专利名称：射频电路和混频器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种射频电路，特别是涉及以混频器耦接电感的射频电路。
背景技术：
在一般的射频电路中，接收器通常包含低噪声放大器(low noiseamplifier,LNA)和混频器(mixer)。混频器为接收器中的重要元件，用以将射频讯号转换为中频讯号，因此混频器的转换增益(conversion gain)、线性度(linearity)及噪声指数(noise figure)都会影响接收器的性能。在接收器中，低噪声放大器用以将射频讯号的噪声滤除，因此接收器整体的噪声主要是由低噪声放大器的性能所决定。然而，若使用具有较高的转换增益和较低噪声指数的混频器，不但可减少接收器整体的噪声，还可进一步减少低噪声放大器的成本。
发明内容
本发明提供一种高频宽、低噪声的混频器，以及包括所述混频器的射频电路。本发明提供一种射频电路，包括一变压器，用以接收一射频信号并产生一对转换信号；一本地振荡器，用以根据一本地振荡信号产生一第一振荡信号、一第二振荡信号、一第三振荡信号，以及一第四振荡信号；一第一混频器，根据所述转换信号、所述第一振荡信号以及所述第二振荡信号产生一第一混频信号，并包括一同相正向输入端，用以接收所述第一振荡信号；一同相负向输入端，用以接收所述第二振荡信号；以及一第一电感，耦接在所述同相正向输入端和所述同相负向输入端之间；一第二混频器，根据所述转换信号、所述第三振荡信号以及所述第四振荡信号产生一第二混频信号，并包括一正交正向输入端，用以接收所述第三振荡信号；一正交负向输入端，用以接收所述第四振荡信号；以及一第二电感，耦接在所述正交正向输入端和所述正交负向输入端之间；一第一可调增益放大器，根据所述第一混频信号产生一中频同相差动信号；以及一第二可调增益放大器，根据所述第二混频信号产生一中频正交差动信号。另外，本发明提供一种混频器，根据一对转换信号、一第一振荡信号、一第二振荡信号产生一混频信号，并包括一同相正向输入端，用以接收所述第一振荡信号；一同相负向输入端，用以接收所述第二振荡信号；以及一电感，耦接在所述同相正向输入端和所述同相负向输入端之间。另外，本发明提供一种混频器，根据一对转换信号、一第一振荡信号、一第二振荡信号产生一混频信号，并包括一同相正向输入端，用以接收所述第一振荡信号；一同相负向输入端，用以接收所述第二振荡信号；一第一电感，I禹接在所述同相正向输入端和一第一电源节点之间；以及一第二电感，耦接在所述同相负向输入端和所述第一电源节点之间。
图I是显示根据本发明一实施例所述的射频电路的示意图2是显示根据本发明一实施例所述的混频器的电路图；图3是显示根据本发明一实施例所述的混频器的电路图；图4A是显示根据本发明另一实施例所述的混频器的示意图；图4B是显示根据本发明另一实施例所述的混频器的示意图；图5A是显示根据本发明一实施例所述的电感的俯视图；图5B是显示根据本发明一实施例所述的电感的剖面图；图6A是显示根据本发明一实施例所述的电感的俯视图； 图6B是显示根据本发明一实施例所述的电感的剖面图。附图符号说明100 射频电路；102 低噪声放大器；104 变压器；106 本地振荡器；108、110、408、410 混频器；112、114 可调增益放大器；C1、C2、C3、C4 电容；CC1、CC2、CC3、CC4、CC5、CC6、CC7、CC8、CC9、CC10、CC11、CC12、CC13、CC14、CC15、CC16、CC17、CC18、CC19、CC20、CC21、CC22 线圈；E1、E2、E3、E4、E5、E6 平面;GND、VDD 电源节点；IFI 中频同相差动信号；IFQ 中频正交差动信号；IPI 同相正向输入端；INI 同相负向输入端；L1、L2、L3、L4、L5、L6 电感;LOS 本地振荡信号；M1、M2、Q3、Q4、Q5、Q6、M7、M8、M9、M10、Q11、Q12、Q13、Q14、M15、M16 晶体管；N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8、N9、N10、N11、N12、N13、N14 节点；MSl、MS2 混频信号；0S1、0S2、0S3、0S4 振荡信号；QPI 正交正向输入端；QNI 正交负向输入端；R1、R2、R3、R4 电阻；RR1、RR2、RR3、RR4 长度；RFS 射频信号；TS 转换信号。
具体实施例方式图I是显示根据本发明一实施例所述的射频电路100的示意图。如图I所示，射频电路100包括低噪声放大器102、变压器(transformer) 104、本地振荡器(localoscillator, LO) 106、混频器 108、110、以及可调增益放大器(variable gain amplifer,VGA) 112、114。低噪声放大器102用以接收中心频率为2. 4GHz的射频信号RFS，并将射频信号RFS放大。变压器104电性连接到低噪声放大器102，接收放大的射频信号RFS，并产生一对转换信号TS。本地振荡器106用以接收本地振荡信号L0S，并产生振荡信号0S1、0S2、0S3、0S4。混频器108电性连接到变压器104，并包括同相正向输入端IPI、同相负向输入端INI，以及电感LI。混频器108通过同相正向输入端IPI、同相负向输入端INI电性连接到本地振荡器106，其中同相正向输入端IPI用以接收振荡信号OSl，而同相负向输入端INI用以接收振荡信号0S2。电感LI耦接在同相正向输入端IPI和同相负向输入端INI之间。混频器108根据转换信号TS、振荡信号0S1、0S2，产生混频信号MSI。相似地，混频器110电性连接到变压器104，并包括正交正向输入端QPI、正交负向输入端QNI，以及电感L2。混频器110通过正交正向输入端QPI、正交负向输入端QNI电性连接到本地振荡器106，其中正交正向输入端QPI用以接收振荡信号0S3，而正交负向输入端QNI用以接收振荡信号0S4。电感L2耦接在正交正向输入端QPI和正交负向输入端QNI之间。混频器110根据转换信·号TS、振荡信号0S3、0S4，产生混频信号MS4。可调增益放大器112电性连接到混频器108，并根据混频信号MSl产生中频同相差动信号IFI。相似地，可调增益放大器114电性连接到混频器110，并根据混频信号MS2产生中频正交差动信号IFQ。本发明加入电感L1、L2的设计，增加电感性负载，可改善混频器108、110的转换增益,并减少多相过滤损耗(polyphasefilter loss)。电感LI、L2将有效改善射频电路100的效能。图2是显示根据本发明一实施例所述的混频器108的电路图。如图2所示，混频器108还包括晶体管Ml、M2、Q3、Q4、Q5、Q6、M7、M8。晶体管Ml、M2可以是PMOS晶体管(P-channel Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor);晶体管 Q3、Q4、Q5、Q6 可以是 NPN 型双载子接面晶体管(NPN-type bipolar junction transistor);而晶体管 M7、M8 可以是 NMOS 晶体管(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)。晶体管Ml耦接在电源节点VDD和节点NI之间，并具有耦接到节点N3的栅极。晶体管M2耦接电源节点VDD和节点N2之间，并具有耦接到节点N3的栅极。晶体管Q3耦接在节点NI和节点N4之间，并具有耦接到同相正向输入端IPI的栅极。晶体管Q4耦接在上节点N2和节点N4之间，并具有耦接到同相负向输入端INI的栅极。晶体管Q5耦接在节点N2和节点N5之间，并具有耦接到同相负向输入端INI的栅极。晶体管Q6耦接在节点N2和节点N5之间，并具有耦接到同相正向输入端IPI的栅极。晶体管M7耦接在节点N4和电源节点GND之间，并具有经节点N6耦接到变压器104的栅极。晶体管M8耦接在节点N5和电源节点GND之间，并具有经节点N7耦接到变压器104的栅极。电阻Rl耦接在节点NI、N3之间，而电阻R2耦接在节点N2、N3之间。另外，节点N1、N2耦接到所述可调增益放大器112。图3是显示根据本发明一实施例所述的混频器110的电路图。如图3所示，混频器 110 包括:晶体管 M9、M10、Q11、Q12、Q13、Q14、M15、M16。晶体管 M9、MlO 可以是 PMOS 晶体管；晶体管Qll、Q12、Q13、Q14可以是NPN型双载子接面晶体管；而晶体管M15、M16可以是NMOS晶体管。晶体管M9耦接在电源节点VDD和节点N8之间，并具有耦接到节点NlO的栅极。晶体管MlO耦接电源节点VDD和节点N9之间，并具有耦接到节点NlO的栅极。晶体管Qll耦接在节点N8和节点Nll之间，并具有耦接到正交正向输入端QPI的栅极。晶体管Q12耦接在上节点N9和节点Nll之间，并具有耦接到正交负向输入端QNI的栅极。晶体管Q13耦接在节点N9和节点N12之间，并具有耦接到正交负向输入端QNI的栅极。晶体管Q14耦接在节点N9和节点N12之间，并具有耦接到正交正向输入端QPI的栅极。晶体管M15耦接在节点Nll和电源节点GND之间，并具有经节点N13耦接到变压器104的栅极。晶体管M16耦接在节点N12和电源节点GND之间，并具有经节点N14耦接到变压器104的栅极。电阻R3耦接在节点N8、NlO之间，而电阻R4耦接在节点N9、NlO之间。另外，节点N8、N9耦接到所述可调增益放大器114。
图4A是显示根据本发明另一实施例所述的混频器408的示意图。图4A中的混频器408和图I中的混频器108相似，而两者相异处如下述(I)电感LI被移除；(2)同相正向输入端IPI经由电感L3、电容Cl耦接到电源节点GND ; (3)同相负向输入端INI经由电感L4、电容C2耦接到电源节点GND。电容C1、C2用以阻断直流电流，且电容C1、C2的电容值皆大于10pF。在图4A中，电感LI由耦接到电源节点GND的电感L3、L4取代，亦可达到增加电感性负载的效果。图4B是显示根据本发明另一实施例所述的混频器410的示意图。图4B中的混频器410和图I中的混频器110相似，而两者相异处如下述(I)电感L2被移除；(2)正交正向输入端QPI经由电感L5、电容C3耦接到电源节点GND ； (3)正交负向输入端QNI经由电感L6、电容C4耦接到电源节点GND。电容C3、C4用以阻断直流电流，且电容C3、C4的电容值皆大于10pF。在图4B中，电感L2由耦接到电源节点GND的电感L5、L6取代，亦可达到增加电感性负载的效果。图5A是显示根据本发明一实施例所述的电感LI的俯视图。而图5B是显示根据本发明一实施例所述的电感LI的剖面图。如图5A、图5B所示，电感LI可以包括线圈CC1、CC2、CC3、CC4、CC5、CC6、CC7、CC8、CC9、CC10、CC11，其中线圈 CCl 位于平面 E1，且形状是长度为长度RRl的矩形，并耦接到同相正向输入端IPI和同相负向输入端INI ;线圈CC2位于平面E2，且形状是长度为长度RR2的矩形；线圈CC3位于平面E3，且形状是长度为长度RRl的矩形；线圈CC4位于平面E4，且形状是长度为长度RR2的矩形；线圈CC5位于平面E5，且形状是长度为上长度RRl的矩形；线圈CC6位于平面E6，且形状是长度为长度RR2的矩形；线圈CC7位于平面E5，且形状是长度为长度RR3的矩形；线圈CC8位于平面E4，且形状是长度为长度RR4的矩形；线圈CC9位于平面E3，且形状是长度为长度RR3的矩形；线圈CClO位于平面E2，且形状是长度为长度RR4的矩形；以及线圈CCll位于所述平面E1，且形状是长度为长度RR3的矩形。平面E1、E2、E3、E4、E5、E6，彼此互相平行。长度RR1、RR2、RR3、RR4 由长到短依序为长度 RR1、RR2、RR3、RR4。线圈 CC1、CC2、CC3、CC4、CC5、CC6、CC7、CC8、CC9、CC10、CC11彼此互相电性连接，形成一条电流路径。图5A、图5B的电感LI是由向内环绕的11条线圈组成，具有节省布局空间的效果。此外，电感LI亦可根据所需的电感值设计不同的线圈数，例如由3、15、18个线圈组成。图6A是显示根据本发明一实施例所述的电感L2的俯视图。而图6B是显示根据本发明一实施例所述的电感L2的剖面图。如图6A、图6B所示，电感L2可以包括线圈CC12、CC13、CC14、CC15、CC16、CC17、CC18、CC19、CC20、CC21、CC22。其中线圈 CC12 位于平面 El,且形状是长度为长度RRl的矩形，并耦接到正交正向输入端QPI和正交负向输入端QNI ;线圈CC13位于平面E2，且形状是长度为长度RR2的矩形；线圈CC14位于平面E3，且形状是长度为长度RRl的矩形；线圈CC15位于平面E4，且形状是长度为长度RR2的矩形；线圈CC16位于平面E5，且形状是长度为上长度RRl的矩形；线圈CC17位于平面E6，且形状是长度为长度RR2的矩形；线圈CC18位于平面E5，且形状是长度为长度RR3的矩形；线圈CC19位于平面E4，且形状是长度为长度RR4的矩形；线圈CC20位于平面E3，且形状是长度为长度RR3的矩形；线圈CC21位于平面E2，且形状是长度为长度RR4的矩形；以及线圈CC22位于所述平面E1，且形状是长度为长度RR3的矩形。平面E1、E2、E3、E4、E5、E6，彼此互相平行。长度 RRU RR2、RR3、RR4 由长到短依序为长度 RRU RR2、RR3、RR4。线圈 CC12、CC13、CC14、CC15、CC16、CC17、CC18、CC19、CC20、CC21、CC22 彼此电性连接，形成一条电流路径。图 6A、图6B的电感L2是由向内环绕的11条线圈组成，具有节省布局 空间的效果。此外，电感L2亦可根据所需的电感值设计不同的线圈数，例如由3、15、18个线圈组成。 本发明虽以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明的范围，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可做若干的更动与润饰，因此本发明的保护范围是以本发明的权利要求为准。
权利要求
1.一种射频电路，包括 一变压器，用以接收一射频信号并产生一对转换信号； 一本地振荡器，用以根据一本地振荡信号产生一第一振荡信号、一第二振荡信号、一第三振荡信号，以及一第四振荡信号； 一第一混频器，根据所述转换信号、所述第一振荡信号以及所述第二振荡信号产生一第一混频信号，并包括 一同相正向输入端，用以接收所述第一振荡信号； 一同相负向输入端，用以接收所述第二振荡信号；以及 一第一电感，耦接在所述同相正向输入端和所述同相负向输入端之间； 一第二混频器，根据所述转换信号、所述第三振荡信号以及所述第四振荡信号产生一第二混频信号，并包括 一正交正向输入端，用以接收所述第三振荡信号； 一正交负向输入端，用以接收所述第四振荡信号；以及 一第二电感，I禹接在所述正交正向输入端和所述正交负向输入端之间； 一第一可调增益放大器，根据所述第一混频信号产生一中频同相差动信号；以及 一第二可调增益放大器，根据所述第二混频信号产生一中频正交差动信号。
2.如权利要求I所述的射频电路，其中所述第一混频器还包括 一第一晶体管，耦接在一第二电源节点和一第一节点之间，并具有耦接到一第三节点的一第一栅极； 一第二晶体管，耦接在所述第二电源节点和一第二节点之间，并具有耦接到所述第三节点的一第二栅极； 一第三晶体管，耦接在所述第一节点和一第四节点之间，并具有耦接到所述同相正向输入端的一第三栅极； 一第四晶体管，耦接在所述第二节点和所述第四节点之间，并具有耦接到所述同相负向输入端的一第四栅极； 一第五晶体管，耦接在所述第一节点和一第五节点之间，并具有耦接到所述同相负向输入端的一第五栅极； 一第六晶体管，耦接在所述第二节点和所述第五节点之间，并具有耦接到所述同相正向输入端的一第六栅极； 一第七晶体管，耦接在所述第四节点和一第一电源节点之间，并具有耦接到所述变压器的一第七栅极；以及 一第八晶体管，耦接在所述第五节点和所述第一电源节点之间，并具有稱接到所述变压器的一第八栅极， 其中所述第一节点和所述第二节点耦接到所述第一可调增益放大器。
3.如权利要求2所述的射频电路，其中所述第一混频器还包括 一第一电阻，耦接在所述第一节点和所述第三节点之间；以及 一第二电阻，耦接在所述第二节点和所述第三节点之间。
4.如权利要求2所述的射频电路，其中所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管分别为一双载子接面晶体管。
5.如权利要求I所述的射频电路，其中所述第二混频器还包括 一第九晶体管，耦接在一第二电源节点和一第八节点之间，并具有耦接到一第十节点的一第九栅极； 一第十晶体管，耦接在所述第二电源节点和一第九节点之间，并具有耦接到所述第十节点的一第十栅极； 一第十一晶体管，耦接在所述第八节点和一第十一节点之间，并具有耦接到所述正交正向输入端的一第i 栅极； 一第十二晶体管，耦接在所述第九节点和所述第十一节点之间，并具有耦接到所述正交负向输入端的一第十二栅极； 一第十三晶体管，耦接在所述第八节点和一第十二节点之间，并具有耦接到所述正交负向输入端的一第十三栅极； 一第十四晶体管，耦接在所述第九节点和所述第十二节点之间，并具有耦接到所述正交正向输入端的一第十四栅极； 一第十五晶体管，耦接在所述第十一节点和一第一电源节点之间，并具有耦接到所述变压器的一第十五栅极；以及 一第十六晶体管，耦接在所述第十二节点和所述第一电源节点之间，并具有耦接到所述变压器的一第十六栅极， 其中所述第八节点和所述第九节点耦接到所述第二可调增益放大器。
6.如权利要求5所述的射频电路，其中所述第二混频器还包括 一第三电阻，耦接在所述第八节点和所述第十节点之间；以及 一第四电阻，耦接在所述第九节点和所述第十节点之间。
7.如权利要求5所述的射频电路，其中所述第十一晶体管、所述第十二晶体管、所述第十三晶体管、所述第十四晶体管分别为一双载子接面晶体管。
8.如权利要求I所述的射频电路，其中所述第一电感包括 一第一线圈，位于一第一平面，且形状是长度为一第一长度的矩形，并耦接到所述同相正向输入端和所述同相负向输入端； 一第二线圈，位于一第二平面，且形状是长度为一第二长度的矩形； 一第三线圈，位于一第三平面，且形状是长度为所述第一长度的矩形； 一第四线圈，位于一第四平面，且形状是长度为所述第二长度的矩形； 一第五线圈，位于一第五平面，且形状是长度为所述第一长度的矩形； 一第六线圈，位于一第六平面，且形状是长度为所述第二长度的矩形； 一第七线圈，位于所述第五平面，且形状是长度为一第三长度的矩形； 其中 所述第一线圈、所述第二线圈、所述第三线圈、所述第四线圈、所述第五线圈、所述第六线圈、所述第七线圈形成一条电流路径； 所述第一平面、所述第二平面、所述第三平面、所述第四平面、所述第五平面，以及所述第六平面，彼此互相平行；以及 所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度，由长到短依序为所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度。
9.如权利要求8所述的射频电路，其中所述第一电感还包括 一第八线圈，位于所述第四平面，且形状是长度为一第四长度的矩形； 一第九线圈，位于所述第三平面，且形状是长度为所述第三长度的矩形； 一第十线圈，位于所述第二平面，且形状是长度为所述第四长度的矩形；以及 一第十一线圈，位于所述第一平面，且形状是长度为所述第三长度的矩形， 其中 所述第一线圈、所述第二线圈、所述第三线圈、所述第四线圈、所述第五线圈、所述第六线圈、所述第七线圈、所述第八线圈、所述第九线圈、所述第十线圈、所述第十一线圈形成一条电流路径； 所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度、所述第四长度，由长到短依序为所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度、所述第四长度。
10.如权利要求I所述的射频电路，其中所述第二电感包括 一第十二线圈，位于一第一平面，且形状是长度为一第一长度的矩形，并耦接到所述正交正向输入端和所述正交负向输入端； 一第十三线圈，位于一第二平面，且形状是长度为一第二长度的矩形； 一第十四线圈，位于一第三平面，且形状是长度为所述第一长度的矩形； 一第十五线圈，位于一第四平面，且形状是长度为所述第二长度的矩形； 一第十六线圈，位于一第五平面，且形状是长度为所述第一长度的矩形； 一第十七线圈，位于一第六平面，且形状是长度为所述第二长度的矩形； 一第十八线圈，位于所述第五平面，且形状是长度为一第三长度的矩形， 其中 所述第十二线圈、所述第十三线圈、所述第十四线圈、所述第十五线圈、所述第十六线圈、所述第十七线圈、所述第十八线圈形成一条电流路径； 所述第一平面、所述第二平面、所述第三平面、所述第四平面、所述第五平面，以及所述第六平面，彼此互相平行；以及 所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度，由长到短依序为所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度。
11.如权利要求10所述的射频电路，其中所述第二电感还包括 一第十九线圈，位于所述第四平面，且形状是长度为一第四长度的矩形； 一第二十线圈，位于所述第三平面，且形状是长度为所述第三长度的矩形； 一第二十一线圈，位于所述第二平面，且形状是长度为所述第四长度的矩形；以及 一第二十二线圈，位于所述第一平面，且形状是长度为所述第三长度的矩形， 其中 所述第十二线圈、所述第十三线圈、所述第十四线圈、所述第十五线圈、所述第十六线圈、所述第十七线圈、所述第十八线圈、所述第十九线圈、所述第二十线圈、所述第二十一线圈、所述第二十二线圈形成一条电流路径； 所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度、所述第四长度，由长到短依序为所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度、所述第四长度。
12.—种混频器,根据一对转换信号、一第一振荡信号、一第二振荡信号产生一混频信号，并包括 一同相正向输入端，用以接收所述第一振荡信号； 一同相负向输入端，用以接收所述第二振荡信号；以及 一电感，耦接在所述同相正向输入端和所述同相负向输入端之间。
13.如权利要求12所述的混频器，还包括 一第一晶体管，耦接在一第二电源节点和一第一节点之间，并具有耦接到一第三节点的一第一栅极； 一第二晶体管，耦接在所述第二电源节点和一第二节点之间，并具有耦接到所述第三节点的一第二栅极； 一第三晶体管，耦接在所述第一节点和一第四节点之间，并具有耦接到所述同相正向输入端的一第三栅极； 一第四晶体管，耦接在所述第二节点和所述第四节点之间，并具有耦接到所述同相负向输入端的一第四栅极； 一第五晶体管，耦接在所述第一节点和一第五节点之间，并具有耦接到所述同相负向输入端的一第五栅极； 一第六晶体管，耦接在所述第二节点和所述第五节点之间，并具有耦接到所述同相正向输入端的一第六栅极； 一第七晶体管，耦接在所述第四节点和一第一电源节点之间，并具有耦接到所述变压器的一第七栅极；以及 一第八晶体管，耦接在所述第五节点和所述第一电源节点之间，并具有耦接到所述变压器的一第八栅极。
14.如权利要求13所述的混频器，还包括 一第一电阻，耦接在所述第一节点和所述第三节点之间；以及 一第二电阻，耦接在所述第二节点和所述第三节点之间。
15.如权利要求13所述的混频器，其中所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管分别为一双载子接面晶体管。
16.如权利要求12所述的混频器，其中所述电感包括 一第一线圈，位于一第一平面，且形状是长度为一第一长度的矩形，并耦接到所述同相正向输入端和所述同相负向输入端； 一第二线圈，位于一第二平面，且形状是长度为一第二长度的矩形； 一第三线圈，位于一第三平面，且形状是长度为所述第一长度的矩形； 一第四线圈，位于一第四平面，且形状是长度为所述第二长度的矩形； 一第五线圈，位于一第五平面，且形状是长度为所述第一长度的矩形； 一第六线圈，位于一第六平面，且形状是长度为所述第二长度的矩形； 一第七线圈，位于所述第五平面，且形状是长度为一第三长度的矩形； 其中 所述第一线圈、所述第二线圈、所述第三线圈、所述第四线圈、所述第五线圈、所述第六线圈、所述第七线圈形成一条电流路径； 所述第一平面、所述第二平面、所述第三平面、所述第四平面、所述第五平面，以及所述第六平面，彼此互相平行；以及 所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度，由长到短依序为所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度。
17.如权利要求16所述的混频器，其中所述电感还包括 一第八线圈，位于所述第四平面，且形状是长度为一第四长度的矩形； 一第九线圈，位于所述第三平面，且形状是长度为所述第三长度的矩形； 一第十线圈，位于所述第二平面，且形状是长度为所述第四长度的矩形；以及 一第十一线圈，位于所述第一平面，且形状是长度为所述第三长度的矩形， 其中 所述第一线圈、所述第二线圈、所述第三线圈、所述第四线圈、所述第五线圈、所述第六线圈、所述第七线圈、所述第八线圈、所述第九线圈、所述第十线圈、所述第十一线圈形成一条电流路径； 所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度、所述第四长度，由长到短依序为所述第一长度、所述第二长度、所述第三长度、所述第四长度。
18.—种混频器,根据一对转换信号、一第一振荡信号、一第二振荡信号产生一混频信号，并包括 一同相正向输入端，用以接收所述第一振荡信号； 一同相负向输入端，用以接收所述第二振荡信号； 一第一电感，I禹接在所述同相正向输入端和一第一电源节点之间；以及 一第二电感，耦接在所述同相负向输入端和所述第一电源节点之间。
19.如权利要求18所述的混频器，还包括 一第一晶体管，耦接在一第二电源节点和一第一节点之间，并具有耦接到一第三节点的一第一栅极； 一第二晶体管，耦接在所述第二电源节点和一第二节点之间，并具有耦接到所述第三节点的一第二栅极； 一第三晶体管，耦接在所述第一节点和一第四节点之间，并具有耦接到所述同相正向输入端的一第三栅极； 一第四晶体管，耦接在所述第二节点和所述第四节点之间，并具有耦接到所述同相负向输入端的一第四栅极； 一第五晶体管，耦接在所述第一节点和一第五节点之间，并具有耦接到所述同相负向输入端的一第五栅极； 一第六晶体管，耦接在所述第二节点和所述第五节点之间，并具有耦接到所述同相正向输入端的一第六栅极； 一第七晶体管，耦接在所述第四节点和所述第一电源节点之间，并具有耦接到所述变压器的一第七栅极；以及 一第八晶体管，耦接在所述第五节点和所述第一电源节点之间，并具有耦接到所述变压器的一第八栅极。
20.如权利要求18所述的混频器，还包括 一第一电阻，耦接在所述第一节点和所述第三节点之间；以及一第二电阻，耦接在所述第二节点和所述第三节点之间。
21.如权利要求18所述的混频器，其中所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管分别为一双载子接面晶体管。
22.如权利要求18所述的混频器，还包括 一第一电容，耦接在所述第一电感和所述第一电源节点之间；以及 一第二电容，耦接在所述第二电感和所述第一电源节点之间。
全文摘要
本发明涉及射频电路和混频器。该射频电路包括变压器、本地振荡器、第一混频器、第二混频器、第一可调增益放大器，以及第二可调增益放大器。第一混频器包括耦接在同相正向输入端和同相负向输入端之间的第一电感。第二混频器包括耦接在正交正向输入端和正交负向输入端之间的第二电感。第一电感和第二电感提供电感性负载，可分别改善第一混频器和第二混频器的转换增益。
文档编号H04B1/40GK102957446SQ20111027677
公开日2013年3月6日 申请日期2011年9月19日 优先权日2011年8月25日
发明者徐金详, 孟庆宗 申请人:立积电子股份有限公司