图像传感器、电子装置及其制造方法与流程

本公开涉及图像传感器及其制造方法以及包括该图像传感器的电子装置及其制造方法。

背景技术：

许多现代电子设备涉及使用图像传感器的电子装置，例如，单反相机、普通数码相机、摄像机、手机、汽车电子等等。因此，本领域中一直存在对具有改善的图像质量的图像传感器的需求。

技术实现要素：

本公开的一个目的是提供一种本领域的新技术。

本公开的方面可以包括图像传感器、图像传感器的制造方法、包括该图像传感器的电子装置以及该电子装置的制造方法中的至少一个。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器。该图像传感器可以包括：逻辑区域，包括多个晶体管；像素区域，包括多个像素晶体管；其中所述多个像素晶体管中的第一像素晶体管的栅极电介质层比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。

根据本公开的第二方面，提供了一种电子装置。该电子装置可以包括如上所述的图像传感器。

根据本公开的第三方面，提供了一种制造图像传感器的方法。该方法可以包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑区域和像素区域；在所述衬底的表面处形成栅极电介质层，以使得所述像素区域的第一像素晶体管区域中的栅极电介质层比所述逻辑区域的第一晶体管区域中的栅极电介质层薄。

根据本公开的第四方面，提供了一种制造电子装置的方法，该方法可以包括用如上所述的方法来制造图像传感器。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示出典型的图像传感器的一部分的结构示例的框图。

图2是示出现有技术的图像传感器中存在的图像滞后现象的示意图。

图3是示出根据本发明的一个实施例的图像传感器的一部分的示意性截面图。

图4是示出根据本发明的一个实施例的图像传感器中的改善的图像滞后的示意图。

图5示出了根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的流程图。

图6a-图6e是示出根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。

图7a-图7e是示出根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。

图8a-图8e是示出根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。

图9a-图9i是示出根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

目前，典型的图像传感器包含布置成矩阵阵列的像素单元，每个像素单元包括若干个光电二极管或其它光敏元件以及其它元件(诸如复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管等)。入射于像素阵列上的光由所述光电二极管转换成电荷。之后，从各像素单元输出与用光电二极管进行光电转换后产生的电荷对应的像素信号。众所周知，可以使用互补金属氧化物半导体(cmos)电路来实施图像传感器。此类型的图像传感器通常称作cmos图像传感器。

图1是示出典型的图像传感器10的一部分的结构示例的框图。如图1所示，图像传感器10可以包括像素区域100和逻辑区域200。图1示例性示出了像素区域100包括一个像素单元，但是本领域技术人员可以理解，像素区域100中可以包括与图1中示出的像素单元相同或不同的一个或多个其它像素单元。在像素区域100中，像素单元包括复位晶体管rst1001、传输门晶体管tg1002、光电二极管pd1003、浮动扩散部fd1004以及放大晶体管amp1005(例如，源极跟随器晶体管)。光电二极管pd1003的阳极接地，并且阴极耦合到传输门晶体管tg1002的源极。传输门晶体管tg1002的漏极耦合到复位晶体管rst1001的漏极和放大晶体管amp1005的栅极。复位晶体管rst1001的源极和放大晶体管amp1005的源极耦合到电源电压vdd。放大晶体管amp1005的漏极耦合到逻辑区域。另外，虽然图1中示出的浮动扩散部fd1004为耦合在复位晶体管1001的漏极、传输门晶体管1002的漏极以及放大晶体管1005的栅极处的电容器，但是本发明不限于此。在一个实施例中，浮动扩散部fd1004是传输门晶体管tg1002、复位晶体管rst1001和放大晶体管amp1005相互耦合处的节点。

在图像传感器10的操作中，传输门晶体管tg1002按照例如由逻辑区域提供的驱动信号，导通或断开电荷从光电二极管pd1003向浮动扩散部fd1004的传输。例如，如果向传输门晶体管tg1002提供的驱动信号使传输门晶体管tg1002断开，则将光电二极管pd1003转换的电荷累积在光电二极管pd1003处，如果向传输门晶体管tg1002提供的驱动信号使传输门晶体管tg1002导通，则允许电荷向浮动扩散部fd1004传输。

复位晶体管rst1001根据例如由逻辑区域200提供的驱动信号来确定是否将累积在浮动扩散部fd1004的电荷的排出。例如，如果向复位晶体管rst1001提供的驱动信号使复位晶体管rst1001导通，则将浮动扩散部fd1004电平固定在电源电压vdd上，并将累积在浮动扩散部fd1004的电荷排出(复位)。此外，如果向复位晶体管rst1001提供的驱动信号使复位晶体管rst1001断开，则使浮动扩散部fd1004成为电浮空状态。

放大晶体管amp1005将与累积在浮动扩散部fd1004的电荷对应的电压放大。此外，像素区域100中的像素单元还可以包括选择晶体管，该选择晶体管被导通或断开以确定像素信号是否从放大晶体管amp1005输出到逻辑区域200。例如，如果向选择晶体管提供的驱动信号使其导通，则向逻辑区域200输出像素信号，否则停止输出像素信号。

然而，在cmos图像传感器中的像素单元的布置并不限于图1所示的结构。在本发明中，cmos图像传感器的像素阵列中的每一个像素单元可以包含一个或多个光电二极管pd及相应的传输门晶体管tg。每一个像素单元可以包括其自己的浮动扩散部fd，或者多个像素单元可以共享浮动扩散部fd。作为后一种布置的实例，这些像素单元中的每一者包括传输门晶体管tg，以用于在图像读出期间将对应光电二极管pd以可控制方式耦合到浮动扩散部fd。此外，在其它实施例中，可以在多个像素单元之间共享复位晶体管、放大晶体管及选择晶体管中的一个或多个。

此外，虽然图1中示出的复位晶体管rst1001、传输门晶体管tg1002和放大晶体管amp1005为pmos晶体管，但是本发明并不限于此。这些晶体管可以是能够实现以上功能的任意n型器件或p型器件。

在一个实施例中，图像传感器10的逻辑区域200还可以包括由多种低电压晶体管和高电压晶体管以及其它元件集成的电路，例如信号放大器、列驱动器、行选择单元、时序控制逻辑、ad转换器、数据总线输出结构、控制接口、地址解码器和模拟/数字转换(adc)电路中的一个或多个。

在一个实施例中，cmos图像传感器10的逻辑区域200还可以包括其它处理电路，如用于自动曝光量控制、非均匀补偿、白平衡处理、黑电平控制、伽玛校正的处理电路等。

为了清楚地描述本发明的方面，在此省略对图像传感器10中的逻辑区域200所包括的本领域公知的这些部件的详细描述。

然而，在现有技术的cmos图像传感器中，存在影响图像质量的多种因素，其中一个因素是由传输门晶体管引起的图像滞后现象。

图2是示出现有技术的图像传感器中存在的图像滞后现象的示意图。

如上所述，在光电二极管pd1003的电子累积阶段期间，传输门晶体管tg1002处于断开状态，因此传输门晶体管tg1002处的电位为高，电子不会向浮动扩散部fd1004传输，而是累积在光电二极管pd1003处。

在光电二极管pd1003的读出阶段期间，传输门晶体管tg1002处于导通状态，因此传输门晶体管tg1002处的电位为低，电子能够从光电二极管pd1003向浮动扩散部fd1004传输。然而，如果传输门晶体管tg1002的调制程度较弱，则可能不能将传输门晶体管tg1002处的电位降得足够低，从而导致部分电子滞留在光电二极管pd1003处而不能够充分移动到浮动扩散部fd1004。这种情况会导致出现图像滞后现象。

为了改善图像滞后的性能，需要改善像素区域中的传输门晶体管tg1002的有效性。

在现有技术的cmos图像传感器中，影响图像质量的另一个重要原因是随机噪声。放大晶体管中的栅极电介质层处捕获的电荷是引起随机噪声的一个重要因素。

因此，希望可以改善放大晶体管amp1005处的随机噪声，从而改善图像传感器10的图像质量。

因此，本申请的发明人提出了一种新的技术。

本申请的发明人认识到，如果传输门晶体管tg1002的栅极电介质层变薄，则可以使得传输门晶体管tg1002的调制能力增强，从而可以改善图像滞后现象。

此外，本申请的发明人还意识到，产生随机噪声的一个重要原因是由于在放大晶体管amp1005的栅极电介质层下方的衬底/栅极电介质层处存在捕获的电荷。由于捕获的电荷量与单位面积的栅极电介质层的电容成反比，并且单位面积的栅极电介质层的电容与栅极电介质层厚度成反比，因此，可以通过降低栅极电介质层的厚度来减小随机噪声。由此可知，如果可以将放大晶体管amp1005的栅极电介质层的厚度减薄，则可以改善图像传感器10的随机噪声，从而改善图像传感器10的图像质量。

本申请的发明人发现，与逻辑区域中的逻辑电路相比，像素晶体管(诸如，传输门晶体管tg1002和放大晶体管amp1005)的电压应力的占空比相对较低，因此可以减薄图像传感器10的像素区域100中的像素晶体管的栅极电介质层来获得以上的至少一个优点。

图3是示出根据本发明的一个实施例的图像传感器30的一部分的示意性截面图。图像传感器30包括像素区域和逻辑区域，在图3所示的实施例中，像素区域包括像素晶体管300以及逻辑区域包括晶体管400，其中像素晶体管300例如可以对应于图1所示的传输门晶体管tg1002或放大晶体管amp1005。本领域技术人员将认识到，像素区域和逻辑区域分别可以包括其它的一个或多个相同类型或不同类型的晶体管以及其它元件。

如图3所示，像素晶体管300和晶体管400形成在衬底500的表面处，像素晶体管300可以包括栅极电介质层3001和栅极电极3002并且晶体管400可以包括栅极电介质层4001和栅极电极4002。栅极电介质层3001和栅极电介质层4001例如可以是氧化物层(诸如sio2、hfo2、al2o3等)、氮化物层(诸如si3n4等)以及有机物层(诸如，聚偏氟乙烯(pvdf))。在一个实施例中，栅极电介质层3001和栅极电介质层4001为诸如sio2或hfo2的氧化物层。栅极电极3002和栅极电极4002可以由多晶硅或金属材料形成。为了便于描述，这里仅示出晶体管的栅极结构。但是本领域技术人员应当理解，像素晶体管300和晶体管400还可以包括其它结构。

如图3所示，像素晶体管300的栅极电介质层3001比晶体管400的栅极电介质层4001薄。在一个实施例中，像素晶体管300和晶体管400的操作电压可以相同，例如可以均为2.5v～3.3v。此时栅极电介质层3001的厚度可以为4.0纳米～5.5纳米，并且栅极电介质层4001的厚度可以为5.0纳米～6.0纳米。

在一个实施例中，逻辑区域中可能包括低电压晶体管，低电压晶体管的操作电压例如可以为0.9v～1.3v，此时低电压晶体管可能具有比像素晶体管300更薄的栅极电介质层，例如该低电压晶体管的栅极电介质层的厚度例如可以为1.5纳米～2.5纳米。

本领域技术人员可以理解，上述数值仅为示例，并且可以根据实际需要修改为其它适当的数值。

因此，在本申请的图像传感器中，像素区域中的传输门晶体管或放大晶体管中的至少一个的栅极电介质层至少比逻辑区域的高电压晶体管的栅极电介质层薄。此外，为了分别更好地改善图像滞后和随机噪声，传输门晶体管的栅极电介质层的厚度可能与放大晶体管的栅极电介质层的厚度不同。因此图像传感器在像素区域中可能包括具有不同的栅极电介质层厚度的传输门晶体管和放大晶体管，在逻辑区域中可能包括具有不同的栅极电介质层厚度的高电压晶体管和低电压晶体管，因此图像传感器具有多栅结构。通过这种结构，可以改善图像传感器的图像质量。

图4是示出根据本发明的一个实施例的图像传感器中的改善的图像滞后的示意图。

在本申请的一个实施例中，在光电二极管pd1003的电子累积阶段期间，传输门晶体管tg1002处于断开状态，因此传输门晶体管tg1002处的电位为高，电子不会向浮动扩散部fd1004传输，而是累积在光电二极管pd1003处。在光电二极管pd1003的读出阶段期间，传输门晶体管tg1002处于导通状态，因此传输门晶体管tg1002处的电位为低，电子能够从光电二极管pd1003向浮动扩散部fd1004传输。由于在本申请的实施例中，传输门晶体管tg1002的栅极电介质层减薄，所以传输门晶体管tg1002的调制能力增强，从而使得传输门晶体管tg1002处的电位降得足够低。因此，电子将充分地从光电二极管pd1003处转移到浮动扩散部fd1004处。这里，术语“充分地”意指电子完全或基本上完全从光电二极管转移到浮动扩散部。或者，与现有技术相比，在光电二极管的读出阶段期间，滞留在光电二极管处的电子被去除或数量显著减少。因此，现有技术的图像传感器中出现图像滞后现象会得到改善或消除。

图5示出了根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的流程图。如图5所示，在步骤501中，提供衬底，并且衬底包括逻辑区域和像素区域。衬底可以是本领域公知的半导体衬底，诸如si衬底、ge衬底或soi衬底等。在步骤502中，在衬底的表面处形成栅极电介质层，使得像素区域的第一像素晶体管区域中的栅极电介质层比逻辑区域的第一晶体管区域中的栅极电介质层薄。可以通过氧化生长、沉积(诸如化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)、溅射等)等方法来形式栅极电介质层。可以通过本领域公知的方法(诸如，光刻、干法蚀刻和湿法蚀刻)来使像素区域的第一像素晶体管区域中的栅极电介质层变得比逻辑区域的第一晶体管区域中的栅极电介质层薄。

图6a-图6e是示出根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。图6a-图6e示出了像素区域610和逻辑区域620各包括一个晶体管的示意性截面图，但是本领域技术人员理解，像素区域610和逻辑区域620可以包括多个晶体管及其它元件，图6a-图6e仅是为了说明而绘制。在图6a的步骤中，提供衬底6001，衬底6001包括像素区域610和逻辑区域620。在图6b的步骤中，在衬底6001上形成第一栅极电介质层6002，第一栅极电介质层6002可以通过氧化生长、沉积等方法形成。在图6c的步骤中，可以通过光刻工艺，使得逻辑区域620中的第一栅极电介质层6002被抗蚀剂层6003覆盖，而像素区域610中的第一栅极电介质层6002被暴露。在图6d的步骤中，可以通过蚀刻去除像素区域610中的第一栅极电介质层6002，之后去除抗蚀剂层6003并暴露逻辑区域620中的第一栅极电介质层6002。在图6e的步骤中，可以通过沉积等方法在衬底6001之上形成第二栅极电介质层6004，从而使得像素区域610中的栅极电介质层的总厚度比逻辑区域620中的栅极电介质层的总厚度薄。

图7a-图7e是示出根据本发明的一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。图7a-图7d的步骤可以与图6a-图6d的步骤类似。该实施例的方法与图6a-图6e所示的方法的不同之处在于，在图7e的步骤中，通过氧化生长的方法形成第二栅极电介质层7004。

图8a-图8e是示出根据本发明的另一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。在图8a的步骤中，提供衬底8001，衬底8001包括像素区域810和逻辑区域820。在图8b的步骤中，在衬底8001上形成栅极电介质层8002。可以通过沉积或氧化生长等方法形成栅极电介质层8002。一般地，栅极电介质层8002可以形成为比图6b所示的第一栅极电介质层6002和图7b所示的第一栅极电介质层7002更厚。在图8c所示的步骤中，通过光刻工艺，使得抗蚀剂层8003覆盖逻辑区域820中的栅极电介质层8002并暴露像素区域810中的栅极电介质层8002。然后在图8d所示的步骤中，通过蚀刻工艺，去除像素区域810中的部分栅极电介质层8002。之后，在图8e所示的步骤中，去除抗蚀剂层8003。

图9a-图9i是示出根据本发明的另一个实施例的制造图像传感器的一部分的过程的截面图。

在图9a所示的步骤中，提供衬底9001，衬底9001包括第一像素晶体管区域910-1、第二像素晶体管区域910-2和逻辑区域920。在图9b所示的步骤中，在衬底的表面处形成第一栅极电介质层9002。在图9c的步骤中，通过光刻工艺，使得抗蚀剂层9003覆盖逻辑区域920中的第一栅极电介质层9002，并且暴露第一像素晶体管区域910-1和第二像素晶体管区域910-2中的第一栅极电介质层9002。在图9d所示的步骤中，通过蚀刻工艺，去除第一像素晶体管区域910-1和第二像素晶体管区域910-2中的第一栅极电介质层9002，并且保留逻辑区域920中的第一栅极电介质层9002。在图9e所示的步骤中，去除抗蚀剂层9003，暴露逻辑区域920中的衬底表面处的第一栅极电介质层9002。

在图9f的步骤中，在衬底9001的表面处形成第二栅极电介质层9004。在图9f所示的实施例中，通过氧化生长的方法形成第二栅极电介质层9004。但是本领域技术人员将理解，也可以通过其它方法(例如，沉积)来形成第二栅极电介质层9004。在图9g的步骤中，通过光刻工艺，使抗蚀剂层9005覆盖第一像素晶体管区域910-1中的第二栅极电介质层9004以及逻辑区域920中的第一栅极电介质层9002和第二栅极电介质层9004，并且暴露第二像素晶体管区域910-2中的第二栅极电介质层9004。在图9h所示的步骤中，通过蚀刻工艺，去除第二像素晶体管区域910-2中暴露的第二栅极电介质层9004。之后去除抗蚀剂层9005。在图9i的步骤中，在衬底9001的表面处形成第三栅极电介质层9006。如图9i所示，第二像素晶体管区域910-2包括第三栅极电介质层9006，第一像素晶体管区域910-1包括第三栅极电介质层9006和第二栅极电介质层9004，并且逻辑区域920中包括第三栅极电介质层9006、第二栅极电介质层9004以及第一栅极电介质层9002。由此，形成了具有多栅结构的图像传感器。

如图9i所示，在像素区域910中，第一像素晶体管区域910-1和第二像素晶体管区域910-2中的栅极电介质层的厚度不同。第一像素晶体管区域910-1中形成的晶体管例如是传输门晶体管或放大晶体管中的一者，并且第二像素晶体管区域910-2中形成的晶体管例如是传输门晶体管或放大晶体管中的另一者。此外，第一像素晶体管区域910-1和第二像素晶体管区域910-2中也可能包括相同类型的像素晶体管，例如都为传输门晶体管或都为放大晶体管，但是由于操作电压的不同等原因，它们的栅极电介质层的厚度也有可能不同。

根据本发明实施例的图像传感器可以包括cmos图像传感器以及其它任何适合的传感器。根据本发明实施例的电子装置可以包括照相机、摄像机等。根据本实施例的图像传感器以及电子装置可以用于手机、电脑、机器人、监控、医疗、汽车等等多种领域。除了以上提及的部件之外，图像传感器和包括图像传感器的电子装置还可以包括本领域公知的部件，诸如中央处理单元(cpu)、存储器(非易失性存储器和易失性存储器)等等。

根据本公开的实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器可以包括：逻辑区域，包括多个晶体管；像素区域，包括多个像素晶体管；其中所述多个像素晶体管中的第一像素晶体管的栅极电介质层比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。

根据一个方面，所述第一晶体管的栅极电介质层的厚度可以为约5～6纳米，以及所述第一像素晶体管的栅极电介质层的厚度可以为约4～5.5纳米。

根据一个方面，所述第一像素晶体管的操作电压与所述第一晶体管的操作电压可以相同。

根据一个方面，所述多个像素晶体管还可以包括第二像素晶体管，所述第二像素晶体管的栅极电介质层可以比所述多个晶体管中的第一晶体管的栅极电介质层薄。

根据一个方面，所述第二像素晶体管的栅极电介质层可以比所述第一像素晶体管的栅极电介质层薄。

根据一个方面，所述第一像素晶体管可以是传输门晶体管或放大晶体管中的一个，并且所述第二像素晶体管可以是传输门晶体管或放大晶体管中的另一个。

根据一个方面，所述像素区域还可以包括光电二极管和浮动扩散部。

根据本公开的实施例，提供了一种电子装置，该电子装置可以包括以上方面中的图像传感器。

根据本公开的实施例，提供一种制造图像传感器的方法，该方法可以包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑区域和像素区域；在所述衬底的表面处形成栅极电介质层，以使得所述像素区域的第一像素晶体管区域中的栅极电介质层比所述逻辑区域的第一晶体管区域中的栅极电介质层薄。

根据一个方面，在所述衬底的表面处形成栅极电介质层可以包括：在所述逻辑区域中的第一晶体管区域中的衬底的表面处形成第一栅极电介质层；在所述像素区域的第一像素晶体管区域和所述逻辑区域中的第一晶体管区域中的衬底的表面处形成第二栅极电介质层。

根据一个方面，在所述衬底的表面处形成栅极电介质层可以包括：在所述像素区域和所述逻辑区域中的衬底的表面处形成第一栅极电介质层；对所述像素区域的第一像素晶体管区域的第一栅极电介质层进行减薄。

根据一个方面，所述栅极电介质层可以通过沉积或氧化生长的方法而形成。

根据一个方面，所述像素区域还可以包括第二像素晶体管区域，在所述衬底的表面处形成栅极电介质层的步骤还使得所述第二像素晶体管区域中的栅极电介质层也比所述逻辑区域的第一晶体管区域中的栅极电介质层薄。

根据一个方面，所述第二像素晶体管区域中的栅极电介质层的厚度可以比所述第一像素晶体管区域中的栅极电介质层的厚度薄，并且在所述衬底的表面处形成栅极电介质层的步骤可以包括：在所述衬底的表面处形成第一栅极电介质层，去除所述像素区域的第一像素晶体管区域和第二像素晶体管区域中的第一栅极电介质层，在所述衬底的表面处形成第二栅极电介质层，去除所述第一像素晶体管区域中的第二栅极电介质层；以及在所述衬底的表面处形成第三栅极电介质层。

根据一个方面，减薄和去除可以是通过湿法蚀刻或干法蚀刻的方法来执行的。

根据本公开的实施例，提供了一种制造电子装置的方法，该方法可以包括使用如上所述的方法来制造图像传感器。

在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其它取向上操作。

如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。

如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪音以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。

上述描述可以指示被“连接”或“耦合”在一起的元件或节点或特征。如在此所使用的，除非另外明确说明，“连接”意指一个元件/节点/特征与另一种元件/节点/特征在电学上、机械上、逻辑上或以其它方式直接地连接(或者直接通信)。类似地，除非另外明确说明，“耦合”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦合”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。

另外，仅仅为了参考的目的，还可以在下面描述中使用某种术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。

还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。

在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。

本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其它各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。