专利名称：包含有青色型和黄色型颜色特性的像素的彩色图像传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路装置，以及更具体地涉及集成电路图像感测装置。
技术背景CMOS图像传感器典型地包括形成在集成电路衬底内的图像传感器单 元的二维阵列。为了在传感器内实现颜色表达，有机滤色器阵列可以形成在 图像传感器单元的二维阵列上并且微透镜阵列可以形成在滤色器阵列上。滤 色器阵列可以包括与二维阵列内对应的图像传感器单元(即，像素)相对设 置的红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色器的镶嵌图案。在授权给Kim的名 为 "Solid-State Imaging Devices Having Combined Microlens and Light Dispersion Layers for Improved Light Gathering Capacity and Methods of Forming Same"的美国专利号6517017中公开了 一种其中具有微透镜阵列和 滤色器阵列的示范性CMOS图像传感器。典型的滤色器阵列可以包括红-绿-绿-蓝(RGGB)滤色器的重复的4像素镶嵌图案。替换的滤色器阵列可以包 括重复的黄-洋红-青(YMC)图案、重复的黄-青-白(YCW)图案或重复的 青-黄_绿-洋红(CYGM)图案。如
图1所示，常规的四晶体管(4T) CMOS图像传感器单元10包括埋 置的光电二极管(BPD)、对传输信号TX作出响应的图像传输晶体管Tl、 对复位信号RX作出响应的复位晶体管T2、对驱动信号DX作出响应的驱动 晶体管T3和对选择信号SX作出响应的选择晶体管T4。选择晶体管T4驱 动传感器单元10的输出节点OUT,该输出节点电连接至对偏置信号Vb作 出响应的负载晶体管T5。驱动晶体管T3的栅极端子连接至浮动扩散(floating diffusion, FD)区，该浮动扩散区电连接至传输晶体管Tl的漏极和复位晶 体管T2的源极。该浮动扩散区示意性地图示为电容器(Cfd)。浮动扩散区 在图像传输晶体管T1启动时接收来自埋置光电二极管的电荷载流子。当光 子辐射被光电二极管接收并在其中产生电子-空穴对时产生这些电荷载流 子。传输到浮动扩散区的电荷载流子起到偏置驱动晶体管T3的栅极端子的作用。另外，复位晶体管T2的启动能通过电耦合浮动扩散区至正电源电压VDD来复位浮动扩散区。另外的CMOS图像传感器可以利用变化维度的光电二极管来俘获不同 颜色的光。在授权给Hwang的名为"CMOS Image Sensor and Method of Manufacturing the Same"的美国专利公开号2007/0063299中公开了 一种这样 的图像传感器。在美国专利号6548833、 5965875和6964916以及美国专利
发明者浅羽哲朗 申请人:三星电子株式会社