基于RLCM四个元件的三阶混沌信号发生器的制作方法

文档序号:15566945发布日期:2018-09-29 03:33阅读:286来源:国知局

本发明涉及一个仅包含1个负电阻-r、1个电感l、1个电容c和1个忆阻m的忆阻混沌电路,实现了一种三阶混沌信号发生器。



背景技术:

近年来,各种忆阻器的等效电路被学者提出,丰富了电路理论基础和工程应用。现提出的忆阻等效电路主要分为两类:1.由运算放大器和模拟乘法器构成;2.由二极管桥级联电感、电容构成。基于这些忆阻等效电路,大量的忆阻混沌振荡电路被提出。然而,大多数的忆阻电路是四阶自治或三阶非自治电路,只有极少数的电路是三阶自治或二阶非自治电路。研究更多低阶忆阻电路,对丰富电路理论基础和工程应用具有重要意义。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题是实现一种基于rlcm四个元件的三阶混沌信号发生器。

为解决上述技术问题,本发明提供了该混沌信号发生器的实现方式,其结构如下:所述主电路如图3所示,包括1个负电阻-r、1个电感l、1个电容c和1个忆阻m;其中,1端和1'分别为忆阻m的输入端和输出端;电容c的正、负端分别记为a端和b端;电感l的输入端与a端相连,输出端与负电阻-r的上端相连;负电阻-r的下端与b端相连;b端接地。

忆阻m的等效电路如图1所示,包括二极管d1~d4,电感l0;二极管d1的输出端,二极管d2的输出端和电感l0的输入端相连;二极管d3的输入端,二极管d4的输入端和电感l0的输出端相连;二极管d1的输入端和二极管d4的输出端相连,记为1端;二极管d3的输出端和二极管d2的输入端相连,记为1'端。

负电阻-r如图2所示,包括运算放大器u,电阻r1,电阻r2,电阻r;运算放大器u的同相输入端和输出端跨接电阻r2,u的反相输入端和输出端跨接电阻r1;电阻r的上端接运算放大器u的同相输入端,下端接“地”。

本发明设计的混沌信号发生器含有三个状态变量,分别为电容c两端的电压vc,流过电感l的电流il,流过电感l0的电流i0。

归一化无量纲后方程的三个状态变量分别为x、y、z。

本发明的有益效果如下:

本发明的混沌信号发生器,其结构简单,仅包含四个元件,可作为一类新型的三阶混沌信号产生电路。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚的理解,下面根据具体实施方案并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中

图1忆阻等效电路;

图2负电阻等效电路;

图3基于rlcm四个元件的混沌信号产生电路;

图4(a)典型参数下状态变量z-y平面上的数值仿真相轨图,(b)状态变量vc–il平面上的实验相轨图;

图5(a)典型参数下状态变量z-x平面上的数值仿真相轨图,(b)状态变量vc–i0平面上的实验相轨图;

具体实施方式

数学建模:本发明采用由二极管桥级联一个电感l0组成的忆阻模拟器,其等效实现电路如图1所示。令忆阻模拟器的输入端电压和电流分别为vm和im,流过忆阻内部动态元件电感l0的电流为i0,该忆阻的数学模型可描述为

其中,ρ=1/(2nvt),is、n和vt分别代表二极管的反向饱和电流、发射系数、截止电压,is=5.84na,n=1.94,vt=25mv。忆阻m和电容c是并联的,所以vm=vc。

采用式(1)描述的忆阻模拟器构建混沌信号产生电路,如图3所示,其数学模型可表示为

对式(2)通过引入新的变量作如下尺度变换

式(2)的无量纲方程可写为

数值仿真:根据图3所示混沌信号产生电路,利用matlab仿真软件平台,可以对由式(4)所描述的系统进行数值仿真分析。选择龙格-库塔(ode23s)算法对系统方程求解。选择典型电路参数c=5nf、l=20mh、l0=10mh、r=1.5kω,代入式(3)作尺度变换后的参数,选择初始状态为(0,0.001,0),可获得变量z-y和z-x平面上的matlab数值仿真相轨图,如图4(a)和5(a)所示。

实验验证:选择型号为ad711kn的运算放大器,并提供±15v直流工作电压,二极管型号为1n4148,电容为独石电容,电阻为精密可调电阻,电感为手工绕制。制作实验电路,通过型号为tektronixtds3034c的数字示波器来捕捉典型参数下电路状态变量在vc–il和vc–i0平面上的相轨图如图4(b)和5(b)所示。

本发明实现的三阶混沌信号发生器,其结构简单仅包含四个元件,可作为一类简易可行的新型混沌信号产生电路。相信此发明对于混沌系统的发展将会有着较大的推进作用。

上述实例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种基于RLCM四个元件的三阶混沌信号发生器,包括1个负电阻‑R、1个电感L、1个电容C和1个忆阻M;其中,1端和1'分别为忆阻M的输入端和输出端;电容C的正、负端分别记为a端和b端;电感L的输入端与a端相连,输出端与负电阻‑R的上端相连;负电阻的下端与b端相连;b端接地。本发明所提出的忆阻混沌电路具有非常简单的拓扑结构,仅包含四个元件:1个负电阻‑R、1个电感L、1个电容C和1个忆阻M,可以产生常规的混沌信号。

技术研发人员:包伯成;徐莉;王宁;包涵;徐权;陈墨
受保护的技术使用者:常州大学
技术研发日:2018.04.28
技术公布日:2018.09.28
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