靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统的制作方法

文档序号:10474573阅读:252来源:国知局
靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统的制作方法
【专利摘要】本发明的实施例公开了一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统。所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个,所述靶系统包括:用作靶体的固体颗粒;以及通道部件,所述通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的通道,所述通道部件具有底壁,在底壁的两个侧边缘部分设置的两个侧壁,所述两个侧壁中的每一个具有束流通过窗,分别用于束流通过以及中子和/或中微子通过。根据本发明的实施例,可以优化颗粒流在通道中的宽度、流速及密堆率,以生产中子或中微子。
【专利说明】
靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统
技术领域
[0001]本发明的实施例涉及一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统
【背景技术】
[0002]散裂靶可以作为一种高效的中子源和中微子源应用于从基础研究到尖端应用的不同领域。如今世界上各项大科学工程对于高功率中子源的需求十分迫切,但受限于材料、散热等问题,利用传统的中子源技术在提高散裂靶功率上很难再有进一步的突破。在聚变堆材料辐照损伤研究中,目前国际上没有合适的中子源用于相关研究,传统的加速器氘氚中子源产生的中子通量有限,专用于聚变堆材料研究的中子源项目IFMIF(国际聚变堆材料辐照装置)虽然能够产生较高的中子通量和中子总产额,但其技术难度和投资都非常巨大,且研制周期漫长。此外,随着中微子的研究成为当今基础科学研究的热点问题,建立中微子工厂,产生大量的适合的中微子成为一个急需解决的问题。

【发明内容】

[0003]本发明的实施例的目的是提供一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统,由此例如可以优化颗粒流在通道中的宽度、流速及密堆率,以生产中子或中微子。
[0004]本发明的实施例提供了一种靶系统,所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个,所述靶系统包括:用作靶体的固体颗粒;以及通道部件,所述通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的通道,所述通道部件具有底壁,在底壁的两个侧边缘部分设置的两个侧壁,所述两个侧壁中的每一个具有束流通过窗,分别用于束流通过以及中子和/或中微子通过。
[0005]根据本发明的实施例,束流通过窗是开口,所述两个侧壁中的每一个都包括:在底壁的两个侧边缘部分的上部设置的两个第一侧壁部分,和在底壁的两个侧边缘部分的下部设置的两个第二侧壁部分,第一侧壁部分和第二侧壁部分之间具有间隙,由此形成所述开
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[0006]根据本发明的实施例,两个第一侧壁部分的下端之间的间距小于或等于两个第二侧壁部分的上端之间的间距。
[0007]根据本发明的实施例,两个第一侧壁部分的下端之间限定的颗粒出口与两个第二侧壁部分的上端之间限定的颗粒入口对准。
[0008]根据本发明的实施例,第一侧壁部分包括第一上部侧壁部分和第一下部侧壁部分,第一下部侧壁部分从第一上部侧壁部分的下端沿着底壁向下并朝向通道的中心延伸,而限定锥形通道部分。
[0009]根据本发明的实施例,第一侧壁部分包括固定的第一上部侧壁部分和活动的第一下部侧壁部分,第一下部侧壁部分的上端与第一上部侧壁部分的下端可转动地连接。
[0010]根据本发明的实施例,第一下部侧壁部分与第一上部侧壁部分的下端可转动地连接使第一下部侧壁部分能够绕大致垂直于底壁的轴线转动。
[0011 ]根据本发明的实施例,第二侧壁部分包括第二上部侧壁部分和第二下部侧壁部分,第二上部侧壁部分从第二下部侧壁部分的上端沿着底壁向上并朝向通道的中心延伸,而限定锥形通道部分。
[0012]根据本发明的实施例,第二侧壁部分包括活动的第二上部侧壁部分和固定的第二下部侧壁部分,第二上部侧壁部分的下端与第二下部侧壁部分的上端可转动地连接。
[0013]根据本发明的实施例,第二上部侧壁部分与第二下部侧壁部分的上端可转动地连接使第二上部侧壁部分能够绕大致垂直于底壁的轴线转动。
[0014]根据本发明的实施例,所述的靶系统还包括:收集部件,所述收集部件设置在通道部件的上游,用于收集固体颗粒,其中收集部件具有开口;以及用于开关该开口的闸门,其中在闸门开启时,收集在收集部件中的固体颗粒流入通道部件。
[0015]根据本发明的实施例,所述收集部件的限定所述开口的底壁和两个侧壁分别与所述通道部件的底壁和两个侧壁的上端邻接,所述收集部件的开口朝向通道部件的通道的上端的开口。
[0016]本发明的实施例提供了一种用于产生中子和/或中微子的系统,该用于产生中子和/或中微子的系统包括:上述的靶系统。
[0017]根据本发明的实施例,所述的用于产生中子和/或中微子的系统还包括:束流发射件,所述束流发射件发射的束流通过所述通道部件的侧壁的开口中的一个,并且产生的中子和/或中微子通过所述通道部件的侧壁的开口中的另一个。
[0018]根据本发明的实施例,可以优化颗粒流在通道中的宽度、流速及密堆率,以生产中子或中微子。
【附图说明】
[0019]图1为根据本发明实施例1的中子或中微子产生系统的整体示意图;
[0020]图2为根据本发明实施例1的中子或中微子产生系统的靶系统的示意图;
[0021]图3为根据本发明实施例2的中子或中微子产生系统的整体示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合说明书附图来说明本发明的【具体实施方式】。
[0023]如图1所示,根据本发明的实施例的中子和/或中微子产生系统100主要包括:靶系统10以及固体颗粒冷却装置5、筛选除尘装置6、颗粒补充回收存储装置7、颗粒提升装置8、汇聚管道9等辅助装置,所述辅助装置用于将固体颗粒冷却、除尘并传送到所述靶系统10的收集部件I的上端。
[0024]如图1至3所示,用于中子和/或中微子产生系统的靶系统10包括:用作靶体的流动固体颗粒;以及通道部件,所述通道部件例如沿相对于水平方向倾斜的方向延伸,并且具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的通道,所述通道部件具有底壁20,在底壁20的两个侧边缘部分设置的两个侧壁,所述两个侧壁中的每一个具有束流通过窗,分别用于束流通过以及中子和/或中微子通过。所述通道可以具有矩形横截面。底壁可以与侧壁垂直。底壁和侧壁可以由平板形成。底壁在宽度方向上的横截面可以与水平方向平行。
[0025]在本发明的一些实施例中,如图1或2所示,束流通过窗是开口,例如矩形开口,两个开口在底壁20的宽度方向上相对设置。底壁20可以由单个板形成,并且可以具有平板状。所述两个侧壁中的每一个都包括:在底壁20的两个侧边缘部分的上部设置的两个第一侧壁部分,和在底壁20的两个侧边缘部分的下部设置的两个第二侧壁部分,第一侧壁部分和第二侧壁部分之间具有间隙,由此形成所述开口。两个第一侧壁部分的下端之间的间距可以小于或等于两个第二侧壁部分的上端之间的间距。两个第一侧壁部分的下端之间限定的颗粒出口(例如,矩形的颗粒出口)与两个第二侧壁部分的上端之间限定的颗粒入口(例如,矩形的颗粒入口)对准。
[0026]如图1至3所示,第一侧壁部分包括第一上部侧壁部分12、13和第一下部侧壁部分
14、15,第一下部侧壁部分14、15从第一上部侧壁部分12、13的下端沿着底壁20向下并朝向通道的中心延伸,而限定锥形通道部分。第一侧壁部分包括固定的第一上部侧壁部分12、13和活动的第一下部侧壁部分14、15,第一下部侧壁部分14、15的上端与第一上部侧壁部分
12、13的下端可转动地连接。例如,第一上部侧壁部分12、13可以是固定侧壁,而第一下部侧壁部分14、15可以是可活动挡板。例如,第一下部侧壁部分14、15与第一上部侧壁部分12、13的下端可转动地连接使第一下部侧壁部分14、15能够绕大致垂直于底壁20的轴线转动。第二侧壁部分包括第二上部侧壁部分18、19和第二下部侧壁部分16、17,第二上部侧壁部分18、19从第二下部侧壁部分16、17的上端沿着底壁向上并朝向通道的中心延伸,而限定锥形通道部分。第二侧壁部分包括活动的第二上部侧壁部分18、19和固定的第二下部侧壁部分16、17,第二上部侧壁部分18、19的下端与第二下部侧壁部分16、17的上端可转动地连接。例如,第二上部侧壁部分18、19与第二下部侧壁部分16、17的上端可转动地连接使第二上部侧壁部分16、17能够绕大致垂直于底壁20的轴线转动。第二上部侧壁部分18、19可以是固定侧壁,而第二下部侧壁部分16、17可以是可活动挡板。
[0027]如图1至3所示,所述靶系统10还包括用于收集固体颗粒的收集部件I,所述收集部件I设置在通道部件的上游,用于收集固体颗粒,其中收集部件I具有开口;以及用于开关该开口的闸门11,其中在闸门11开启时,收集在收集部件I中的固体颗粒流入通道部件。所述收集部件I的限定所述开口的底壁和两个侧壁分别与所述通道部件的底壁20和两个侧壁的上端邻接,所述收集部件I的开口朝向通道部件的通道的上端的开口。收集部件的开口可以是矩形开口。
[0028]如图1至3所示,在本发明的实施例中,通道部件可以包括:用于将固体颗粒引导至束流作用区的、第一侧壁部分限定的引导斜槽部件2;用于将与束流反应后的固体颗粒引导至下游部件的第二侧壁部分限定的汇集斜槽部件3。所述靶系统10还包括汇集斜槽部件3下方的汇聚漏斗4,用于将颗粒导入固体颗粒冷却装置5。引导斜槽部件2设置在收集部件I的下游,其下方为汇集斜槽部件3,用于冷却固体颗粒的固体颗粒冷却装置5设置在汇集斜槽部件3的下游。固体颗粒在重力驱动下通过收集部件I,到达下游各部件。收集部件I处设置有可控的闸门11,闸门11的开关大小能够根据实际束流能量及束斑的大小进行调节。固体颗粒可以具有球体形状,例如圆球体形状、椭球体形状或其它可以滚动的球体形状。
[0029]如图1至2所示,所述收集部件I可以是带有可控闸门11的水库型,也可以是带有可控阀门的漏斗型,即开口可以设置在收集部件I的侧面或底部。所述引导斜槽部件2上方开口与收集部件I出口连接,其可以是一个带有固定侧壁12、13及可活动挡板14、15的斜槽,可活动挡板14、15分别设置在固定侧壁12、13的下端,形成一个用于将从收集部件I中滚落的固体颗粒靶向斜槽中间聚拢的收口。汇集斜槽部件3位于引导斜槽部件2的下方,其可以是一个带有固定侧壁16、17及可活动挡板18、19的斜槽,可活动挡板18、19分别设置在固定侧壁16、17的上方,形成一个用于承接上方从引导斜槽部件2中滚落并经过束流轰击反应后的固体颗粒靶的收口。引导斜槽部件2与汇集斜槽部件3共用底壁20。所述底壁20与水平面之间的夹角可调,调整范围为15度到45度之间。底壁20可以是矩形的。引导斜槽部件2的可活动挡板14、15分别与对应的底壁20的两条长边形成夹角Q1,汇集斜槽部件3的可活动挡板18、19分别与对应的底壁20的两条长边形成夹角0^0^02可根据实际束流的能量及束斑大小进调节,的调节角度为O度至90度之间。为防止从引导斜槽部件2中滚落的固体颗粒从部件2和部件3之间的缝隙中漏出,一般情况下θ1>θ2,即引导斜槽部件2的收口小于汇集斜槽部件3的收口。
[0030]如图1所示,所述辅助装置包括固体颗粒冷却装置5、筛选除尘装置6以及颗粒提升装置8。固体颗粒冷却装置5的功能是将颗粒在靶系统10产生的热量带走。筛选除尘装置6的功能是除去颗粒中的破碎颗粒及灰尘。颗粒提升装置8的上端设有汇聚管道9,用于将固体颗粒供给靶系统10的收集部件I。此外,中子和/或中微子产生系统100还包括:设置在筛选除尘装置6下游的颗粒储存及补充装置7。
[0031]在本发明的实施例中,中子和/或中微子产生系统是一种小型高通量高能中子和/或中微子源,该中子和/或中微子源中,从电子回旋共振型(ECR)离子源中产生离子,离子经过低能传输线、射频四极场(RFQ)加速器、中能传输线及超导加速段后生成高功率密度束流,高功率密度束流与固体重金属颗粒靶进行反应,产生需要的中子和/或中微子。
[0032]革El材料可以选择铍合金或者妈合金颗粒等,其颗粒直径可以约为0.1?0.5mm,铍合金可采用铍钨合金、铍钛合金、铍铼合金、以及相关三元合金、例如Be-W-X合金(其中X为Re、Ta、Fe等),或采用其它金属和合金。小球在重力作用下在通道中连续流动,在束靶耦合区(即束流打靶的区域)与高功率密度束流作用产生中子和/或中微子,同时,固体颗粒还将沉积热量带出束流耦合区,并在固体颗粒冷却装置5中将热导出靶系统10。
[0033]如图1至2所示,在本发明的实施例中,靶系统10包括收集部件1、引导斜槽部件2、汇集斜槽部件3。引导斜槽部件2上方的收集部件I可设置为具有可控闸门11的水库型结构,闸门11的开启大小可根据束流能量及束斑的大小进行高度的调节。引导斜槽部件2的活动挡板14、15下方与汇集斜槽部件3的活动挡板18、19上方之间的部分即为束流打靶位置,或为束靶耦合区(如图2束流B箭头所示)。此处,固体颗粒首先在重力作用下从收集部件I的闸门11处流出,沿着引导斜槽部件2向下滚落,束流与束靶耦合区的固体颗粒靶进行反应,产生预定剂量的中子和/或中微子。靶系统10的引导斜槽部件2和汇集斜槽部件3可以选用耐辐照、耐高温的材料,例如SiC。引导斜槽部件2和汇集斜槽部件3的斜槽壁以及底壁的厚度均为0.5?2cm。在靶系统的束流打靶区,或为束靶耦合区,根据需要设置有用于放置实验样品的样品台。
[0034]如图2所示,该中子和/或中微子产生系统100的入射束流B可以沿箭头方向垂直于引导斜槽部件2和汇集斜槽部件3的斜槽底壁20,与从斜槽上滚落的固体颗粒靶反应产生中子和/或中微子,产生的预定剂量的中子和/或中微子作用到样品台上的实验样品上进行实验。除此之外,入射束流B的方向还可以根据实际需要进行调节,调节范围为活动挡板14与19外侧切线减去束斑半径和活动挡板15与18外侧切线减去束斑半径所构成的夹角α,即在夹角α范围内可以使束流既能打到颗粒靶又不会击中各活动挡板。入射束流B与颗粒靶的远近距离可调。根据需要可在中子和/或中微子产生区域内设置样品台,样品台的设置高度与束流高度相同,远近可根据实验需要进行调整(如图1至3所示的样品台位置只是其中一种实施例)。引导斜槽部件2的活动挡板14、15下方与汇集斜槽部件3的活动挡板18、19上方之间的束靶耦合区宽度可根据实际束流束斑大小进行调节。
[0035]如图1所示,固体颗粒冷却装置5与革El系统10的汇聚漏斗4连接,该冷却装置5可采用波纹板式逆流水冷换热器。待冷却的颗粒从上部入口处在重力的作用下向下流动,而水冷换热器内的冷却水是自下而上流动,吸收颗粒携带的热量,并将其带入冷却水处理回路中。板式结构具有单位体积内换热面积大,换热器空间结构紧凑,颗粒运动阻力小的特点;波纹结构可明显增强换热效果;冷却水与合金颗粒相对逆流能够提高换热器整体换热效率,以水为冷却工质可保证足够的换热温差。通过上述的特点,波纹板式逆流水冷换热器可以在保证冷却剂与固体颗粒非接触流动的同时,最大限度的减小换热器体积,保证足够经济性与结构强度。
[0036]如图1所示,颗粒提升装置8设置于固体颗粒冷却装置7的下游,目的是将换热后经过筛选除尘装置6输送至颗粒补充回收存储装置7中的颗粒输送回靶系统10的收集部件I的上方。颗粒提升装置8可以采用垂直斗式提升机,由电机对配有装载斗的环链进行驱动。相对于其他颗粒驱动方式,斗式提升机主要可动部件为循环链与驱动电机,其机械原理较为简单,并具有较高的配合宽容度。其循环链垂直提升的方式,使得其具有较高的工作效率。作为备选方案,也可使用电磁提升系统。
[0037]如图1,图2所示,初始状态下,靶系统10的收集部件I的闸门11完全关闭,颗粒从靶系统10上方收集部件I的汇聚管道9的出口处在重力作用下注入收集部件I,颗粒在汇聚到设定高度后收集部件I的闸门11按照束流能量及束斑大小开启成预设高度,此时颗粒在重力作用下从闸门11的出口流出,沿着靶系统10的引导斜槽部件2向下滚落,在到达引导斜槽部件2下收口时,由于活动挡板14、15的作用,颗粒会向收口中部汇集,并从收口处被抛出或射流出,被抛出或射流出的颗粒在下落过程中与高能束流B发生反应产生高通量的中子或中微子,产生的高通量的中子或中微子作用在样品台的实验样品上。束流B与引导斜槽部件2收口的高低、远近距离可调,并且样品台的高度也随之变化,使样品台中的实验样品能够获得预计的中子或中微子辐射剂量。反应后的颗粒落入汇集斜槽部件3中,由于其活动挡板18、19的设置夹角θ2小于上方活动挡板14、15的设置夹角Q1,因此,从上方滚落的颗粒靶不会掉落至斜槽外部。滚落至汇集斜槽部件3的反应后颗粒靶随之导入汇聚漏斗4,继而进入固体颗粒冷却装置5内,吸收颗粒携带的热量。冷却后的颗粒随即进入筛选除尘装置6,筛选除尘装置6可为普通颗粒筛选除尘装置,也可为电磁颗粒筛选除尘装置。经过筛选除尘后的符合标准的颗粒被输送至颗粒补充回收存储装置7中,若经检测颗粒补充回收存储装置7中的颗粒少于设定阈值,则需外界对其进行补充,与此同时,颗粒提升装置8会将颗粒补充回收存储装置7中的颗粒靶输送至靶系统10的上游,通过汇聚管道9,进入靶系统10,进行下一轮的中子反应。
[0038]如图3所示,为本发明的另一种实施例2,即当引导斜槽部件2与汇集斜槽部件3的活动挡板夹角G1J2均为O度时,革E系统10还可以设计为有窗靶,即在束靶耦合区设置对称的作为束流通过窗的两个靶窗3。两个靶窗3在底壁20的宽度方向上相对设置。靶窗3为类似于镍镉合金、铝合金或其他材料的可穿透高能束流的、厚度与斜槽侧壁及束流能量相匹配的薄板,固定于斜槽壁上。如图3所示,入射束流B可以通过一侧的靶窗3与从斜槽部件2中滚落的颗粒靶进行反应,产生预计剂量的中子或中微子,产生的中子或中微子从另一侧的靶窗3穿出,作用在样品台上的实验样品上。入射束流B的入射角度也可根据实际需要进行调节,调节范围为两个靶窗3斜对角的切线分别减去束流束斑半径所形成的夹角β,即在夹角β范围内可以使束流既能打到颗粒靶又不会击中各斜槽壁。入射束流B与斜槽部件2中靶窗3的高低、远近距离可调,并且样品台的高度也随之变化,但其束流的入射方向只能为平行于斜槽底壁。
[0039]根据本发明的上述实施例,提供了一种用于小型高通量高能中子和/或中微子源的靶系统10,用以解决现有IFMIF中子源靶在运行过程中由于流体力学的不稳定性而造成的射流影响和强放射性污染等问题,同时解决了颗粒靶中热应力的问题。
[0040]中子和/或中微子产生系统100中的固体颗粒冷却装置5设置在汇聚漏斗4的下游,该固体颗粒冷却装置5可采用波纹板式逆流水冷换热器。固体颗粒冷却装置5负责将颗粒从靶系统10带出的热量换至二回路。颗粒补充回收存储装置7设置在固体颗粒冷却装置5的下游,用于储存补充换热后的颗粒,并可在以后需要的时候排空系统与控制系统内颗粒总量。颗粒提升装置8的作用是将颗粒补充回收存储装置7中的颗粒输送至收集部件I上方,进行下一轮的核反应。该颗粒提升装置8可采用垂直斗式提升机,由电机对配有装载斗的环链进行驱动。作为备选方案,也可使用电磁提升系统。
[0041]根据本发明的一些实施例,通道部件由矩形截面的管形成。例如,在第一实施例中,引导斜槽部件2和汇集斜槽部件3是矩形管,在第二实施例中,引导斜槽部件2与汇集斜槽部件3也是矩形管。
[0042]根据本发明的实施例,所采用的固体颗粒与目前国际上使用的高功率密度液态锂靶相比,可有效解决其在运行过程中由于流体力学的不稳定性而造成的射流影响,明显提高中子产生的稳定性;本发明的的实施例带有可活动挡板的斜槽结构保证足够大密堆率的前提下获得较高的流速,而且由于束流是侧面入射,可以设计足够宽的斜槽,进而提高束流功率;再者,固体颗粒可将产生的热量通过颗粒的流动从靶系统带出至固体颗粒冷却装置,并使之换至二回路,有效解决中子源的换热问题;此外,本发明的实施例的中子和/或中微子产生系统结构简单,尺寸大大缩小,可有效降低成本。
[0043]以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种靶系统,所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个,所述靶系统包括: 用作靶体的固体颗粒;以及 通道部件,所述通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的通道,所述通道部件具有底壁,在底壁的两个侧边缘部分设置的两个侧壁,所述两个侧壁中的每一个具有束流通过窗,分别用于束流通过以及中子和/或中微子通过。2.根据权利要求1所述的靶系统,其中 束流通过窗是开口,所述两个侧壁中的每一个都包括:在底壁的两个侧边缘部分的上部设置的两个第一侧壁部分,和在底壁的两个侧边缘部分的下部设置的两个第二侧壁部分,第一侧壁部分和第二侧壁部分之间具有间隙,由此形成所述开口。3.根据权利要求2所述的靶系统,其中 两个第一侧壁部分的下端之间的间距小于或等于两个第二侧壁部分的上端之间的间距。4.根据权利要求2或3所述的靶系统,其中 两个第一侧壁部分的下端之间限定的颗粒出口与两个第二侧壁部分的上端之间限定的颗粒入口对准。5.根据权利要求2或3所述的靶系统,其中 第一侧壁部分包括第一上部侧壁部分和第一下部侧壁部分,第一下部侧壁部分从第一上部侧壁部分的下端沿着底壁向下并朝向通道的中心延伸,而限定锥形通道部分。6.根据权利要求2或3所述的靶系统,其中 第一侧壁部分包括固定的第一上部侧壁部分和活动的第一下部侧壁部分,第一下部侧壁部分的上端与第一上部侧壁部分的下端可转动地连接。7.根据权利要求5所述的靶系统,其中 第一下部侧壁部分与第一上部侧壁部分的下端可转动地连接使第一下部侧壁部分能够绕大致垂直于底壁的轴线转动。8.根据权利要求2或3所述的靶系统,其中 第二侧壁部分包括第二上部侧壁部分和第二下部侧壁部分,第二上部侧壁部分从第二下部侧壁部分的上端沿着底壁向上并朝向通道的中心延伸,而限定锥形通道部分。9.根据权利要求2或3所述的靶系统,其中 第二侧壁部分包括活动的第二上部侧壁部分和固定的第二下部侧壁部分,第二上部侧壁部分的下端与第二下部侧壁部分的上端可转动地连接。10.根据权利要求8所述的靶系统,其中 第二上部侧壁部分与第二下部侧壁部分的上端可转动地连接使第二上部侧壁部分能够绕大致垂直于底壁的轴线转动。11.根据权利要求1所述的靶系统,还包括: 收集部件,所述收集部件设置在通道部件的上游,用于收集固体颗粒,其中收集部件具有开口;以及 用于开关该开口的闸门,其中在闸门开启时,收集在收集部件中的固体颗粒流入通道部件。12.根据权利要求11所述的靶系统,其中: 所述收集部件的限定所述开口的底壁和两个侧壁分别与所述通道部件的底壁和两个侧壁的上端邻接,所述收集部件的开口朝向通道部件的通道的上端的开口。13.—种用于产生中子和/或中微子的系统,包括: 权利要求1所述的靶系统。14.根据权利要求13所述的用于产生中子和/或中微子的系统,还包括: 束流发射件,所述束流发射件发射的束流通过所述通道部件的侧壁的开口中的一个,并且产生的中子和/或中微子通过所述通道部件的侧壁的开口中的另一个。
【文档编号】H05H6/00GK105828513SQ201610182413
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年3月28日
【发明人】杨磊, 张晟, 高笑菲, 林平, 付芬, 詹文龙
【申请人】中国科学院近代物理研究所
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