专利名称：：制造有机发光设备的方法
技术领域：
：本发明涉及一种制造能够被用于图像显示设备、照明系统等的有才几发光设备的方法。
背景技术：
：在1987年，Tang等人提出了一种有机发光器件(有机EL(电致发光)器件)，所述有机发光器件具有这样的配置其中，层叠具有不同载流子输送性的有机化合物，并且从阳极和阴极以良好的平衡分别注入空穴和电子。具体地，通过将有机化合物层(有机EL层)的厚度设定为200nm或更低所制造的器件已经实现了在10V电压下1000cd/n^的效率和照度，这是至今未实现过的。此后，至今为止已经进行了尝试以便在更低的电压下获得高照度发光。例如，日本专利申请特开第H07-142168号公开了，ITO阳极经受作为有机EL层形成之前的处理的UV处理或等离子处理，从而发光阈值降低以增强电流特性，并且发光特性随时间的劣化被抑制。日本专利第3，704，883号公开，在降低的压力下连贯地执行形成阳极基底的工序、形成有机EL层之前的处理、有机EL层的形成、以及阴极的形成。更具体地，通过干蚀刻执行对阳极的构图，并且在降低的压力下连贯地连续执行UV臭氧处理和氧气等离子处理，从而阳极表面变得干净，阳极被适当氧化以增强空穴注入特性，使发光均匀，驱动电压降低，并且寿命延长。日本专利申请特开第Hll-045779号公开一种技术，该技术包括通过在降低的压力下利用臭氧发生器产生的臭氧来清洁阳极基底，从而不使用UV光或等离子而执行形成有机EL层之前的处理。曰本专利第3，394，130号公开一种技术，该技术包括在0.0001到O.lPa的降低的压力下用具有方向性的UV光照射基底，并且将基底输送到具有更高环境压力的有机EL层形成室，以形成有机EL层，从而防止基底在形成有机EL层之前的处理室中被污染。日本专利申请特开第2000-353593号描述了，在存在氧气和氮气的情况下，基底侧的第一电极被形成并且被来自UV光灯的UV光照射，从而清洁具有第一电极的基底。描述了在清洁期间，优选将清洁室中的压力调节为4.00Pa环境压力。还作为示例描迷了，利用负光致抗蚀剂形成分隔壁，此后引入氧气和氮气，并且在环境压力下清洁带有电极的基底。在发光设备中所使用的有机EL器件中，为了限定基底侧的电极的发光面积和形状，以及为了使得能够进行像素的独立发光，一般形成主要包括树脂材料和无机材料的器件分离膜。一般通过将基底侧的电极(下电极)形成为阳极或者阴极，然后通过在电极的表面上均匀涂覆树脂材料、无机材料、或者其前体，或者通过利用诸如CVD之类的膜形成方法，形成这种器件分离膜。此后，利用光致抗蚀剂方法等处理所述器件分离膜，使得要成为像素电极的基底侧的电极被露出。在具有器件分离膜的有机EL器件中，在一些情况下，可能不能获得充分的驱动耐久特性，并且在器件被置于高温和高湿度下之后发光状态会变得不均匀。认为这是由在上述器件分离膜的形成期间，在露出的像素电极上残留有器件分离膜材料或者光致抗蚀剂工序中使用的抗蚀剂材料而引起的，以及由器件分离膜中储存的水分引起的。此外，器件分离膜通过上述UV处理或等离子处理而分解，并且分解后的物质也被认为通过粘附到像素电极的表面上而引起上述问题。也就是说，还没有这样一种用于形成有机EL层之前的处理的技术，其中形成有电极和器件分离膜的基底被有效清洁，并且满足充分的驱动耐久特性和放置耐久特性。在上述日本专利第3，704，883号中，通过千蚀刻执行阳极的构图，并且在降低的压力下连贯地执行UV臭氧处理和氧气等离子处理，从而阳极表面变得清洁，并且阳极被适当氧化以增强空穴注入特性。此外，作为利用uv臭氧进行清洁的方法，氧气气体从高真空状态被引入使得获得0.01torr(大约1.33Pa)或更高的压力，并且照射UV光。然而，根据这种方法，不能形成器件分离膜，或者要使用的材料等需要被严格限制，因此无法实现要成为高质量发光设备的有机EL器件。日本专利申请特开第HI1-045779号利用一种方法，所述方法包括用臭氧发生器产生的臭氧清洁像素电极的表面，而不使用UV光。然而，根据该方法，由于不获得利用UV能量切断分子间键的效果，因此污染物和残留物的分解并不充分进行。因此，不能获得优异的驱动耐久特性。上述的日本专利第3，394，130号利用一种方法，所述方法包括在0.0001到0.1Pa的降低的压力下照射具有方向性的UV光。然而，在这个压力范围中无法产生所需量的臭氧和活性氧气，并且无法满足优异的驱动耐久特性。在上述的日本专利申请特开第2000-353593号中，优选清洁室中的压力为4.00Pa环境压力，并且在示例中在环境压力下进行照射。然而，在环境压力下，在电极的表面上剩余的污染物和残留物进一步增多，这甚至会使状态与清洁之前的状态相比劣化。此外，根据发明人所进行的实验，发现4.00的压力对于产生所需的臭氧和活性氧气的量来说过低，并且无法获得优异的驱动耐久特性。
发明内容本发明提供一种制造有机发光设备的方法，所述有机发光设备满足优异的驱动耐久特性和放置劣化耐久特性。为了实现上述目的，本发明提供一种制造有机发光设备的方法，所述有机发光设备包括基底、形成在所述基底上的有机发光器件、以及形成在所述有机发光器件的外周上的器件分离膜，所述有机发光器件从基底侧依次包括下电极、有机化合物层、以及上电极，所述方法包括通过在10Pa或更高-10000Pa或更^f氐的范围的压力下，在将至少包含氧气的气体引入气体环境中并且排出所述气体的同时，用uv光照射至少形成有下电极和器件分离膜的基底，从而清洁所述基底；在清洁后的下电极上形成有机化合物层；以及在所述有机化合物层上形成上电极。根据本发明，在10Pa或更高10，000Pa或更低的范围的压力下，在将至少包含氧气的气体引入气体环境中并且排出所述气体的同时，用UV光照射至少形成有下电极和器件分离膜的基底。因而，获得优异的驱动耐久特性和放置耐久特性。具体地，下电极上剩余的器件分离膜材料和抗蚀剂材料的残留物以及其他污染物通过在10Pa或更高10，000Pa或更低的降低的压力下照射uv光产生的uv光能量而分解。此外，通过由uv光和氧气产生的臭氧和活性氧气的作用以及降低的环境压力的去除功能，有效地去除残留物和污染物。得益于此，维持了空穴和电子从下电极注入到有机EL层的耐久性，这显著增强了驱动耐久特性。此外，甚至在器件分离膜储存水分的情况下，器件分离膜的表面也由UV光分解很少的量，并且由于降低的环境压力，水分在气体环境中有效扩散。因而，在设备被置于高温和高湿度下之后易于发生的发光状态的非均匀性被显著消除。此外，由于环境压力处于10Pa或更高~10，000Pa或更低的范围中，所以不容易发生分解后的器件分离膜材料粘附到下电极的表面的问题。从以下参照附图对示例性实施例的描述中，本发明的其他特征将变得清楚。图1是示出根据本发明的有机发光设备的典型部分截面结构的示意性视图。图2是基底预处理设备的示意性视图。图3是示出根据本发明的一个示例的有机发光设备的制造流程和每道工序中的压力改变的图。具体实施例方式根据本发明的制造有机发光设备的方法被合适地执行为一种制造有机发光设备的方法，所述有机发光设备包括基底、形成在所述基底上的有机发光器件、以及形成在所述有机发光器件的外周上的器件分离膜。本发明中的有机发光器件以与普通有机发光器件相同的方式从基底侧依次包括下电极、有机化合物层(有机EL层)、以及上电极。所述制造方法包括清洁工序(预处理工序)，在10Pa或更高~10000Pa或更低的范围内的压力下，在将至少包含氧气的气体引入气体环境中并且从中排出所述气体的同时，用UV光照射至少形成有上述下电极和上述器件分离膜的基底。此外，所述制造方法包括在清洁后的基底的下电极上形成有机化合物层的工序，以及在所述有机化合物层上形成上电极的工序。常规上，烘焙处理通常在真空下执行，以便在形成器件分离膜之后在形成有机EL层之前从器件分离膜中除去水分(脱水)。然后，在脱水之后，通常在保持真空状态的同时形成有机EL层，使得水分不再次返回到器件分离膜。然而根据本发明，在真空烘焙执行之后，通过在高于真空的10Pa或更高~10，000Pa或更低的降低的压力环境下，在包含氧气的气体被引入到气体环境中并且从中排出所述气体的同时照射UV光，从而清洁下电极的表面。然后，在清洁之后在真空下形成有机EL层，从而可以获得满意的发光特性。本发明中的真空指的是10—6Pa或更高l(T2Pa或更低的压力范围。此后，将参照图l描述有机发光设备的配置和制造工序。图l是'示意性示出构成本发明的有机发光设备的一个有机发光器件的截面的视图。，薄膜晶体管(TFT)2被排列和形成在包括玻璃、硅、或者塑料膜的基底1上，以便对应于每个像素。如果有机发光器件是顶发射类型，则基底1不需要具有透光性。在基底1上设置了层间绝缘膜3以便覆盖TFT2，并且层间绝缘膜3设置有连接孔4，所述连接孔4到达通向TFT2的布线(未图示)。作为层间绝缘膜3，可以使用包括二氧化硅(Si02)或氮化硅(Si3N4)的无机材料膜；然而，希望通过将TFT和布线部分的不均匀性埋入来使膜表面平坦，因此通常以几nm几十nm的厚度设置丙烯酸树脂膜。经由连接孔4连接到布线的下电极5被构图，以便对应于层间绝缘膜3上的每个像素(有机发光器件)。例如使用下电极5作为有机发光器件的阳极。因此，如果有机发光器件是顶发射类型，则使用具有高反射率的材料，诸如Cr、Ag、Al或者其与其他金属的合金。为了增强电荷的注入效率，还能够层叠包括ITO或IZO的导电氧化物膜。在下表面发光类型的情况下，使用ITO或IZO等。作为本发明的特征的在形成有机EL层之前的处理可最优地用于其中基底侧的电极(下电极5)是阳极的有机发光器件，以便增强功函数(workfunction)。然而，甚至在基底侧的电极是阴极的情况下，也获得这些效果。在层间绝缘膜3上，设置器件分离膜6以便覆盖下电极5的外周。器件分离膜6包括被构图为以便仅露出下电极5的表面的开口部分7。开口部分7实质上用作有机发光器件中的发光部分。作为器件分离膜6，适合地使用包括感光聚酰亚胺或丙烯酸树脂等的树脂材料膜，或者包括二氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN)的无机材料膜。因而，希望制造至少形成有下电极5和器件分离膜6的基底(器件基底)，通过各种溶剂、表面活性剂、或纯水等使其经受湿清洁，并且通过在真空下以大约100。C200。C加热而^f吏其经受脱水。在通过加热进行脱水之后，紧接在有机EL层(有机4t合物层)8形成之前，进行作为本发明的特征的预处理工序。具体地，在连接到用于形成有机EL层8的真空蒸汽淀积设备的基底预处理设备中，对上述器件基底进行处理。图2是示出本发明中的基底预处理设备的简单视图。附图标记31表示真空槽，附图标记32表示UV灯，附图标记33表示基底(器件基底)，附图标记34表示质量流率(mass-flow)控制器，附图标记35表示真空测量计，附图标记36表示压力控制器，附图标记37表示可变阀(variablevalve)。基底预处理设备包括干泵(drypump)，所述干泵被设计用于通过连接到可变阀37而抗臭氧，所述可变阀37的开口部分可以被调节，所述基底预处理设备还包括可以进行高真空排气的涡轮分子泵。压力控制器36基于真空测量计35调节可变阀37的开口部分。通过在诸如干燥空气和氧气之类的气体利用这些机构和质量流率控制器34而被引入的同时调整环境压力，通过UV灯32使基底33经受UV臭氧处理。希望要被引入的诸如干燥空气和氧气之类的气体尽可能少地包含水分，并且适合地使用露点为-70。C或更低的气体。作为UV照射源(灯)32，可以使用低压汞灯和激态原子灯。在至少包含氧气的气体以0.1slm~500slm的范围被引入，并且环境压力#皮控制在10Pa或更高~10,000Pa或更低的范围中的同时，基底33被UV光照射0.5分钟~60分钟。希望基底33和UV灯32之间的距离在lmm~50mm的范围内，并且为了使照射强度均匀，希望基底33或UV灯32被摇动。在UV光照射预定时间之后或者在正在用UV光照射的同时，停止气体的引入，并且基底预处理设备被排气以达到l(T3Pa或更低的高真空。此后，基底33被迅速输送到真空蒸汽淀积设备，同时保持高真空气体环境。在环境压力低于IOPa的情况下，即使氧气被引入到该气体环境中并且被排气，除去下电极5的表面上的污染物和残留物的分解物质所需要的臭氧和活性氧气的量也是不足的。因此，不能满足优异的驱动耐久特性，从下电极5到有机EL层8的载流子注入被显著禁止。此外，在环境压力大于10，000Pa的情况下，下电极5的表面上所剩余的污染物和残留物增加得更多，驱动耐久特性劣化，储存在器件分离膜6中的水分不容易在气体环境中扩散，并且尤其是在高温和高水分下，放置劣化耐久特性会劣化。在形成有机EL层之前的处理之后，主要使用真空加热蒸汽淀积，将有机EL层8形成在被输送的器件基底上。作为形成有机EL层8的方法，除了真空加热蒸汽淀积法之外，还可以使用EB蒸汽淀积、LB方法、旋涂、喷墨法、或热传递法等。通过连续地层叠例如空穴输送层、发光层、电子输送层、和电子注入层等，获得有机EL层8。在如真空加热蒸汽淀积中那样在真空下形成有机EL层的情况下，通常，在真空下连贯地执行从通过对基底进行加热而进行脱水的工序到以下密封工序，因而，气体环境对有机EL层的影响可以被最小化。然而，根据本发明，通过在基底预处理的工序期间将压力提高为高于真空，并且在10Pa或更高10，000Pa或更低的降低的压力下清洁基底，可以显著地增强有机发光器件的驱动耐久特性和放置劣化耐久特性。接着，设置上电极(阴极)9以便覆盖有机EL层8。上电极9被设置为基底1上方的一个层，其作为各个像素所共用的电极。在顶发射类型的情况下，上电极9具有光渗透性。通常使用包括ITO或IZO等的导电氧化物膜。在下表面发光类型的情况下，上电极9是反射电极，并且适合地使用A1、Ag或其与其他金属的合金。此外，为了防止水分渗透到有机EL层8，有机发光器件被密封。可以设置包括无机材料膜(诸如二氧化硅或者氮化硅)或者聚合物膜的透明保护膜10来密封有机发光器件。在这种情况下，在形成有机EL层之后直到密封工序的工序适合地在真空下执行。此外/作为替换方案，可以用诸如玻璃板之类的盖子材料来密封有机发光器件。在这种情况下，优选地，诸如氮气之类的非活性气体被密封在形成于盖子材料和有机发光器件之间的缝隙中，并且在这种情况下，有机发光器件在密封工序之前从真空中被释放。在上述实施例中，在基底上设置一个有机发光器件。然而，本发明可应用于这样的显示设备，其中多个有机发光器件布置在基底上，并且每一个有机发光器件形成一个像素。所述多个有机发光器件的驱动可以是有源矩阵类型，其中每个像素包括控制每个发光器件的发光的开关元件；或者可以是无源矩阵类型，其中发光器件形成在条紋形状的电极的相交处。通过本发明的制造方法制造的有机发光设备可以用于各种电子设备的显示部分、照明系统的发光部分等。电子设备的示例包括电视机、个人计算机、数字照相机、移动电话、移动音乐播放设备、个人数字助理(PDA)、以及车辆导航系统。此后，将通过示例及其结果来描述根据本发明的有机发光设备的制造方法。此外，表1概述了各示例和比较例的设定条件和结果。此外，图3示出了这些示例中的有机发光设备的制造流程以及每个工序中的压力改变。(示例1)利用正光致抗蚀剂聚酰亚胺树脂，在基底的整个表面之上形成厚度为2nm的器件分离膜，其中在所述基底上，设置了形成在Ag合金膜(厚度100nm)上的ITO膜(厚度60mn)作为阳极(下电极)。然后，通过用UV灯曝光然后显影来对器件分离膜进行构图，从而形成了开口部分。用表面活性剂的水溶液清洁由此获得的器件基底，并且利用离子交换水(ionexchangedwater)和超声波进行漂洗。清洁后的器件基底被放置在真空干燥机中，从而在200。C下进行脱水24个小时。经受脱水的器件基底被引入基底预处理设备，与低压汞灯(输出110W)相对，并且以20mm/秒的速率在50mm间隔的范围内被摇动。灯和基底之间的最短距离是5mm。对基底预处理设备进行排气以获得5xlO-5Pa的高真空状态，此后，露点为-80。C的干燥空气以10slm的流率(flowrate)被引入到基底预处理设备中。当基底预处理设备中的压力达到l，OOOPa时，在干燥空气被引入的同时，用压力控制器取得排气压力的平衡，从而基底预处理设备中的压力保持在1000Pa。在这种状态下，器件基底被照射UV光，以接受UV臭氧处理IO分钟。在10分钟经过之后，停止uv光的照射，以暂停干燥空气的引入，从而对基底预处理设备进行排气。当基底预处理设备中的压力达到lxlO^Pa时，器件基底被输送到维持在lxl(T5Pa~5xl(T4Pa的真空蒸汽淀积设备的有机EL层蒸汽淀积室，并且通过后续工序连续层叠有机EL层、上电极、以及保护膜。N，N-a-二萘基对二氨基联苯(a-NPD)经受真空淀积，以在从开口部分露出的阳极上具有40nm的厚度，从而形成空穴输送层。然后，香豆素6(1.0vol%)和三[8-羟基奮啉铝(Alq3)的共淀积膜被形成具有30nm的厚度，从而形成发光层。接着，作为电子输送层，三[8-羟基喹啉铝(Alq3)被形成具有10nm的厚度。并且，碳酸铯(0.7vol%)和三8-羟基喹啉I铝(Alq3)的共淀积膜被形成具有40nm的厚度，从而形成电子注入层。每一层对应于一个有机EL层。然后，该基底被传输到真空蒸汽淀积设备的溅射室，并且氧化铟锡(ITO)在Ar气被引入(100sccm)的同时在0.6Pa的压力下通过溅射而被形成为厚度为220nm的膜，从而形成阴极9。此外，氧气(0.2sccm)和氮气(10sccm)被引入，并且硅(Si)靶在0.6Pa的压力下经受反应溅射，从而透明氮氧化硅膜(Si-O-N膜)被形成具有500nm的厚度，从而形成表面保护膜IO。此后，完成了膜形成工序的基底被转移到手套式操作箱，并且所述手套式操作箱在氮气气体环境中利用包含干燥剂的玻璃盖子而被密封。通过上述制造过程获得的有机发光设备的有机发光器件(发射绿光)在恒定电流下以电流值100mA/cm2被连续点亮100小时，并且用照度测量计(由Topcon公司生产的BM-7)测量初始照度和100小时之后的照度，从而评估了发光特性的改变。照度改变L(100h)/L(ini)为95.0%(初始照度L(ini)=1，300cd/m2)，并且获得了优异的驱动和寿命特性。然后，有机发光设备被放置在温度为80。C且湿度为80%的恒温恒湿槽中，从而进行1000小时的放置评估。当观察放置之后的发光状态时，发现均匀发射绿光，如同在放置之前的情况中一样。(示例2)以与示例1中相同的方式制造器件基底，不同之处在于使用具有厚度为100nm的Cr膜作为阳极，之后是清洁和脱水。此外，作为形成有机EL层之前的处理，以与示例1相同的方式进行UV臭氧处理，不同之处在于将环境压力设定到100Pa。以与示例1相同的方式评估了所获得的有机发光设备，发现L(100h)/L(ini)为94.5%(初始照度L(ini)=1，050cd/m2)，并且该有机发光设备具有优异的驱动和寿命特性，与示例1相同。此外，放置在80°C的温度和80%的湿度下1000小时之后的发光状态与放置之前的情况中的相同。(示例3)以与示例1中相同的方式制造有机发光设备，使用示例1中所用的器件基底，不同之处在于形成有机EL层之前的处理期间的压力是10000Pa。以与示例1相同的方式评估了所获得的有机发光设备，发现L(100h)/L(ini)为92.8%(初始照度L(ini)=1，290cd/m2)，并且该有机发光设备具有优异的驱动和寿命特性，虽然比示例1中的驱动和寿命特性略差。此外，放置在80。C的温度和80%的湿度下1000小时之后的发光状态与放置之前的情况中的相同。(示例4)以与示例l相同的方式制造有机发光设备，使用示例1中所用的器件基底，不同之处在于形成有机EL层之前的处理期间的压力是10Pa，要引入的气体是具有99.9。/。纯度的氧气，引入流率为0.5slm，并且UV光照射时间为20分钟。以与示例1相同的方式评估了所获得的有机发光设备，发现L(100h)/L(ini)为91.6%(初始照度L(ini)=1，210cd/m2)，并且该有机发光设备具有在实际使用中不产生问题的驱动和寿命特性，虽然比其他示例中的驱动和寿命特性略差。此外，放置在80°C的温度和80%的湿度下1000小时之后的发光状态与放置之前的情况中的相同。(比较例1)以与示例l相同的方式制造有机发光设备，使用示例1中所用的器件基底，不同之处在于形成有机EL层之前的处理期间的压力是101300Pa(大气压)。以与示例1相同的方式评估了所获得的有机发光设备，发现L(100h)/L(ini)为90.5%(初始照度L(ini)-1，300cd/m2),并且该有机发光设备的驱动和寿命特性差于上述示例中的有机发光设备的驱动和寿命特性。此外，在所述有机发光设备放置在80。C的温度和80%的湿度下1000小时之后，观察到像素的外周部分变暗，这在放置之前是没有观察到的。(比较例2)以与示例l相同的方式制造有机发光设备，使用示例1中所用的器件基底，不同之处在于形成有机EL层之前的处理期间的压力是5Pa，要被引入的气体是具有99.9%纯度的氧气，引入流率为0.05shn，并且UV光照射时间为20分钟。以与示例1相同的方式评估了所获得的有机发光设备，发现L(100h)/L(ini)为10.5%(初始照度L(ini)=1，200cd/m2)，并且该有机发光设备的驱动和寿命特性很差。此外，在所述有机发光设备放置在80。C的温度和80%的湿度下1000小时之后，观察到全部发光部分变暗。(比较例3)以与示例1相同的方式制造有机发光设备，使用示例2中所用的器件基底，不同之处在于形成有机EL层之前的处理期间的压力是101300Pa(大气压)。以与示例1相同的方式评估了所获得的有机发光设备，发现L(100h)/L(ini)为89.0%(初始照度L(ini)=1,300cd/m2)，并且该有机发光设备的驱动和寿命特性差于上述示例中的有机发光设备的驱动和寿命特性。此外，在所述有机发光设备放置在80。C的温度和80%的湿度下IOOO小时之后，观察到像素的外周部分变暗，这在放置之前是没有观察到的。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>虽然已经参照示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被给予最宽的解释，以便包含所有这些修改和等同结构及功能。权利要求1.一种制造有机发光设备的方法，所述有机发光设备包括基底、形成在所述基底上的有机发光器件、以及形成在所述有机发光器件的外周上的器件分离膜，所述有机发光器件从基底侧依次包括下电极、有机化合物层、以及上电极，所述方法包括通过在10Pa或更高～10000Pa或更低的范围的压力下，在将至少包含氧气的气体引入气体环境中并且排出所述气体的同时，用UV光照射至少形成有下电极和器件分离膜的基底，从而清洁所述基底；在清洁后的下电极上形成有机化合物层；以及在所述有机化合物层上形成上电极。2.如权利要求l所述的方法，还包括通过在真空下加热，使至少形成有所述下电极和所述器件分离膜的所述基底经受脱水，其中所述清洁包括清洁经受了通过加热进行的脱水后的基底；以及所述形成有机化合物层包括在真空下在清洁后的基底上的下电极上形成有机化合物层。3.如权利要求l所述的方法，其中，所述下电极是阳极。全文摘要本发明公开一种制造有机发光设备的方法，所述有机发光设备包括基底、形成在所述基底上的有机发光器件、以及形成在所述有机发光器件的外周上的器件分离膜，所述有机发光器件从基底侧依次包括下电极、有机化合物层、以及上电极，所述方法包括通过在10Pa或更高～10000Pa或更低的范围内的压力下，在将至少包含氧气的气体引入气体环境中并且排出所述气体的同时，用UV光照射至少具有下电极和所述下电极上形成的器件分离膜的基底，从而清洁所述基底；在清洁后的下电极上形成有机化合物层；以及在所述有机化合物层上形成上电极。文档编号H05B33/10GK101296537SQ20081009354公开日2008年10月29日申请日期2008年4月25日优先权日2007年4月27日发明者大塚学,德永雄三,真下精二,西田直哉,远藤太郎申请人:佳能株式会社