电容式麦克风及电子装置的制作方法

文档序号:14570998发布日期:2018-06-01 22:06阅读:154来源:国知局
电容式麦克风及电子装置的制作方法

本实用新型涉及声学技术领域,更为具体地,涉及一种电容式麦克风及电子装置。



背景技术:

随着社会的进步和技术的发展,近年来,手机、笔记本电脑等电子产品体积不断减小,人们对这些便携电子产品的性能要求也越来越高,从而也要求与之配套的电子零件的体积不断减小、性能和一致性不断提高。电容式麦克风开始被批量应用到手机、笔记本电脑等电子产品中,其封装体积比传统的驻极体麦克风小,因此受到大部分麦克风生产商的青睐。

其中,电容式麦克风主要是利用导体间的电容充放电原理,通过振膜感应音压,将导体间的静电压变化直接转换成电能讯号,电容式麦克风的灵敏度大小主要与电容值大小以及电容值随感应声压变化产生的相应电容量变化量有关,目前电容式麦克风的振膜面积有限,导致侧面电容不足,影响产品灵敏度的提升。



技术实现要素:

鉴于上述问题,本实用新型的目的是提供一种电容式麦克风及电子装置,以解决目前电容式麦克风结构导致的产品灵敏度提升受限,影响产品性能问题。

本实用新型提供的电容式麦克风,包括基底、设置在基底上的背极板以及振膜;背极板设置在振膜的上侧和/或下侧;并且,在振膜上设置有突出层或者纹膜结构层。

此外,优选的结构是,当在振膜上设置有突出层时,背极板通过支撑层设置在基底上,振膜通过绝缘层设置在背极板远离基底的一侧;其中,在振膜上设置有向背极板一侧垂直延伸的突出层。

此外,优选的结构是,当在振膜上设置有突出层时,振膜通过支撑层设置在基底上,背极板通过绝缘层设置在振膜远离基底的一侧;在振膜上设置有向背极板一侧垂直延伸的突出层。

此外,优选的结构是,当在振膜上设置有纹膜结构层时,背极板通过支撑层设置在基底上,振膜通过绝缘层设置在背极板远离基底的一侧;在振膜上设置有与背极板结构相适配并呈凹凸状分布的纹膜结构层。

此外,优选的结构是,当在振膜上设置有纹膜结构层时,振膜通过支撑层设置在基底上,背极板通过绝缘层设置在振膜远离基底的一侧;在振膜上设置有与背极板结构相适配并呈凹凸状分布的纹膜结构层。

此外,优选的结构是,当在振膜上设置有突出层时,背极板设置在振膜的两侧;并且,在振膜的两侧分别设置有向对应侧的背极板垂直延伸的突出层。

此外,优选的结构是,当在振膜上设置有纹膜结构层时,背极板设置在振膜的两侧;并且,在振膜上设置有与两侧背极板结构均相适配并呈凹凸状分布的纹膜结构层。

此外,优选的结构是,突出层或者纹膜结构层与振膜为一体成型结构。

此外,优选的结构是,还包括电极;电极用于连接电容式麦克风的内部电路和外部电路。

根据本实用新型的另一方面,提供一种电子装置,包括上述电容式麦克风。

利用上述电容式麦克风及电子装置,背极板设置在振膜的上侧和/或下侧;并且,在振膜上设置有突出层或者纹膜结构层,通过突出层或者纹膜结构层增加产品侧面电容值,以提高产品的灵敏度。

为了实现上述以及相关目的,本实用新型的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本实用新型的某些示例性方面。然而,这些方面指示的仅仅是可使用本实用新型的原理的各种方式中的一些方式。此外,本实用新型旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明,并且随着对本实用新型的更全面理解,本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中:

图1为根据本实用新型实施例一的电容式麦克风结构示意图;

图2为根据本实用新型实施例二的电容式麦克风结构示意图;

图3为根据本实用新型实施例三的电容式麦克风结构示意图;

图4为根据本实用新型实施例四的电容式麦克风结构示意图;

图5为根据本实用新型实施例五的电容式麦克风结构示意图;

图6为根据本实用新型实施例六的电容式麦克风结构示意图。

其中的附图标记包括:基底1、支撑层2、背极板3、电极4、振膜5、突出层51、纹膜结构层52、出声孔6、绝缘层7。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

在下面的描述中,出于说明的目的,为了提供对一个或多个实施例的全面理解,阐述了许多具体细节。然而,很明显,也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中,为了便于描述一个或多个实施例,公知的结构和设备以方框图的形式示出。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“水平”、“竖直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

为提高现有电容式麦克风的灵敏度,本实用新型的电容式麦克风将背极板设置在振膜的上侧和/或下侧;并且,在振膜上设置有突出层或者纹膜结构层,通过突出层或者纹膜结构层以增加产品的侧面电容,以提高产品的灵敏度及声学性能。

为详细描述本实用新型实施例的电容式麦克风结构,以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。

图1示出了根据本实用新型实施例一的电容式麦克风结构。

如图1所示,本实用新型实施例一的电容式麦克风,包括基底1、通过支撑层2设置在基底1上的背极板3以及通过绝缘层7设置在背极板3远离基底1一侧(向下)的振膜5;其中,在振膜5上设置有向背极板3一侧垂直延伸的若干个突出层51,突出层51呈竖直状均匀分布,并延伸至背极板3的孔隙内。通过突出层51增加振膜5的整体面积,达到增大电容式麦克风侧面电容(振膜与背极板之间的电容)及产品灵敏度的目的。

此外,在振膜5上还设置有与外界导通的至少一个出声孔6,出声孔6设置在振膜5未设置突出层51的位置。

图2示出了根据本实用新型实施例二的电容式麦克风结构。

如图2所示,本实用新型实施例二的电容式麦克风,包括基底1、通过支撑层2设置在基底1上的振膜5以及通过绝缘层7设置在振膜5远离基底1一侧的背极板3;其中,在振膜5上设置有向背极板3一侧(向上)垂直延伸的若干个突出层51,突出层51呈竖直状均匀分布,并延伸至背极板3的孔隙内,通过突出层51增加振膜5的整体面积,最终达到增大侧面电容及产品灵敏度的目的。

图3示出了根据本实用新型实施例三的电容式麦克风的结构。

如图3所示,本实用新型实施例三的电容式麦克风,包括基底1、通过支撑板设置在基底1上的背极板3,以及通过绝缘层7设置在背极板3远离基底1一侧的振膜5;其中,在振膜5上设置有与背极板3结构相适配并呈凹凸状分布的纹膜结构层52,该纹膜结构层52主要是指振膜5的整体结构呈凹凸状分布,换言之,为增加振膜5的面积,将振膜5设置为配合背极板3的孔隙结构的凹凸状纹膜结构。

其中,在振膜5上还设置有与外界导通的至少一个出声孔6,出声孔6设置在振膜5远离背极板3侧的凸起位置。

图4示出了根据本实用新型实施例四的电容式麦克风的结构。

如图4所示,本实用新型实施例四的电容式麦克风,包括基底1、通过支撑板设置在基底1上的振膜5,以及通过绝缘层7设置在振膜5远离基底1一侧的背极板3;其中,在振膜5上设置有与背极板3结构相适配并呈凹凸状分布的纹膜结构层52,该纹膜结构层52主要是指振膜5的整体结构呈凹凸状分布,该实施例中的振膜结构与实施例三中的振膜结构相类似,仅存在设置位置(与背极板之间的相对位置)及出声孔设置的差异。

图5示出了根据本实用新型实施例五的电容式麦克风结构。

如图5所示,本实用新型实施例五的电容式麦克风,包括振膜5以及设置在振膜5两侧的两个背极板3(包括上背极板和下背极板);其中,下背极板通过支撑层2设置在基底1上,振膜5设置在下背极板远离基底1的一侧,在振膜5远离基底1的一侧还设置有上背极板,振膜5位于上背极板和下背极板之间。

具体地,在振膜5的上下两侧分别设置有向对应侧的背极板3垂直延伸的若干突出层51,突出层51呈竖直状均匀分布,并延伸至对应侧的背极板3的孔隙内;并且,位于振膜5上侧的突出层与位于振膜5下侧的突出层之间也呈均匀分布状态,即在水平方向上,相邻突出层51之间的间隔均相同。

图6示出了根据本实用新型实施例六的电容式麦克风结构。

如图6所示,本实用新型实施例六的电容式麦克风包括振膜5以及设置在振膜5两侧的两个背极板3(包括上背极板和下背极板);其中,下背极板通过支撑层2设置在基底1上,振膜5设置在下背极板远离基底1的一侧,在振膜5远离基底1的一侧还设置有上背极板,振膜5位于上背极板和下背极板之间。

具体地,上背极板和下背极板的孔隙相互间隔分布,在振膜5上设置有与两侧背极板3结构均相适配并呈凹凸状分布的纹膜结构层52,该纹膜结构层52主要是指振膜5的整体结构呈凹凸状分布,从而在背极板3的孔隙内形成凸起的振膜结构,达到增大侧面电容及产品灵敏度的目的。

需要说明的是,本实用新型实施例的突出层51或者纹膜结构层52均为振膜5的一种结构形式,突出层51或者纹膜结构层52与振膜5设置为一体成型结构,或者说振膜5为非水平状态分布,呈规则凹凸状分布或者在现有水平振膜5的基础上设置向振膜5一侧和/或两侧竖直延伸出的突出结构,通过突出层51和纹膜结构层52增加振膜5的整体面积,以增加电容式麦克风的侧面电容,提高产品灵敏度。

在本实用新型的一个具体实施方式中,电容式麦克风还包括电极4,两个电极4分别设置在振膜5的两侧,用于连接电容式麦克风的内部电路和外部电路。

与上述电容式麦克风相对应的,本实用新型还提供一种电子装置,包括壳体、以及收容在壳体内的上述电容式麦克风。

如上参照附图以示例的方式描述根据本实用新型的电容式麦克风及电子装置。但是,本领域技术人员应当理解,对于上述本实用新型所提出的电容式麦克风及电子装置,还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此,本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。

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