一种基于pmos的新型双向模拟开关电路的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，其主要技术特点是：包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3和六个电阻，两个PMOS管的漏极相连，PMOS管T1的源极连接电阻R1，PMOS管T2的源极连接电阻R3，PMOS管T1的栅极连接电阻R1的另一端和电阻R2，PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，NMOS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6，NMOS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，电阻R5的另一端连接开关控制端。本发明采用高压、大电流场效应管，使双向模拟开关的导通电流和截止耐压大大提高，并且能够适应较宽的电压范围。
【专利说明】
一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路
技术领域
[0001]本发明属于双向模拟开关电路技术领域，尤其是一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路。
【背景技术】
[0002]双向模拟开关是模拟电路中经常使用的一种电路，在电力、通信、雷达、计算机、自动控制、测量仪器等电子设备中，有广泛的应用。目前，双向模拟开关电路主要通过专用集成电路、光继电器等器件来实现。但是都存在导通电流小，截止耐压低等缺点。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，解决双向模拟开关电路导通电流小、截止耐压低不足的问题。
[0004]本发明解决其技术问题是采取以下技术方案实现的:
[0005]一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，其特征在于:包括PMOS管Tl、PM0S管T2、NMOS管T3和六个电阻，所述PMOS管Tl和PMOS管T2的漏极相连，所述PMOS管Tl的源极连接电阻Rl，所述PMOS管T2的源极连接电阻R3，所述PMOS管Tl的栅极连接电阻Rl的另一端和电阻R2，所述PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，所述NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，所述匪OS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6，所述匪OS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，所述电阻R5的另一端连接开关控制端。
[0006]本发明的优点和积极效果是:
[0007]本发明设计合理，其采用高压、大电流场效应管，通过一个NMOS管T3控制两个PMOS管的导通和关断，当开关控制端输入逻辑“I”信号时，PMOS管Tl和T2导通，模拟开关导通，当开关控制端输入逻辑“O”信号时，PMOS管Tl和T2关断，模拟开关关断，从而使双向模拟开关的导通电流和截止耐压大大提高，解决双向模拟开关电路导通电流小、截止耐压低不足的问题，并且能够适应较宽的电压范围。
【附图说明】
[0008]图1是本发明的电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]以下结合附图对本发明实施例做进一步详述:
[0010]一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，如图1所示，包括PMOS管Tl、PM0S管T2、匪05管了3、六个电阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5和1?6。所述两个?]\?)3管1'1、？]\105管了2的漏极相连，？]\105管Tl的源极连接电阻R1，PM0S管T2的源极连接电阻R3，PM0S管Tl的栅极连接电阻Rl的另一端和电阻R2，PM0S管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，NM0S管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，匪OS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6，NM0S管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，电阻R5的另一端连接开关控制端。
[0011]本发明的工作原理为:
[0012]当开关控制端的电压比低电压端电压足够高时，开关控制端上电压通过电阻R3和电阻R4的分压，在NMOS管T3的栅、源极之间产生足够大的电压使NMOS管T3导通。由于低电压端的电压远低于输入/输出端电压，输入/输出端电压通过电阻Rl和电阻R2在PMOS管Tl的栅、源极之间产生足够的开启电压使PMOS管Tl导通，通过电阻R3和电阻R4在PMOS管T2的栅、源极之间产生足够的开启电压使PMOS管T2导通，即两个输入/输出端导通。
[0013]当开关控制端的电压小于或等于低电压端电压，或者开关控制端为高阻态，匪OS管T3断开，电阻Rl和R2上没有电流，电阻R3和R4上没有电流。因此，PMOS管Tl和T2的栅、源极之间电压为零，PMOS管Tl和T2断开，即两个输入/输出端断开。
[0014]需要强调的是，本发明所述的实施例是说明性的，而不是限定性的，因此本发明包括并不限于【具体实施方式】中所述的实施例，凡是由本领域技术人员根据本发明的技术方案得出的其他实施方式，同样属于本发明保护的范围。
【主权项】
1.一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，其特征在于:包括PMOS管Tl、PMOS管T2、NMOS管Τ3和六个电阻，所述PMOS管Tl和PMOS管Τ2的漏极相连，所述PMOS管Tl的源极连接电阻Rl，所述PMOS管Τ2的源极连接电阻R3，所述PMOS管Tl的栅极连接电阻Rl的另一端和电阻R2，所述PMOS管Τ2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，所述NMOS管Τ3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，所述匪OS管Τ3的栅极连接电阻R5和电阻R6，所述匪OS管Τ3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，所述电阻R5的另一端连接开关控制端。
【文档编号】H03K17/687GK106059549SQ201610380262
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年5月31日
【发明人】顾德明, 李景云, 杜洋, 甄雪灵, 赵恩海, 张颖菁
【申请人】天津市三源电力设备制造有限公司, 国家电网公司