1.一种麦克风装置，所述麦克风装置包括：
基板，所述基板具有第一表面并且具有形成在所述第一表面中的腔体；
微机电系统(mems)换能器，所述微机电系统换能器在所述基板上安装在所述腔体外部；
专用集成电路(asic)，所述专用集成电路在所述基板上安装在所述腔体内部；
第一组导线，所述第一组导线将所述mems换能器电连接至所述asic；
第二组导线，所述第二组导线将所述asic电连接至所述基板上的所述腔体内部的导体；以及
封装材料，所述封装材料完全覆盖所述asic并且至少部分地覆盖所述第二组导线。
2.根据权利要求1所述的麦克风装置，其中，所述封装材料完全覆盖所述asic和所述第二组导线两者。
3.根据权利要求1所述的麦克风装置，其中，所述基板还包括位于所述腔体外围的平台，并且其中，所述mems换能器安装在所述平台上。
4.根据权利要求3所述的麦克风装置，其中，所述平台被升高超过所述基板的所述第一表面。
5.根据权利要求3所述的麦克风装置，其中，所述平台包围所述腔体的整个外围。
6.根据权利要求3所述的麦克风装置，其中，所述平台将所述腔体与被构造成容纳盖的盖安装表面分隔开。
7.根据权利要求1所述的麦克风装置，其中，所述mems换能器被安装在所述第一表面上。
8.根据权利要求1所述的麦克风装置，其中，所述封装材料包括环氧树脂。
9.根据权利要求1所述的麦克风装置，其中，所述第一组导线至少部分地被所述封装材料覆盖。
10.根据权利要求1所述的麦克风装置，其中，所述基板在所述基板的安装有所述mems换能器的部分处限定了开口。
11.根据权利要求1所述的麦克风装置，其中，所述基板包括包围所述asic的壁，并且所述第一表面形成所述壁的顶表面，使得所述腔体包括由所述壁包围的区域。
12.根据权利要求1所述的麦克风装置，所述麦克风装置还包括导电隔热层，所述导电隔热层设置在所述封装材料上，所述隔热层至少部分地覆盖所述asic。
13.根据权利要求12所述的麦克风装置，其中，所述封装材料是第一层封装材料，所述麦克风装置还包括第二层封装材料，所述第二层封装材料设置在所述隔热层的至少一部分上。
14.根据权利要求12所述的麦克风装置，其中，所述隔热层电连接至设置在所述基板上的接地层。
15.根据权利要求12所述的麦克风装置，其中，所述隔热层包括铝、铜、金或银中的至少一种。
16.一种制造麦克风装置的方法，所述方法包括：
提供基板，所述基板具有第一表面；
在所述基板的所述第一表面中形成腔体；
将微机电系统(mems)换能器在所述基板上安装在所述腔体外部；
将专用集成电路(asic)在所述基板上安装在所述腔体内部；
安装将所述mems换能器电连接至所述asic的第一组导线；
安装将所述asic电连接至所述基板上的所述腔体内部的导体的第二组导线；
按照使封装材料完全覆盖所述asic并且至少部分覆盖所述第二组导线的方式，将所述封装材料淀积到所述腔体中。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述封装材料淀积到所述腔体中包括：按照使所述封装材料完全覆盖所述asic和所述第二组导线两者的方式，将所述封装材料淀积到所述腔体中。
18.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：在所述基板上在所述腔体的外围处形成平台，并且其中，将所述mems换能器安装在所述基板上包括：将所述mems换能器安装在所述平台上。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述平台被升高超过所述基板的所述第一表面。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述平台包括：将所述平台形成为包围所述腔体的整个外围。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述平台包括：按照使所述平台将所述腔体的所述外围与被构造成容纳盖的盖安装表面分隔开的方式形成所述平台。
22.根据权利要求16所述的方法，其中，安装所述mems换能器包括：将所述mems换能器安装在所述基板的所述第一表面上。
23.根据权利要求16所述的方法，其中，淀积所述封装材料包括：按照使所述第一组导线被所述封装材料部分覆盖的方式淀积所述封装材料。
24.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：在所述基板上形成壁，所述壁包围所述asic，其中，所述壁的顶表面是所述基板的所述第一表面并且所述腔体包括由所述壁包围的区域。
25.根据权利要求16所述的方法，其中，所述封装材料是第一层封装材料，所述方法还包括：
在所述第一层封装材料上淀积导电材料；以及
在所述导电材料上淀积第二层封装材料。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，在所述第一层封装材料上淀积所述导电材料包括：利用喷射或微喷在所述第一层封装材料上淀积有机金属溶液或者悬浮在溶液中的纳米级金属导电颗粒中的至少一种。
27.一种麦克风装置，所述麦克风装置包括：
基板，所述基板具有第一表面；
形成在所述第一表面上的壁，所述壁至少部分地包围所述第一表面的第一部分；
微机电系统(mems)换能器，所述微机电系统换能器安装在所述基板上的所述第一表面的所述第一部分外部；
专用集成电路(asic)，所述专用集成电路安装在所述基板上并且位于所述第一表面的所述第一部分内部；
第一组导线，所述第一组导线将所述mems换能器电连接至所述asic；
第二组导线，所述第二组导线将所述asic电连接至所述基板上的换能器；以及
封装材料，所述封装材料淀积在至少部分地由所述壁包围的所述第一部分上，并且完全覆盖所述asic并且至少部分地覆盖所述第二组导线。
28.根据权利要求27所述的麦克风装置，其中，所述asic的高度大于所述壁的高度。
29.根据权利要求27所述的麦克风装置，其中，所述壁和所述基板二者是由相同材料形成的。
30.根据权利要求27所述的麦克风装置，其中，所述壁和所述基板是由不同材料形成的。
31.根据权利要求27所述的麦克风装置，其中，所述壁包括焊接掩模材料。
32.根据权利要求27所述的麦克风装置，所述麦克风装置还包括导电隔热层，所述导电隔热层设置在所述封装材料上，所述隔热层至少部分地覆盖所述asic。
33.根据权利要求32所述的麦克风装置，其中，所述封装材料是第一层封装材料，所述麦克风装置还包括第二层封装材料，所述第二层封装材料设置在所述隔热层的至少一部分上。
34.根据权利要求32所述的麦克风装置，其中，所述隔热层电连接至设置在所述基板上的接地层。
35.根据权利要求32所述的麦克风装置，其中，所述隔热层包括铝、铜、金或银中的至少一种。