线截面图。在变形例I的半导体器件连接构造10A中，在硅衬底IA的对置的侧面配置个别的挠性基板3，各挠性基板3通过粘合剂7粘合在层叠于硅衬底IA而粘合的支撑部件2的侧面。
[0056]在实施方式I的变形例I中，与实施方式I同样，通过将支撑部件2的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底IA的层叠方向的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高。此外，在变形例I中，与实施方式I同样，粘合剂7不会绕到硅衬底IA的表面，因此起到不对硅衬底IA的性能产生影响这种效果。
[0057]此外，为了防止粘合剂绕到硅衬底，也可以在支撑部件形成粘合剂存积部。图5是本发明的实施方式I的变形例2的半导体器件连接构造的截面图。变形例2的半导体器件连接构造100B为，在支撑部件2B的与硅衬底IA接触的面侧形成有槽状的粘合剂存积部8。
[0058]根据实施方式I的变形例2，通过将支撑部件2B的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底IA的层叠方向的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，此外，通过形成粘合剂存积部8，由此能够有效地抑制粘合剂7绕到硅衬底I表面，因此能够起到不对硅衬底IA的性能产生影响这种效果。
[0059]并且，此外，为了防止粘合剂绕到硅衬底，而形成为，使支撑部件比硅衬底小，例如使支撑部件的与硅衬底粘合的粘合面的不与挠性基板相接的边的长度比硅衬底短。图6是本发明的实施方式I的变形例3的半导体器件连接构造的截面图。在实施方式I的变形例3中形成为，使支撑部件2C的与硅衬底IA粘合的粘合面的不与挠性基板3相接的边的长度r2短于硅衬底IA的不与挠性基板3相接的边的长度r 10
[0060]根据实施方式I的变形例3，通过将支撑部件2C的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底IA的层叠方向的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，通过使支撑部件2C的与硅衬底IA粘合的粘合面的不与挠性基板3相接的边的长度r2短于硅衬底IA的不与挠性基板3相接的边的长度IV由此硅衬底IA与挠性基板3形成的间隔变狭，因此能够有效地抑制粘合剂7绕到硅衬底IA表面，起到不对硅衬底IA的性能产生影响这种效果。此外，在图6中，在硅衬底IA与挠性基板3之间不具有间隙，但在硅衬底IA与挠性基板3之间也可以具有间隙。
[0061](实施方式2)
[0062]图7是本发明的实施方式2的半导体器件连接构造的立体图。图8是图7的半导体器件连接构造的C-C线截面图。本实施方式2的半导体器件连接构造200与实施方式I的不同点在于，在支撑部件2D上形成有用于对挠性基板3D进行对位的对准标记。
[0063]在支撑部件2D上，作为对准标记而形成有对位用突起9。此外，在挠性基板3D上，形成有供对位用突起9嵌合的对位用孔部10。
[0064]根据实施方式2，通过将支撑部件2D的厚度形成得厚于硅衬底I的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将硅衬底I的侧面与挠性基板3D进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底I的表面，不对硅衬底I的性能产生影响。并且，通过使对位用突起9与对位用孔部10对位而嵌合，由此能够容易地进行对位，能够容易地进行连接。此外，在图8中，在硅衬底I与挠性基板3D之间不具有间隙，但在硅衬底I与挠性基板3D之间也可以具有间隙。
[0065](实施方式3)
[0066]图9是本发明的实施方式3的半导体器件连接构造的立体图。图10是表示本发明的实施方式3的半导体器件连接构造的挠性基板粘合前的构造的立体图。图11是图9的半导体器件连接构造的D-D线截面图。本实施方式3的半导体器件连接构造300与实施方式I以及2的不同点在于，在支撑部件2E上形成有电路。
[0067]如图9以及图10所示那样，在支撑部件2E上形成有布线11以及连接电极12等电路。支撑部件2E能够通过形成有电路的硅衬底、在树脂上形成有电路的MID(MoldedInterconnect Device:模塑互连器件)、以及形成有电路的玻璃钢板基板或者陶瓷基板等制成。
[0068]此外，如图11所示那样，连接电极12与挠性基板3E上所形成的连接电极13连接。
[0069]根据实施方式3，通过将支撑部件2E的厚度形成得厚于硅衬底I的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将硅衬底I的侧面与挠性基板3E进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底I的表面，不会对硅衬底I的性能产生影响。并且，在支撑部件2E上形成有电路，因此布线走线的自由度较高。此外，由于还能够在支撑部件2E上安装电子部件，因此能够有效利用空间，由此还能够小型化。此外，在图11中，在硅衬底I与挠性基板3E之间不具有间隙，但在硅衬底I与挠性基板3E之间也可以具有间隙。
[0070]此外，如图12所示那样，通过将支撑部件2F上所形成的对位用电极12A以及挠性基板3F上所形成的对位用电极13A形成为对准标记，由此对位变得容易，能够容易地制造半导体器件连接构造300F。
[0071](实施方式4)
[0072]图13是本发明的实施方式4的半导体器件连接构造的立体图。图14是图13的半导体器件连接构造的E-E线截面图。本发明的实施方式的半导体器件连接构造400的支撑部件2G与实施方式I的不同点在于，内部为中空。
[0073]半导体器件连接构造400为，通过使支撑部件2G的内部成为中空，由此能够将电子部件15等安装于该空间。
[0074]根据实施方式4，通过将支撑部件2G的厚度形成得厚于硅衬底I的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将硅衬底I的侧面与挠性基板3进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底I的表面，不会对硅衬底I的性能产生影响。并且，通过使支撑部件2G的内部成为中空，由此还能够安装电子部件15，因此能够有效利用空间，由此还能够小型化。
[0075]此外，在作为半导体器件而使用超声波振子的情况下，能够在支撑部件内的中空部分配置衬底材料。图15是本发明的实施方式4的变形例I的半导体器件连接构造的截面图。在此，衬底材料16配置在超声波振子14的超声波振动产生部的正背面。
[0076]变形例I的半导体器件连接构造400H为，通过使对超声波振子14进行支撑的支撑部件2H的内部成为中空，并在该空间中配置衬底材料16，由此能够确保所需要的振动的衰减，超声波特性变得良好，因此能够实现超声波图像的高画质化。
[0077]并且，根据变形例I，通过将支撑部件2H的厚度形成得厚于超声波振子14的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将超声波振子14的侧面与挠性基板3进行粘合，因此不会阻碍超声波振子14的机械的变形。
[0078](实施方式5)
[0079]图16是表示本发明的实施方式5的超声波模块所使用的超声波振子的构成的示意图。图17是示意地表示本发明的实施方式5的超声波模块的立体图。此外，图17仅表示超声波模块500的连接构造部分，省略超声波模块500的下方部分。
[0080]如图16以及图17所示那样，在本实施方式5的超声波模块500中，超声波振子141成为棱柱状，多个超声波振子141在与长边方向正交的方向上排列有多个，并与支撑部件21粘合。通过将支撑部件21的超声波振子141所粘合的面形成为弯曲形状，由此多个超声波振子141配置为弯曲形状。支撑部件21与实施方式4的支撑部件2H同样，优选内部形成为中空，并在该中空内部配置衬底材料。
[0081 ] 在超声波振子141的两端分别形成有外部连接电极4，外部连接电极4与形成为规定形状的挠性基板31内的内导线5连接。
[0082]根据实施方式5，通过将支撑部件21的厚度形成得厚于超声波振子141的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将超声波振子141的侧面与挠性基板31进行粘合，因此能够阻碍超声波振子141的机械的变形。此外，通过将超声波振子141成为棱柱状并配置多个，由此能够容易地制造所希望的形状的超声波模块500。
[0083]此外，上述的本实施方式5的超声波模块500，例如设置于图18所示的超声波内视镜系统20的超声波内视镜30的前端。图18是使用了超声波模块的超声波内视镜系统的整体构成图。图19是表示图18的超声波内视镜系统的插入部的前端部的构造的图。图20是表示图19的前端部的超声波模块的构造的图。
[0084]首先，对超声波内视镜系统20的整体构成进行说明。图18所示的超声波内视镜系统20构成为，具备超声波内视镜30、超声波观测装置40以及监视器50。此外，超声波内视镜30构成为，具备向体内插入的细长的插入部60、与插入部60的基端连续设置的操作部70、以及从操作部70的侧部延伸的综合电缆80。