具有改善效率的linc发射器的制造方法

文档序号:7791478阅读:215来源:国知局
具有改善效率的linc发射器的制造方法
【专利摘要】一种射频(RF)发射器(300)包括被配置为接收第一组和第二组互补RF信号(S1(t),S2(t))的第一和第二驱动器(302-1,302-2)。恢复电路(304-1,304-2)耦合到第一和第二驱动器,并且桥接电路(306)耦合到第一和第二恢复电路。通过具有恢复电路和桥接电路,可提供共模阻抗和差分阻抗,其中共模阻抗低于差分阻抗。
【专利说明】具有改善效率的LINC发射器

【技术领域】
[0001] 本发明一般涉及具有非线性部件的线性放大(LINC)发射器,并且更具体地涉及 具有补偿电路以改善效率的LINC发射器。

【背景技术】
[0002] 图1和图2示出常规LINC发射器100的示例。在操作中,输入信号S(t)(其具有 变化的包络)被提供给信号发生器102,其可以表示为:
[0003] (1) S(t) = A(t)e" (t),
[0004] 其中A(t)为信号包络并且Θ (t)为信号相位。然后信号发生器102能够根据信 号s(t)生成信号Sl(t)和S2(t),该信号S(t)可以表示为:
[0005]

【权利要求】
1. 一种设备,其包括: 第一驱动器,其被配置为接收第一组互补射频信号即RF信号; 第二驱动器,其被配置为接收第二组互补RF信号; 第一恢复电路,其耦合到所述第一驱动器; 桥接电路,其耦合到所述第一恢复电路和所述第二恢复电路; 第二恢复电路,其耦合到所述第二驱动器;以及 输出电路,其耦合到所述第一恢复电路和所述第二恢复电路,其中所述第一恢复电路、 所述第二恢复电路和所述桥接电路提供共模阻抗和差分阻抗,其中所述共模阻抗低于所述 差分阻抗。
2. 根据权利要求1所述的设备,其中所述第一恢复电路和所述第二恢复电路进一步包 括第一电感器-电容器电路即LC电路和第二LC电路。
3. 根据权利要求2所述的设备,其中所述设备进一步包括: 第一消除电路,其耦合到所述第一驱动器;以及 第二消除电路,其耦合到所述第二驱动器,其中所述第一消除电路和所述第二消除电 路提1?峰值效率。
4. 根据权利要求3所述的设备,其中所述桥接电路包括耦合在所述第一恢复电路和所 述第二恢复电路之间的电感器。
5. 根据权利要求4所述的设备,其中在来自所述第一组RF脉冲的连续脉冲之间和来自 所述第二组RF脉冲的连续脉冲之间存在自由飞间隔,并且其中所述第一消除电路和所述 第二消除电路中的至少一个被配置为在每个自由飞间隔期间提供谐波恢复。
6. 根据权利要求5所述的设备,其中所述第一消除电路和所述第二消除电路进一步包 括第二LC电路和第四LC电路。
7. 根据权利要求6所述的设备,其中所述输出电路进一步包括组合器。
8. -种设备,其包括: 信号发生器,其被配置为接收输入信号并且被配置为生成多组互补RF信号; 多个驱动器,其耦合到所述信号发生器,其中每个驱动器被配置为接收所述多组互补 RF信号中的至少一个; 多个恢复电路,其中每个恢复电路耦合到所述驱动器中的至少一个; 桥接电路,其耦合到每个所述恢复电路;以及 输出电路,其耦合到每个恢复网络,其中所述多个恢复电路和所述桥接电路提供共模 阻抗和差分阻抗,其中所述共模阻抗低于所述差分阻抗。
9. 根据权利要求8所述的设备,其中每个恢复电路进一步包括LC电路。
10. 根据权利要求2所述的设备,其中所述设备进一步包括多个消除电路,其中每个消 除电路耦合到至少一个所述驱动器,并且其中所述多个消除电路提高峰值效率。
11. 根据权利要求10所述的设备,其中所述桥接电路进一步包括耦合在所述多个恢复 电路之间的电感器。
12. 根据权利要求11所述的设备,其中在来自每组RF脉冲的连续脉冲之间存在自由飞 间隔,并且其中所述多个消除电路中的至少一个被配置为在每个自由飞间隔期间提供谐波 恢复。
13. 根据权利要求12所述的设备,其中所述输出电路进一步包括组合器。
14. 一种设备,其包括: 信号发生器,其被配置为接收输入信号并且被配置为生成第一 RF信号、第二RF信号、 第三RF信号和第四RF信号,其中所述输入信号具有可变包络,并且其中所述第一 RF信号 和所述第二RF信号互补,并且其中所述第三RF信号和所述第四RF信号互补,并且其中在 所述第一 RF信号、所述第二RF信号、所述第三RF信号和所述第四RF信号的连续脉冲之间 存在自由飞间隔; 第一驱动器,其具有: 第一晶体管,其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极,其中所述第一晶体管的 所述控制电极耦合到所述信号发生器以便接收所述第一 RF信号;以及 第二晶体管,其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极,其中所述第二晶体管的 所述控制电极耦合到所述信号发生器以便接收所述第二RF信号,并且其中所述第二晶体 管的所述第一无源电极在第一节点处耦合到所述第一晶体管的所述第二无源电极; 第二驱动器,其具有: 第三晶体管,其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极,其中所述第三晶体管的 所述控制电极耦合到所述信号发生器以便接收所述第三RF信号;以及 第四晶体管,其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极,其中所述第四晶体管的 所述控制电极耦合到所述信号发生器以便接收所述第四RF信号,并且其中所述第四晶体 管的所述第一无源电极在第二节点处耦合到所述第三晶体管的所述第二无源电极; 第一恢复电路,其耦合到所述第一节点; 第二恢复电路,其耦合到所述第二节点; 输出电路,其分别在第三节点和第四节点处耦合到所述第一恢复电路和所述第二恢复 电路;以及 桥接电路,其耦合到所述第三节点和所述第四节点,其中所述第一恢复电路、所述第 二恢复电路和所述桥接电路提供共模阻抗和差分阻抗,其中所述共模阻抗低于所述差分阻 抗。
15. 根据权利要求14所述的设备,其中所述第一晶体管和所述第三晶体管进一步分别 包括第一 PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,并且其中所述第二晶体管和所述第四晶体管进 一步分别包括第一 NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。
16. 根据权利要求15所述的设备,其中所述桥接电路进一步包括耦合到所述第三节点 和所述第四节点的电感器。
17. 根据权利要求16所述的设备, 其中所述电感器进一步包括第一电感器, 其中所述第一恢复电路进一步包括: 第二电感器,其耦合在所述第一节点和所述第三节点之间;以及 第一电容器,其耦合在所述第一节点和第三节点之间;以及 其中所述第二恢复电路进一步包括: 第三电感器,其耦合在所述第二节点和所述第四节点之间;以及 第二电容器,其耦合在所述第二节点和所述第四节点之间。
18. 根据权利要求17所述的设备,其中所述设备进一步包括耦合到所述第一节点的第 一消除电路;以及耦合到所述第二节点的第二消除电路。
19. 根据权利要求18所述的设备,其中所述第一消除电路进一步包括彼此串联耦合的 第三电容器和第四电感器,并且其中所述第二消除电路进一步包括彼此串联耦合的第四电 容器和第五电感器。
20. 根据权利要求19所述的设备,其中所述输出电路进一步包括组合器。
【文档编号】H04B1/04GK104106213SQ201380008678
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年2月11日 优先权日:2012年2月9日
【发明者】J·户珥, R·赫扎瑞, L·丁, B·S·哈伦 申请人:德克萨斯仪器股份有限公司
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