专利名称：应用频率相关有效电容的近端串音高频的改进的制作方法
技术领域：
本发明涉及连接器中的近端串音(NEXT)补偿，更具体地说，涉及一种在多级补偿系统中通过设置频率相关有效电容消除或减小NEXT的技术。
背景技术：
在连接器中导体之间的噪声或者信号串扰被称作串音。在利用连接器的通讯装置中串音是个常见的问题。特别是，在经常和电脑一起使用的模块插头与模块插孔紧密适配的通讯系统中，插孔和/或插头中的电线(导体)产生近端串音(NEXT)，即，短距离临近位置的电线之间的串音。一个插头由于它的结构或者电缆线终止于其中的方式能够产生高串音或者低串音。带有高串音的插头在本文被称为高串音插头，带有低串音的插头在本文被称为低串音插头。
授予Adriaenssens等人的美国专利号5997358(以下称“‘358号专利”)描述了补偿此类NEXT的两级方案。“‘358号”专利的全部内容通过引用结合在本文中。更进一步，美国专利号5915989；6042427；6050843和6270381的主题内容也通过引用结合在本文中。
‘358号专利通过通常在插孔内分两级加入制造的或者人为的串音减小模块插头的电线对之间的NEXT(原始串音)，因此适合于插头-插孔组合消除或者减小总体串音。此制造的串音在本文被称为补偿串音。这一想法通常在两级中利用电容器和/或电感补偿实现。这一想法能够这样实现，例如，将在连接器中被补偿的一对组合对中的一方的一个导体的通路相交两次，因此提供了两级NEXT补偿。此方案比之在单级加补偿的方案更高效率地减少NEXT，特别是，就如经常发生的情况，除了一段时间延迟后之外当补偿不能被引入时就更是如此。
虽然有效，‘358号专利的NEXT补偿方案有一个缺点是，相对于Telecommunication Industry Association(TIA)的限制线，当高串音插头和插座一起使用时在低频(大约100MHz以下)处NEXT容限会有退化，而当低串音插头和插座一起使用时在高频(大约250MHz以上)处NEXT容限会有退化。更具体地说，当一个两级补偿的插头中的净补偿串音少于原始串音(即，当一个高串音插头插入插座时)时，插头-插座组合被称为补偿不足，结果的NEXT频率特性将在低频上在零位插入某一频率点之前出现一个峰，此频率点由级间延迟和补偿级的数量确定。然后NEXT数量频率响应的斜率从该零位前的较浅平的斜率转变为零位后陡峭的斜率，因此导致NEXT在高频，即在这些零位外的频率处迅速退化。
另一方面，当一个此类插头中的净补偿串音多于原始串音(即，当一个低串音插头插入插座)时，插头-插座组合被称为过补偿，结果的NEXT频率特性将没有零位，而NEXT频率特性的斜率在很高频率处将逐渐增加而趋向60dB/decade，大大超过20dB/decade的TIA限制斜率。
因而，当一个高串音插头和插座一起使用时，虽然低频容限(连接器的低频性能)可以通过增加补偿水平改进，但是当一个低串音插头和插座一起使用时这一行为将使高频容限(连接器的高频性能)进一步退化。相反地，当一个低串音插头和插座一起使用时，虽然高频容限可以通过减小补偿水平改进，但是当一个高串音插头和插座一起使用时，这一行为将使低频容限进一步退化。
因此，需要一种技术能够同时减少或者消除当使用低串音插头时在高频处的和当使用高串音插头时的低频处的NEXT。
发明内容
本发明克服了减少连接器中NEXT的相关技术的问题和限制。具体地说，本发明提供一种多级串音补偿方案，在此方案中组合的电容器耦合以这样的方式偏置当频率增加时减少总的补偿水平，因此明显改进了连接器的高频NEXT的性能而不使低频NEXT的性能退化。这可以通过设置一个第一级补偿结构实现，这个第一级补偿结构有随着频率增加相对平坦的有效电容器响应，同时设置一个第二级补偿结构，这个第二级补偿结构有随着频率增加而增加的有效电容器响应。
本发明改进了模块输出和面板的低频(例如1-100MHz)串音性能以及高频(例如250-500MHz；或者500MHz及以上)串音性能。
本申请书的这些和另外的目的通过下文的详细描述将变得更清楚。但是，可以理解的是，虽然表明本发明的优选实施例，但这些详细描述和具体实例的给出仅仅是说明性的方式，因为对于本领域的熟练人士通过该详细描述在本发明的精神和范围内进行各种改进和修改将是很明显的。
通过以下的详细描述和附图本发明将被更充分地理解，这些附图仅是说明性的，因此并非对本发明的限制，其中
图1显示了应用于本发明的串联电感-电容器组合结构；
图2是一个简化的印刷电路板(PCB)的透视图，图中显示了图1中串联电感-电容器组合可以怎样根据本发明的第一实施例实施的实例；
图3是一个曲线图，图中显示了图2中显示的PCB结构的有效电容器对于频率响应的模拟实例；
图4A是根据本发明的第一实施例的连接器的侧面图4B是根据本发明的第一实施例的图4A的PCB和NEXT补偿元件的顶视平面图5显示了根据本发明的第二实施例的交叉指形电容器的结构的实例；
图6是一个曲线图，图中显示具有不同长宽比的交叉指形电容器的有效电容对于频率响应的模拟实例；
图7A是根据本发明的第二实施例的连接器的侧面图7B是根据本发明的第二实施例的图7A的PCB和NEXT补偿元件的顶视平面图8是一个简化的PCB的透视图，图中显示了图1的串联电感-电容器组合可以怎样根据本发明的第三实施例实施的实例；
图9是根据本发明的第四实施例的折叠式细长交叉指形电容器的实例；
图10是一个简化的PCB的透视图，图中显示了图1的串联电感-电容器组合可以怎样根据本发明的第五实施例实施的实例；
图11是一个曲线图，图中作为一个实例比较了本发明的各个实施例的NEXT补偿PCB的有效电容对于频率响应的关系。
图12A是根据本发明的第六实施例的连接器的侧面图12B是根据本发明的第六实施例的图12A的PCB和NEXT补偿元件的顶视平面图。
具体实施例方式现在详细参考本发明的优选实施例，通过附解这些实施例的实例。在此申请书中，“级”是指补偿的位置，该补偿产生于补偿延迟点上。本发明提供了各种能够替代‘358号专利中图7A的印刷线路板的印刷电路板(PCB)的结构。
本发明提供了在连接器多级NEXT补偿系统的第二级的补偿结构。此第二级有随频率增加而增加的有效电容响应。根据本发明的不同具体实施例，这可以通过使用串联电感(L)-电容器(C)组合结构，高长/宽比的交叉指形电容器，折叠式细长交叉指形电容器，或者连接器中的开路传输线实现。
图1显示了根据本发明的第一实施例的串联L-C组合结构。该L-C组合结构的有效电容(Ceff)的公式如下所示Ceff=C1-(2πf)2LC]]>其中f是频率，C代表电容器的电容量，L代表电感器的电感量。从这个式子中可以看到，在小于串联L-C组合的谐振频率的频率处有效电容Ceff随频率增加而增加。谐振频率fres被定义如下fres=12πLC]]>
根据本发明，选择L和C使谐振频率fres发生在所研究带宽的最高工作频率以上。这样使有效电容随着频率增加而增加直到谐振频率fres。
图2是一个简化的PCB的透视图，图中显示了图1的串联L-C组合结构怎样根据本发明的第一实施例实施。如图2所示，图1的串联L-C组合结构配备一个PCB。这里，印刷电路的细节没有显示。在此例中电感L用一个螺旋状电感实施，该电感具有位于PCB的顶面上的螺旋结构。在此例中电容器C用这样的电容器结构实施，该结构由两个互相电气并联的位于PCB内层的交叉指形电容器构成。交叉指形电容器是指具有两个分别处于不同电位上的相互交错啮合的金属梳齿的共平面配置的电容器，并且是一种已知的电容器。电容器C通过诸如电镀的通孔的通路8电连接到电感L。要注意的是根据本发明的第一实施例的目的，图1的串联电容器也可以通过使用构造在PCB的两层上的简单的平板电容器实现。
图3是一个曲线图，图中显示了图2中显示的PCB结构的有效电容对于频率响应的模拟实例。这一曲线图通过利用Ansoft公司提供的已知的模拟软件“hfss”模拟。电容值在100MHz归一化到1pF，此曲线图显示了图2中显示的PCB的有效电容随频率增加而增加。简单的平板电容器存在相似的响应情况。
图4A和4B显示了根据第一实施例串联L-C组合结构如何被应用于这个实例中来补偿连接器中的1-3对NEXT。图4A是根据本发明的第一实施例的连接器的侧面图，图4B是根据本发明的第一实施例的图4A的PCB和NEXT补偿元件的顶视平面图。
参考图4A和4B，连接器包括具有交叉渡越线14的弹簧触点30和一个PCB10。插头20与连接器紧密配合。插头20可以是诸如电话线末端使用的插头或者用于连接个人电脑和墙上输出的接插线的模块插头。触点30可被焊接到或者压配合入位于PCB10上适当部分的电镀通孔32并可以是弹簧线触点。而且，触点30有一个电流承载部分30b和一个非电流承载部分30a，其中部分30a和30b之间的分界线BD在图4A中被标明。触点30和PCB10可以被包容在诸如模块插口的外壳中，因此当插头20插入插口时，插头20上的电触点与PCB10上的电触点通过触点30紧密配合。
PCB10是由树脂或者其它已知的适合作为PCB材料的原材料制成的多层板。在此例中，PCB10由三个衬底(S1-S3)和四个金属化层(ML1-ML4)交替叠加而成。更具体地说，衬底和金属化层按以下次序叠加(从顶到底)ML1，S1，ML2，S2，ML3，S3，ML4。金属化层ML1-ML4的每一层都代表了形成于直接在该相应金属化层下的衬底的上表面上的金属导电图形。金属化层的某些部分通过诸如电镀通孔的一个或者更多的导体通路32相互相连以达到电连通。所示弹簧触点30形成于第一金属化层ML1上。
弹簧触点30可以是多个导线对P，每一个导线对P包括被标注为环(r)和尖(t)的触点。在图4B中设置了四对，它们是(t1，r1)，(t2，r2)，(t3，r3)和(t4，r4)。环已知是导体的负极，尖已知是导体的正极。
第一和第二对交叉指形电容器40a和40b作为第一级NEXT补偿的电容性补偿并且分别形成在PCB10的第二和第三金属化层ML2和ML3上或者作为其一部分。在此例中，在部分30b中的插孔弹簧被设置在交叉渡越线14后用于为电感性补偿作贡献也作为第一级补偿的一部分。在层ML2上的第一对交叉指形电容器40a在层ML3上重复作为第二对电容器40b。第一对交叉指形电容器40a由设置在层ML2上的电容器40a1和40a2组成。第二对交叉指形电容器40b由设置在层ML3上的电容器40b1和40b2组成。第一对中的第一电容器40a1的末端分别通过一对电镀通孔48a和48b与环r3和r1电接触。第一对中的第二电容器40a2的末端分别通过一对电镀通孔48c和48d与尖t1和t3电接触。第二对交叉指形电容器40b是电容器40b1和40b2，它们以和第一对交叉指形电容器40a同样的方式设置在层ML3上。通过电镀通孔48a和48b，电容器40a1和40b1并联电相连。同样地，通过电镀通孔48c和48d，电容器40a2和40b2并联电相连。
更进一步，串联L-C组合结构作为第二级NEXT补偿结构被设置在PCB上。第一串联L-C组合结构包括螺旋电感44和第一和第二交叉指形电容器46a和46b。螺旋电感44设置在第一金属化层ML1上或者在其之上，然而第一和第二交叉指形电容器46a和46b分别设置于第二和第三金属化层ML2和ML3上。以相似的方式，第二串联L-C组合结构包括螺旋电感54和第三和第四交叉指形电容器56a和56b。螺旋电感54设置在第一金属化层ML1上或者在其之上，然而第三和第四交叉指形电容器56a和56b分别设置于第二和第三金属化层ML2和ML3上。在此例中，层ML2上的第一和第三电容器46a和56a在层ML3上分别被重复作为第二和第四电容器46b和56b。通过电镀通孔33a和32c，电容器46a和46b并联电连接。通过电镀通孔33b和32f，电容器56a和56b并联电连接。
在本申请书中，关于补偿电容的“重复”意味着完全相同地复制在所有指定的金属化层上。比如，电容器40a与电容器40b将具有完全相同的形状和尺寸并且将垂直地对齐。重复交叉指形电容器的理由是为了增加电容量而不必增加印迹(表面覆盖度)。此外可以使用更大印迹的交叉指形电容器而不需要这样的重复。另一方面，如果印刷电路板由更多金属化层构成，如果需要的话交叉指形电容器可以在超过两层的金属化层上重复以产生更小的印迹。需要注意的是在第一实施例的精神中，平板电容器可以被用来替代交叉指形电容器46a、46b、56a和56b。此外第一级电容器40a和40b也可以使用平板电容器，例如，在以后将要讨论的图10中使用的那样。
电感44与每个第一和第二交叉指形电容器46a和46b通过电镀通孔33a串联。电感44的一端通过电镀通孔32b与尖t3电相连。每个第一和第二电容器46a和46b都有一端通过电镀通孔32c与环r1电相连。以相似的方式，电感54与每个第三和第四交叉指形电容器56a和56b通过电镀通孔33b串联。电感54的一端通过电镀通孔32e与尖t1电相连。每个第三和第四电容器56a和56b都有一端通过电镀通孔32f与环r3电相连。
根据本发明，作为两级补偿方法的第二级NEXT补偿，在此例中显示为1-3对组合的串联L-C组合结构的应用，如果插头20是低串音插头则改进了高频的性能，如果插头20是高串音插头则改进了低频的性能。以下将解释这一工作是如何实现的。
NEXT归结于两个因素电容耦合与电感耦合。两个紧密接近的导线将产生电容器耦合，然而流过其中的电流产生电感耦合。因此，当插头20与触点30紧密配合时，它不仅引入电容耦合还引入电感耦合。这些因素的加入都将导致近端串音或者NEXT。
为了减少或者补偿NEXT，一般使用两级补偿。第一级与插头NEXT反相而第二级与插头NEXT同相。这在‘358号专利中已知并已披露。与插头方向相关的补偿的方向如图4A中箭头V1至V5所示。
此外，在连接器远端产生的串音被称为FEXT。为了补偿这个参数，普通NEXT补偿的某些部分还必须包括电感部件。这一部件是所述两级补偿器的第一级中的一部分。这发生在正好在交叉渡越线14另一边的插孔弹簧导线的部分30b中。在这个补偿区域，补偿对于频率相对稳定。
用于NEXT的第一级补偿的一个相当大的部分是电容补偿并且通过应用电容器40a和40b提供。在图4A和4B中，第一级的这一部分在起始于原始串音的最小延迟处，处于PCB的一个部分，在该部分其通过触点30的非电流承载部分30a直接电相连到插头20的触点在此与触点30相交的地方。净第一级补偿指交叉渡越线14之前的电容部分加上正好在交叉渡越线14另一边的电感部分，与插头中产生的串音相反。第二级处于从第一级有进一步延迟之处，处于PCB10上的一个部分，在该部分与插头20的触点通过触点30的电流承载部分30b与触点30相交之处有一定的距离。它有与插头串音同方向的补偿方向。
交叉指形电容器40a和40b被放置在内金属化层上作为第一级的一部分。串联L-C组合结构被放置在第二级。使大部分为电容性的而且没有加入的串联电感元件的第一级补偿的量对于频率的关系相对平坦。另一方面，通过在PCB层次中放置串联L-C组合结构，使第二级电容补偿随频率而增加。结果，由第一级补偿串音减去第二级补偿串音组成的连接器的净补偿串音(制造的串音)随着频率增加而降低。即，净补偿串音根据频率而可变，因此本发明在高频提供了比在适当位置没有串联电感而正常存在的补偿更低水平的补偿串音。这使连接器中在高频的串音过补偿减到最小。此外频率相关的补偿在低频提供了高水平的补偿串音以使连接器中在低频的串音补偿不足减到最小。通过在高频提供低水平的补偿串音，当低串音插头插入插口时，本发明改进了连接器的高频容限。另一方面，通过在低频提供高水平的补偿串音，当高串音插头插入插口时，本发明改进了连接器的低频容限。
另一个达到使有效电容随频率增加而增加的方法是开发如论文“交叉指形电容器及其在集总元件微波集成电路中的应用”(Gray D.Alley，IEEE Transactions onMicrowave Theory and Techniques，Vol.MTT-18，No.12，Dec.1970，pp.1028-1033.)所描述的交叉指形电容器的自谐振特性。在这篇论文中Alley指出交叉指形电容器在由其长宽比确定的频率上显示自谐振。
如图5所示，交叉指形电容器70包括相互交错啮合的第一和第二梳齿70a和70b，和终端72。指形电容器的长(L)和宽(W)如图所示定义。当指形电容器的长宽比(L/W)增加时，显示自谐振的频率降低。这表明，如果谐振频率保持在带宽之上，则在所研究的全部带宽上较高的有效电容增加率。这在图6中显示为一个曲线图，图中显示具有不同L/W比的交叉指形电容器的有效电容对于频率响应的关系。此曲线图显示了由Ansoft公司提供的软件“hfss”模拟的结果并且比较了不同的交叉指形电容器几何图形以及平板电容器的频率相关性。如图6所示，与具有长宽比为1.27和0.195的交叉指形电容器以及平板电容器相比较，具有长宽比为10.39的细长交叉指形电容器具有相对于频率增加的最高的有效电容增加率。为了此项比较，曲线图中所有的响应都在100MHz处归一化为1pf。
上述细长交叉指形电容器的自谐振特性被应用于在根据本发明的第二实施例的多级补偿系统中提供NEXT补偿。图7A是根据本发明的第二实施例的连接器的侧面图，图7B是图7A的PCB和NEXT补偿元件的顶视平面图。除了使用了不同类型的NEXT补偿元件外，第二实施例与第一实施例完全相同。具体地说，第一级补偿电容使用第一和第二平板电容器50和51实施，第二级补偿元件使用第一对细长交叉指形电容器57a和58a和第二对细长交叉指形电容器57b和58b实施。平板电容器如所知的是由两块各自处于不同电位的平行的金属板组成的电容器。
第一平板电容器50的两块板(图7A中的50a和50b)分别形成于第二和第三金属化层ML2和ML3上。以同样的方式，第二平板电容器51的两块板分别形成于第二和第三金属化层ML2和ML3上。电容器50的板50a通过电镀通孔48b与环r1相连。电容器50的板50b通过电镀通孔48a与环r3相连。相似地，第二平板电容器51的板51a通过电镀通孔48c与尖t1相连，并且电容器51的板51b通过电镀通孔48d与尖t3相连。
第一对细长交叉指形电容器57a和58a形成为金属化层ML2的一部分，第二对细长交叉指形电容器57b和58b形成为第三金属化层ML3的一部分。细长指形电容器57a和57b都有一端通过电镀通孔32c与环r1电连接，然而细长指形电容器57a和57b的另一端通过电镀通孔32b与尖t3电连接。因此，交叉指形电容器57a和57b设置成电气并联以获得较高电容。以相似的方式，每个细长指形电容器58a和58b都有一端通过电镀通孔32f与环r3电连接，然而细长指形电容器58a和58b的另一端通过电镀通孔32e与尖t1电连接。因此交叉指形电容器58a和58b设置成电气并联以获得较高电容。
因此，通过在连接器的第一级设置平板电容器，使第一级补偿电容耦合的量对于频率相对平坦。通过在连接器的第二级设置具有大L/W比的细长交叉指形电容器，使第二级补偿电容耦合随着频率而增加。结果，连接器的净补偿串音随着频率的增加而降低。
在本发明的第三实施例中，将第一和第二实施例中的方法进行组合。具体地说，在第三实施例中，第二级补偿元件使用串联L-C组合结构实施，其中例如图8中所示的该结构包括与具有大L/W比的细长交叉指形电容器74串联并且设置在PCB10上的螺旋电感72。即，除了每个第二级交叉指形电容器46a，46b，56a和56b被延长而具有大L/W比外，第三实施例中的连接器与图4A和4B中显示的第一实施例的连接器完全相同。
在本发明的第四和第五实施例中，第二和第三实施例的方法可分别通过用折叠式细长交叉指形电容器代替图8中所示的高长宽比交叉指形电容器而实现。折叠式细长交叉指形电容器的实例显示于图9的分解图中。
更具体地说，在第四实施例中，分别形成在如第二实施例的图7A和图7B中所示的PCB的金属化层ML2和ML3上的两个正规的细长交叉指形电容器57a和57b，被一个设置在如图9中所示的金属化层ML2和ML3上的带有其各个层次的折叠式细长交叉指形电容器替代。以同样的方式，分别形成在如第二实施例的图7A和图7B中所示的PCB的金属化层ML2和ML3上的两个正规的细长交叉指形电容器58a和58b，被一个设置在如图9中所示的金属化层ML2和ML3上的带有其各个层次的折叠式细长交叉指形电容器替代。
除了第三实施例的图8中显示的正规的细长交叉指形电容器74被图10所示的折叠式细长交叉指形电容器78替代外，第五实施例与第三具体实施例完全相同。此折叠式细长交叉指形电容器78与图9所示的折叠式细长交叉指形电容器具有相同的结构。因为除了使用图7A和图7B中所示的细长交叉指形电容器以外，第三实施例与图4A和图4B所示的第一实施例完全相同，因此除了交叉指形电容器46a，46b，56a和56b被具有大L/W比的折叠式细长交叉指形电容器所代替以外，第五实施例简单地与图4A和图4B所示的第一实施例完全相同。
更具体地说，在第五实施例中，分别形成在如第一实施例的图4A和图4B中所示的PCB的金属化层ML2和ML3上的两个正规的细长交叉指形电容器46a和46b，被一个设置在第一和第二金属化层ML1和ML2(例如如图9中所示)上的带有其各个层次的折叠式细长交叉指形电容器替代。以同样的方式，分别形成在如第二实施例的图4A和图4B中所示的PCB的金属化层ML2和ML3上的两个正规的细长交叉指形电容器56a和56b，被一个设置在金属化层ML2和ML3上的折叠式细长交叉指形电容器替代。
图11是一个曲线图，图中作为一个实例比较了本发明的第一、第四和第五实施例的有效电容对于频率响应的关系。该曲线图显示了由Ansoft公司所提供的软件“hfss”产生的模拟结果，并且在图中为了进行比较所有的响应在100MHz处归一化到1pf。如图11中所示，根据第五实施例在第二级串联的螺旋电感和折叠式细长交叉指形电容器的组合(响应80)产生随频率增加的有效电容，该值比用根据第一实施例(响应81)或者第四实施例(响应82)的方案所得到的值高。
图12A是根据本发明的第六实施例的连接器的侧面图，图12B是图12A的PCB和NEXT补偿元件的顶视平面图。如12A和12B所示，除了开路传输线92(92a、92b、92c和92d)被用作第二级补偿元件外，第六实施例与第二实施例完全相同。在该情况下，第一级补偿电容采用如第二实施例中的平板电容器50和51实施，第二级电容性补偿元件采用PCB10上的第二金属化层ML2上的开路传输线92实施。这个实施例中的谐振产生在这样的频率上，传输线92的长度等于该谐振频率所对应的波长的四分之一。
虽然图示了四层PCB结构，但很明显任何其他数量的PCB衬底和/或者金属化层都可以被用于PCB。本发明的组合的连接器可以与外壳、绝缘移位连接器、插口弹簧触点等相关联。此外，上述实施例中各种结构和特征可以和其它的实施例结合或者被其他实施例替换。使用交叉指形电容器的场合可以用平板电容器或者分立式电容器所替代。此外电感可以使用图4B中显示的圆螺旋形之外的诸如椭圆螺旋、方螺旋、矩形螺旋、螺旋管的几何图形或者分立式电感实施。无论哪个使用交叉指形电容器的地方，这种电容器都可以相关于其他相应的交叉指形电容器被重复复制。在一个连接器中，某些交叉指形电容器可以在单个金属化层上或者多个金属化层上实施。
虽然本发明通过上述附图所显示的实施例进行解释，对于本领域普通的熟练人员可以理解的是，本发明并不限于这些具体实施例，而是可以不背离本发明精神对其进行各种变化和改进。
权利要求
1.一种用于减低印刷电路板(PCB)中的串音的线路结构，该PCB包括多个衬底和多个该衬底之间的金属化层，其特征在于，此线路结构包括设置在PCB的第一级区域上的PCB的至少一层金属化层上的第一补偿结构；和设置在PCB的第二级区域上的用于随着频率的增加而增加补偿电容的第二补偿结构。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，其中第二补偿结构包括至少一个串联电感-电容组合，该串联电感-电容组合包括电感器和至少一个和该电感器串联的电容器。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，其中电感被设置在PCB的外部金属化层，该金属化层之上或者之下，或者在PCB的内部。
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，其中所述电感器是螺旋电感器。
5.如权利要求3所述的结构，其特征在于，其中所述至少一个电容器包括与所述电感器串联并且设置在PCB的第一金属化层上的第一交叉指形电容器；和与所述电感器串联并且设置在PCB的第二金属化层上的第二交叉指形电容器。
6.如权利要求2所述的结构，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，其中第二补偿结构包括在PCB的至少一个金属化层上的至少一个细长交叉指形电容器。
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
9.如权利要求7所述的结构，其特征在于，其中第二补偿结构包括该至少一个细长交叉指形电容器，该细长交叉指形电容器为折叠式细长交叉指形电容器。
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
11.如权利要求2所述的结构，其特征在于，其中串联电感-电容组合的所述至少一个电容器是PCB的至少一个金属化层上的至少一个细长交叉指形电容器。
12.如权利要求11所述的结构，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
13.如权利要求11所述的结构，其特征在于，其中所述至少一个细长交叉指形电容器是折叠式细长交叉指形电容器。
14.如权利要求13所述的结构，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
15.如权利要求1所述的结构，其特征在于，其中第二补偿结构包括在PCB的至少一个金属化层上的至少一个开路传输线。
16.如权利要求15所述的结构，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
17.一种用于减低串音的连接器，其特征在于，包括包括多个衬底和该衬底之间的多个金属化层的印刷电路板(PCB)设置在PCB的第一级区域上的PCB的至少一层金属化层上的第一补偿结构；设置在PCB的第二级区域上，用于随着频率的增加而增加补偿电容的第二补偿结构；和设置在PCB之上的至少一个导电触点。
18.如权利要求17所述的连接器，其特征在于，其中第二补偿结构包括至少一个串联电感-电容组合，该串联电感-电容组合包括电感器和至少一个和该电感器串联的电容器。
19.如权利要求18所述的连接器，其特征在于，其中所述电感器设置于PCB的外部金属化层，该金属化层之上或者之下，或者在PCB的内部。
20.如权利要求19所述的连接器，其特征在于，其中所述电感器是螺旋电感器。
21.如权利要求19所述的连接器，其特征在于，其中所述至少一个电容器包括与所述电感器串联并且设置在PCB的第一金属化层上的第一交叉指形电容器；和与所述电感器串联并且设置在PCB的第二金属化层上的第二交叉指形电容器。
22.如权利要求18所述的连接器，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
23.如权利要求17所述的连接器，其特征在于，其中第二补偿结构包括在PCB的至少一个金属化层上的至少一个细长交叉指形电容。
24.如权利要求23所述的连接器，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
25.如权利要求23所述的连接器，其特征在于，其中所述至少一个细长交叉指形电容器为折叠式细长交叉指形电容器。
26.如权利要求25所述的连接器，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
27.如权利要求18所述的连接器，其特征在于，其中串联电感-电容组合的所述至少一个电容器是在PCB的至少一个金属化层上的至少一个细长交叉指形电容器。
28.如权利要求27所述的连接器，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
29.如权利要求27所述的连接器，其特征在于，其中所述至少一个细长交叉指形电容器是折叠式细长交叉指形电容器。
30.如权利要求29所述的连接器，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
31.如权利要求17所述的连接器，其特征在于，其中第二补偿结构包括在PCB的至少一个金属化层上的至少一个开路传输线。
32.如权利要求31所述的连接器，其特征在于，其中第一补偿结构包括至少一个交叉指形电容器或者至少一个平板电容器。
33.一种用于减低印刷电路板(PCB)中的串音的结构，该PCB包括多个衬底和该衬底之间的多个金属化层，其特征在于，此结构包括设置在PCB的第一级区域上的PCB的至少一层金属化层上的补偿部分；和设置于PCB的第二级区域上，用于随着频率增加而增加补偿电容的装置。
34.如权利要求2所述的结构，其特征在于，其中在第二补偿结构中与所述电感器串联的所述至少一个电容器是至少一个平板电容器。
35.如权利要求18所述的结构，其特征在于，其中在第二补偿结构中与所述电感器串联的所述至少一个电容器是至少一个平板电容器。
全文摘要
一种连接器被提供用来同时改进使用低串音插头时的NEXT高频率性能以及使用高串音插头时的NEXT低频率性能。此连接器包括设置在PCB的第一级区域上的PCB的内部金属化层上的第一补偿结构，和设置在PCB的第二级区域上，用于随着频率的增加而增加补偿电容的第二补偿结构。
文档编号H05K1/16GK1707859SQ20051007141
公开日2005年12月14日 申请日期2005年5月11日 优先权日2004年5月14日
发明者阿米德·哈希姆, 朱莉安·罗伯特·法尼 申请人:科马斯科普溶液器具公司