调节结构、摄像头及终端设备的制作方法

本申请涉及图像技术领域，具体而言，涉及一种用于调节摄像部件的调节结构、具有该调节结构的摄像头及具有该摄像头的终端设备。

背景技术：

本申请对于背景技术的描述属于与本申请相关的相关技术，仅仅是用于说明和便于理解本申请的申请内容，不应理解为申请人明确认为或推定申请人认为是本申请在首次提出申请的申请日的现有技术。

随着手机、平板电脑等终端设备普遍使用，通过终端设备的摄像头摄影越来越普遍，同时，用户对终端设备照出图片的清晰度要求越来越高，摄像头一般采用回音马达调节摄像头的摄像参数(如果焦距、光圈)，回音马达是利用线圈和磁铁的交互方式驱动，由于终端设备本身的磁场比较复杂，回音马达会受到终端设备本身的磁场的干扰，导致摄像头的灵敏度不高，出现摄像头照出的图像清晰度低、失真等问题。

申请内容

为了解决上述至少问题之一，本申请第一方面的实施例提供了一种调节结构，用于调节摄像头的摄像部件，包括：电磁线圈；和变形片，所述变形片设置在所述电磁线圈的磁场内，用于与所述摄像部件连接，所述变形片在磁场中发生变形以调节所述摄像部件；其中，所述变形片包括：非磁性的基片；和第一磁致伸缩层，所述第一磁致伸缩层设置在所述基片的一面上，所述第一磁致伸缩层在所述磁场内发生变形，以使所述变形片变形调节所述摄像部件。

本申请提供的调节结构，第一磁致伸缩层由磁致伸缩材料制成，磁致伸缩材料在磁场中磁化时会在磁化方向会发生伸长或缩短，第一磁致伸缩层在磁场的影响下发生伸长或缩短，从而使整个变形片发生变形调节摄像部件，进而调整摄像部件的成像参数，该调节结构的结构简单，生产制造容易；另外，第一磁致伸缩层只受到固定方向磁场的干扰，在磁场干扰方向复杂的环境中，对调节结构产生磁干扰影响量小，从而保证了调节结构的使用可靠性，增加了产品的市场竞争力。

本申请第二方面的实施例提供了一种摄像头，包括：摄像部件，所述摄像部件包括镜头或光圈环；本申请第一方面所述的调节结构，所述调节结构与所述摄像部件连接，用于调节所述摄像部件；和控制装置，所述控制装置与所述调节结构的电磁线圈连接，用于控制所述电磁线圈电流的大小。

本申请第二方面提供的摄像头，控制装置通过控制调节结构的电磁线圈的电流大小，以改变电磁线圈产生磁场的大小，以控制调节结构的变形片上的第一磁致伸缩层的变形量，从而控制变形片的变形量，以控制变形片调节镜头或光圈环的范围，从而达到调节摄像头焦距或进光量的目的。

本申请第三方面的实施例提供了一种终端设备，包括本申请第二方面的实施例所述的摄像头。

本申请第三方面提供的终端设备，终端设备的磁场比较方向复杂，而摄像头的变形片上的第一磁致伸缩层只受到固定方向磁场的干扰，因此终端设备的磁场对调节结构产生磁干扰影响量小，从而保证了终端设备的使用可靠性，增加了产品的市场竞争力。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本申请所述调节结构的结构示意图；

图2是本申请所述变形片第一种实施例的结构示意图；

图3是图2所示变形片发生形变的结构示意图；

图4是本申请所述变形片第二种实施例的结构示意图；

图5是图4所示变形片发生形变的结构示意图；

图6是是本申请所述变形片第三种实施例的结构示意图；

图7是是本申请所述变形片第四种实施例的结构示意图；

图8本申请所述摄像头的结构框图；

图9本申请所述摄像头(去掉控制装置)第一种实施例的结构示意图；

图10本申请所述摄像头的侧视结构示意图；

图11本申请所述摄像头(去掉控制装置)第二种实施例的结构示意图；

图12本申请所述摄像头的侧视结构示意图。

其中，图1至图12中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

100调节结构，10电磁线圈，20变形片，21基片，22第一磁致伸缩层，23第二磁致伸缩层，24保护层，200摄像部件，201镜头，202光圈环，300控制装置，400摄像头。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是，本申请还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本申请的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

下述讨论提供了本申请的多个实施例。虽然每个实施例代表了申请的单一组合，但是本申请不同实施例可以替换，或者合并组合，因此本申请也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而，如果一个实施例包含a、b、c，另一个实施例包含b和d的组合，那么本申请也应视为包括含有a、b、c、d的一个或多个所有其他可能的组合的实施例，尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。

如图1所示，本申请第一方面提供的调节结构100，用于调节摄像头400的摄像部件200；调节结构100包括：电磁线圈10和变形片20。

具体地，变形片20设置在电磁线圈10的磁场内，用于与摄像部件200连接，变形片20在磁场中发生变形以调节摄像部件200；如图2所示，变形片20包括：非磁性的基片21和第一磁致伸缩层22，第一磁致伸缩层22设置在基片21的一面上，第一磁致伸缩层22在磁场内发生变形，以使变形片20变形调节摄像部件200。

本申请提供的调节结构100，第一磁致伸缩层22由磁致伸缩材料制成，如图3所示，磁致伸缩材料在磁场中磁化时会在磁化方向会发生伸长或缩短，第一磁致伸缩层22在磁场的影响下发生伸长或缩短，从而使整个变形片20发生变形调节摄像部件200，进而调整摄像部件200的成像参数，该调节结构100的结构简单，生产制造容易；另外，第一磁致伸缩层22只受到固定方向磁场的干扰，在磁场干扰方向复杂的环境中，对调节结构100产生磁干扰影响量小，从而保证了调节结构100的使用可靠性，增加了产品的市场竞争力。

如图3所示，可选地实施例中，磁场垂直或平行于第一磁致伸缩层22，第一磁致伸缩层22沿基片21的一面伸长，以使变形片20的一端翘起调节摄像部件200。

在该实施例中，第一磁致伸缩层22受磁场的影响沿基片21的一面的伸长，从而带动基片21的一面伸长，由于基片21的另一面无变化引起基片21发生偏转和弯曲，即整个变形片20的一端翘起，使整个变形片20发生变形调节摄像部件200，进而调整摄像部件200的成像参数，该调节结构100的结构简单，生产制造容易。

可选地实施例中，第一磁致伸缩层22为稀土铁合金层。稀土铁合金的磁致伸缩系数非常大，从而使第一磁致伸缩层22具有较大的变化范围，进而使整个变形片20具有更大的变形量，提高了调节结构100的调节摄像部件200的范围，提高了产品的使用舒适度，进而增加了产品的市场竞争力；另外，稀土铁合金产生磁致伸缩效应的响应时间短，磁化和产生应力的效应几乎是同时发生的，从而保证了变形片20具有较高的灵敏度，能够在极短的时间内发生变形，将摄像部件200调整到最佳的状态，增加了产品的使用舒适度，增加了产品的市场竞争力。具体地，第一磁致伸缩层采用re-tm、tb-dy-fe、sm-fe-b、tbfe/fe、tbfe/feco或tbfe/fecobsi制成。

可选地实施例中，第一磁致伸缩层22的厚度为0.01mm～0.02mm。一方面，若第一磁致伸缩层22的厚度小于0.01mm，第一磁致伸缩层22的厚度较薄，第一磁致伸缩层22变形量太小，导致变形片20变形量较小，不能够充分地调节摄像组件；另一方面，若第一磁致伸缩层22的厚度大于0.02mm，第一磁致伸缩层22的厚度较大，第一磁致伸缩层22变形时，由于第一磁致伸缩层22与基片21的连接面与第一磁致伸缩层22的非连接面距离较大，第一磁致伸缩层22的变形量主要作用于非连接面，导致基片21的变形量变小，从而导致变形片20调节摄像组件的范围较小，因此，第一磁致伸缩层22的厚度在0.01mm～0.02mm内，在使用较少磁致伸缩材料的情况下，保证了第一磁致伸缩层22的变化量最大，从而提高了调节结构100的调节摄像部件200的范围，提高了产品的使用舒适度，进而增加了产品的市场竞争力。可选地，第一磁致伸缩层22的厚度为0.01mm、0.015mm、0.02mm。

可选地实施例中，如图4所示，变形片20还包括：第二磁致伸缩层23，第二磁致伸缩层23设置在基片21的另一面上，第二磁致伸缩层23在磁场内发生变形，第二磁致伸缩层23的变形方向与第一磁致伸缩层22的变形方向相反。

在该实施例中，如图5所示，第二磁致伸缩层23与第一磁致伸缩层22的变形方向相反，具体地，第二磁致伸缩层23受磁场的影响沿基片21的另一面的收缩，第一磁致伸缩层22受磁场的影响沿基片21的一面的伸长，第一磁致伸缩层22和第二磁致伸缩层23分别设置在基片21的两个平行的面上，电磁线圈10通电产生磁场后，第一磁致伸缩层22和第二磁致伸缩层23同时变化，第一磁致伸缩层22带动基片21的一面伸长，第二磁致伸缩层23带动基片的另一面缩短，使整个基片21的变形量更大，即使整个变形片20具有更大的变形量，从而提高了调节结构100的调节摄像部件200的范围，提高了产品的使用舒适度，进而增加了产品的市场竞争力。

本领域的技术人员应该理解，上述的第一磁致伸缩层22的变形方式和第二磁致伸缩层23方式只是一个实施例，第二磁致伸缩层23也可受磁场的影响沿基片21的另一面的伸长，第一磁致伸缩层22也可受磁场的影响沿基片21的一面的缩短。

可选地实施例中，第二磁致伸缩层23为稀土铁合金层。稀土铁合金的磁致伸缩系数非常大，从而使第二磁致伸缩层23具有较大的变化范围，进而使整个变形片20具有更大的变形量，提高了调节结构100的调节摄像部件200的范围，提高了产品的使用舒适度，进而增加了产品的市场竞争力；另外，稀土铁合金产生磁致伸缩效应的响应时间短，磁化和产生应力的效应几乎是同时发生的，从而保证了变形片20具有较高的灵敏度，能够在极短的时间内发生变形，将摄像部件200调整到最佳的状态，增加了产品的使用舒适度，增加了产品的市场竞争力。具体地，第二磁致伸缩层采用re-tm、tb-dy-fe、sm-fe-b、tbfe/fe、tbfe/feco或tbfe/fecobsi制成。

可选地实施例中，第二磁致伸缩层23的厚度为0.01mm～0.02mm。一方面，若第二磁致伸缩层23的厚度小于0.01mm，第二磁致伸缩层23的厚度较薄，第二磁致伸缩层23变形量太小，导致变形片20变形量较小，不能够充分地调节摄像组件；另一方面，若第二磁致伸缩层23的厚度大于0.02mm，第二磁致伸缩层23的厚度较大，第二磁致伸缩层23变形时，由于第二磁致伸缩层23与基片21的连接面与第二磁致伸缩层23的非连接面距离较大，第二磁致伸缩层23的变形量主要作用与非连接面，导致基片21的变形量变小，从而导致变形片20调节摄像组件的范围较小，因此，第二磁致伸缩层23的厚度在0.01mm～0.02mm内，在使用较少磁致伸缩材料的情况下，保证了第二磁致伸缩层23的变化量最大，从而提高了调节结构100的调节摄像部件200的范围，提高了产品的使用舒适度，进而增加了产品的市场竞争力。可选地，第二磁致伸缩层23的厚度为0.01mm、0.015mm、0.02mm。

可选地实施例中，基片通常采用硅、玻璃、聚酰亚胺等材料制成；第一磁致伸缩层和第二磁致伸缩层采用闪蒸、离子束溅射、电离镀膜等方式进行镀膜，在基片上形成具有磁致伸缩特性的薄膜。

可选地实施例中，如图6所示，基片21的一面上依次设置有多个第一磁致伸缩层22，多个磁致伸缩层在磁场中的变形量不相同。

在该实施例中，越靠近基片21设置的第一磁致伸缩层22的变形量越小，这样能够使基片的变形比较慢，从而避免了第一磁致伸缩层22变形过大，导致基片损坏的情况发生，保证了变形片的使用可靠性。

可选地实施例中，如图7所示，变形片20还包括：保护层24，保护层24设置在第一磁致伸缩层22的外表面上。保护层24的设置，对第一磁致伸缩层22起到了保护作用，降低了在安装、搬运过程中第一磁致伸缩层22发生损坏的概率，从而提高了产品的使用可靠性，增加了产品的市场竞争力。

可选地实施例中，如图7所示，第二磁致伸缩层23的外表面上也设置有保护层24。保护层24的设置，对第二磁致伸缩层23起到了保护作用，降低了在安装、搬运过程中第二磁致伸缩层23发生损坏的概率，从而提高了产品的使用可靠性，增加了产品的市场竞争力。

可选地实施例中，基片21的厚度为0.1mm～0.2mm。一方面，若基片21的厚度小于0.1mm，基片21比较薄、刚度不强，容易被摄像部件200挤压发生变形，第一磁致伸缩层22的一部分变形量用于抵消基片21的变形，导致基片21的变形量变小，从而导致变形片20调节摄像组件的范围较小；另一方面，若基片21的厚度大于0.2mm，基片21比较厚、刚度较强，不容易发生形变，第一磁致伸缩层22发生较大的变形时才能引起基片21的变形，导致基片21的变形量变小，从而导致变形片20调节摄像组件的范围较小；因此，基片21的厚度在0.1mm～0.2mm内，在使用较少基片21材料的情况下，保证了基片21具有较大的变化范围，从而提高了调节结构100的调节摄像部件200的范围，提高了产品的使用舒适度，进而增加了产品的市场竞争力。可选地，基片21的厚度为0.1mm、0.15mm、0.2mm。

本申请第二方面提供的摄像头400包括：如图8所示，摄像部件200、上述任一项实施例所述的调节结构100和控制装置300。

具体地，如图9和图10所示，摄像部件200包括镜头201；调节结构100与镜头201连接，用于调节镜头201，以调节摄像头400的焦距，具体地，调节结构100的变形片20与镜头201连接，变形片20与镜头201可通过胶粘、热熔焊接的等方式连接；控制装置300与调节结构100的电磁线圈10连接，用于控制电磁线圈10电流的大小。

或者，如图11和图12所示，摄像部件200包括光圈环202；调节结构100与光圈环202连接，用于调节光圈环202，调节光圈的大小，具体地，调节结构100的变形片20与光圈环202连接，变形片20与光圈环202可通过胶粘、热熔焊接的等方式连接；控制装置300与调节结构100的电磁线圈10连接，用于控制电磁线圈10电流的大小。

本申请第二方面提供的摄像头400，控制装置300通过控制调节结构100的电磁线圈10的电流大小，以改变电磁线圈10产生磁场的大小，以控制调节结构100的变形片20上的第一磁致伸缩层22的变形量，从而控制变形片20的变形量，以控制变形片20调节镜头201或光圈环202的范围，从而达到调节摄像头400焦距或进光量的目的。

本申请第三方面提供的终端设备，包括上述实施例的摄像头。

本申请第三方面提供的终端设备，终端设备的磁场比较方向复杂，而摄像头的变形片上的第一磁致伸缩层只受到固定方向磁场的干扰，因此终端设备的磁场对调节结构产生磁干扰影响量小，从而保证了终端设备的使用可靠性，增加了产品的市场竞争力。

在本申请中，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。