提高音频功放输出功率的封装结构、封装方法及接线结构与流程

本发明涉及ic电路领域，尤其涉及ic电路领域的输出功率，具体是指一种用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构、封装方法及相应的接线结构。

背景技术：

目前的音频功放整机，大多数都是用左、右双声道工作模式，功放整机的功率大小，主要取决于功放ic的最大输出功率。要提高功放ic的最大输出功率，目前现有的技术主要有2种做法：一种是重新设计一款ic芯片，增大输出管面积，提高最大电流能力，或用更高耐压的工艺平台来设计ic，提高电源电压，重新设计大面积的芯片，要增加一套昂贵的光刻版成本，并且增加芯片成本，人力成本和开发周期。还有一种方法是将在整机上用两颗单声道大功率电路实现双通道应用，但这样做就会需要2倍的封装成本，对于功率电路，封装成本占电路总成本的比例很高，而且在整机应用上2颗电路也占更多的pcb面积，增加整机成本。

技术实现要素：

本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种能够增大输出功率的用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构、封装方法及相应的接线结构。

为了实现上述目的，本发明的提高音频功放输出功率的封装结构、封装方法及接线结构具有如下构成：

该提高音频功放输出功率的封装结构，其主要特点为，所述的封装结构包括：

封装壳体；

第一音频功放芯片模块，该第一音频功放芯片模块具有第一左声道正极输出端、第一左声道负极输出端、第一右声道正极输出端和第一右声道负极输出端；

第二音频功放芯片模块，该第二音频功放芯片模块具有第二左声道正极输出端、第二左声道负极输出端、第二右声道正极输出端和第二右声道负极输出端，所述的第二左声道正极输出端的端口与所述的第二左声道负极输出端的端口相连接成为声道负极输出端，所述的第二右声道正极输出端的端口与所述的第二右声道负极输出端的端口相连接成为声道正极输出端；

所述的第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块合封于所述的封装壳体中，且所述的第一左声道正极输出端、第一左声道负极输出端、第一右声道正极输出端、第一右声道负极输出端、声道负极输出端以及声道正极输出端分别与所述的封装壳体的对应管脚相连通。

该提高音频功放输出功率的封装结构的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通。

该提高音频功放输出功率的封装结构的第一音频功放芯片模块与第二音频功放芯片模块的合封方式具体为htssop28封装。

该提高音频功放输出功率的封装结构的第二音频功放芯片模块的输出端端口的连接方式为在所述的第二音频功放芯片模块内部通过铝版短接。

该实现上述封装结构的封装方法，其主要特点是，所述的封装方法具体为：

将所述的第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块进行合封，并与所述的封装壳体的对应管脚相连通，该与该封装壳体的对应管脚相连通具体为：

所述的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通。

该封装方法的所述的第二音频功放芯片模块的输出端端口的连接方式为在所述的第二音频功放芯片模块内部通过铝版短接。

该封装方法的将第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块进行合封，具体为：

将第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块进采用htssop28封装形式进行合封。

该基于上述封装结构实现双声道大功率功放音频输出的接线结构，其主要特点是，所述的接线结构包括：

左声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

右声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

所述的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通，所述的左声道正极输出管脚(27)与左声道负极输出管脚(26)均与所述的左声道扬声器的正极输入端相连通，所述的右声道负极输出管脚(23)与右声道正极输出管脚(21)均与所述的左声道扬声器的负极输入端相连通，所述的声道负极输出管脚(20)与所述的右声道扬声器的负极输入端相连通，所述的声道正极输出管脚(17)与所述的右声道扬声器的正极输入端相连通。

该基于上述封装结构实现2.1声道功放音频输出的接线结构，其主要特点为，所述的接线结构包括：

左声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

右声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

重低音扬声器的正极输入端和负极输入端；

所述的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)与所述的左声道扬声器的正极输入端相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的左声道负极输出管脚(26)与所述的左声道扬声器的负极输入端相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的右声道负极输出管脚(23)与所述的右声道扬声器的负极输入端相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的右声道正极输出管脚(21)与所述的右声道扬声器的正极输入端相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道负极输出管脚(20)与所述的重低音扬声器的负极输入端相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通，所述的声道正极输出管脚(17)与所述的重低音扬声器的正极输入端相连通。

采用了该发明中的用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构、封装方法及相应的接线结构，可根据实际需要选择是否对该第一音频功放芯片模块的输出端进行设置，从而实现了功率增大1倍的双通道功放和2.1输出功放功能，同时，减少了一套昂贵的光刻版成本和设计的人力成本，明显缩短了开发周期，节省了封装成本，也节省了整机上的pcb面积，降低整机成本，不仅如此，本发明的第二音频功放芯片模块中只有输出端口相对于所述的第一音频功放芯片模块存在区别，仅需要在制铝工艺中通过不同的光刻版以实现铝版短接，其他结构与所述第一音频功放芯片模块的结构完全相同，对整个工艺的调整非常小，进一步降低了成本，综上所述，使用上述方法的电路在使用起来成本更低，同时更加的灵活方便，具有更广泛的应用范围。

附图说明

图1为本发明的用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构及相应的实现双声道大功率功放音频输出功能的接线结构的示意图。

图2为本发明的用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构及相应的实现2.1声道功放音频输出功能的接线结构的示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地描述本发明的技术内容，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。

该提高音频功放输出功率的封装结构、封装方法及相应的接线结构具有如下构成：

该提高音频功放输出功率的封装结构，其主要特点为，所述的封装结构包括：

封装壳体；

第一音频功放芯片模块，该第一音频功放芯片模块具有第一左声道正极输出端、第一左声道负极输出端、第一右声道正极输出端和第一右声道负极输出端，其中该第一音频功放芯片模块可根据输入声道的不同实现不同功能，当在该第一音频功放芯片模块输入双声道时，该第一音频功放芯片模块的输出为双声道各正负，共四个端口，从而实现小功率双声道的功能；当在该第一音频功放芯片模块输入单声道时(即一输入端接地)，原本的四个端口两两相接，从而实现大功率单声道的功能；

第二音频功放芯片模块，该第二音频功放芯片模块具有第二左声道正极输出端、第二左声道负极输出端、第二右声道正极输出端和第二右声道负极输出端，所述的第二左声道正极输出端的端口与所述的第二左声道负极输出端的端口相连接成为声道负极输出端，所述的第二右声道正极输出端的端口与所述的第二右声道负极输出端的端口相连接成为声道正极输出端；

所述的第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块合封于所述的封装壳体中，且所述的第一左声道正极输出端、第一左声道负极输出端、第一右声道正极输出端、第一右声道负极输出端、声道负极输出端以及声道正极输出端分别与所述的封装壳体的对应管脚相连通。

该提高音频功放输出功率的封装结构的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通。

该提高音频功放输出功率的封装结构的第一音频功放芯片模块与第二音频功放芯片模块的合封方式具体为htssop28封装。

该提高音频功放输出功率的封装结构的第二音频功放芯片模块的输出端端口的连接方式为在所述的第二音频功放芯片模块内部通过铝版短接。所述第二音频功放芯片模块的其他结构与所述的第一音频功放芯片模块的结构完全相同。

该实现上述封装结构的封装方法，其主要特点是，所述的封装方法具体为：

将所述的第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块进行合封，并与所述的封装壳体的对应管脚相连通，该与该封装壳体的对应管脚相连通具体为：

所述的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通。

该封装方法的所述的第二音频功放芯片模块的输出端端口的连接方式为在所述的第二音频功放芯片模块内部通过铝版短接。

该封装方法的将第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块进行合封，具体为：

将第一音频功放芯片模块和第二音频功放芯片模块进采用htssop28封装形式进行合封。

该基于上述封装结构实现双声道大功率功放音频输出的接线结构，其主要特点是，所述的接线结构包括：

左声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

右声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

所述的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通，所述的左声道正极输出管脚(27)与左声道负极输出管脚(26)均与所述的左声道扬声器的正极输入端相连通，所述的右声道负极输出管脚(23)与右声道正极输出管脚(21)均与所述的左声道扬声器的负极输入端相连通，所述的声道负极输出管脚(20)与所述的右声道扬声器的负极输入端相连通，所述的声道正极输出管脚(17)与所述的右声道扬声器的正极输入端相连通。所述的第一音频功放芯片模块一个输入端连接左声道输入信号，另一个接地；所述的第二音频功放芯片模块的一个输入端连接右声道输入信号，另一个接地。

该基于上述封装结构实现2.1声道功放音频输出的接线结构，其主要特点为，所述的接线结构包括：

左声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

右声道扬声器的正极输入端和负极输入端；

重低音扬声器的正极输入端和负极输入端；

所述的第一左声道正极输出端与所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)相连通，所述的封装壳体的左声道正极输出管脚(27)与所述的左声道扬声器的正极输入端相连通，所述的第一左声道负极输出端与所述的封装壳体的左声道负极输出管脚(26)相连通，所述的左声道负极输出管脚(26)与所述的左声道扬声器的负极输入端相连通，所述的第一右声道负极输出端与所述的封装壳体的右声道负极输出管脚(23)相连通，所述的右声道负极输出管脚(23)与所述的右声道扬声器的负极输入端相连通，所述的第一右声道正极输出端与所述的封装壳体的右声道正极输出管脚(21)相连通，所述的右声道正极输出管脚(21)与所述的右声道扬声器的正极输入端相连通，所述的声道负极输出端与所述的封装壳体的声道负极输出管脚(20)相连通，所述的声道负极输出管脚(20)与所述的重低音扬声器的负极输入端相连通，所述的声道正极输出端与所述的封装壳体的声道正极输出管脚(17)相连通，所述的声道正极输出管脚(17)与所述的重低音扬声器的正极输入端相连通。所述的第一音频功放芯片模块的两输入端分别连接左、右声道输入信号，实现小功率双声道的功能；所述第二音频功放芯片模块的一个输入端连接低音输入信号，另一个输入端接地，实现大功率重低音的功能。

请参阅图1所示，其为本发明的用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构、封装方法及相应的接线结构中实现双声道大功率功放音频输出功能的接线结构的示意图，在一实施例中，将该第一音频功放芯片模块与该第二音频功放芯片模块进行合封后，使用图1所示的接线结构，使得输出并联后的输出管导通电阻减小为原来的一半，功耗也只有原来的一半，相同输出功率下产生的热量也只有原来的一半。因此用2只芯片封在一起，提供2倍的输出功率，产生的热量与单只芯片输出单倍功率时相同。因此用原来单芯片时的带散热片的贴片封装形式htssop28封装，能输出2倍的输出功率，并且可以满足散热要求。

请参阅图2所示，其为本发明的用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构、封装方法及相应的接线结构中实现2.1声道功放音频输出功能的接线结构的示意图，在一实施例中，将该第一音频功放芯片模块与该第二音频功放芯片模块进行合封后，使用图2所示的接线结构，使得该第一音频功放芯片模块还可保留2个输出(左输出lout和右输出rout)的功能，加上该第二音频功放芯片模块的1个输出out2作为重低音的大功率输出，1颗成品ic就可以实现常用的2.1功放(左、右声道加重低音输出)功能。

采用了该发明中的用于提高双声道d类功放集成电路输出功率的芯片封装结构、封装方法及相应的接线结构，可根据实际需要选择是否对该第一音频功放芯片模块的输出端进行设置，从而实现了功率增大1倍的双通道功放和2.1输出功放功能，同时，减少了一套昂贵的光刻版成本和设计的人力成本，明显缩短了开发周期，节省了封装成本，也节省了整机上的pcb面积，降低整机成本，不仅如此，本发明的第二音频功放芯片模块中只有输出端口相对于所述的第一音频功放芯片模块存在区别，仅需要在制铝工艺中通过不同的光刻版以实现铝版短接，其他结构与所述第一音频功放芯片模块的结构完全相同，对整个工艺的调整非常小，进一步降低了成本，综上所述，使用上述方法的电路在使用起来成本更低，同时更加的灵活方便，具有更广泛的应用范围。

在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。