专利名称：真空等离子体发生器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种真空等离子体发生器，用于处理真空室中的工件。
背景技术：
该类型的真空等离子体发生器可用于例如半导体生产中的涂覆和蚀刻。该过程常常需要从1到30MHz范围、几千瓦的射频(RF)功率。等离子体加载，也就是在真空室中的等离子体处理是高度动态的且容易产生飞弧，这导致了失配并因此在射频应用中引起反射。
大多数真空等离子体发生器包括至少一个放大器，用于产生高能量的射频信号。如果不匹配，则能量被负载反射。只有部分(通常很小一部分)反射能量在真空等离子体发生器的放大器中被吸收，转换成热量。大部分能量通常也被放大器反射，该放大器产生多次反射并从而产生驻波。这会产生很大的能量，这些能量在放大器和等离子体负载之间振荡，能导致等离子体负载和放大器的损害。
US 6,703,080 B2公开了一种发生器，该发生器可以连接到开关电源，并被连接到驱动级。该驱动级向放大级提供射频信号，在该放大级中，射频信号先被分配到几个路径上，然后在这些路径上被放大，最后在3dB耦合器中重新耦合成一个放大的射频信号。带有循环器的绝缘级用来消除负载阻抗变化对放大级的影响。
真空等离子体发生器应该有最小的尺寸，以便它们能够紧靠真空室安装，以避免需要长而昂贵的电缆。
在半导体生产中，这些发生器必须满足洁净室(clean room)的要求。发生器内部和周围空气之间，不宜有使用通风设备的强迫空气交换。这些真空等离子体发生器使用在电源电压和频率不一样的不同国家中。它们主要用于工业，因此必须满足高抗干扰能力的要求，其中高干扰电压主要存在于供电网络和负载中。
发明内容
本发明的目的是提供一种真空等离子体发生器，其运行损耗小且几乎不受外部干扰影响，并且只需要最小数量的元件，尺寸小并提供多种用途(在尽可能多的国家和领域使用)。
上述目的根据本发明得以实现，本发明的真空等离子体发生器包括电源连接端，用于连接到电压供应网络；至少一个电源整流器，其连接到至少一个第一转换器，该第一转换器用于产生至少一个中间电路电压；第一射频信号发生器，其连接到所述至少一个中间电路电压，用于产生具有基频和第一相位位置的第一信号，该第一信号尤其是在1至30MHz范围内；第二射频信号发生器，其连接到中间电路电压，用于产生具有基频和第二相位位置的第二信号；至少一个3dB耦合器，用于将所述第一和第二信号耦合成输出信号，并将该输出信号间接或直接传送到发生器输出端。
电源整流器和转换器的优点是对来自电源的干扰不敏感。具体而言，利用可控制的中间电路电压，能够补偿临时的电源故障和/或电源电压下降。尤其是对于在半导体生产中使用的发生器来说，这是一个重要的条件。
当使用电源整流器时，电压供应网络可能是具有不同频率的交流电压网，也可能是直流电压网。尤其在直流电压网络中，电源整流器要具有反极性保护功能。
3dB耦合器是一个四重门极(quadruple gate)，在理想情况下当信号经过该3dB耦合器时，会发生45°相移。事实上，由于传输时间而存在一定程度的偏差。当两个相移90°的射频信号进入门极A和B时，一个射频信号在到达门极C的过程中发生+45°相移，另一个信号发生-45°相移，所以分别由第一和第二射频信号发生器提供给门极A和B的信号在门极C相互抵消，因而在门极C没有功率。因为该第一和第二信号发生器的信号在该3dB耦合器中分别发生-45°和+45°的相移，从而在门极D是同相的，所以这两个射频信号发生器的合成功率出现在门极D。当在门极C提供一个负载补偿电阻时，这个位置不会有任何功率消耗，100％的功率都被传输给与门极D相连的等离子体负载。
3dB耦合器有一个超过许多其它耦合器的决定性优势。3dB耦合器将反射功率分成两路送回射频信号发生器。两路反射信号的振幅相同，而信号发生90°相移。当要合成的射频信号发生器具有相同结构时，它们的反射系数也相同。被负载反射的功率因此又被射频信号发生器反射。由于反射过程中的相位旋转，被反射的功率没有送回给负载，而是传输给门极C的负载补偿电阻。如果后者端接一个吸收电阻R＝Z0＝特性波阻抗，则由负载反射的功率在该吸收电阻里被完全消耗，不会再被反射。该反射射频信号在门极D互相抵消。这是通过3dB耦合器合成两个射频信号发生器的最重要优点之一，消除了多次反射。
因此3dB耦合器形成了一个保护电路，在由于不同负载条件而发生反射的情况下，该电路能防止所连接的射频信号发生器遭到破坏，因而允许晶体管化的射频信号发生器在这种应用中也能安全运行。
因此，负载的阻抗变化仅对发生器的稳定性有极小的影响。该发生器的特点还在于它的结构特别简单。特别是与现有技术相比，它不需要分路器先将射频功率分成至少两路。循环器也可省略。可以将第二射频信号发生器连接到相同的中间电路电压是尤其有好处的。
在一个优选实施例中，第一和第二信号发生器每个都可以被设计为由开环和/或闭环控制装置驱动的逆变器(inverter)。尤其是通过适当地驱动逆变器，可以便于该逆变器输出信号的相位调整。这使相位调整尤其灵活。当包含不同逆变器的信号路径具有不同长度时，所产生的相位差可以用一种简单的方式来补偿。该逆变器的另一个优点在于，它可以作为放大器运行。射频信号的频率，尤其是射频交流电压，可以通过合适的驱动来改变。然后能够基本保持调整后的相位位置。当无须改变阻抗匹配网络，使真空等离子体发生器的阻抗与等离子体阻抗相匹配时，频率变化是有利的。
射频等离子体处理通常利用不能动态调节的固定阻抗匹配网络，也就是所谓的固定匹配装置。为了匹配阻抗，基频应在预定限度内变化。残余的失配可以接受，这在传统真空等离子体发生器中会产生多次反射。本发明的真空等离子体发生器消除了多次反射。
每个逆变器最好包含至少一个按照基频切换为开和关的开关元件。开关元件可以是晶体管，尤其是MOS-FET晶体管。
对于每个逆变器，闭环和/或开环控制装置优选地有一个同步驱动控制输出端，用于幅度调制，尤其是对射频功率的脉冲调制。在现代的真空等离子体处理中，越来越需要幅度调制，尤其是脉冲调制。对于这种情况，本发明的发生器具有明显的优点。在幅度调制过程中，主要是脉冲调制过程中，负载会发生变化，尤其是动态改变。在大多数情况下，利用脉冲频率不可能实现阻抗匹配。脉冲频率通常在100Hz到100kHz之间。在这些频率上不可能获得阻抗匹配，因为阻抗匹配网络反应太慢，也就是发生了反射。本发明的发生器能够防止多次反射，尤其是防止反射功率被反射回等离子体处理中。
在与逆变器连接时，使用3dB耦合器的优点尤其明显。反射功率会干扰逆变器的运行。尤其是在具有脉冲整形网络的电路中，反射，尤其是多次反射会干扰逆变器，该脉冲整形网络在逆变器的后端，用于以最小的损耗操作开关元件(当最小的电压作用在开关元件上时，该元件切换为开)。因此，3dB耦合器为这些逆变器电路的运行提供了更多的安全保障。通过控制中间电路电压，可以控制这些逆变器电路的功率。在这种情况下，可使用损耗低又易实现的逆变器，例如那些只包含一个开关元件的逆变器。
在优选的进一步改进中，每个逆变器可以包括半桥或全桥。桥电路的功率可使用脉宽调制和相移调制来控制。那么就不再需要通过中间电压来控制功率。
发生器输出端的功率也可以通过两个逆变器间的相位差来控制。当这两个逆变器的信号的相位变化不是90°时，只有一部分功率被传送到发生器输出端，其他部分功率被传送到负载补偿电阻。这提供了快速的功率控制。
在本发明的一个有利的实施例中，第一和第二射频信号发生器的后端都连接一个脉冲整形网络。在每个逆变器的输出端提供一个矩形信号或数字信号。这个信号能被脉冲整形网络转换成正弦信号。因此可以滤除谐波，并且逆变器的开关元件可在极低的损耗下进行开关。有利的是，脉冲整形网络与基频基本匹配。可以提供更多的其后端连接有脉冲整形网络的逆变器。另外，也可提供更多的3dB耦合器，这些耦合器以级联的形式耦合射频信号，尤其是将射频信号耦合到真空等离子体发生器的输出连接端。
当逆变器、脉冲整形网络或3dB耦合器在它们输出端通过电容去除电流耦合时，可省略用于电流去耦的变压器。
在一个具体的优选实施例中，3dB耦合器包括至少一个第一电导体和第二电导体，第一和第二电导体被隔开，并电容性地和电感性地相互耦合，其中第一电导体代表变压器的初级侧，第二电导体代表变压器的次级侧，并且第一和第二电导体的匝数均为n＞1。利用这种简单方法可以简单地增加电感。电感(耦合电感)与匝数的平方成正比。匝数加倍，则电感增加四倍。因此当匝数加倍时，电感增加元件的尺寸减小四倍。通过使用多于一匝线圈，尺寸就能减小。如果匝数足够大，则在理想情况下不再需要进一步增加电感的操作。3dB耦合器因此可以在低于100MHz的频率下运行，即运行频率比根据US6,703,080 B2的现有技术低得多，即可以不考虑传输线理论。
在一个可选的或其它的用于增加电感的方法中，3dB耦合器包括至少一个处于耦合区域中的电感增加元件，用来增加导体的电感。因此电感增加元件可以具有任何形状。优选的是，在耦合区中至少围绕导体的一部分。例如，它可以和导体平行，从而获得十分简单又有效的耦合。电感增加元件在耦合区域中优选以环形形状围绕导体。这里环形形状指的是，在耦合区中的导体部分被基本闭合的几何结构包围，该几何结构可以是圆形，椭圆形，矩形等等。环形的几何结构有利于减少杂散场。该电感增加元件可以被设计为铁氧体。
可以通过两个具有规定表面、规定间距的彼此分开的电导体来实现需要使用耦合电容的电容耦合，这种方式既经济又具有高的再生产精度。
通过至少在耦合区将导体设计成平条状导体，既可以使排列紧凑，又可以易于再生产。
耦合电容和电感优选使用板材上的平条状导体来制作。板材的优点是损耗系数tanδ低。要使电介质材料中的损耗最小，tanδ应低于0.005。最初的实验表明ROGERS公司的RT/duorit 5870是非常合适的，它的tanδ在0.0005到0.0012之间，εr为2.3。
通过在多层板内实现该条状导体，可以用最小的花费实现3dB耦合器。
本发明的一个实施例，其特征在于所述至少一个第一和/或第二电导体的长度为＜λ/4，优选为＜λ/8，尤其优选为＜λ/10。利用这些值，射频技术的传输线理论不再重要。在本发明范围内使用的3dB耦合器，不是现有技术中已知的用于更高频率的线耦合器，也就是说，该3dB耦合器的特征(完全)不是由线长度来决定。电导体间的耦合对应于导体之间具有给定的和调整后的固定电容的电容耦合，导体具有预定的基频f和预定的特性波阻抗Z0。电容可以通过导体表面和导体间的间距来调节。该耦合也对应于具有给定的和调整后的变压器固定电感的电感耦合，该变压器具有预定的基频f和预定的特性波阻抗Z0。例如，根据导体的长度，尤其是导体段的长度来调节电感。在本发明的一个实施例中，在耦合区域中提供至少一个电感增加元件来增加导体的电感。
优选的，作为一个单元的3dB耦合器的尺寸小于λ/10。优选的，对于1到30MHz之间的频率以及直到12kw的功率，这个尺寸小于20cm×10cm×10cm，这允许将3dB耦合器集成到真空等离子体发生器的现有的传统小外壳形状里。
优选的，3dB耦合器连接到一个冷却液冷却系统。这样就不需要对干扰很敏感而又昂贵的空气冷却系统。优选的，整个发生器使用冷却液冷却，在发生器内部和周围空气之间没有诸如通过换气装置的强迫空气交换。发生器内部的强迫空气运动因此是可能的，其中热量通过热交换从空气传送给冷却液。
要实现3dB耦合器的预期功能，变压器的耦合电感和所述耦合电容应该满足下列条件LK＝Z0/(2πf)CK＝1/(2πfZ0)其中LK＝耦合电感CK＝耦合电容Z0＝特性波阻抗f＝频率在13MHz和Z0＝50Ω条件下，可获得大约600nH的耦合电感Lk和大约200pF的耦合电容Ck。
因为对于连接器件和电缆来说50欧姆是通用值，所以通常为真空等离子体发生器提供50欧姆的输出电阻。因为3dB耦合器在真空发生器内部使用，所以它也可以用更低的特性波阻抗来实现。当3dB耦合器的特性波阻抗＜50欧姆，优选＜20欧姆时，它的尺寸可以更小，因为需要更小的电感增加元件。当负载阻抗＜50欧姆时，可省掉阻抗匹配网络。如果需要阻抗匹配，则提供阻抗匹配网络，使发生器的阻抗与等离子体负载匹配。阻抗匹配网络可以布置在发生器中，或者直接布置在真空室内。在第一种情况中，3dB耦合器的输出信号间接地，也就是通过阻抗匹配网络，传送到发生器的输出端。
优选的，至少提供两个转换器来产生中间电路电压，其中每个转换器与至少一个射频信号发生器关联，这允许对每个中间电路电压进行独立的调节或控制。
当该至少一个转换器包括用于连接开环和/或闭环控制装置的输入端时，并且当该转换器可以被控制和/或调节时，可精确调整该中间电路电压。尤其可以开环和/或闭环控制中间电路电压，以得到恒定的电压值。
开环和/或闭环控制装置优选被设计为可编程逻辑器件，尤其是DSP。逆变器(射频信号，射频信号的相位差)和转换器(中间电路电压)优选通过结构化器件进行开环和/或闭环控制，尤其是可编程逻辑器件，优选单个DSP。
在一个优选实施例中，转换器被设计为升压转换器和/或降压转换器。基于这个原因，在它们的输出端可设置200V到400V的电压。各个国家的电源电压不同。该转换器可以连接到200V到400V范围内的电源电压。一个恒定的或者闭环控制的300V中间电路电压既需要升压转换器又需要降压转换器。
电源整流器、转换器、射频信号发生器、3dB耦合器、以及需要情况下的脉冲整形网络和控制器，优选集成在一个金属外壳里。这样，真空等离子体发生器对于干扰辐射很不敏感，也能在很好的稳定状态下运行。该结构还可进一步压缩。
真空等离子体发生器优选包括电源滤波器，使得该真空等离子体发生器对于来自网络的干扰和谐波很不敏感，并能够更稳定地运行。
真空等离子体发生器优选具有用于预防来自电源的过压的保护电路，还优选具有用于预防来自发生器输出端的过压的保护电路，该保护电路使得真空等离子体发生器的运行更加稳定。
通过参考附图中的各图，将在下文中对附图所示的本发明的优选实施例进行更加详细的解释。
图1是真空等离子体发生器的第一实施例；图2是真空等离子体发生器的第二实施例；图3是设计成全桥且带有脉冲整形网络的逆变器；图4是设计成半桥且带有脉冲整形网络的逆变器；图5是带有开关元件的逆变器；
图6是设计成全桥并包含去耦电容的逆变器；图7是带有3dB耦合器网络的真空等离子体发生器的一部分；图8是带有3dB耦合器网络的真空等离子体发生器的一部分的进一步图解。
具体实施例方式
图1示出了一个真空等离子体发生器1。真空等离子体发生器1包含电源连接端2，其向电源整流器3提供电源电压。可以将电源滤波器和用于预防来自电源的过压的保护电路集成到电源整流器3之前或之后的位置。电源整流器3产生的直流电压供给转换器4，该转换器4在位置5处产生中间电路电压。转换器4可设计成例如DC/DC转换器。该中间电路电压同时供给第一和第二射频信号发生器6、7。射频信号发生器6、7在本实施例中设计为逆变器。射频信号发生器6、7通过电容8、9连接到脉冲整形网络10、11。开环和/或闭环控制装置12用于控制射频信号发生器6、7。射频信号发生器6、7的输出信号的幅度和相位能通过开环和/或闭环控制装置12来调整。通过被设计为逻辑器件的开环和/或闭环控制装置12，射频信号发生器6、7的输出信号的频率也可被调整。尤其要调整射频信号发生器6、7的输出信号的相位，以便应用于3dB耦合器13的信号具有90°相移。这使得输出端14的功率耦合最优化。在最佳相位位置和匹配负载的情况下，负载补偿电阻15不消耗任何能量。为了匹配阻抗，可以将阻抗匹配网络16连接在3dB耦合器13和真空室17之间。
闭环和/或开环控制装置12也连接到转换器4的控制输入端18，这样就能够调整位置5处的中间电路电压。
用于防止由该发生器输出的过压的保护电路，根据保护效果最好的位置或根据对过压最为敏感的元件的位置，可以直接布置在该发生器的输出端14，或者布置在信号产生路径6、8、10或7、9、11上。
与图1相比，在图2中，功能相同的元件具有与图1相同的附图标记，图2中具有两个转换器4、4a，每个转换器分别在位置5、5a产生一个中间电路电压。开环和/或闭环控制装置12相应地控制转换器4和4a。开环和/或闭环控制装置12用一个单元来表示。但是，也可以将该开环和/或闭环控制单元12分解成多个控制部件，用于控制转换器4、4a和射频信号发生器6、7。还可以提供几个独立的开环和/或闭环控制装置。
图3示出了一个设计为逆变器且包括全桥的射频信号发生器20。该全桥由四个设计为MOS-FET晶体管的开关元件21-24组成。射频信号发生器20通过端子25连接到正的中间电路电压，通过端子26连接到负的中间电路电压或中间电路电压的低电位。开关元件21-24具有连接端27-30，他们提供了开关元件21-24的控制连接。该全桥与脉冲整形网络31连接，该网络31作为带通滤波器，并包括射频信号输出端32。在一个特别优选的实施例中，脉冲整形网络31不是作为带通滤波器实现，而是以包含若干LC元件的低通滤波器的形式实现。
图4示出了设计为逆变器并包含半桥的射频信号发生器40。这种情况下，该半桥由两个开关元件21、22组成，这两个开关元件设计为MOS-FET晶体管，彼此串联连接。它们也包含用作控制输入端的连接端27、28。射频信号发生器40也可以通过连接端25、26连接到中间电路电压。射频信号发生器40通过脉冲整形网络31向射频信号输出端32提供射频信号。
如图5所示，设计为逆变器的射频信号发生器50也可以通过端子25、26连接到中间电路电压。射频信号发生器50只有一个设计为MOS-FET晶体管的开关元件22。射频信号发生器50通过脉冲整形网络31向射频信号输出端32提供射频信号。射频信号发生器50也被称作E类放大器。
图6基本上重现了连接到脉冲整形网络31的射频信号发生器20。电容51、52用于电流去耦。电容51连接在脉冲整形网络31和射频信号输出端32之间。电容52连接在端子26和该发生器的接地端53之间。另外，已经证明在连接端25和接地端53之间连接额外的电容(图6上没有显示)是有利的。在图6所示电路的一个特别优选的实施例中，脉冲整形网络31不是作为带通滤波器实现的，而是以包含若干LC元件的低通滤波器实现的。
图7示出了真空等离子体发生器60的一部分。真空等离子体发生器60包括一个核心的开环和/或闭环控制装置12。16个模块61-76连接到开环和/或闭环控制装置12。模块61-76中的每一个都包含一个射频信号发生器和一个脉冲整形网络。模块61-76中的每两个分别连接到3dB耦合器77-84中的一个。在下一级，两个3dB耦合器77-84各自连接到一个3dB耦合器85-88。在第三级提供了两个3dB耦合器89、90，在第四级提供了一个3dB耦合器91。要提供给真空室的射频功率作用在3dB耦合器91的输出端92上。通过测量装置93检测该功率，并将其传送到闭环和/或开环控制装置12。闭环和/或开环控制装置12通过模拟信号数据线94、接口95和错误信息线96，连接到模块61-76，用于数据交换。闭环和/或开环控制装置12还包括十六个同步时钟输出97，其中每个输出提供给一个模块61-76。通过这些输出97，以基频对这些射频信号发生器进行计时。时钟输出97的信号不是同相的，这样允许对模块61-76的输出信号的相位进行设置。闭环和/或开环控制装置12还包括十六个同步脉冲输出98。如果真空等离子体发生器60的射频输出信号不是以连续形式而是以脉冲形式施加的，则这些同步脉冲输出是需要的。
图8也示出了真空等离子体发生器60。负载补偿电阻(未示出)布置在3dB耦合器77-91的输出端100-114。这些负载补偿电阻上的电压通过十五个模拟输入端115，被传送到闭环和/或开环控制装置12中。这种方式检测到的电压是关于阻抗匹配的测量，关于这些射频信号发生器的信号彼此之间相位位置的测量，以及关于这些射频信号发生器的信号彼此之间功率对称的测量。这些电压还可以用于真空等离子体发生器60的闭环控制。
权利要求
1.一种真空等离子体发生器(1，1a，60)，用于处理真空室(17)中的工件，包括电源连接端(2)，用于连接到电压供应网络；至少一个电源整流器(3)，其连接到至少一个第一转换器(4，4a)，该第一转换器用于产生至少一个中间电路电压；第一射频信号发生器(6，7，20，40，50)，其连接到所述至少一个中间电路电压，用于产生具有基频和第一相位位置的第一信号，该第一信号尤其是在1至30MHz范围内；第二射频信号发生器(6，7，20，40，50)，其连接到中间电路电压，用于产生具有所述基频和第二相位位置的第二信号；至少一个3dB耦合器(13，77-91)，用于将所述第一和第二信号耦合成输出信号，并将该输出信号间接或直接传送到发生器输出端(14，92)。
2.如权利要求1所述的发生器，其特征在于，所述第一和第二射频信号发生器(6，7，20，40，50)每一个都被设计为由开环和/或闭环控制装置(12)驱动的逆变器。
3.如权利要求2所述的发生器，其特征在于每个逆变器具有半桥或者全桥。
4.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于提供了至少一个电容(8，9，51，52)，用于电流去耦。
5.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于脉冲整形网络(10，11，31)连接在所述第一和第二射频信号发生器(6，7，20，40，50)中每一个之后。
6.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，所述3dB耦合器(13，77-91)包括至少一个第一电导体和第二电导体，所述第一和第二电导体被隔开，并电容性地和电感性地相互耦合，其中所述第一电导体代表变压器的初级侧，所述第二电导体代表变压器的次级侧，所述第一和第二电导体的匝数均为n＞1。
7.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，所述3dB耦合器(13，77-91)包括至少一个第一电导体和第二电导体，所述第一和第二电导体被隔开，并电容性地和电感性地相互耦合，其中所述第一电导体代表变压器的初级侧，所述第二电导体代表变压器的次级侧，并且其中在耦合区域中提供至少一个电感增加元件，来增加所述电导体的电感。
8.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，所述至少一个第一电导体和/或第二电导体的长度为＜λ/4，优选为＜λ/8，尤其优选为＜λ/10。
9.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，所述3dB耦合器(13，77-91)具有的特性波阻抗为＜50欧姆，优选为＜20欧姆。
10.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，提供了至少两个转换器(4，4a)，用于产生中间电路电压，其中每个转换器(4，4a)与至少一个射频信号发生器(5，6，20，40，50)相关联。
11.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，所述至少一个转换器(4，4a)包括一个输入端(18，18a)，用于连接开环和/或闭环控制装置(12)。
12.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，所述开环和/或闭环控制装置(12)被设计为可编程逻辑器件，尤其是DSP。
13.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，为所述真空等离子体发生器(1，1a，60)提供一个阻抗匹配电路(16)，用于调节所述发生器(1，1a，60)的阻抗以匹配等离子体负载。
14.如前述权利要求中任一项所述的发生器，其特征在于，所述转换器(4，4a)被设计为升压转换器和/或降压转换器。
全文摘要
本发明涉及一种真空等离子体发生器(1，1a，60)，用于处理真空室(17)中的工件，包括电源连接端(2)，用于连接到电压供应网络；至少一个电源整流器(3)，其连接到至少一个第一转换器(4，4a)，用于产生至少一个中间电路电压；第一射频信号发生器(6，7，20，40，50)，其连接到该至少一个中间电路电压，用于产生具有基频和第一相位位置的第一信号，该第一信号尤其是在1至30MHz范围内；第二射频信号发生器(6，7，20，40，50)，其连接到中间电路电压，用于产生具有基频和第二相位位置的第二信号；至少一个3dB耦合器(13，77－91)，用于将该第一和第二信号耦合成输出信号，并将该输出信号间接或直接传送到发生器输出端(14，92)。
文档编号H05H1/46GK1832657SQ20061005896
公开日2006年9月13日 申请日期2006年3月9日 优先权日2005年3月10日
发明者米夏埃多·格吕克, 克里斯托夫·霍夫施泰托尔, 格尔德·欣茨 申请人:许廷格电子有限及两合公司