一种开关电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种开关电路。
【背景技术】
[0002]现有的开关电路大多采用场效应管作为电路的开关元件，一般通过采用两级三极管控制场效应管工作，如图1所示，其基本原理如下:
[0003]当控制端POW_EN状态为低电平时，三极管以1截止，三极管以2的基极为高电平，三极管Q12在导通，三极管Q12的集电极为低电平，即场效应管Q13的栅极为低电平，场效应管Q13导通。
[0004]当POW_EN控制口为高电平时，三极管Qll导通，三极管Q12的基极为低电平，三极管Q12截止，电压5V_STB通过电阻R14、电阻R15回到场效应管Q13的栅极，场效应管Q13截止。
[0005]然而，通过采用两级三极管控制场效应管工作的电路较为复杂，元件较多，成本较增高，PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)的面积增加，不利于PCB的排版布线。
【发明内容】
[0006]本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种开关电路，通过一级三极管控制场效应管工作，简化电路，降低成本，减少PCB的面积，便于PCB的排版布线。
[0007]本实用新型实施例提供了一种开关电路，所述开关电路包括三极管Q1、场效应管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3 ；
[0008]所述三极管Ql的基极通过所述第一电阻Rl连接至第一电压端；
[0009]所述三极管Ql的发射极连接至控制端；
[0010]所述三极管Ql的集电极通过所述第二电阻R2连接至第二电压端；
[0011]所述场效应管Q2的栅极通过所述第三电阻R3与所述三极管Ql的集电极连接；
[0012]所述场效应管Q2的源极连接至所述第二电压端。
[0013]优选地，所述三极管Ql为NPN型三极管。
[0014]优选地，所述场效应管Q2为P沟道场效应管。
[0015]优选地，所述开关电路还包括第四电阻R4 ;
[0016]所述三极管Ql的发射极连接至所述控制端具体为:
[0017]所述三极管Ql的发射极通过所述第四电阻R4连接至所述控制端。
[0018]优选地，所述开关电路还包括第一电容Cl ;
[0019]所述第一电容Cl的第一端与所述场效应管Q2的源极连接，所述第一电容Cl的第二端与所述场效应管Q2的栅极连接。
[0020]优选地，所述开关电路还包括第二电容C2 ;
[0021]所述第二电容C2的第一端与所述场效应管Q2的漏极连接，所述第二电容C2的第二端接地。
[0022]优选地，所述第一电阻Rl为1K Ω的电阻；
[0023]第二电阻R2为4.7ΚΩ的电阻；
[0024]第三电阻R3为100 ΚΩ的电阻；
[0025]第四电阻R4为100 Ω的电阻；
[0026]所述第一电容Cl为0.1uF的电容；
[0027]所述第二电容C2为0.1uF的电容。
[0028]本实用新型提供一种开关电路，通过一级三极管控制场效应管工作，电路设计简单，元件较少，降低了产品成本，PCB的占用面积较小，PCB的排版布线容易。
【附图说明】
[0029]图1是现有技术提供的一种常用的开关电路的电路图；
[0030]图2是本实用新型提供的开关电路的一个实施例的电路图。
【具体实施方式】
[0031 ] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0032]参见图2，是本实用新型提供的开关电路的一个实施例的电路图。
[0033]如图2所示，所述开关电路包括三极管Q1、场效应管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。
[0034]所述三极管Ql的基极通过所述第一电阻Rl连接至第一电压端VCC。
[0035]所述三极管Ql的发射极连接至控制端POW_EN。
[0036]所述三极管Ql的集电极通过所述第二电阻R2连接至第二电压端VSS。
[0037]所述场效应管Q2的栅极通过所述第三电阻R3与所述三极管Ql的集电极连接。
[0038]所述场效应管Q2的源极连接至所述第二电压端VSS。
[0039]其中，所述三极管Ql优选为NPN型三极管。
[0040]所述场效应管Q2为金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
[0041]所述场效应管Q2优选为P沟道场效应管。
[0042]进一步地，所述开关电路还包括第四电阻R4。
[0043]所述三极管Ql的发射极连接至所述控制端POW_EN具体为:
[0044]所述三极管Ql的发射极通过所述第四电阻R4连接至所述控制端POW_EN。
[0045]更进一步地，所述开关电路还包括第一电容Cl。
[0046]所述第一电容Cl的第一端与所述场效应管Q2的源极连接，所述第一电容Cl的第二端与所述场效应管Q2的栅极连接。
[0047]所述开关电路优选还包括第二电容C2。
[0048]所述第二电容C2的第一端与所述场效应管Q2的漏极连接，所述第二电容C2的第二端接地。
[0049]在一种优选的实施当中，所述第一电阻Rl为1K Ω的电阻。
[0050]第二电阻R2为4.7ΚΩ的电阻。
[0051]第三电阻R3为100 ΚΩ的电阻。
[0052]第四电阻R4为100Ω的电阻。
[0053]所述第一电容Cl为0.1uF的电容。
[0054]所述第二电容C2为0.1uF的电容。
[0055]当控制端POW_EN为低电平时，三极管Ql的发射极为低电平，而三极管Ql的基极通过所述第一电阻Rl上拉到第一电压VCC，三极管Ql处于饱和状态，三极管Ql的集电极为低电平，而场效应管Q2的栅极通过第三电阻R3连接到所述三极管Ql的集电极，所以场效应管Q2的栅极也为低电平，场效应管导通。
[0056]当控制端POW_EN为高电平时(通常为3.3V)，三极管Ql的发射极也为高电平，三极管Ql的基极通过所述第一电阻Rl上拉到第一电压VCC (所述第一电压VCC可根据控制端POW_EN的输出电压进行设置)，此时，三极管Ql的发射极和基极电压差为0V，三极管Ql处于截止状态，场效应管Q2的栅极通过第三电阻R3、第二电阻R2连接到第二电压端VSS，为高电平，场效应管截止。
[0057]综上所述，本实用新型提供一种开关电路，通过一级三极管控制场效应管工作，电路设计简单，元件较少，降低了产品成本，PCB的占用面积较小，PCB的排版布线容易。
[0058]以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种开关电路，其特征在于，所述开关电路包括三极管Q1、场效应管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3 ； 所述三极管Ql的基极通过所述第一电阻Rl连接至第一电压端； 所述三极管Ql的发射极连接至控制端； 所述三极管Ql的集电极通过所述第二电阻R2连接至第二电压端； 所述场效应管Q2的栅极通过所述第三电阻R3与所述三极管Ql的集电极连接； 所述场效应管Q2的源极连接至所述第二电压端。
2.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述三极管Ql为NPN型三极管。
3.如权利要求2所述的开关电路，其特征在于，所述场效应管Q2为P沟道场效应管。
4.如权利要求3所述的开关电路，其特征在于，所述开关电路还包括第四电阻R4; 所述三极管Ql的发射极连接至所述控制端具体为: 所述三极管Ql的发射极通过所述第四电阻R4连接至所述控制端。
5.如权利要求4所述的开关电路，其特征在于，所述开关电路还包括第一电容Cl; 所述第一电容Cl的第一端与所述场效应管Q2的源极连接，所述第一电容Cl的第二端与所述场效应管Q2的栅极连接。
6.如权利要求5所述的开关电路，其特征在于，所述开关电路还包括第二电容C2; 所述第二电容C2的第一端与所述场效应管Q2的漏极连接，所述第二电容C2的第二端接地。
7.如权利要求6所述的开关电路，其特征在于， 所述第一电阻Rl为1K Ω的电阻； 第二电阻R2为4.7ΚΩ的电阻； 第三电阻R3为100K Ω的电阻； 第四电阻R4为100Ω的电阻； 所述第一电容Cl为0.1uF的电容； 所述第二电容C2为0.1uF的电容。
【专利摘要】本实用新型公开了一种开关电路，包括三极管Q1、场效应管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、控制端、第一电压端和第二电压端；所述三极管Q1的基极通过所述第一电阻R1连接至所述第一电压端；所述三极管Q1的发射极连接至所述控制端；所述三极管Q1的集电极通过所述第二电阻R2连接至所述第二电压端；所述场效应管Q2的栅极通过所述第三电阻R3与所述三极管Q1的集电极连接；所述场效应管Q2的源极连接至所述第二电压端。本实用新型电路设计简单，元件较少，降低了产品成本，PCB的占用面积较小，便于PCB的排版布线。
【IPC分类】H03K17-687
【公开号】CN204290916
【申请号】CN201420738272
【发明人】陈荣坚
【申请人】广州视源电子科技股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年11月28日