专利名称：低噪声放大器及具有该低噪声放大器的前端系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及3G无线通信领域，更具体的说，是涉及一种低噪声放大器以及具有该低噪声放大器的 TD-SCDMA (Time Division-Synchronous Code Division Multiple Access，时分同步码分多址)射频前端系统。
背景技术：
目前在无线通信产品中一般均采用板级SAW滤波器(surface acoustic wave,声表面波滤波器)来滤除带外的干扰(blocker)。SAW滤波器是利用具有压电效应性质的石英、铌酸锂和钛酸钡晶体做成的。采用压电效应的晶体，在受到电信号的作用时，可将电信号转为声信号。请参阅附图
I为采用干扰滤波器(SAW滤波器)的低噪声放大器(LNA，Low Noise Amplifier),利用SAW滤波器滤除带外干扰所得到的结果如表I所示。表I :
权利要求
1.一种低噪声放大器,其特征在于,包括接收信号的输入匹配网络，所述信号中包括有用信号和干扰信号；与所述输入匹配网络相配合，对所述有用信号进行阻抗匹配，以及对所述干扰信号进行高阻抗抑制的信号匹配及干扰抑制网络；将经匹配并滤除干扰的有用信号进行放大的低噪声放大器LNA核心放大管；与所述LNA核心放大管相连，对放大后的有用信号进行选频，输出无干扰信号的输出选频网络。
2.根据权利要求I所述的低噪声放大器，其特征在于，所述LNA核心放大管为共源共栅结构。
3.根据权利要求I所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配网络的结构为由电感、电容、放大管构成的谐振电路。
4.根据权利要求I所述的低噪声放大器，其特征在于，所述信号匹配及干扰抑制网络为电感和电容所构成的LC谐振网络。
5.根据权利要求I所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输出选频网络为由电感和电容所构成的LC选频网络，所述LC选频网络中的电容为电容阵列。
6.根据权利要求2至5所述的任意一项低噪声放大器，其特征在于，所述电感为高品质因子的电感。
7.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述LC谐振网络的非谐振频率点增益小于谐振频率点增益。
8.一种具有该低噪声放大器的TD-SCDMA射频前端系统，其特征在于，包括权利要求I 所述的低噪声放大器，以及与所述低噪声放大器相连的信号输入单元和信号输出单元；信号输入单元，用于接收TD-SCDMA射频前端的信号，所述信号包括有用信号和干扰信号;低噪声放大器，用于完成对干扰信号的滤除和有用信号的匹配和放大；信号输出单元，用于将经过干扰信号滤除的有用信号进行输出。
全文摘要
本发明公开了一种低噪声放大器以及具有该低噪声放大器的TD-SCDMA射频前端系统，天线接收包含有有用信号和干扰信号的信号，首先，经过输入匹配网络和blocker干扰抑制网络，对有用信号进行匹配处理，以及实现blocker干扰呈现高阻抗抑制；然后，通过低噪声放大器核心放大管对信号进行放大处理；最后，再通过输出LC选频网络对有用信号进行选频，输出无干扰的信号。通过在低噪声放大器内部设计blocker抑制网络使其取代芯片外部SAW滤波器，并与输入匹配网络相结合，在LNA内部滤除接收到的干扰信号，实现在滤除干扰信号的同时，减少了芯片面积、降低系统功耗和提高系统性能的目的。
文档编号H04B1/40GK102611394SQ201110023278
公开日2012年7月25日 申请日期2011年1月20日 优先权日2011年1月20日
发明者崔福良, 李海松, 王伟 申请人:联芯科技有限公司