电路板的靶标系统结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种靶标系统结构，尤其涉及一种电路板的靶标系统结构，优化电路板的钻靶流程，易于分析形成电路板的多个基板的状况，并可利于使用者实时分析所钻靶的电路板是否存在制造缺失。
【背景技术】
[0002]现有电路板为多层板，可由六层、八层、十六层、六十四层基板所组成，为了让电路板安装在一设备，必须对电路板进行钻靶流程。多个基板堆栈成电路板时，容易产生层偏，而导致钻靶失败。
[0003]现有的钻靶流程先对电路板进行钻靶处理后，对所钻靶的电路板进行切片来分析中此电路板中各层基板的状况，来判断是否钻靶成功;换言之，若电路板为不良品，仍必须进行钻靶处理，而无法先进行汰除作业以免除钻靶处理，故会造成制造时间的浪费。
[0004]现有技术中，在钻靶后，通过分析所钻靶的电路板中各层基板的状况，来改良电路板的堆栈，从而提高下次钻靶的良率。若使用靶标系统结构来分析电路板中各层基板的状况时，通常靶标系统结构以尺寸相同或尺寸渐变的方式于多个基板的同一位置处分别设置有圆形靶标，当上述基板相互堆栈时，由上述基板的板面观看时，上述圆形靶标形成一个同心圆。由于分析设备以垂直上述基板的板面方向照射可见光或X光后，将所照射的结果进行二值化来分析，故当上述基板越多时，上述圆形靶标因不断地重迭而导致越难判定各圆形靶标间的差异，难以分析各层基板的状况，从而无法改良电路板的堆栈来提高钻靶的良率。
[0005]此外，现有对电路板进行钻靶的钻靶设备与对所钻靶的电路板中各层基板的状况进行分析的分析设备不同，故纵使分析设备对所钻靶的电路板中各层基板的状况进行分析来改良电路板的堆栈后，所得到的数据还必须进行处理才能应用于钻靶设备，实属不便，且容易产生误差。
[0006]因此，如何创作出一种电路板的靶标系统结构，优化电路板的钻靶流程，易于分析电路板中各层基板的状况，避免层偏的影响，提高定位的准确率，缩短钻靶流程的时间，并可利于使用者实时分析所钻靶的电路板是否存在制造缺失，将是本实用新型所欲积极揭露之处。
【实用新型内容】
[0007]为解决上述现有技术的问题，本实用新型的目的在于提供一种电路板的靶标系统结构，优化电路板的钻靶流程，易于分析电路板中各层基板的状况，避免层偏的影响，提高定位的准确率，缩短钻靶流程的时间，并可利于使用者实时分析所钻靶的电路板是否存在制造缺失。
[0008]为达上述目的及其他目的，本实用新型提供一种电路板的靶标系统结构，用于定位多个基板，该靶标系统结构包含:多个基准点，分别设置于各该基板，当上述基板相互堆栈时，上述基准点相互靠近;及多个定位部，其数量与上述基板的数量相同，一个定位部设置于一个基板，位于同一基板的定位部与基准点间具有一间距，且由上述基板的板面观看时，上述定位部彼此不重迭。
[0009]在上述的电路板的靶标系统结构中，其中，由上述基板的板面观看时，上述定位部以环状排列的方式包围上述基准点。其中，由上述基板的板面观看时，上述定位部为多重环状排列。
[0010]在上述的电路板的靶标系统结构中，其中，由上述基板的板面观看时，上述定位部以上述基准点为中心均匀地分散。
[0011]在上述的电路板的靶标系统结构中，其中，上述基板的各该间距的距离相似。
[0012]在上述的电路板的靶标系统结构中，其中，上述基准点较佳的靠近该电路板的待钻靶位置。
[0013]综上所述，本实用新型电路板的靶标系统结构通过该靶标系统结构的上述配置，易于分析该电路板中各层基板的状况，避免层偏的影响，提高定位的准确率;此外，通过该靶标系统结构的上述配置，优化该电路板的钻靶流程，让钻靶设备能同时分析该电路板中各层基板的状况，并进行钻靶处理，来缩短钻靶流程的时间；再者，通过该靶标系统结构的上述配置，可利于用户实时分析所钻靶的电路板是否存在制造缺失。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型电路板的靶标系统结构的第一实施例的分解图；
[0015]图2为本实用新型电路板的靶标系统结构的第一实施例的俯视图；
[0016]图3为本实用新型电路板的靶标系统结构的第二实施例的俯视图；
[0017]图4为本实用新型电路板的靶标系统结构的第三实施例的俯视图；
[0018]图5为本实用新型电路板的靶标系统结构的第四实施例的俯视图；
[0019]图6为本实用新型电路板的靶标系统结构的第五实施例的俯视图。
[0020]【符号说明】
[0021]I电路板
[0022]11-16 基板
[0023]101-106 基准点
[0024]201-212 定位部
[0025]1000-5000靶标系统结构
[0026]Dl 间距
[0027]D2 间距
[0028]D3 间距
[0029]H待钻靶位置
【具体实施方式】
[0030]为充分了解本实用新型的目的、特征及效果，现通过下述具体的实施例，并配合附图，对本实用新型做一详细说明，说明如后:
[0031]如图1和图2所示，其示为本实用新型电路板I的靶标系统结构1000的第一实施例。第一实施例中，该靶标系统结构1000用于定位三基板11-13，上述基板11-13组成该电路板I，该靶标系统结构1000包含多个基准点101-103及多个定位部201-203。
[0032]上述基准点101-103分别设置于各该基板11-13，当上述基板11-13相互堆栈时，上述基准点101-103相互靠近;上述定位部201-203，其数量对应上述基板11-13的数量，各该定位部201-203分别设置于各该基板11-13，位于同一基板11-13的定位部201-203与基准点101-103具有间距Dl，D2，D3，且由上述基板11-13的板面观看时，上述定位部201-203彼此不重迭。其中，上述定位部201-203可为圆形、圆环或其他几何形状，经习知的钻靶设备以垂直上述基板11-13的板面方向照射可见光或X光后，上述定位部201-203可于所照射的结果中进行二值化来分析。
[0033]由于上述定位部201-203彼此不重迭，故当上述基板11-13因涨缩而导致各该定位部201-203产生差异时，纵使以垂直上述基板的板面方向照射可见光或X光后，将所照射的结果进行二值化来分析，仍可清楚且迅速地得知各层基板11-13的状况，例如，上述基板11-13的堆栈是否正确、各该基板11-13是否变形…等，从而利于判断该电路板I是否需要钻靶，防止对不良的电路板I进行多余的钻靶处理，避免制造时间的浪费;此外，通过上述的配置，可清楚得知是哪一层基板11-13产生问题，通过计算机记录所分析的数据，能协助用户改良电路板的堆栈，利于质量管理。
[0034]虽然在本说明书中并未提及，但可通过上述基准点101-103、上述定位部201-203与待钻靶位置(图中未示)的相对位置关系，来进行精准地定位，以进行后续的钻靶处理。其中，在第一实施例中，该待钻靶位置与上述基准点101-103相同，但不限于此。此外，当进行完后续的钻靶处理后，通过该靶标系统结构的上述配置，可