成像像素及成像传感器的制作方法

技术特征：

1.一种成像像素，包括：

光电二极管；

浮动扩散区；

转移晶体管，所述转移晶体管被配置为将电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区；

源极跟随器晶体管，其中所述浮动扩散区耦接到所述源极跟随器晶体管，并且其中所述源极跟随晶体管耦接到列输出线；和

晶体管，所述晶体管耦接在所述浮动扩散区和电源端子之间，其中所述晶体管具有栅极，并且其中所述晶体管的所述栅极从耦接到所述列输出线的比较器接收控制信号。

2.根据权利要求1所述的成像像素，其中当所述列输出线的电压低于抗重迭偏置线的电压时，来自所述比较器的所述控制信号为高。

3.根据权利要求2所述的成像像素，其中所述晶体管被配置为当来自所述比较器的所述控制信号为高时生效。

4.根据权利要求1所述的成像像素，其中所述比较器在第一输入端处耦接到所述列输出线，并且其中所述比较器在第二输入端处耦接到抗重迭偏置线。

5.根据权利要求1所述的成像像素，其中所述晶体管被配置为当所述列输出线的电压低于抗重迭偏置线的电压时生效。

6.一种成像像素，其在列输出线上输出图像信号，所述成像像素包括：

光敏区；

浮动扩散区；

转移晶体管，所述转移晶体管耦接在所述光敏区和所述浮动扩散区之间；

源极跟随器晶体管，所述源极跟随器晶体管耦接到所述浮动扩散区，其中所述源极跟随器晶体管耦接到所述列输出线；

重置晶体管，所述重置晶体管耦接在所述浮动扩散区和第一电源端子之间；和

抗重迭晶体管，所述抗重迭晶体管耦接在所述浮动扩散区和第二电源端子之间。

7.根据权利要求6所述的成像像素，其中所述抗重迭晶体管被配置为当所述列输出线上的电压小于阈值电压时生效。

8.根据权利要求7所述的成像像素，其中所述抗重迭晶体管具有栅极，所述栅极从数字重迭判断电路接收控制信号。

9.根据权利要求6所述的成像像素，其中所述抗重迭晶体管具有栅极，所述栅极从比较器接收输出信号，并且其中所述比较器具有耦接到所述列输出线的第一输入端以及耦接到偏置线的第二输入端。

10.一种成像传感器，包括：

多个像素，所述多个像素布置成行和列；

多个列输出线，其中每个列输出线耦接到相应的像素列；和

多个比较器，其中每个比较器具有耦接到相应的列输出线的第一输入端、耦接到抗重迭偏置线的第二输入端、输出端，并且其中每个像素包括：

光电二极管；

浮动扩散区，所述浮动扩散区被配置为从所述光电二极管接收电荷；和

抗重迭晶体管，所述抗重迭晶体管耦接在所述浮动扩散区和电源端子之间，其中每个抗重迭晶体管的栅极耦接到所述多个比较器之一的输出端。