电容式传感器的制作方法与工艺

文档序号:11965526阅读:来源:国知局
电容式传感器的制作方法与工艺

技术特征:
1.一种电容式传感器,包括:基板;活动电极,设置在所述基板上方;保护膜,固定到所述基板的顶面,以便具有间隙地覆盖所述活动电极,所述保护膜由绝缘材料制成;以及固定电极,设置在所述保护膜上与所述活动电极相对的位置处,其中所述电容式传感器将物理量转换为所述活动电极和所述固定电极之间的静电电容,所述基板的顶面的整个外周缘从所述保护膜起被暴露,由所述绝缘材料制成的绝缘片形成在所述基板的所述顶面上从所述保护膜起被暴露的区域的一部分中,并且电连接到所述活动电极的电极垫和电连接到所述固定电极的电极垫中的至少一个设置在所述绝缘片的顶面上。2.根据权利要求1所述的电容式传感器,其中所述保护膜的外周缘固定到所述基板的所述顶面,所述保护膜的所述外周缘内侧的区域覆盖所述活动电极,在所述保护膜的所述外周缘内侧的所述区域与所述基板的所述顶面之间具有空间,并且所述基板的所述顶面暴露的区域延伸到包括在所述保护膜与所述基板之间的所述空间的区域的边缘附近。3.根据权利要求1所述的电容式传感器,其中所述基板的顶面的至少一部分从所述基板的边缘向内侧暴露至少50μm。4.根据权利要求1所述的电容式传感器,其中所述活动电极的多个梁部被固定到所述基板的所述顶面,所述梁部朝向外周方向延伸,所述保护膜包括伸出部,所述伸出部朝向所述外周方向延伸以便覆盖所述梁部,所述保护膜的边缘在所述伸出部之间向内侧凹入,并且所述基板的所述顶面暴露在所述保护膜于所述伸出部之间凹入的区域中。5.根据权利要求1所述的电容式传感器,其中所述绝缘片由与所述保护膜相同的材料制成,以便与所述保护膜一体成形。6.根据权利要求5所述的电容式传感器,其中所述绝缘片是由氮化硅制成。7.根据权利要求1所述的电容式传感器,其中在所述基板的所述顶面暴露的区域中设置薄膜电极垫。8.一种声学传感器,包括:基板;活动电极膜,设置在所述基板上方;保护膜,固定到所述基板的顶面,以便具有间隙地覆盖所述活动电极膜,所述保护膜由绝缘材料制成;以及固定电极膜,设置在所述保护膜上与所述活动电极膜相对的位置处,其中所述声学传感器将物理量转换为所述活动电极膜与所述固定电极膜之间的静电电容,所述基板的顶面的整个外周缘从所述保护膜起被暴露,由所述绝缘材料制成的绝缘片形成在所述基板的所述顶面上从所述保护膜暴露的区域的一部分中,并且电连接到所述活动电极膜的电极垫和电连接到所述固定电极膜的电极垫中的至少一个设置在所述绝缘片的顶面上。
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