，从而规避传统技术中用蚀刻方法去除引导线时蚀刻药水进入银面对银面的攻击，提高工作效率，保证产品品质。
【具体实施方式】
[0010]下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。
[0011]—种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，其是使用带平头钻咀的高精度数控锣机将COB板上电镀银引导线钻断，所述的高精度数控锣机优选MRD-1800盛方源真空锣机。具体操作时，先设置好平台钻咀的钻削深度，所述钻削深度为正好将电镀银引导线钻断且不会伤到介质层表面，然后根据电镀银引导线的布设位置控制平头钻咀的进给方向，直至将电镀银引导线全部钻断，而后退刀，即控制平头钻咀退离COB板，完成电镀银引导线的去除工作。优选的，所述平头钻咀的直径为3.175mm。所述锣机的主轴速度为每分钟二万转以上，例如，每分钟二万二千转。
[0012]以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明申请专利范围及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，其特征在于:使用带平头钻咀的高精度数控锣机将COB板上电镀银引导线钻断，具体操作时，先设置好平台钻咀的钻削深度，所述钻削深度为正好将电镀银引导线钻断且不会伤到介质层表面，然后根据电镀银引导线的布设位置控制平头钻咀的进给方向，直至将电镀银引导线全部钻断，而后退刀，即控制平头钻咀退离COB板，完成电镀银引导线的去除工作。2.根据权利要求1所述一种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，其特征在于:所述平头钻咀的直径为3.175mm。3.根据权利要求1所述一种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，其特征在于:所述锣机的主轴速度为每分钟二万转以上。4.根据权利要求3所述一种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，其特征在于:所述锣机的主轴速度为每分钟二万二千转。
【专利摘要】本发明涉及一种利用控深钻去除COB板上电镀银引导线的方法，其是使用带平头钻咀的高精度数控锣机将COB板上电镀银引导线钻断，具体操作时，先设置好平台钻咀的钻削深度，所述钻削深度为正好将电镀银引导线钻断且不会伤到介质层表面，然后根据电镀银引导线的布设位置控制平头钻咀的进给方向，直至将电镀银引导线全部钻断，而后退刀，即控制平头钻咀退离COB板，完成电镀银引导线的去除工作。该方法改用CNC数控工艺技术来解决电镀银引导线的去除问题，可以规避传统技术中用蚀刻方法去除引导线时蚀刻药水进入银面对银面的攻击，提高工作效率，保证产品品质。
【IPC分类】H05K3/04
【公开号】CN105578773
【申请号】CN201511024761
【发明人】曾培, 包庆生
【申请人】景旺电子科技(龙川)有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月29日