电光学装置、图像形成装置和图像读取装置的制作方法

专利名称：电光学装置、图像形成装置和图像读取装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有自发光元件的电光学装置、具备该电光学装置的图像形成装置和图像读取装置。
背景技术：
近年，作为代替液晶元件的下一代发光器件，称作有机场致发光元件和发光聚合物元件的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，以下为了方便，简称为“OLED”)元件引人注目。OLED元件与液晶那样的电灯泡不同，是按照外加的电压发光的自发光元件，例如特开2000-58255号公报和特开2001-343933号公报所公开那样，作为显示装置使用。
另外，正在开发把排列多个OLED元件的光头作为曝光部件即潜影写入器使用的电子照相方式的图像形成装置。在这样的光头中，除了OLED元件，还配置多个包含用于驱动它的晶体管的像素电路。例如在特开平11-274569号公报和特开2001-130048号公报中公开了这样的光头。
例如，所述光头那样的电光学装置具备具有形成OLED元件的某种程度以上的尺寸的面积的基板(元件基板)。例如在特开2000-58255号公报和特开2001-130048号公报的技术中，在元件基板上配置有驱动或控制OLED元件的电路元件，所以必须使该元件基板的面积为某种程度以上的尺寸。首先在一个大尺寸的原来的基板上形成多个OLED元件，然后从原来的基板切割，得到元件基板。如果与一个电光学装置对应的元件基板越大，则从原来的基板得到的个数越少，形成在原来的基板上的OLED元件的个数也少。
在形成OLED元件时，需要很多材料和很多工艺，在这些工艺中，有OLED元件所特有的消耗成本或时间的工艺。如果在一个原来的基板上统一形成多个OLED元件，就能减少元件基板的制造成本。而且，一个大尺寸的原来的基板上能形成的OLED元件的个数越多，就越能减少元件基板的制造成本。

发明内容
因此，本发明提供进一步容易地减小元件基板的面积的电光学装置、具有该电光学装置的图像形成装置和图像读取装置。
本发明的电光学装置包括基板；形成在所述基板上的多个自发光元件；与所述基板协作，以密封所述自发光元件的方式安装在所述基板上的密封体；与所述密封体重叠地配置，用于驱动或控制所述自发光元件的电路。根据该配置，驱动或控制自发光元件的电路，与密封自发光元件的密封体重叠，所以能减小形成自发光元件的基板的面积。因此，使从一个大尺寸的原来的基板得到的元件基板的个数增加，能增加在一个大尺寸的原来的基板中能形成的OLED元件的个数。
在优选方式中，该电光学装置还具备安装在所述密封体的与所述基板相反一侧的第二基板，所述电路设置在所述第二基板上，在所述第二基板上设置有用于对所述电路以及所述自发光元件的至少一方供电的电源线。用于向多个自发光元件以及电路供电的电源线需要大电流，所以具有大的截面积。当在形成自发光元件的基板上设置这样的电源线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该配置，在设置所述电路的第二基板上，通过至少在所述电路和所述自发光元件的一方上设置用于供电的电源线，能减小形成自发光元件的基板的面积。
在其他优选方式中，所述电路具备形成在所述密封体中的薄膜晶体管。进而，在所述密封体上形成用于对所述TFT以及所述自发光元件的至少一方供电的电源线。根据该配置，不仅驱动或控制所述自发光元件的TFT，就连用于对所述TFT以及所述自发光元件的至少一方供电的电源线也在密封自发光元件的密封体中形成，所以能进一步减少形成自发光元件。
在其他优选方式中，所述电路安装在所述密封体上，所述密封体的热传导率比所述基板还高。根据该配置，驱动或控制所述自发光元件的电路与密封自发光元件的密封体重叠，所以能减小形成自发光元件的基板的面积。OLED元件那样的自发光元件在发光时发热，而且根据温度，亮度不同。因此，作为避免自发光元件的热的对策，考虑到设置散热片。但是，在该形态中，通过比基板的热传导率还高的密封体高效地把由自发光元件产生的热发散，所以其他散热对策可以为最小限度，能抑制电光学装置的零件数的增加或大型化。
在其他优选方式中，所述电光学装置还具备与所述基板不重叠地设置在所述密封体中，用于向所述电路和所述自发光元件的至少一方供电的电源线；所述电路与所述基板不重叠地设置在所述密封体中。根据该配置，电路和电源线设置在密封体中，所以与在元件基板上设置两者的任意一方时相比，使形成自发光元件的元件基板可做小。
另外，根据该配置，电路和电源线与基板不重叠。因此，电光学装置的类型无论是来自自发光元件的光通过基板行进的类型(底部发射类型)，还是通过密封体行进的类型(顶部发射类型)，来自自发光元件的光都不会被电路或电源线遮挡。即该电光学装置能应用于双方的类型。
在其他优选方式中，所述电路是形成在所述密封体上的层叠体。在该形态中，基于一部分的连接端子的电连接变为不要，所以电光学装置的制造工序变得简略。另外，由于基于一部分的连接端子的电连接变为不要，导通不良的发生概率减小，所以电光学装置的可靠性提高。另外，与把电路元件安装在密封体上时相比，能使电光学装置小。
另外，在所述电光学装置中，可以具备安装在所述密封体上，把传导来的热向外部散热的散热机构。据此，能容易地把从电源线和电路产生的热向外部散热，所以能减少从电源线和电路传递给自发光元件的热。因此，能减小电源线和电路的热对自发光元件带来的不良影响。
在其他优选方式中，电光学装置还具备安装在所述密封体上的配线基板；设置在所述配线基板上，用于对所述电路以及所述自发光元件的至少一方供电的电源线。多个自发光元件以及用于对电路供电的电源线需要大电流，所以具有大的截面积。当在形成自发光元件的基板上设置这样的电源线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该配置，这样的电源线与密封自发光元件的密封体重叠，所以能减小形成自发光元件的基板的面积。
在其他优选方式中，所述电路安装在所述密封体上。根据该配置，驱动或控制自发光元件的电路与密封自发光元件的密封体重叠，所以能进一步减小形成自发光元件的基板的面积。
在其他优选方式中，所述电源线从所述基板以及所述密封体分开。作为把电源线与电路或自发光元件电连接的方法，有对电源线加热的方法。因为自发光元件不耐热，所以如果这样的电源线的热如果传递给自发光元件，就有可能引起自发光元件的破损或恶化。因此，在一般的电光学装置的制造中，当采用所述方法时，限定制造工序。但是，根据该配置，电源线的热难以传递给自发光元件，所以能提高制造工序的自由度。
另外在其他优选方式中，使用半导体形成所述电路，所述电路的一部分或全部由遮光膜覆盖住。使用半导体的电路如果暴露在光中，就会误动作，但是根据该形态，到达电路的光量减少，所以能减少电路错误动作的概率。
作为其他方式，本发明的电光学装置具备基板；形成在所述基板上的多个自发光元件；与所述基板协作，以密封所述自发光元件的形态安装在所述基板上的密封体；用于驱动或控制自发光元件的电路；设置在所述密封体上，用于对所述电路和所述自发光元件的至少一方供电的电源线。用于对多个自发光元件以及电路供电的电源线有必要流过大电流，所以具有大的截面积。当在形成自发光元件的基板上设置这样的电源线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该配置，这样的电源线与密封自发光元件的密封体重叠，所以能减小形成自发光元件的基板的面积。
在优选的方式中，所述电路安装在所述密封体上。根据该配置，驱动或控制自发光元件的电路安装在密封自发光元件的密封体上，所以能进一步减小形成自发光元件的基板的面积。
另外，在其他优选的形态中，所述电路安装在所述基板上。根据该配置，驱动或控制自发光元件的电路安装在形成自发光元件的基板上，所以能进一步减小形成自发光元件的基板的面积。
另外，在其他优选的形态中，所述电路是形成在所述基板上的层叠体。根据该结构，驱动或控制自发光元件的电路形成在形成自发光元件的基板上，所以能进一步减小形成自发光元件的基板的面积。
另外，在其他优选的形态中，所述密封体的热传导率比所述基板还高。由自发光元件产生的热通过热传导率比基板还高的密封体高效地散热，所以其他散热对策可以为最小限度，能抑制电光学装置的零件数的增加和大型化。除了电源线，驱动或控制自发光元件的电路也安装在所述密封体上。这时能进一步减小基板的面积。
本发明的图像形成装置具备像载体；使所述像载体带电的带电器；排列多个所述自发光元件，并且通过多个所述自发光元件对所述像载体的带电的面照射光，形成潜影的电光学装置；通过使调色剂(toner)附着在所述潜影上，在所述像载体上形成显影的显影器；从所述像载体把所述显影转印到其他物体上的转印器。如上所述，在本发明的电光学装置中，节约形成自发光元件的基板，能减少制造成本，所以关于具有该电光学装置的图像形成装置，也能减少制造成本。
本发明的图像读取装置具备排列了多个所述自发光元件的所述电光学装置；把从所述自发光元件发出，由读取对象反射的光变换为电信号的受光装置。如上所述，在本发明的电光学装置中，节约形成自发光元件的基板，能减少制造成本，所以关于具有该电光学装置的图像读取装置，也能减少制造成本。


下面简要说明附图。
下面，参照

本发明的各实施方式。
图1是表示本发明的实施方式1的电光学装置的剖视图。
图2是图1所示的电光学装置的局部平面图。
图3是表示图1所示的电光学装置内的OLED元件细节的剖视图。
图4是表示图1所示的电光学装置的驱动系统的框图。
图5是图4的驱动系统内的各像素电路的电路图。
图6是表示制造图1所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图7是表示图6的下一工序的图。
图8是表示图7的下一工序的图。
图9是表示图8的下一工序的图。
图10是表示本发明的实施方式2的电光学装置的剖视图。
图11是图10所示的电光学装置的局部平面图。
图12是表示制造图10所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图13是表示图12的下一工序的图。
图14是表示图13的下一工序的图。
图15是表示图14的下一工序的图。
图16是表示图15的下一工序的图。
图17是表示本发明的实施方式3的电光学装置的剖视图。
图18是图17所示的电光学装置的局部平面图。
图19是表示制造图17所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图20是表示图19的下一工序的图。
图21是表示图20的下一工序的图。
图22是表示本发明的实施方式4的电光学装置的剖视图。
图23是图22所示的电光学装置的局部平面图。
图24是表示制造图22所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图25是表示图24的下一工序的图。
图26是表示图25的下一工序的图。
图27是表示本发明的实施方式5的电光学装置的剖视图。
图28是图27所示的电光学装置的局部平面图。
图29是表示制造图27所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图30是表示图29的下一工序的图。
图31是表示图30的下一工序的图。
图32是表示图31的下一工序的图。
图33是表示本发明的实施方式6的电光学装置的剖视图。
图34是图33所示的电光学装置的局部平面图。
图35是表示制造图33所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图36是表示图35的下一工序的图。
图37是表示图36的下一工序的图。
图38是表示本发明的实施方式7的电光学装置的剖视图。
图39是图38所示的电光学装置的局部平面图。
图40是表示图38所示的电光学装置内的OLED元件细节的剖视图。
图41是图38所示的电光学装置的驱动系统内的各像素电路的电路图。
图42是表示制造图38所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图43是表示图42的下一工序的图。
图44是表示图43的下一工序的图。
图45是表示图44的下一工序的图。
图46是表示本发明的实施方式8的电光学装置的剖视图。
图47是图46所示的电光学装置的局部平面图。
图48是表示制造图46所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图49是表示图48的下一工序的图。
图50是表示图49的下一工序的图。
图51是表示图50的下一工序的图。
图52A是表示本发明的实施方式9的电光学装置的剖视图。
图52B是表示本发明的实施方式9的其他电光学装置的剖视图。
图53是表示本发明的实施方式10的电光学装置的剖视图。
图54是图53所示的电光学装置的局部平面图。
图55是表示制造图53所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图56是表示图55的下一工序的图。
图57是表示图56的下一工序的图。
图58是表示图57的下一工序的图。
图59是表示图58的下一工序的图。
图60是表示本发明的实施方式11的电光学装置的剖视图。
图61是图60所示的电光学装置的局部平面图。
图62是表示制造图60所示的电光学装置的顺序的最初工序的图。
图63是表示图62的下一工序的图。
图64是表示图63的下一工序的图。
图65是表示图64的下一工序的图。
图66是表示本发明的实施方式12的电光学装置的剖视图。
图67是图66所示的电光学装置的局部平面图。
图68是表示本发明的实施方式13的电光学装置的剖视图。
图69是图68所示的电光学装置的局部平面图。
图70是表示图68所示的电光学装置内的OLED元件以及电路层叠体细节的剖视图。
图71是表示本发明的实施方式14的电光学装置的剖视图。
图72是图71所示的电光学装置的局部平面图。
图73是表示使用实施方式的电光学装置的图像形成装置的一个例子的纵剖视图。
图74是表示使用实施方式的电光学装置的图像形成装置的其他例子的纵剖视图。
图75是表示使用实施方式的电光学装置的图像读取装置的一个例子的纵剖视图。
具体实施例方式
在以下的优选实施方式的说明中参照的附图中，各部的尺寸比例与实际情况适当不同。
<实施方式1>
图1是表示本发明的实施方式1的电光学装置的剖视图，图2是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置10具备透明的基板12、形成在基板12上的多个OLED元件(自发光元件)14。基板12优选是由石英玻璃那样的玻璃或塑料等形成的平板，在基板12之上以一列或其他适当的图案排列着多个OLED元件(自发光元件)14。在图示的形态中，从各OLED元件14发出的光通过透明的基板12，行进到图1的下方。即该电光学装置是底部发射类型。
在基板12上形成有用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。在基板12上为了驱动OLED元件14而形成有电源线20A、20B、20C。配线16、电极18A、18B以及电源线20A、20B、20C例如由铜或铝那样的导电材料形成的。
另外，与基板12协作，以密封这些OLED元件14的方式在基板12上安装有密封体24。该密封把OLED元件14从外界气体、特别是水分和氧气隔离，抑制它的恶化。密封体24例如能由玻璃、金属、陶瓷、或塑料形成。在密封体24向基板12的安装中优选使用粘合剂。作为粘合剂，使用热固化型粘合剂或紫外线固化型粘合剂。
在OLED的领域中使用的密封的种类中有通过粘合剂22把密封体24的一面全体接合到基板12上的膜密封；通过粘合剂22把密封体24的周围部接合到基板12上，在OLED元件14的周围设置由密封体24和基板12划定的空间的帽状密封。在帽状密封中，在该空间内配置干燥剂。该实施方式可以利用膜密封和帽状密封的任意一个。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24的周围设置一个以上的钝化层。
在密封体24之上安装有用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28。电路元件28向密封体24的安装优选使用粘合剂26。作为粘合剂，使用热固化型粘合剂或紫外线固化型粘合剂。
如后所述，电路元件28内置用于对多个OLED元件14供电的配线、进行对这些OLED元件14的通电的导通和断开切换的要素。电路元件28在其上表面具有电极30A、30B、32A、32B、32C。电极30A、30B通过引线34A、34B分别连接在基板12上的电极18A、18B上，最终分别连接在OLED元件14的阴极以及阳极上。电极32A、32B、32C通过引线36A、36B、36C分别连接在电源线20A、20B、20C上。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28的高电位电源线。这些电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
图3是表示各OLED元件14的细节的剖视图。OLED元件14具有在透明的ITO(Indium Tin Oxide)制的阳极42上成膜的空穴注入层46、形成在其上的发光层48、形成在其上的阴极49。空穴注入层46和发光层48形成在由绝缘层40以及隔壁44划定的凹部内。在绝缘层40的材料中存在SiO2，在隔壁44的材料中例如存在聚酰亚胺。
阳极42通过图3中未表示的导线连接在电极18B上，虽然图3未表示细节，但是阴极49通过导线连接在位于电极18B的背后的电极18A上。这些导线在图1中概略地表示为配线16。该实施方式的各OLED元件14的构成如上所述，但是作为本发明的OLED元件的变形，可以是在阴极和发光层之间设置电子注入层的类型、在阳极和透明基板之间设置绝缘层的类型等具有其他层的类型。
图4是表示电光学装置10的驱动系统的框图。如图4所示，所述电路元件28具备多条例如128条数据线L0～L127和驱动电路280。对电路元件28，除了数据信号D0～D127，还供给各种控制信号CTL、第一电源电位VIC和接地电位GND。数据信号D0～D127从未图示的数据控制电路提供给数据线L0～L127。第一电源电位VIC从对于电路元件28的高电位电源线20C提供，接地电位GND从对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线20A提供。
图4所示的像素块B1～B40是在一个时间单位中驱动的多个例如128个像素电路P的集合。对驱动电路280提供时钟信号作为控制信号CTL，驱动电路280按照时钟信号依次输出选择信号SEL1～SEL40。选择信号SEL1～SEL40分别输入到像素块B1～B40，提供给对应的像素块内的128个像素电路P。各选择信号SEL1～SEL40在写入潜影的主扫描期间的1/40期间(选择期间)中变为有效。
通过选择信号SEL1～SEL40依次排它地选择第一～第四十像素块B1～B40。把主扫描期间分割为多个选择期间(写入期间)，分时驱动像素块B1～B40，所以没必要在5120个(128×40)像素电路P中分别设置专用的数据线，能削减数据线的个数。即用128条数据线L0～L127能控制5120个像素电路P。第一～第四十像素块B1～B40分别具备与数据线L0～L127分别对应的128个像素电路P。对这些像素电路P供给第二电源电位VEL和接地电位GND。第二电源电位VEL从对于OLED元件14的高电位电源线20B供给，接地电位GND从对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线20A提供。而且，在各选择期间中通过数据线L0～L127供给的数据信号D0～D127取入到像素电路P中。而且，本例子的数据信号D0～D127是指示OLED元件的点亮和熄灭的双值的信号。
图5是各像素电路P的电路图。各像素电路P具备保持晶体管281、驱动晶体管282和OLED元件14。图中，用符号28表示电路元件28中内置的部分。从这些可知，保持晶体管281、驱动晶体管282内置在电路元件28中。从驱动电路280对保持晶体管281的栅极供给选择信号SEL1～SEL40，通过把它的源极与数据线L0～L127的任意一条连接，把数据信号D0～D127的任意一个提供给源极。保持晶体管281的漏极和驱动晶体管282的栅极通过连接线连接。在连接线中附带寄生电容，该电容作为保持电容起作用。对保持电容，在选择期间中写入双值的电压，在下一选择期间之前保持写入的电压。因此，在通过选择信号SEL1～SEL40选择保持晶体管的期间中，只在数据信号D0～D127是指示OLED元件14的点亮的信号的期间，OLED元件14发光。
从高电位电源线20B通过引线36B和电路元件28的电极32B把第二电源电位VEL提供给驱动晶体管282的漏极。驱动晶体管282的源极通过电路元件28的电极30B、引线34B以及基板12上的电极18B与OLED元件14的阳极连接。驱动晶体管282把与写入保持电容中的电压(双值)对应的驱动电流提供给OLED元件14。从低电位电源线20A通过引线36A、电路元件28的电极32A、电路元件28的电极30A、引线34A和基板12上的电极18B把接地电位GND提供给OLED元件14的阴极。OLED元件14发出与驱动电流的大小相应的量的光。
如上所述，在电路元件28中内置选择能把哪个像素块通电的驱动电路280；指示是否对选择的像素块中的OLED元件14通电的(进行对OLED元件14的通电的导通和断开的切换)的像素电路P(更正确而言，保持晶体管281和驱动晶体管282)。但是，可以在电路元件28的外部设置与驱动电路280同等的电路，可以在电路元件28的内部设置生成数据信号D0～D127或各种控制信号CTL的控制电路，这些变形也在本发明的范围内。另外这些电路元件28的构成要素可以设置在一个元件即IC芯片中，也可以分配在多个元件中。
下面说明制造实施方式1的电光学装置10的顺序。首先如图6所示，在基板12上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B和电源线20A、20B、20C。虽然未图示，但是此后用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、它们的组合。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。
接着，如图7所示，在基板12上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。进而如图8所示，把密封体24放在粘合剂22上，粘贴在基板12上，然后使粘合剂22固化。用于密封的粘合剂22如图8所示，可以具有从基板12和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。通过设置突出部22a，能进一步提高密封的效果。为了设置突出部22a，可以在基板12上涂敷比配置在基板12和密封体24之间的空间的量还多的量的粘合剂，粘合剂从该空间伸出，也可以在粘合剂22固化后，再在其外侧涂敷粘合剂。
然后，在电路元件28的下表面(电极30A、30B、32A、32B、32C的相反一侧的面)涂敷热固化型或紫外线固化型的粘合剂26。然后如图9所示，在密封体24上粘贴电路元件，然后使粘合剂26固化。如图1和图2所示，通过引线接合法，把引线34A、34B、36A、36B、36C安装到上述的给定位置，电光学装置10完成。
根据该实施方式的配置，因为把驱动OLED元件14的电路元件28与密封OLED元件14的密封体24重叠，所以能减小形成OLED元件14的基板12的面积。因此，能节约基板12，并且有助于具有电光学装置10的装置全体的小型化。
<实施方式2>
图10是表示本发明的实施方式2的电光学装置的剖视图，图11是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置也作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置50具备例如由石英玻璃那样的玻璃或塑料形成的平板的透明基板52。与实施方式1的基板12同样，在基板52上形成有多个OLED元件(自发光元件)14。该电光学装置也是底部发射类型。
在基板52上形成有用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16和电极18A、18B由铜或铝那样的导电材料形成。
与实施方式1同样，以与基板52协作，密封这些OLED元件14的方式，在基板52上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂22安装有例如由玻璃、金属、陶瓷或塑料形成的密封体24。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封的任意一种。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24的周围设置一个以上的钝化层。
在密封体24之上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂66或其他适当的安装部件安装有第二基板78。第二基板78可以由与基板52同样的材料形成，但是优选是在环氧树脂的内部配置玻璃制的无纺布的玻璃环氧树脂基板。
进而，在第二基板78上，为了驱动OLED元件14而形成电源线20A、20B、20C。电源线20A、20B、20C由铜或铝那样的导电材料形成着。
另外在第二基板78上安装有用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28。电路元件28向密封体24的安装优选使用粘合剂80。作为粘合剂，使用热固化型粘合剂或紫外线固化型粘合剂。
电路元件28是与实施方式1中详细描述的电路元件28相同。与实施方式1同样，电路元件28的电极30A、30B通过引线34A、34B分别连接在基板52上的电极18A、18B上，最终分别连接在OLED元件14的阴极以及阳极上。电路元件28的电极32A、32B、32C通过引线36A、36B、36C分别连接在电源线20A、20B、20C上。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28的高电位电源线。这些电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
各OLED元件14的细节与参照图3在实施方式1中详细描述的同样。可以使用实施方式1中描述的OLED元件的变形。
电光学装置50的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的同样。可以使用实施方式1中描述的电路元件28的变形。
下面说明制造实施方式2的电光学装置50的工序。首先，如图12所示，在基板52上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。
接着，如图13所示，在基板52上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。如图14所示，把密封体24放在粘合剂22上，粘贴在基板52上，然后使粘合剂22固化。与实施方式1同样，用于密封的粘合剂22如图14所示，可以具有从基板52和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。
然后，如图15所示，在密封体24上涂敷粘合剂66，把第二基板78放在粘合剂66上，粘贴在密封体24上，然后使粘合剂66固化。
在该接合之前或之后，在第二基板78上形成电源线20A、20B、20C。电源线20A、20B、20C的形成方法可以是公知的任意方法。但是当第二基板78为玻璃环氧树脂时，优选通过公开的印刷电路板的配线方法(例如基础法或有源法)，使铜箔等导体作为材料，在第二基板78上形成电源线20A、20B、20C的图案。虽然未图示，但是可以用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、以及它们的组合。
另外，把电路元件28接合到第二基板78上。如图16所示，对电路元件28的下表面(电极30A、30B、32A、32B、32C的相反一侧的面)涂敷热固化型或紫外线固化型的粘合剂80。然后，把电路元件28粘贴在第二基板78上，然后使粘合剂80固化。如图10和图1所示，通过引线接合法，通过把引线34A、34B、36A、36B、36C安装到上述的给定位置，电光学装置50完成。
在图示的形态中，密封体24和第二基板78的两侧端部彼此对齐在齐平面上。但是，它们中的任意构件可以从其他构件突出。
根据该实施方式的配置，驱动OLED元件14的电路元件28设置在与密封OLED元件14的密封体24重叠的第二基板78上，所以能减小形成OLED元件14的基板52的面积。因此，能节约基板52，并且有助于具有电光学装置50的装置全体的小型化。
另外，用于对多个OLED元件以及电路元件供电的电源线需要流过大电流，所以具有大的截面积。当在形成OLED元件的基板上设置这样的电流线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该实施方式的配置，在设置电路元件28的第二基板78上设置有用于对电路元件28以及OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C，能减小形成OLED元件14的基板52的面积。
在图示的形态中，在第二基板78上形成有电源线20A、20B、20C的全部，但是作为本发明的变形，可以在基板52或密封体24上形成有电源线20A、20B、20C的任意一个，在第二基板78上形成其他。这时，通过在密封体24或第二基板78上配置电源线20A、20B、20C的任意一个，能减小基板52的面积。
另外，当第二基板78为玻璃环氧基板时，用公开的印刷电路板的配线方法形成厚的电源线20A、20B、20C时比在玻璃基板上沉积(蒸镀)金属，形成电源线时容易，因此，容易减小电源线20A、20B、20C的宽度。在附图中，电源线20A、20B、20C的宽度小，但是实际上比OLED元件14的宽度大很多。因此，通过减小电源线20A、20B、20C的宽度，能大幅度削减基板52、密封体24以及第二基板78的面积。
<实施方式3>
图17是表示本发明的实施方式3的电光学装置的剖视图，图11是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置也作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置1010具有透明的基板12、形成在基板12上的多个OLED元件(自发光元件)14。基板12优选是由石英玻璃那样的玻璃或塑料等形成的平板，在基板12之上以一列或其他适当的图案排列着多个OLED元件(自发光元件)14。在图示的形态中，从各OLED元件14发出的光通过透明的基板12，行进到图17的下方。即该电光学装置是底部发射类型。
在基板12上形成有用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16、电极18A、18B例如由铜或铝那样的导电材料形成。
与实施方式1同样，以与基板12协作，密封OLED元件14的方式，在基板12上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂22安装例如由玻璃、塑料或硅片那样的陶瓷形成的密封体24。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封的任意一种。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24的周围设置有一个以上的钝化层。
在密封体24之上，为了驱动OLED元件14而形成电源线20A、20B、20C、配线15、17、电极30A、30B和电路层叠体28B。配线15连接电源线20A、20B、20C和电路层叠体28B。虽然省略图示，但是在密封体24的上表面设置绝缘膜，在彼此不应该连接的电源线和配线之间存在该绝缘膜。配线17连接电极30A、30B和电路层叠体28B。电极30A、30B通过引线34A、34B分别连接在基板12上的电极18A、18B上。配线15、17、电源线20A、20B、20C以及电极30A、30B例如由铜或铝那样的导电材料形成。
电路层叠体28B是用于驱动多个OLED元件14的驱动IC，在密封体24上作为TFT(薄膜晶体管)阵列而形成的。如后所述，电路层叠体28B内置用于对多个OLED元件14供电的配线；进行对这些OLED元件14的通电的导通和断开的切换的要素。电路层叠体28B通过电极30A、30B以及引线34A、34B分别连接在基板12上的电极18A、18B上，最终分别连接在OLED元件14的阴极以及阳极上。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28的高电位电源线。这些电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
各OLED元件14的细节与参照图3在实施方式1中详细描述的同样。可以使用实施方式1中描述的OLED元件的变形。
电光学装置1010的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的电光学装置10的驱动系统类似。但是，在图4和图5中，电路元件28相当于电路层叠体28B。该电光学装置1010不具有实施方式1中使用的引线36A、36B、36C，另外未明确表示与电路层叠体28B的引线36A、36B、36C连接的电极(相当于实施方式1的电极32A、32B、32C)。但是，对电路层叠体28B，除了数据信号D0～D127，还供给各种控制信号CTL、第一电源电位VIC和接地电位GND。数据信号D0～D127从未图示的数据控制电路提供给数据线L0～L127。第一电源电位VIC从对于电路层叠体28B的高电位电源线20C提供，接地电位GND从对于OLED元件14以及电路层叠体28B的公共的低电位电源线20A提供。
另外，第二电源电位VEL从高电位电源线20B(不通过实施方式1的引线36B)提供给电路层叠体28B内的驱动晶体管282的漏极。驱动晶体管282的源极，通过电路层叠体28B的电极30B、引线34B以及基板12上的电极18B，与OLED元件14的阳极连接。驱动晶体管282把与写入保持电容中的电压(双值)相应的驱动电流提供给OLED元件14。接地电位GND从低电位电源线20A(不通过实施方式1的引线36B)通过电路层叠体28B的电极30A、引线34A以及基板12上的电极18B提供给OLED元件14的阴极。OLED元件14发出与驱动电流大小相应的量的光。如上所述，在电路层叠体28B中内置选择能把哪个像素块通电的驱动电路280；指示是否对选择的像素块中的OLED元件14通电的(进行对OLED元件14的通电的导通和断开的切换)像素电路P(更正确而言，保持晶体管281和驱动晶体管282)。但是，可以在电路层叠体28B的外部设置与驱动电路280同等的电路，可以在电路层叠体28B的内部设置生成数据信号D0～D127或各种控制信号CTL的控制电路，这些变形也在本发明的范围内。
下面说明制造实施方式3的电光学装置1010的顺序。首先如图19所示，在基板12上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B。另外，在密封体24上形成电源线20A、20B、20C、配线15、17、电极30A、30B和电路层叠体28B。为TFT阵列的电路层叠体28B的形成，例如密封体24为玻璃时，使用LTPS(低温多晶硅)进行。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。虽然未图示，但是此后用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、以及它们的组合。
接着，如图20所示，在基板12上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。进而，如图21所示，把密封体24放在粘合剂22上，粘贴在基板12上，然后使粘合剂22固化。用于密封的粘合剂22如图22所示，可以具有从基板12和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。通过设置这样的突出部22a，能进一步提高密封的效果。为了设置突出部22a，可以在基板12上涂敷比配置在基板12和密封体24之间的空间的量还多的量的粘合剂，粘合剂从该空间伸出，也可以在粘合剂22固化后，再在其外侧涂敷粘合剂。
接着，如图17和图18所示，通过引线接合法，把引线34A、34B、36A、36B安装到上述的给定位置，电光学装置1010完成。
根据该实施方式的配置，把驱动OLED元件14的电路层叠体28B与OLED元件14，设置在密封OLED元件14的密封体24上，所以能减小形成OLED元件14的基板12的面积。因此，能节约基板12，并且有助于具有电光学装置1010的装置全体的小型化。
但是，用于对多个自发光元件以及电路元件供电的电源线需要流过大电流，所以具有大的截面积。当在形成自发光元件的基板上设置这样的电源线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该实施方式的配置，用于对OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C与OLED元件14重叠，设置在密封OLED元件14的密封体24上，从而能减小形成OLED元件14的基板12的面积。
而且，在图示的形态中，密封体24的一个侧端部与基板12的一个侧端部对齐在齐平面上，但是，作为本发明的密封体和基板的配置的变形，一方的构件可以从另一方的构件突出。另外在图示的形态中，在密封体24之上形成电源线20A、20B、20C，但是作为本发明的密封体和基板和电源线的配置的变形，可以在基板12上形成电源线20A、20B、20C的一部分或全部。这时，至少电路层叠体28B配置在密封体24上，所以能减小基板12的面积。
<实施方式4>
图22是表示本发明的实施方式4的电光学装置的剖视图，图23是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置也作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置1050具备例如由石英玻璃那样的玻璃或塑料形成的平板的透明基板52。与实施方式3的基板12同样，在基板52上形成有多个OLED元件(自发光元件)14。该电光学装置也是底部发射类型。
在基板52上形成用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16和电极18A、18B由铜或铝那样的导电材料形成。
与实施方式3同样，以与基板52协作，密封这些OLED元件14的方式，在基板52上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂22，安装例如由玻璃、或硅片形成的密封体24。在该实施方式中，使用上述的膜密封。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24的周围设置一个以上的钝化层。
进而，在密封体24的基板52相对的下表面上，为了驱动OLED元件14而形成实施方式3中详细描述的电源线20A、20B、20C、未图示的配线15、17、电路层叠体28B和电极30A、30B。虽然省略图示，但是在密封体24的下表面设置绝缘膜，在彼此不应该连接的电源线和配线之间存在该绝缘膜。
基板52上的电极18A、18B与各向异性导电材料13的一面接触，密封体24的电极30A、30B与各向异性导电材料13的另一面接触。即基板52上的电极18A、18B隔着各向异性导电材料13与密封体24的电极30A、30B分别相对向。各向异性导电材料13只使接触的电极18A、18B、30A、30B中相对向的电极导通。由此可知，基板52上的电极18A、18B通过各向异性导电材料13分别连接在电极30A、30B上。同样这样构成，在实施方式3中必要的引线34A、34B变为不要。
电源线20A、20B、20C在图22的纸面的跟前，比基板52或密封体24还突出，通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。而且，电源线20A、20B、20C也可以在图22的纸面向内突出。另外，关于各OLED元件的细节、电光学装置的驱动系统、密封体和基板和电源线的配置，可以使用实施方式3中详细描述的各种变形。而且，在图示的形态中，密封体24的两侧端部与基板52的两侧端部对齐在同一面中，但是作为本发明的密封体和基板的配字的变形，在任意的端部，一方的构件可以从另一方的构件突出。
下面，说明制造实施方式4的电光学装置1050的顺序。首先如图24所示，在基板52上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B。另外，在密封体24上形成电源线20A、20B、20C、配线15、17、电极30A、30B和电路层叠体28B。为TFT阵列的电路层叠体28B的形成，当密封体24为玻璃时，使用LTPS(低温多晶硅)进行。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。虽然未图示，但是此后用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、它们的组合。
接着，如图25所示，在基板52上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。另外，通过密封体24的向下，分别使电极30A、30B和电极18A、18B相对向。
接着，如图26所示，把密封体24放在粘合剂22上，粘贴在基板52上，然后使粘合剂22固化。这样，电光学装置1050完成。用于密封的粘合剂22如图26所示，可以具有从基板12和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。关于设置该突出部22a的效果和突出部22a的方法，如实施方式3中所述。
根据该实施方式的配置，与实施方式3同样，驱动OLED元件14的电路层叠体28B与OLED元件14，设置在密封OLED元件14的密封体24上，所以能减小形成OLED元件14的基板22的面积。因此，能节约基板12，并且有助于具有电光学装置1050的装置全体的小型化。
另外，与实施方式3同样，用于对OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C与OLED元件14重叠，设置在密封OLED元件14的密封体24上，从而能减小形成OLED元件14的基板52的面积。
另外，通过采用使基板52上的电极18A、18B与密封体24的电极30A、30B分别相对向，通过各向异性导电材料13连接的结构，电极30A、30B与电极18A、18B分别重叠，所以能减小形成OLED元件14的基板52的面积。
<实施方式5>
图27是表示本发明的实施方式5的电光学装置的剖视图，图28是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置2010具备透明的基板12、形成在基板12上的多个OLED元件(自发光元件)14。基板12优选是由石英玻璃那样的玻璃或塑料等形成的平板，在基板12之上以一列或其他适当的图案排列着多个OLED元件(自发光元件)14。在图示的形态中，从各OLED元件14发出的光通过透明的基板12，行进到图27的下方。即该电光学装置是底部发射类型。
在基板12上形成用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16、电极18A、18B以及电源线20A、20B、20C例如由铜或铝那样的导电材料形成。
另外，以与基板12协作，密封这些OLED元件14的方式，在基板12上安装密封体24A。该密封把OLED元件14从外界气体、特别是水分和氧气隔离，抑制它的恶化。密封体24A为了高效地把OLED元件14由产生的热散热，由具有比基板12还高的热传导率的材料形成。例如基板12由玻璃形成时，作为密封体24A的适合的材料，列举除了玻璃的陶瓷(Al2O3、AlN)和金属(42合金(含镍约42％，铁约58％的合金)、铜、铝等)。
密封体24A向基板12的安装优选使用粘合剂22。作为粘合剂，使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24A的周围设置一个以上的钝化层。
在密封体24A之上，为了驱动OLED元件14而形成有电源线20A、20B、20C。电源线20A、20B、20C例如由铜或铝那样的导电材料形成。当从导电材料形成密封体24A时，虽然未图示，但是为了防止电源线20A、20B、20C的短路，在密封体24A和各电源线20A、20B、20C之间设置绝缘层。
另外在密封体24A之上安装有用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28。电路元件28向密封体24A的安装优选使用粘合剂26。作为粘合剂，使用例如热固化型或紫外线固化型的粘合剂。
电路元件28与实施方式1中详细描述的电路元件28相同。与实施方式1同样，电路元件28的电极30A、30B通过引线34A、34B分别连接在基板12上的电极18A、18B上，最终分别连接在OLED元件14的阴极以及阳极上。电路元件28的电极32A、32B、32C通过引线36A、36B、36C分别连接在电源线20A、20B、20C上。
各OLED元件14的细节与参照图3在实施方式1中详细描述的同样。可以使用实施方式1中详细描述的OLED元件的变形。
电光学装置2010的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的电光学装置10的驱动系统同样。可以使用实施方式1中详细描述的电路元件28的变形。
下面说明制造实施方式5的电光学装置2010的顺序。首先如图29所示，在基板12上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。另外在密封体24A上形成电源线20A、20B、20C。电源线20A、20B、20C的形成方法可以是公知的任意方法。虽然未图示，但是此后用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、以及它们的组合。
接着，如图30所示，在基板12上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。进而如图31所示，把密封体24A放在粘合剂22上，粘贴在基板12上，然后使粘合剂22固化。用于密封的粘合剂22如图31所示，可以具有从基板12和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。通过设置突出部22a，能进一步提高密封的效果。为了设置突出部22a，可以在基板12上涂敷比配置在基板12和密封体24A之间的空间的量还多的量的粘合剂，粘合剂从该空间伸出，也可以在粘合剂22固化后，再在其外侧涂敷粘合剂。
然后，在电路元件28的下表面(电极30A、30B、32A、32B、32C的相反一侧的面)涂敷热固化型或紫外线固化型的粘合剂26。然后如图32所示，在密封体24A上粘贴电路元件28，然后使粘合剂26固化。进而如图27和图28所示，通过引线接合法，把引线34A、34B、36A、36B、36C安装到上述的给定位置，完成电光学装置2010。但是，电路元件28向密封体24A的粘贴可以在密封体24A向基板12的粘贴前进行。
用于对多个OLED元件以及电路元件供电的电源线需要流过大电流，所以具有大的截面积。在形成自发光元件的基板上设置这样的电流线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该实施方式的配置，通过在密封OLED元件14的密封体24A上设置有用于对电路元件28以及OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C，能减小形成OLED元件14的基板12的面积。因此，能节约基板12，并且有助于具有该电光学装置2010的装置全体的小型化。
另外，根据该实施方式的配置，驱动OLED元件14的电路元件28与密封OLED元件14的密封体24A重叠设置着，所以能进一步减小形成OLED元件14的基板12的面积。
另外，根据该实施方式，通过比基板12的热传导率还高的密封体24A把由OLED元件14产生的热散热，所以其他散热对策可以是最小限度，能抑制电光学装置的零件数增加和大型化。
表1表示密封体24A的适合材料以及基板12的典型材料即玻璃的特性。如果只着眼于OLED元件14的冷却效率，就可以说热传导率越高越好。在该观点下，优选铜或铝作为密封体24A的材料。但是，为了减少热引起的变形的发生，可以说密封体24A与基板12的热膨胀系数越接近越好。在该观点下，例如优选Al2O3、AlN、42合金作为密封体24A的材料。
表1 在图示的形态中，密封体24A的一个侧端部与基板12的一个侧端部对齐在齐平面上，但是，作为本发明的密封体和基板的配置的变形，一方的构件可以从另一方的构件突出。另外在图示的形态中，在形成在密封体24A的上表面上的沟槽中掩埋设置电源线20A、20B、20C，密封体24A的上表面与各电源线20A、20B、20C的上表面彼此对齐在齐平面上。但是，也可以使密封体24A的上表面平坦，在其上使电源线20A、20B、20C隆起。
另外，在图示的形态中，在密封体24A之上形成有电源线20A、20B、20C的全体，但是作为本发明的密封体和基板和电源线的配置的变形，可以在密封体24A上形成电源线20A、20B、20C的任意一个，在基板12上形成其他。这时，通过在密封体24A上配置电源线20A、20B、20C的任意一个，能减小基板12的面积。进而作为其他变形，在密封体24A上形成电源线20A、20B、20C和电路元件28的任意一个，在基板12上形成其他。这时，通过在密封体24A上配置电源线20A、20B、20C和电路元件28的任意一个，也能减小基板12的面积。
<实施方式6>
图33是表示本发明的实施方式6的电光学装置的剖视图，图34是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置2050具备例如由石英玻璃那样的玻璃或塑料形成的平板的透明基板52。与实施方式5的基板12同样，在基板52上形成有多个OLED元件(自发光元件)14。该电光学装置也是底部发射类型。
在基板52上形成有用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16和电极18A、18B由铜或铝那样的导电材料形成。
与实施方式5同样，在基板52上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂22安装密封体24A，以使与基板52协作，密封这些OLED元件14。与实施方式5同样，密封体24A由具有比基板12还高的热传导率的材料形成。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封的任意一种，但是从OLED元件14的冷却效率的观点出发，膜密封比帽状密封优异。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24A的周围设置一个以上的钝化层。
在密封体24A的上表面上形成有用于驱动OLED元件14的电源线20A、20B、20C、电极341A、341B、361A、361B、361C。它们例如铝那样的导电材料形成的。电源线20A、20B、20C分别与电极32A、32B、32C导通。虽然省略详细的图示，但是在密封体24A的上表面设置分别连接电源线20A、20B、20C和电极32A、32B、32C的配线和绝缘膜，在彼此不应该连接的电源线和配线之间存在绝缘膜。
另外，在密封体24A的下表面形成有多个电极344。电极344的位置是电极341A、341B的正背面，电极341A、341B以及对应的电极344，由内表面上设置了导电材料层的通孔342导通。这些电极344通过各向异性导电材料346分别与形成在基板52之上的电极18A、18B连接，最终分别连接在OLED元件14的阴极以及阳极上。各向异性导电材料346在连接相对向的电极的方向表现导通性，在其他方向表现绝缘性，例如能使用各向异性导电膏或各向异性导电薄膜等高分子材料作为各向异性导电材料346。当从导电性材料形成了密封体24A时，虽然未图示，但是为了防止电源线20A、20B、20C、电极341A、341B、361A、361B、361C以及通孔342内的导电体的短路，在密封体24A和它们之间设置绝缘层。
另外在第二基板78上安装有用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28A。电路元件28A与实施方式1、2和5中详细描述的电路元件28大致相同。但是，在该实施方式中，在电路元件28A的下表面(与密封体24A相对的面)上突出地形成有电极30A、30B、32A、32B、32C。
电路元件28A向密封体24A的安装方式虽然未图示，但是使用倒装接合或与各向异性导电材料346同样的各向异性导电材料。通过该安装，电路元件28a的下表面的电极30A、30B，通过各向异性导电材料346以及基板52上的电极18A、18B最终分别连接在OLED元件14的阴极和阳极上。另外通过该安装，电路元件28A的下表面的电极32A、32B、32C通过电极361A、361B、361C分别连接在电源线20A、20B、20C上。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28A的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28A的高电位电源线。电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
各OLED元件14的细节与参照图3在实施方式1中详细描述的同样。可以使用在实施方式1中详细描述的OLED元件的变形。
电光学装置2050的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的电光学装置2010的驱动系统同样。可以使用实施方式1中详细描述的电路元件的变形。
下面说明制造实施方式6的电光学装置2050的顺序。首先如图35所示，在基板12上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。
另外，如图35所示，在密封体24A上形成通孔342、电极341A、341B、361A、361B、361C。虽然未图示，但是此后可以用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、以及它们的组合。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。
接着如图36所示，在基板52上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。另外，在基板52上的与电极18A、18B重叠的位置涂敷各向异性导电材料346。如图37所示，把密封体24A放在粘合剂22和各向异性导电材料346上，粘贴在基板52上，然后使粘合剂22和各向异性导电材料346固化。与实施方式5同样，用于密封的粘合剂22如图37所示，可以具有从基板52和密封体24A之间的空间伸出，局部覆盖密封体24A的侧端部的突出部22a。
然后，如图33和图34所示，通过把电路元件28A安装在密封体24A上的给定位置，完成电光学装置2010。但是，电路元件28A向密封体24A的安装可以在密封体24A向基板52的粘贴之前进行。
根据该实施方式的配置，通过在密封OLED元件14的密封体24A上设置有用于对电路元件28A以及OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C，所以能减小形成OLED元件14的基板52的面积。因此，能节约基板12，并且有助于具有该电光学装置2010的装置全体的小型化。
另外，根据该实施方式的配置，驱动OLED元件14的电路元件28A与密封OLED元件14的密封体24A重叠设置，所以能进一步减小形成OLED元件14的基板52的面积。
另外，根据该实施方式，通过比基板52的热传导率还高的密封体24A把由OLED元件14产生的热散热，所以其他散热对策可以是最小限度，能抑制电光学装置的零件数增加和大型化。
关于密封体24A和基板和电源线20A、20B、20C的配置，可以使用在实施方式5中详细描述的各种变形。而且，在图示的形态中，基板52和密封体24A的两侧端部彼此对齐在齐平面上。但是，作为本发明的密封体和基板的配置的变形，在任意的端部，一方的构件可以从另一方的构件突出。
<实施方式7>
图38是表示本发明的实施方式7的电光学装置的剖视图，图39是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置3010具备透明的基板12、形成在基板12上的多个OLED元件(自发光元件)14。基板12优选是由石英玻璃那样的玻璃或塑料等形成的平板，在基板12之上以一列或其他适当的图案排列着多个OLED元件(自发光元件)14。在图示的形态中，从各OLED元件14发出的光通过透明的基板12，行进到图1的下方。即该电光学装置是底部发射类型。
在基板12上形成有用于对OLED元件14供电的电极18AL、18BL、连接OLED元件14和电极18AL、18BL的配线16。
另外，为了与基板12协作，密封这些OLED元件14，在基板12上安装密封体24。该密封把OLED元件14从外界气体、特别是水分和氧气隔离，抑制它的恶化。密封体24比基板12还大，例如能由玻璃、金属、陶瓷、或塑料形成。当然电光学装置为从OLED元件发出的光通过密封体24向图38的上方前进的顶部发射类型时，密封体24必须透明，不能采用金属作为材料。在密封体24上，在与基板12相对向的面上形成有用于对OLED元件14供电的连接端子18AU、18BU。在密封体24对基板12的安装中优选使用粘合剂22。在连接端子间的电连接上优选使用各向异性导电材料133。作为粘合剂，使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂。
作为密封的种类，可以是上述的膜密封或帽密封的任意一种。无论使用哪种密封，在连接端子18AL和连接端子18AU的电连接以及连接端子18BL和连接端子18BU的电连接中，不是粘合剂22，而使用各向异性导电材料133。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24的周围设置一个以上的钝化层。
在密封体24中与基板12相对的面上的与基板12不重叠的位置上，为了驱动OLED元件14，形成电源线20A、20B、20C以及连接端子30AU、30BU、32AU、32BU、32CU。虽然省略详细的图示，但是在该面上设置连接电源线20A、20B、20C和连接端子32AU、32BU、32CU的配线和保护膜(绝缘谟)，在彼此不应该连接的电源线和配线之间存在该保护膜。连接端子32AU、32BU、32CU中与电源线20A导通的是连接端子32AU，与电源线20B导通的是连接端子32BU，与电源线20C导通的是连接端子32CU。另外，虽然省略详细的图示，但是在该面上设置有把连接端子30AU、30BU和连接端子18AU、18BU连接的配线。连接端子30AU、30BU中与连接端子18AU导通的是连接端子30AU，与连接端子18BU导通的是连接端子30BU。
在密封体24上，在与基板12相对向的面上安装有用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28。在电路元件28向密封体24的安装中优选使用粘合剂26以及各向异性导电材料131、132。作为粘合剂，使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂。
电路元件28与实施方式1中详细描述的电路元件28相同。电路元件28，在与密封体24相对向的面上具有连接端子30AL、30BL、32AL、32BL、32CL。连接端子30AL、30BL通过各向异性导电材料132分别连接在密封体24上的连接端子30AU、30BU上，最终分别连接在OLED元件14的阴极和阳极上。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28的高电位电源线。电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
配线16、连接端子18AL、18AU、18BL、18BU、30AL、30AU、30BL、30BU、32AL、32AU、32BL、32BU、32CL、32CU以及电源线20A、20B、20C例如由铜或铝那样的导电材料形成。
图40是表示各OLED元件14的细节的剖视图。OLED元件14具有在透明的ITO(Indium Tin Oxide)制的阳极42上成膜的空穴注入层46、形成在其上的发光层48、形成在其上的阴极49。空穴注入层46和发光层48形成在由绝缘层40以及隔壁44划定的凹部内。在绝缘层40的材料中存在SiO2，在隔壁44的材料中存在聚酰亚胺。
阳极42通过图40中未表示的导线连接在连接端子18BL上，虽然图40未表示细节，但是阴极49通过导线连接在位于连接端子18BL的背后的连接端子18AL上。这些导线在图38中概略地表示为配线16。该实施方式的各OLED元件14的构成如上所述，但是作为本发明的OLED元件的变形，可以是在阴极和发光层之间设置电子注入层的类型、在阳极和透明基板之间设置绝缘层的类型等具有其他层的类型。
电光学装置3010的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的电光学装置10的驱动系统类似。可以使用实施方式1中详细描述的电路元件28的变形。但是，如图41所示，电光学装置3010的驱动系统的配线与实施方式1(图5)稍微不同。如图41所示，第二电源电位VEL从高电位电源线20B通过连接端子32BU、32BL提供给驱动晶体管282的漏极。驱动晶体管282的源极通过连接端子30BL、30BU、18BU、18BL与OLED元件14的阳极连接。驱动晶体管282对OLED元件14供给与写入保持电容中的电压(双值)对应的驱动电流。接地电位GND从低电位电源线20A通过连接端子32AU、32AL、30AL、30AU、18AL提供给OLED元件14的阴极。
下面说明制造实施方式7的电光学装置3010的顺序。
如图42所示，首先在基板42上形成OLED元件14、配线16、连接端子18AL、18BL。实际上在切出多个基板12的一个大尺寸的原来的基板上形成OLED元件14、配线16以及连接端子18AL、18BL，通过从该原来的基板切出基板12，得到形成OLED元件14、配线16、连接端子18AL、18BL的基板12。
另外，在密封体24上形成连接端子18AU、30AU、30BU、32AU、32BU、32CU以及电源线20A、20B、20C。实际上在切出多个密封体24(基板12？)的一个大尺寸的原来的基板上形成连接端子18AU、30AU、30BU、32AU、32BU、32CU以及电源线20A、20B、20C，通过从该原来的基板切出密封体24(基板12？)，得到形成连接端子18AU、30AU、30BU、32AU、32BU、32CU以及电源线20A、20B、20C的密封体24。
在密封体24中，形成连接端子以及电源线的位置是最宽的2个面中的一方的面上，如果除去连接端子18AU、18BU，则当接合密封体24和基板12时，是从基板12伸出的区域(与基板12不重叠的区域)内。而且，虽然未图示，但是此后可以用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、以及它们的组合。
OLED元件、配线以及连接端子在切出基板12的大尺寸的原来的基板上的形成中，金属层、阳极、发光层(空穴输送层、发光聚合物层以及电子注入层)、阴极、绝缘层、隔壁以及保护膜等的层成为必要。即与在切出密封体24的其他大尺寸的原来的基板上形成连接端子以及电源线时相比，成为必要的材料的种类以及成为必要的工艺多很多。特别是在发光层的形成上需要时间或成本。例如在滴下液滴，形成它们的层的方法中，涂敷、干燥以及烘焙的工艺复杂，花费时间。另外，即使是溅射法，发光聚合物层的材料非常昂贵，所以耗费成本。
如图43所示，接着对密封体24配置基板12和电路元件28。进行该配置，从而使基板12的连接端子18AL、18BL与密封体24的连接端子18AU、18BU分别相对向，电路元件28的连接端子30AL、30BL与密封体24的连接端子30AU、30BU分别相对向，并且电路元件28的连接端子32AL、32BL、32CL与密封体24的连接端子32AU、32BU、32CU分别相对向。
如图44所示，接着在密封体24上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22、26，而在密封体24的连接端子上涂敷各向异性导电材料131、132、133。在各向异性导电材料的涂敷中，在连接端子32AU、32BU、32CU上涂敷各向异性导电材料131，在连接端子30AU、30BU上涂敷各向异性导电材料132，在连接端子18AU、18BU上涂敷各向异性导电材料132。
如图45所示，把基板12放在粘合剂22和各向异性导电材料133上，粘贴在密封体24上，然后使粘合剂22固化。而另一方面，把电路元件28放在粘合剂26以及各向异性导电材料131、132上，粘贴在密封体24上，然后使粘合剂22固化。这样，基板12的连接端子18AL、18BL通过各向异性导电材料133与密封体24的连接端子18AU、18BU分别导通，电路元件28的连接端子30AL、30BL通过各向异性导电材料132与密封体24的连接端子30AU、30BU分别导通，电路元件28的连接端子32AL、32BL、32CL通过各向异性导电材料131与密封体24的连接端子32AU、32BU、32CU分别导通。这样，完成电光学装置3010。
用于密封的粘合剂22如图45所示，可以具有从基板12和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。通过设置突出部22a，能进一步提高密封的效果。为了设置突出部22a，可以在基板12上涂敷比配置在基板12和密封体24之间的空间的量还多的量的粘合剂，粘合剂从该空间伸出，也可以在粘合剂22固化后，再在其外侧涂敷粘合剂。
根据该实施方式的配置，在密封体24上设置驱动OLED元件14的电路元件28以及电源线20A、20B、20C，与在基板12上设置两者的任意一方时相比，能减小基板12。因此，能从一个大尺寸的原来的基板切出的基板12的数量增加。在OLED元件的形成中花费成本，所以从一个大尺寸的原来的基板能得到的元件基板12的个数越多，即在大尺寸的原来的基板上能统一形成的OLED元件的个数越多，结果就越能降低元件基板12的制造成本。从上可知，根据该配置，能降低具有电光学装置3010的装置全体的制造成本。
另外，电路元件28以及电源线20A、20B、20C与基板12不重叠，所以无论如该实施方式那样是底部发射类型，还是来自OLED元件14的光通过密封体前进的顶部发射类型，来自OLED元件14的光都不会被电路元件28或电源线20A、20B、20C遮挡。即能应用于双方的类型。
<实施方式8>
图46是表示本发明的实施方式8的电光学装置的剖视图，图47是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置3050与所述电光学装置3010不同的点在于不是在密封体24上安装电路元件28，而在密封体24上形成与电路元件28具有同一功能的电路层叠体28B。与实施方式3的电路层叠体28B同样，电路层叠体28B是用于驱动多个OLED元件14的驱动IC，在密封体24上作为TFT阵列而形成的。但是，电路层叠体28B也可以是层叠在密封体24上而形成的其他构造。
电路层叠体28B形成在密封体24上，所以不要连接端子30AL、30AU、30BL、30BU、32AL、32AU、32BL、32BU、32CL、32CU、各向异性导电材料131、132以及粘合剂26。即在电光学装置3050中，不是用这些连接端子、各向异性导电材料以及粘合剂，电路元件28B构成为与图41的电路元件28等价的电路。
下面说明制造实施方式8的电光学装置3050的顺序。
如图48所示，首先在基板12上形成OLED元件14、配线16、连接端子18AL、18BL。关于该形成的细节，如实施方式7中描述的那样。另外，在密封体24上形成连接端子18AU、30AU、30BU、32AU、32BU、32CU、电源线20A、20B、20C以及电路层叠体28B。实际上，在切出多个密封体24的一个大尺寸的原来的基板上，形成连接端子18AU、30AU、30BU、32AU、32BU、32CU、电源线20A、20B、20C以及电路层叠体28B，通过从该原来的基板切出密封体24，得到形成连接端子18AU、30AU、30BU、32AU、32BU、32CU、电源线20A、20B、20C以及电路层叠体28B的密封体24。
在密封体24中，形成电源线和电路层叠体的位置是最宽的2个面中的一方的面上，如果除去连接端子18AU、18BU，则当接合密封体24和基板12时，是从基板12伸出的区域(与基板12不重叠的区域)内。而且，虽然未图示，但是此后如实施方式7中所述，可以用保护膜保护电源线20A、20B、20C。
如图49所示，接着对于密封体24配置基板12。进行该配置，从而使基板12的连接端子18AL、18BL与密封体24的连接端子18AU、18BU分别相对向。
如图50所示，接着在密封体24上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂，而在密封体24的连接端子18AU、18BU上涂敷各向异性导电材料133。
如图51所示，接着把基板12放在粘合剂22和各向异性导电材料133上，粘贴在密封体24上，然后使粘合剂22固化。这样基板12的连接端子18AL、18BL通过各向异性导电材料133与密封体24的连接端子18AU、18BU分别导通。这样，完成电光学装置3050。
根据该实施方式的配置，在密封体24上形成驱动OLED元件14的电路层叠体28B以及电源线20A、20B、20C，所以与在基板12上设置两者的任意一方式相比，能减小基板12。因此，能增加从一个大尺寸的原来的基板能切出的基板12的数目。在OLED元件的形成中花费成本，所以从一个大尺寸的原来的基板能得到的元件基板12的个数越多，即在大尺寸的原来的基板上能统一形成的OLED元件的个数越多，结果就越能降低元件基板12的制造成本。从而能降低具有电光学装置3010的装置全体的制造成本。另外，电路层叠体28B以及电源线20A、20B、20C与基板12不重叠，所以如实施方式7中所述，能应用于底部发射类型和顶部发射类型双方。
另外，驱动OLED元件14的电路是在密封体24上形成的电路层叠体28B，所以基于一部分连接端子的电连接变为不要。据此，电光学装置的制造工序变为简略。另外，由于基于一部分连接端子的电连接变为不要，导通不良的发生概率减小，所以电光学装置的可靠性提高。另外，电路层叠体28B比电路元件28还小，所以有助于电光学装置的小型化。
<实施方式9>
图52A是表示本发明的实施方式9的电光学装置3110的剖视图，图52B是表示本发明的实施方式9的其他电光学装置3150的剖视图。实施方式9的电光学装置把上述的电光学装置3010或电光学装置3050变形得到。该实施方式的电光学装置与上述的电光学装置3010或电光学装置3050的不同点在于由电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路(电路元件28或电路层叠体28B)发出的热难以传递给OLED元件14。
电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路发出不少的热。而OLED元件14容易受到热引起的不良影响。因此，优选电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路的热难以传递给OLED元件14。为了实现它，在该实施方式中，由比基板12的热传导率还低的材料形成密封体24，而还采用在密封体24上安装通过热传导把热向外部气体中散热的散热机构(散热片300)的构成。
例如由玻璃形成基板12时，由比玻璃的热传导率还低的块滑石或镁橄榄石形成密封体24。当然，也可以由这些材料以外的材料形成密封体24，但是有必要选择具有所谓不使水分或氧气透过的密封体24所必须的特性的材料。而且，按照重视热传导率的低和光透射率的高中的哪一个，决定采用块滑石和镁橄榄石的哪一个。例如如果重视热传导率的低，就适合采用块滑石，如果重视光透射率的高，就适合采用镁橄榄石。
散热片300由铝或铜等热传导率高的金属材料形成，安装在形成电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路的面上。更具体而言，直接粘贴在电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路上。但是在电源线20A、20B、20C和散热片300之间存在绝缘性的保护膜。散热片300的形状和数量是任意的。例如在电光学装置3110中，如图所示，覆盖电源线20A、20B、20C那样粘贴一个散热片300，而覆盖电路元件28那样粘贴另外的散热片300，也可以覆盖电源线20A、20B、20C以及电路元件28那样，粘贴弯曲的一个散热片。
散热片300向电源线20A、20B、20C以及电路的粘贴，通过在电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路上接合散热片300进行。进行该接合的时期是任意的。例如可以在图42所示的工序和图43所示的工序之间，可以在图48所示的工序和图49所示的工序之间，或者可以在图46所示的工序之后，也可以在图51所示的工序之后。
根据该实施方式的配置，配置电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路的密封体24的材料的热传导率比基板12的材料的热传导率还低，所以与在基板12上配置电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路时相比，能减少传给OLED元件14的热。据此，能减小电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路的热对OLED元件14带来的不良影响。
另外，通过具备散热片300，与不设置散热片300时相比，由电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路发出的热容易向外部气体散热，所以能减少从电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路传递给OLED元件14的热。因此，能减小电源线20A、20B、20C以及驱动/控制电路的热对OLED元件14带来的不良影响。作为散热机构，优选如图所示使用散热片300，但是也可以使用散热片以外的散热机构，例如由热传导率高的材料形成的立方体。
<实施方式10>
图53是表示本发明的实施方式10的电光学装置的剖视图，图54是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置4010具备透明的基板12、形成在基板12上的多个OLED元件(自发光元件)14。基板12优选是由石英玻璃那样的玻璃或塑料等形成的平板，在基板12之上以一列或其他适当的图案排列着多个OLED元件(自发光元件)14。在图示的形态中，从各OLED元件14发出的光通过透明的基板12，行进到图53的下方。即该电光学装置是底部发射类型。
在基板12上形成有用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16、电极18A、18B例如由铜或铝那样的导电材料形成。
与实施方式1同样，以与基板52协作，密封这些OLED元件14的方式，在基板52上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂22，安装例如由玻璃、金属、陶瓷或塑料形成的密封体24。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封的任意一种。作为粘合剂22，例如使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂，优选使用遮光性高的粘合剂。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24的周围设置一个以上的钝化层。
在密封体24之上安装有用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28。电路元件28向密封体24的安装优选使用粘合剂26。作为粘合剂，使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂，优选使用遮光性高的粘合剂。
再在密封体24之上安装配线基板27。配线基板27向密封体24的安装优选使用粘合剂25。作为粘合剂使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂，优选使用遮光性高，具有密封体24的热膨胀系数和配线基板27的热膨胀系数之间的热膨胀系数的粘合剂。通过把碳加到粘合剂中，得到遮光性高的粘合剂。另外，通过在粘合剂中填充作为填料的玻璃，能得到具有密封体24的热膨胀系数和配线基板27的热膨胀系数之间的热膨胀系数的粘合剂。
配线基板27是把传递信号的配线层和绝缘层交替层叠的多层基板。绝缘层例如由玻璃环氧树脂或塑料形成。在配线基板27的上表面的配线层中，为了驱动OLED元件14而形成电源线20A、20B、20C、用于控制电路元件28的控制电路和电源电路、用于变换来自外部的信号的电路要素。电源线20A、20B、20C用于向电路元件28以及OLED元件14供电，例如由铜那样的导电材料形成。配线基板27的下表面的配线层在接地中使用。可以使该配线层作为在一个面上扩展的铜箔，提高散热效果。在配线基板27的全部配线层中形成所述要素和接地间的配线。而且，配线基板27例如是4层或6层，可以包含不使用的配线层。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28的高电位电源线。这些电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
电路元件28与有关实施方式1中详细描述的电路元件28相同。与实施方式1同样，电路元件28的电极30A、30B通过引线34A、34B分别连接在基板12上的电极18A、18B上，最终分别连接在OLED元件14的阴极以及阳极上。电路元件28的电极32A、32B、32C通过引线36A、36B、36C分别连接在电源线20A、20B、20C上。虽然省略图示，但是电路元件28还具备连接端子，通过引线连接在配线基板27上的各要素上。
各OLED元件14的细节与参照图3在有关实施方式1中详细描述的同样。可以使用实施方式1中描述的OLED元件的变形。
电光学装置4010的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的电光学装置10的驱动系统同样。可以使用实施方式1中描述的电路元件28的变形。
下面说明制造实施方式10的电光学装置4010的顺序。首先，如图55所示，在基板12上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。
接着，如图56所示，在基板12上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。进而如图57所示，把密封体24放在粘合剂22上，粘贴在基板12上，然后使粘合剂22固化。用于密封的粘合剂22如图57所示，可以具有从基板12和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。通过设置突出部22a，能进一步提高密封的效果。为了设置突出部22a，可以在基板12上涂敷比配置在基板12和密封体24之间的空间的量还多的量的粘合剂，粘合剂从该空间伸出，也可以在粘合剂22固化后，再在其外侧涂敷粘合剂。
接着如图58所示，在配线基板27的下表面涂敷热固化型或紫外线固化型的粘合剂25，而在电路元件28的下表面涂敷热固化型或紫外线固化型的粘合剂26。在此之前，在配线基板27的上表面形成包含电源线20A、20B、20C的所述要素。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。另外，可以用保护膜保护形成的电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、以及它们的组合。
接着如图59所示，在密封体24上粘贴配线基板27和电路元件28，然后使粘合剂25以及26固化。在固化后，可以在配线基板27的上表面形成电源线20A、20B、20C。但是，必须在以下描述的作业之前。
接着如图53所示，通过引线接合法安装引线34A、34B、36A、36B、36C。据此，连接端子30A、30B分别连接在连接端子18A、18B上，连接端子32A、32B、32C分别连接在电源线20A、20B、20C上。然后，以覆盖电路元件28那样，配置树脂，使其固化。作为该树脂，优选遮光性高的树脂。这样完成电光学装置4010。而且，可以在密封体24向基板12的粘贴前进行配线基板27以及电路元件28向密封体24的粘贴。
用于对多个自发光元件以及电路元件供电的电源线需要流过大电流，所以具有大的截面积。当在形成自发光元件的基板上设置这样的电流线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该实施方式的配置，电源线20A、20B、20C与密封OLED元件14的密封体24重叠，所以能减小形成OLED元件14的基板12的面积。因此，能节约基板12，并且有助于具有该电光学装置4010的装置全体的小型化。
另外，根据该实施方式的配置，驱动OLED元件14的电路元件28安装在密封OLED元件14的密封体24上，所以能进一步减小形成OLED元件14的基板12的面积。
另外，根据该实施方式的配置，电路元件28的连接端子30A、30B、32A、32B、32C以及电源线20A、20B、20C从基板12以及密封体24分开。而电路元件28的连接端子30A、30B、32A、32B、32C以及电源线20A、20B、20C在引线36A、36B、36C的安装时被加热。加热由基于激光的点加热进行。OLED元件14不耐热，所以如果电路元件28的连接端子30A、30B、32A、32B、32C以及电源线20A、20B、20C的热传递给OLED元件14，则有可能引起OLED元件14的破损或恶化。因此，在一般的电光学装置的制造中，当采用引线接合法时，限定制造工序。但是，根据该配置，电路元件28的连接端子30A、30B、32A、32B、32C以及电源线20A、20B、20C的热难以传递给OLED元件14，所以能提高制造工序的自由度。
电路元件28使用半导体形成，所以如果暴露在光中，就能误动作。作为电路元件28暴露的光，列举出从OLED元件14发出，由基板12反射的光。根据上述的实施方式，通过使用遮光性高的粘合剂作为粘合剂22、26，在基板12和电路元件28之间形成遮光膜，覆盖电路元件28的一部分，所以到达电路元件28的光量减少，能减少电路元件28的误动作的概率。另外，在上述的实施方式中，当覆盖电路元件28，配置遮光性高的粘合剂，使其固化时，也在电路元件28的周围形成遮光膜，所以到达电路元件28的光量减少，能减少电路元件28的误动作的概率。从以上可知，根据上述的实施方式，通过用遮光膜覆盖电路元件28的一部分或全体，能减少电路元件28误动作的概率。
在图示的形态中，作为电连接OLED元件14、配线基板27以及电路元件28的方法，使用引线接合法，但是可以使用其它方法。其他方法如果是伴随着电源线20A、20B、20C的加热的方法，就能维持减少OLED元件14破损或恶化的可能性的效果。另外，可以使粘合剂22、25和27的至少一个为遮光性高的。另外，可以通过形成遮光性高的金属膜进行遮光膜的形成。金属膜的形成例如由溅射进行。
另外，在图示的形态中，密封体24的一个侧端部与基板12的一个侧端部对齐成齐平面，但是作为本发明的密封体和基板的配置的变形，一方的构件可以从另一方的构件突出。另外在图示的形态中，在配线基板27之上形成也电源线20A、20B、20C的全部，但是作为本发明的基板、密封体和配线基板的配置的变形，可以在配线基板27上形成电源线20A、20B、20C的至少一个，在基板12和密封体24的至少一方上形成其他。这时，电源线20A、20B、20C的至少一个与密封体24重叠，所以能减小基板12的面积，电源线20A、20B、20C的至少一个形成在配线基板27上，所以能减小OLED元件14破坏或恶化的可能性。
<实施方式11>
图60是表示本发明的实施方式11的电光学装置的剖视图，图61是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置5010具备透明的基板12、形成在基板12上的多个OLED元件(自发光元件)14。基板12优选是由石英玻璃那样的玻璃或塑料等形成的平板，在基板12之上以一列或其他适当的图案排列着多个OLED元件(自发光元件)14。在图示的形态中，从各OLED元件14发出的光通过透明的基板12，行进到图1的下方。即该电光学装置是底部发射类型。
在基板12上形成有用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16、电极18A、18B例如由铜或铝那样的导电材料形成。
与实施方式1同样，以与基板12协作，密封这些OLED元件14的方式，在基板12上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂22，安装例如由玻璃、金属、陶瓷或塑料形成的密封体24。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封的任意一种。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体24的周围设置一个以上的钝化层。
进而在密封体24之上，为了驱动OLED元件14而形成有电源线20A、20B、20C。电源线20A、20B、20C例如由铜或铝那样的导电材料形成。再在密封体24之上安装有用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28。电路元件28向密封体24的安装优选使用粘合剂26。作为粘合剂，使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂。
电路元件28与实施方式1中详细描述的电路元件28相同。与实施方式1同样，电路元件28的的电极30A、30B通过引线34A、34B分别连接在基板12上的电极18A、18B上，最终分别连接在OLED元件14的阴极以及阳极上。电路元件28的电极32A、32B、32C通过引线36A、36B、36C分别连接在电源线20A、20B、20C上。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28的高电位电源线。这些电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
各OLED元件14的细节与参照图3在实施方式1中详细描述的同样。可以使用实施方式1中描述的OLED元件的变形。
电光学装置5010的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的电光学装置10的驱动系统同样。可以使用实施方式1中描述的电路元件28的变形。
下面说明制造实施方式11的电光学装置5010的顺序。首先，如图62所示，在基板12上形成OLED元件14、配线16、电极18A、18B。另外，在密封体24上形成电源线20A、20B、20C。它们的形成方法可以是公知的任意方法，省略其说明。虽然未图示，但是此后可以用保护膜保护电源线20A、20B、20C。作为保护膜，例如有SiO2的膜、SiN的膜、以及它们的组合。
接着，如图63所示，在基板12上涂敷用于密封的热固化型或紫外线固化型的粘合剂22。如图64所示，把密封体24放在粘合剂22上，粘贴在基板12上，然后使粘合剂22固化。用于密封的粘合剂22如图8所示，可以具有从基板12和密封体24之间的空间伸出，局部覆盖密封体24的侧端部的突出部22a。通过设置突出部22a，能进一步提高密封的效果。为了设置突出部22a，可以在基板12上涂敷比配置在基板12和密封体24之间的空间的量还多的量的粘合剂，粘合剂从该空间伸出，也可以在粘合剂22固化后，再在其外侧涂敷粘合剂。
然后，如图65所示，在电路元件28的下表面(电极30A、30B、32A、32B、32C的相反一侧的面)涂敷热固化型或紫外线固化型的粘合剂26。然后如图65所示，在密封体24上粘贴电路元件28，然后使粘合剂26固化。进而如图60和图61所示，通过引线接合法，把引线34A、34B、36A、36B、36C安装到上述的给定位置，完成电光学装置5010。但是，电路元件28向密封体24的粘贴可以在密封体24向基板12的粘贴之前进行。
用于对多个自发光元件以及电路元件供电的电源线需要流过大电流，所以具有大的截面积。当在形成自发光元件的基板上设置这样的电源线时，大面积的基板成为必要。但是，根据该实施方式的配置，通过在密封OLED元件14的密封体24上设置着用于对电路元件28以及OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C，能减小形成OLED元件14的基板12的面积。因此，能节约基板12，并且有助于具有该电光学装置5010的装置全体的小型化。
另外，根据该实施方式的配置，驱动OLED元件14的电路元件28与密封OLED元件14的密封体24重叠设置着，所以能进一步减小形成OLED元件14的基板12的面积。
在图示的形态中，密封体24的一个侧端部与基板12的一个侧端部对齐在齐平面上，但是作为本发明的密封体和基板的配置的变形，一方的构件可以从另一方的构件突出。另外在图示的形态中，在密封体24之上形成有电源线20A、20B、20C的全部，但是作为本发明的密封体、基板和电源线的配置的变形，可以在密封体24之上形成电源线20A、20B、20C的任意一个，在基板12上形成其他。这时，通过在密封体24上配置电源线20A、20B、20C的任意一个，能减小基板12的面积。
<实施方式12>
图66是表示本发明的实施方式12的电光学装置的剖视图，图67是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置也作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置5050具备例如由石英玻璃那样的玻璃或塑料形成的平板的透明基板52。与实施方式1的基板12同样，在基板52上形成有多个OLED元件(自发光元件)14。该电光学装置也是底部发射类型。
在基板52上形成有用于对OLED元件14供电的电极18A、18B、连接OLED元件14和电极18A、18B的配线16。配线16和电极18A、18B由铜或铝那样的导电材料形成。
与实施方式1同样，以与基板52协作，密封这些OLED元件14的方式，在基板52上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂22，安装例如由玻璃、金属、陶瓷或塑料形成的密封体24。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封的任意一种。为了把OLED元件14进一步从外部气体隔离、保护，可以在密封体54的周围设置一个以上的钝化层。
再在密封体54之上形成有用于驱动OLED元件14的电源线20A、20B、20C。电源线20A、20B、20C例如由铜或铝那样的导电材料形成。
另外，在基板52之上安装着用于驱动多个OLED元件14的驱动IC即电路元件28D。电路元件28D向基板52的安装中优选使用粘合剂261。作为粘合剂，例如使用热固化型或紫外线固化型的粘合剂。
电路元件28D是与实施方式1中详细描述的电路元件28同样的驱动IC。电路元件28在上表面具有电极30A、30B，而电路元件28D在下表面具有电极30A、30B。安装在基板52之上的电路元件28D的电极30A、30B与各向异性导电材料13的一方的面接触。形成在基板52之上的电极18A、18B与该各向异性导电材料13的另一方的面接触着。即电极30A、30B隔着各向异性导电材料13分别与电极18A、18B相对向。各向异性导电材料13在连接相对向的电极的方向表现导通性，在其他方向表现绝缘性，例如能使用各向异性导电膏或各向异性导电薄膜等高分子材料作为各向异性导电材料13使用。从以上可知，安装在基板52上的电路元件28D的下表面的电极30A、30B通过各向异性导电材料13分别连接在基板52上形成的电极18A、18B上，最终连接在OLED元件14的阴极和阳极上。另外，与实施方式1同样，电路元件28D的电极32A、32B、32C通过引线36A、36B、36C分别连接在电源线20A、20B、20C上。
电源线20A是对于OLED元件14以及电路元件28D的公共的低电位电源线。电源线20B是对于OLED元件14的高电位电源线。电源线20C是对于电路元件28D的高电位电源线。这些电源线20A、20B、20C通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
各OLED元件14的细节与参照图3在实施方式1中详细描述的同样。可以使用在实施方式1中详细描述的OLED元件的变形。
电光学装置5050的驱动系统与参照图4和图5在实施方式1中详细描述的电光学装置10的驱动系统同样。可以使用实施方式1中详细描述的电路元件的变形。
关于密封体54、基板52和电源线20A、20B、20C的配置，可以使用实施方式1中所述的密封体和基板的配置的变形、实施方式1中所述的密封体和基板和电源线的配置的变形。
根据该实施方式的配置，通过在密封OLED元件14的密封体54上设置着用于对OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C，能减小形成OLED元件14的基板52的面积。因此，能节约基板52，并且能有助于具有该电光学装置5050的装置全体的小型化。
另外，通过采用与基板52相对向，把具有电极30A、30B的电路元件28D安装在基板52之上，电极30A、30B通过各向异性导电材料13与基板52上的电极18A、18B连接的构成，电极30A、30B与电极18A、18B分别重叠，所以能减小形成OLED元件14的基板52的面积。
<实施方式13>
图68是表示本发明的实施方式13的电光学装置的剖视图，图69是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置也作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置5060具备例如由石英玻璃那样的玻璃或塑料形成的平板的透明基板62。与实施方式1的基板12同样，在基板62上形成有多个OLED元件(自发光元件)14。该电光学装置也是底部发射类型。
在基板62上形成有分别与电源线20A、20B、20C连接的电极32A、32B、32C、电路层叠体28C、连接电路层叠体28C和电极32A、32B、32C的配线66。与实施方式3、8的电路层叠体28B同样，电路层叠体28C是用于驱动多个OLED元件14的驱动IC，作为TFT阵列形成在基板62上。但是，电路层叠体28C可以是层叠形成在基板62上的其他构造。电路层叠体28C具有实施方式1中详细描述的电路元件28的等价电路。配线66、电极32A、32B、32C例如由铝那样的导电材料形成。
图70是表示OLED元件14以及电路元件28C的细节的剖视图。如图70所示，电路层叠体28C与OLED元件14同样形成在基板62之上。OLED元件14和电路层叠体28C的形成进行得使驱动晶体管282的高电位一侧端子直接连接在OLED元件14的阳极42上，驱动晶体管282的低电位一侧端子直接连接在OLED元件14的阴极49上。因此，在该实施方式中，实施方式11中必要的电极18A、18B和连接在它们之上的引线变为不要。
如图68和图69所示，与实施方式1同样，在基板62上，通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂221安装密封体54。作为密封的种类，可以是上述的膜密封和帽状密封。当然，可以在密封体54的周围设置一个以上的钝化层。再在密封体54之上，与OLED元件14重叠地形成实施方式1中详细描述的电源线20A、20B、20C。另外，与实施方式1同样，基板62上的电极32A、32B、32C通过接合引线36A、36B、36C分别连接在电源线20A、20B、20C上。
关于各OLED元件的细节、电光学装置的驱动系统、密封体和基板和电源线的配置，可以使用实施方式1中详细描述的各种变形。
根据该实施方式，通过在密封OLED元件14的密封体54上设置用于对OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C，能减小形成OLED元件14的基板62的面积。因此，能节约基板62，并且有助于具有电光学装置5060的装置全体的小型化。
另外，通过在形成OLED元件14的基板62之上，把驱动或控制OLED元件14的电路作为层叠体形成，能减小形成OLED元件14的基板62的面积。
<实施方式14>
图71是表示本发明的实施方式14的电光学装置的剖视图，图72是该电光学装置的局部平面图。该电光学装置也作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。如这些图所示，电光学装置5070具备例如由玻璃、石英或塑料形成的平板的透明基板72。与实施方式1的基板12同样，在基板72上形成有多个OLED元件(自发光元件)14。该电光学装置也是底部发射类型。
在基板72上形成有电极321A、321B、321C、实施方式13中详细描述的电路层叠体28C、连接电路层叠体28C和电极321A、321B、321C的配线76。电极321A、321B、321C通过后面描述的电极322A、322B、322C和实施方式12中详细描述的各向异性导电材料13分别连接在电源线20A、20B、20C上。配线76和电极32A、32B、32C由铝那样的导电材料形成。
与实施方式1同样，以与基板72协作，密封OLED元件14的方式，在基板72上通过热固化型或紫外线固化型的粘合剂222，安装例如由玻璃、金属、陶瓷或塑料形成的密封体74。作为密封的种类，使用上述的膜密封。当然可以在密封体74的周围设置一个以上的钝化层。密封体74的与基板72相对向的面上设置着实施方式11中详细描述的电源线20A、20B、20C和所述电极322A、322B、322C。电源线20A、20B、20C分别与电极322A、322B、322C导通。虽然省略详细的图示，但是在密封体74的下表面设置连接电源线和电极的配线和绝缘膜，在彼此不应该连接的电源线和配线之间存在该绝缘膜。而且，电源线20A、20B、20C在图71的纸面的跟前或内侧，比基板72或密封体74还突出，通过未图示的挠性电路板连接在电源装置上。
电极322A、322B、322C设置得使密封体74接合到基板72上时，隔着所述各向异性导电材料13与基板72上的电极321A、321B、321C分别相对向。各向异性导电材料13使电极322A、322B、322C和电极321A、321B、321C中相对向的电极导通。
从以上可知，电极321A、321B、321C通过各向异性导电材料13以及电极322A、322B、322C分别连接在电源线20A、20B、20C上。通过采用这样的构成，在实施方式11～13中必要的引线36A、36B、36C变为不要。另外如实施方式12中所述，电极18A、18B和连接在它们上的引线也变为不要。
关于各OLED元件的细节、电光学装置的驱动系统、密封体和基板和电源线的配置，可以使用实施方式1中详细描述的各种变形。而且，在图示的形态中，密封体74的两侧端部与基板72的两侧端部对齐在齐平面上，但是作为本发明的密封体和基板的配置的变形，在任意的端部，一方的构件可以从另一方的构件突出。
根据该实施方式，通过在密封OLED元件14的密封体74上设置着用于对OLED元件14供电的电源线20A、20B、20C，从而能减小形成OLED元件14的基板72的面积。因此，能节约基板72，并且有助于具备该电光学装置5070的装置全体的小型化。
另外，通过在形成OLED元件14的基板72之上把驱动或控制OLED元件14的电路作为层叠体形成，能减小形成OLED元件14的基板72的面积。
<图像形成装置>
如上所述，实施方式的电光学装置都能作为用于对利用电子照相方式的图像形成装置的像载体写入潜影的线性光头使用。作为图像形成装置的例子，有打印机、复印机的印刷部分和传真机的印刷部分。
图73是表示把上述的任意实施方式的电光学装置作为线性光头使用的图像形成装置的一个例子的纵剖视图。该图像形成装置是利用带中间转印方式的随机型的彩色图像形成装置。
在该图像形成装置中，同样构成的4个有机EL阵列曝光头10K、10C、10M、10Y分别配置在同样构成的4个感光体磁鼓(像载体)110K、110C、110M、110Y的曝光位置上。有机EL阵列曝光头10K、10C、10M、10Y是上述的电光学装置。
如图73所示，在该图像形成装置中设置有驱动辊121和从动辊122，在这些辊121、122上缠绕无端的中间转印带120，如箭头所示，在辊121、122的周围旋转。虽然未图示，但是可以设置对中间转印带120作用张力的张力辊等张力付与部件。
在中间转印带120的周围配置彼此隔开所定间隔，并且在4个外周面具有感光层的感光体磁鼓110K、110C、110M、110Y。下标？K、C、M、Y分别意味着用于形成黑、蓝绿色、洋红、黄色的显影。关于其他构件，也是同样。感光体磁鼓110K、110C、110M、110Y与中间转印带120的驱动同步旋转驱动。
在各感光体磁鼓110(K、C、M、Y)的周围配置着电晕放电带电器111(K、C、M、Y)、有机EL阵列曝光头10(K、C、M、Y)、显影器114(K、C、M、Y)。电晕放电带电器111(K、C、M、Y)，使对应的感光体磁鼓110K(K、C、M、Y)外周面一样地带电。有机EL阵列曝光头10(K、C、M、Y)把静电潜影写入感光体磁鼓的带电的外周面。把各有机EL阵列曝光头10(K、C、M、Y)设置为多个OLED元件14的排列方向沿着感光体磁鼓110(K、C、M、Y)的母线(主扫描方向)。通过所述多个OLED元件14对感光体磁鼓照射光，进行静电潜影的写入。显影器114(K、C、M、Y)通过使作为显影剂的调色剂附着在静电潜影上，在感光体磁鼓上形成显影即形成可视像。
由这样的4色的单色显影形成台形成的黑、蓝绿色、洋红、黄色的各显影依次一次转印到中间转印带120上，在中间转印带120上重合，结果得到全彩色的显影。在中间转印带120的内侧配置着四个一次转印器112(K、C、M、Y)。一次转印器112(K、C、M、Y)分别配置在感光体磁鼓110(K、C、M、Y)的附近，通过从感光体磁鼓110(K、C、M、Y)以静电吸引显影，把显影转印到通过感光体磁鼓和一次转印器112之间的中间转印带120上。
最终作为形成图像的对象的纸张102通过捡拾辊103从供纸盒101一张一张输送，传送到与驱动辊121接触的中间转印带120和二次转印辊126之间的辊隙。中间转印带120上的全彩色的显影通过定影部即定影部辊对127，从而定影在纸张102上。然后，纸张102由排纸辊对128向形成在装置上部的排纸盒排出。
图73的图像形成装置使用具有有机EL阵列的电光学装置作为写入部件，所以与使用激光扫描光学系统时相比，更能谋求装置的小型化。另外，如上所述，电光学装置内存在能比以往还小型化的，所以能在接近感光体磁鼓110K、110C、110M、110Y的位置配置，图像形成装置也能进一步小型化。
下面，说明本发明的图像形成装置的其他实施方式。
图74是把电光学装置作为线性光头使用的其他图像形成装置的纵剖视图。该图像形成装置是利用带中间转印方式的旋转显影方式的彩色图像形成装置。在图74所示的图像形成装置中，在感光体磁鼓(像载体)165的周围设置着电晕放电带电器168、旋转方式的显影部件161、有机EL阵列曝光头167、中间转印带169。
电晕放电带电器168使感光体磁鼓165的外周面一样地带电。有机EL阵列曝光头167把静电潜影写入感光体磁鼓165的带电的外周面。有机EL阵列曝光头167是上述的的电光学装置的任意一个，设置为多个OLED元件14的排列方向沿着感光体磁鼓165的母线(主扫描方向)。通过所述多个OLED元件14对感光体磁鼓照射光，进行静电潜影的写入。
显影部件161是4个显影器163Y、163C、163M、163K隔开90度的角间隔配置的磁鼓，能以轴161a为中心，逆时针旋转。显影器163Y、163C、163M、163K分别把黄、蓝绿色、洋红、黑色的调色剂提供给感光体磁鼓165，通过使作为显影剂的调色剂附着在静电潜影上，在感光体磁鼓165上形成显影即可视像。
无端的中间转印带169缠绕在驱动辊170a、从动辊170b、一次转印辊166以及张力辊上，在这些辊的周围在箭头所示的方向旋转。一次转印辊166通过从感光体磁鼓165用静电吸引显影，把显影转印到通过感光体磁鼓和一次转印辊之间的中间转印带169上。
具体而言，在感光体磁鼓165的最初的1圈旋转中，通过曝光头167写入用于黄(Y)像的静电潜影，通过显影器163Y形成同色的显影，再转印到中间转印带169上。另外，在下1圈旋转中，通过曝光头167写入用于蓝绿色(C)像的静电潜影，通过显影器163C形成同色的显影，与黄色的显影重叠地再转印到中间转印带169上。然后，感光体磁鼓9旋转4圈时，依次把黄色、蓝绿色、洋红、黑色的显影重叠到中间转印带169上，结果在中间转印带169上形成彩色的显影。在作为最终形成图像的对象的纸张的两面形成图像时，以在中间转印带169上转印表面和背面的同色的显影，接着在中间转印带169上形成表面和背面的下一颜色的显影的形式，在中间转印带169上得到彩色的显影。
在图像形成装置中设置着纸张通过的纸张输送路线174。纸张从供纸盒178由捡拾辊179一张一张取出，通过输送辊在纸张输送路线174上前进，通过与驱动辊170a接触的中间转印带169和二次转印辊171之间的辊隙。二次转印辊171通过从中间转印带169统一用静电吸引彩色的显影，把显影转印到纸张的单面上。二次转印辊171通过未图示的离合器，接近或远离中间转印带169。然后，在把彩色的显影转印到纸张上时，二次转印辊171与中间转印带169接触，在显影重叠到中间转印带169上时，从二次转印辊171离开。
如上所述，转印图像的纸张向定影器172输送，通过定影器172的加热辊172a和加压辊172b之间，从而纸张上的显影定影。定影处理后的纸张进入排纸辊对176中，在箭头F的方向前进。在两面印刷时，纸张的大部分通过排纸辊对176后，排纸辊对176向反向旋转，如箭头G所示，向两面印刷用输送路线175导入。然后，通过二次转印辊171，显影转印到纸张的另一面上，再度由定影器172定影进行定影处理后，由排纸辊对176把纸张排出。
图74的图像形成装置使用具有有机EL阵列的电光学装置作为写入部件，所以与使用激光扫描光学系统时相比，更能谋求装置的小型化。另外，如上所述，电光学装置内存在能比以往还小型化的，所以能在接近感光体磁鼓165的位置配置，图像形成装置也能进一步小型化。
以上表示能应用电光学装置的图像形成装置，但是电光学装置也能应用于其他电子照像方式的图像形成装置中，这样的图像形成装置在本发明的范围内。例如也能应用于不使用中间转印带而把显影从感光体磁鼓直接转印到纸张上的类型的图像形成装置、形成黑白图像的图像形成装置中。
<图像读取装置>
另外，上述的电光学装置能作为用于对图像读取装置的读取对象照射光的线性光头使用。作为图像读取装置的例子，有扫描仪、复印机的读取部分、传真机的读取部分、条形码阅读器、读取例如QR代码(注册商标)那样的二维图像代码的二维图像代码阅读器。
图75是表示把上述的任意电光学装置作为线性光头使用的图像读取装置的一个例子的纵剖视图。在该图像读取装置的壳体201的上部设置着平板状的平板玻璃202，使其图像面向下，把原稿203放在平板玻璃202上。然后未图示的平板盖子把原稿203压向平板玻璃202。
在壳体201内部把高速滑架204和低速滑架205配置为能横向移动。在高速滑架204上配置照射原稿203的有机EL阵列曝光头206和反射镜207，在低速滑架205上搭载着两个反射镜208、209。这些有机EL阵列曝光头206反射镜207、208、209沿着图75的纸面垂直方向(主扫描方向)延伸着。另外有机EL阵列曝光头206设置为多个OLED元件14的排列方向沿着主扫描方向。
另外，在壳体201内部的固定位置配置原稿读取器210。该原稿读取器210具备成像透镜212、由多个光敏像素(电荷耦合元件)构成的行传感器213(光敏装置)。行传感器213沿着图75的纸面垂直方向(主扫描方向)延伸，设置为多个光敏像素的排列方向沿着主扫描方向。
从有机EL阵列曝光头206发出的光透过平板玻璃202，由原稿203的下表面反射。来自原稿203的反射光透过平板玻璃202，由反射镜207～209反射后，通过成像透镜212由行传感器213成像。高速滑架204在横向移动，原稿203的全面由有机EL阵列曝光头206照射，低速滑架205以高速滑架204一半的速度移动，从原稿203到行传感器213的反射光路的长度维持一定。
如上所述，电光学装置作为图像读取装置的照明装置即有机EL阵列曝光头206使用。但是在这种照明装置中，优选位于相当于原稿的宽度的范围内的全体OLED元件14同时长时间持续发光。因此，在图4和图5的驱动系统中，不是分时驱动像素块B1～B40，而是对位于相当于原稿的宽度的范围内的像素块，在至少相当于原稿长度的期间持续地同时提供选择信号。数据信号D0～D127的全部在该期间中同时有效。或者可以取消传递数据信号D0～D127的数据线L0～L127和保持晶体管281。
以上表示能应用电光学装置的图像读取装置，但是也能把电光学装置应用于其他图像读取装置中，这样的图像形成装置在本发明的范围内。例如光敏装置可以与作为照明装置的电光学装置一起移动，也可以光敏装置和电光学装置都固定，原稿或读取对象移动，进行读取。
<其他应用>
以上参照优选实施方式详细图示说明了本发明，但是在本说明书中记载的本发明的范围内，如果是业内人士，就能理解关于形式和细节的各种变更是可能的。申请人意图是相关的变更、代替、修正也包含在本发明的范围内。
例如本发明的电光学装置也能应用于各种曝光装置、照明装置和图像显示装置中。
权利要求
1.一种电光学装置，具备基板；形成在所述基板上的多个自发光元件；以与所述基板协作，密封所述自发光元件的方式，安装在所述基板上的密封体；与所述密封体重叠地配置，用于驱动或控制所述自发光元件的电路。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其中还具备安装在所述密封体的与所述基板相反一侧的第二基板，所述电路设置在所述第二基板上，在所述第二基板上设置着用于对所述电路以及所述自发光元件的至少一方供电的电源线。
3.根据权利要求1所述的电光学装置，其中所述电路具备形成在所述密封体中的薄膜晶体管(TFT)。
4.根据权利要求3所述的电光学装置，其中在所述密封体上设置着用于对所述TFT以及所述自发光元件的至少一方供电的电源线。
5.根据权利要求1所述的电光学装置，其中所述电路安装在所述密封体上；所述密封体的热传导率比所述基板还高。
6.根据权利要求1所述的电光学装置，其中还备有与所述基板不重叠地设置在所述密封体中，用于向所述电路和所述自发光元件的至少一方供电的电源线；所述电路与所述基板不重叠地设置在所述密封体中。
7.根据权利要求6所述的电光学装置，其中所述电路是形成在所述密封体上的层叠体。
8.根据权利要求6所述的电光学装置，其中具备安装在所述密封体上，把传导来的热向外部散热的散热机构。
9.根据权利要求1所述的电光学装置，其中还具备安装在所述密封体上的配线基板；设置在所述配线基板上，用于对所述电路以及所述自发光元件的至少一方供电的电源线。
10.根据权利要求9所述的电光学装置，其中所述电路安装在所述密封体上。
11.根据权利要求9所述的电光学装置，其中所述电源线从所述基板以及所述密封体分开着。
12.根据权利要求9所述的电光学装置，其中使用半导体形成着所述电路；所述电路的一部分或全部由遮光膜覆盖着。
13.一种电光学装置，具备基板；形成在所述基板上的多个自发光元件；以与所述基板协作，密封所述自发光元件的方式，安装在所述基板上的密封体；用于驱动或控制所述自发光元件的电路；设置在所述密封体上，用于对所述电路和所述自发光元件的至少一方供电的电源线。
14.根据权利要求13所述的电光学装置，其中所述电路安装在所述密封体上。
15.根据权利要求13所述的电光学装置，其中所述电路安装在所述基板上。
16.根据权利要求15所述的电光学装置，其中所述电路是形成在所述基板上的层叠体。
17.根据权利要求13所述的电光学装置，其中所述密封体的热传导率比所述基板还高。
18.根据权利要求17所述的电光学装置，其中所述电路安装在所述密封体上。
19.一种图像形成装置，具备像载体；使所述像载体带电的带电器；排列多个所述自发光元件，并且通过多个所述自发光元件对所述像载体的带电的面照射光，以形成潜影的权利要求1所述的电光学装置；通过使调色剂附着在所述潜影上，在所述像载体上形成显影的显影器；从所述像载体把所述显影转印到其他物体上的转印器。
20.一种图像形成装置，具备像载体；使所述像载体带电的带电器；排列多个所述自发光元件，并且通过多个所述自发光元件对所述像载体的带电的面照射光，以形成潜影的权利要求13所述的电光学装置；通过使调色剂附着在所述潜影上，在所述像载体上形成显影的显影器；从所述像载体把所述显影转印到其他物体上的转印器。
21.一种图像读取装置，具备排列了多个所述自发光元件的权利要求1所述的电光学装置；把从所述自发光元件发出，由读取对象反射的光变换为电信号的光敏装置。
22.一种图像读取装置，具备排列了多个所述自发光元件的权利要求13所述的电光学装置；把从所述自发光元件发出，由读取对象反射的光变换为电信号的光敏装置。
全文摘要
本发明提供一种具有自发光元件的电光学装置、具备该电光学装置的图像形成装置和图像读取装置，所述电光学装置包括透明的基板；形成在基板上的多个OLED元件；以与所述基板协作，密封OLED元件的方式，安装在基板上的密封体；与密封体重叠地配置，用于驱动或控制OLED元件的电路元件。电路元件与密封体重叠，所以能减小形成OLED元件的基板的面积。
文档编号H05K7/20GK1756448SQ20051010636
公开日2006年4月5日 申请日期2005年9月22日 优先权日2004年9月29日
发明者樱井和德, 五味二夫, 植松弘一, 小池繁光, 田中俊纪, 平山浩志 申请人:精工爱普生株式会社