一种基于逻辑保护射极耦合式放大电路的led灯保护系统的制作方法_2

文档序号:8609235阅读:来源:国知局
[0019]同时,该晶体管Q2的基极还与晶体管Ql的集电极相连接,晶体管Q3的基极则分别与晶体管Q2的发射极和直流电源S的正极相连接;所述驱动芯片M的VCC管脚与极性电容C2的正极相连接,而驱动芯片M的INP管脚则与极性电容C2的负极相连接。
[0020]所述的RC滤波电路则由电阻R3和电容Cl并联而成,即电阻R3和电容Cl并联后,其一个公共端与晶体管Ql的发射极相连接、其另一个公共端则与直流电源S的负极相连接。
[0021]所述逻辑保护射极耦合式放大电路的结构如图2所示,其主要由三极管Q5,三极管Q6,功率放大器Pl,功率放大器Ρ2,串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R9,串接在功率放大器Ρ2的正极输入端与输出端之间的极性电容C8,串接在功率放大器Pl的正极输入端与三极管Q5的集电极之间的电阻R8,串接在三极管Q5的集电极与三极管Q6的基极之间的电阻R10,与电阻RlO相并联的电容C7,负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经电阻Rll后与三极管Q5的发射极相连接的极性电容C6,串接在三极管Q6的基极与极性电容C6的正极之间的电阻R12,正极与三极管Q6的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管Dl和电阻R13后与功率放大器Pl的输出端相连接的电容C9,P极与功率放大器Ρ2的输出端相连接、N极经电阻R15和电阻R14后与稳压二极管Dl与电阻R13的连接点相连接的二极管D2,以及P极与电容C9的负极相连接、N极与二极管D2与电阻R15的连接点相连接的稳压二极管D3组成。
[0022]连接时,所述三极管Q5的基极与极性电容C6的正极相连接,其发射极与三极管Q6的发射极相连接,其集电极与功率放大器Pl的负极输入端相连接;三极管Q6的集电极与功率放大器Ρ2的负极输入端相连接,功率放大器Ρ2的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接。
[0023]同时,所述极性电容C6的正极与驱动芯片M的VCC管脚相连接,而电阻R15与电阻R14的连接点则与驱动芯片M的BOOST管脚相连接
[0024]为确保使用效果,该驱动芯片M优先采用凌力尔特公司生产的高频率N沟道MOSFET栅极驱动芯片,即LTC4440A集成芯片。该驱动芯片能以高达80V的输入电压工作,在高达100V瞬态时可连续工作。
[0025]如上所述,便可以很好的实现本实用新型。
【主权项】
1.一种基于逻辑保护射极耦合式放大电路的LED灯保护系统,主要由变压器T,驱动芯片M,串接于驱动芯片M的VCC管脚与INP管脚之间的开关电流源,串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C3,串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R7,以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C4和电容C5后接地、而发射极接地的晶体管Q4组成;所述变压器T的原边线圈的同名端与电容C4和电容C5的连接点相连接,其非同名端则与晶体管Q4的发射极相连接后接地;同时,晶体管Q4的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接,所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2,其特征在于,在驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间还串接有逻辑保护射极耦合式放大电路;所述逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q5,三极管Q6,功率放大器Pl,功率放大器P2,串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R9,串接在功率放大器P2的正极输入端与输出端之间的极性电容C8,串接在功率放大器Pl的正极输入端与三极管Q5的集电极之间的电阻R8,串接在三极管Q5的集电极与三极管Q6的基极之间的电阻R10,与电阻RlO相并联的电容C7,负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经电阻Rll后与三极管Q5的发射极相连接的极性电容C6,串接在三极管Q6的基极与极性电容C6的正极之间的电阻R12,正极与三极管Q6的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管Dl和电阻R13后与功率放大器Pl的输出端相连接的电容C9,P极与功率放大器P2的输出端相连接、N极经电阻R15和电阻R14后与稳压二极管Dl与电阻R13的连接点相连接的二极管D2,以及P极与电容C9的负极相连接、N极与二极管D2与电阻R15的连接点相连接的稳压二极管D3组成;所述三极管Q5的基极与极性电容C6的正极相连接,其发射极与三极管Q6的发射极相连接,其集电极与功率放大器Pl的负极输入端相连接;三极管Q6的集电极与功率放大器P2的负极输入端相连接,功率放大器P2的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接;所述极性电容C6的正极与驱动芯片M的VCC管脚相连接,而电阻R15与电阻R14的连接点则与驱动芯片M的BOOST管脚相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于逻辑保护射极耦合式放大电路的LED灯保护系统,其特征在于,所述的开关电流源由晶体管Ql,晶体管Q2,晶体管Q3,直流电源S,串接在晶体管Ql的集电极与晶体管Q2的集电极之间的电阻R1,串接在晶体管Ql的发射极与直流电源S的负极之间的RC滤波电路,串接在晶体管Ql的基极与直流电源S的负极之间的电阻R2,与直流电源S相并联的电阻R5,串接在晶体管Q3的发射极与直流电源S的负极之间的电阻R6,串接在晶体管Q3的集电极与晶体管Q2的集电极之间的电阻R4,以及正极与晶体管Q2的集电极相连接、负极与直流电源S的负极相连接的极性电容C2组成;所述晶体管Q2的基极还与晶体管Ql的集电极相连接,而晶体管Q3的基极则分别与晶体管Q2的发射极和直流电源S的正极相连接;所述驱动芯片M的VCC管脚与极性电容C2的正极相连接,而驱动芯片M的INP管脚则与极性电容C2的负极相连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于逻辑保护射极耦合式放大电路的LED灯保护系统,其特征在于,所述驱动芯片M为LTC4440A集成芯片。
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于逻辑保护射极耦合式放大电路的LED灯保护系统,主要由变压器T,驱动芯片M,串接于驱动芯片M的VCC管脚与INP管脚之间的开关电流源,串接于驱动芯片M的BOOST管脚与TG管脚之间的电容C3,串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间的电阻R7,以及基极与驱动芯片M的TG管脚相连接、集电极顺次经电容C4和电容C5后接地、而发射极接地的晶体管Q4组成;其特征在于,在驱动芯片M的VCC管脚与BOOST管脚之间还串接有逻辑保护射极耦合式放大电路。本实用新型不仅具有短路保护、过压保护及开路保护的功能,而且其功耗较低,其启动时间仅为传统栅极驱动电路启动时间的1/4。
【IPC分类】H05B37-02
【公开号】CN204316818
【申请号】CN201420736518
【发明人】高小英, 车容俊
【申请人】成都措普科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年11月28日
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