1.一种mems结构，其特征在于，包括：
衬底，具有空腔和位于所述空腔内的支柱；
压电复合振动层，形成在所述空腔的正上方，并且所述支柱的第一端连接所述衬底，所述支柱的第二端支撑所述压电复合振动层。
2.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述支柱的第二端连接至所述压电复合振动层的中间部分和/或边缘部分。
3.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述空腔的深度小于所述衬底的厚度，所述空腔底部的所述衬底具有贯穿通孔。
4.根据权利要求3所述的mems结构，其特征在于，所述支柱的第一端连接至所述空腔底部的所述衬底的中间部分。
5.根据权利要求3所述的mems结构，其特征在于，所述mems结构还包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述空腔底部的所述衬底上方。
6.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述支柱沿所述衬底的厚度方向延伸至所述衬底外，所述压电复合振动层在所述衬底的厚度方向上与所述衬底通过间隙分隔开。
7.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述mems结构还包括第一牺牲层，所述第一牺牲层形成在所述空腔内并且位于所述压电复合振动层的下方，所述第一牺牲层之后被去除。
8.根据权利要求7所述的mems结构，其特征在于，所述mems结构还包括第二牺牲层，所述第二牺牲层形成在所述压电复合振动层的上方和侧壁并接触所述第一牺牲层，所述第二牺牲层之后被去除。
9.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述mems结构还包括限位件，所述限位件悬置在所述压电复合振动层上方以限制所述压电复合振动层的振动，所述限位件的区域与所述压电复合振动层的区域在所述衬底的厚度方向上部分重叠。
10.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述压电复合振动层覆盖所述空腔，并且所述压电复合振动层的区域面积大于所述空腔的区域面积。
11.根据权利要求1所述的mems结构，其特征在于，所述压电复合振动层包括：
第一电极层，形成在所述衬底上方；
第一压电层，形成在所述第一电极层上方；
第二电极层，形成在所述第一压电层上方。
12.根据权利要求11所述的mems结构，其特征在于，所述压电复合振动层还包括隔离层，所述隔离层形成在所述第一压电层的顶面和侧壁，并且所述隔离层位于所述第二电极层的下方。