有机发光显示设备的制造方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 2014年2月19日在韩国知识产权局提交的且标题为"有机发光显示设备"的韩国 专利申请No. 10-2014-0019221，通过引用整体被合并于此。
技术领域
[0003] 一个或多个实施例涉及一种有机发光显示设备。
【背景技术】
[0004] 有机发光显示设备可包括有机发光二极管（OLED)，有机发光二极管（OLED)可包 括空穴注入电极、电子注入电极、以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发 射层。有机发光显示设备可以是自发射显示设备，在该自发射显示设备中，从空穴注入电极 注入的空穴和从电子注入电极注入的电子可在有机发射层中结合并产生激子。随着激子从 激发态降至基态，可产生光。
[0005] 有机发光显示设备可以是自发射的，可不需要单独的光源，并且有机发光显示设 备可在低压下驱动且被配置成质量轻且薄。极好的视角、对比度、响应时间和其它特性可使 得有机发光显示设备被广泛用于诸如MP3播放器、移动电话之类的个人便携式设备和电视 机中。
【发明内容】
[0006] 实施例可通过提供一种有机发光显示设备来实现，该有机发光显示设备包括：基 板；在所述基板上的第一电极；在所述第一电极上且包括有机发射层的中间层；以及第二 电极，所述第二电极包括含偶极子材料的第一层、含具有3. 6eV或更小的功函数的材料的 第二层、以及含导电材料的第三层，所述第一层至所述第三层被顺序地布置在所述中间层 上。
[0007] 所述第一层至所述第三层可分别由氟化锂（LiF)、镱（Yb)和银（Ag)形成。
[0008] 所述第二电极可进一步包括第四层，所述第四层位于所述第二层和所述第三层之 间并且可包括Yb和Ag的化合物。
[0009] 所述第二层至所述第四层的片电阻值可以是5Q/cm2或更小。
[0010] 所述第一层的厚度可在约〇? 5nm至约5nm之间。
[0011] 所述第二层的厚度可在约0? 5nm至约5nm之间。
[0012] 所述第三层的厚度可在约5nm至约30nm之间。
[0013] 所述第一层可包括氟化物系化合物或氯化物系化合物。
[0014] 所述第二层可包括金属、金属合金或金属氧化物。
[0015] 所述第三层可包括银（Ag)、铝（Al)、铟锡氧化物（ITO)、铟锌氧化物（IZO)、氧化锌 (ZnO)、氧化铟（In2O3)、铟镓氧化物（IGO)、铝锌氧化物（AZO)、纳米线和石墨烯中的至少之 〇
[0016] 所述第一电极可包括反射金属层和透明导电氧化物层。
[0017] 所述第一电极可包括通过顺序地堆叠铟锡氧化物（ITO)、银（Ag)和ITO形成的堆 叠层结构，并且所述第一电极中Ag层的厚度可以是600A或更大。
[0018] 所述第二层的厚度可在约0? 5nm至约5nm之间。
[0019] 所述第三层的厚度可在约5nm至约30nm之间。
【附图说明】
[0020] 通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员而言将变得 显而易见，附图中：
[0021] 图1图示根据一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；以及
[0022] 图2图不根据另一实施例的有机发光显不设备的不意性剖视图。
【具体实施方式】
[0023] 现在将参照附图在下文中更充分地描述示例实施例；然而，这些示例实施例可以 以不同的形式被体现，并且不应被解释为局限于在此提出的实施例。而是，这些实施例被 提供使得本公开将是全面的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方 式。
[0024] 在附图中，相同的附图标记始终表示相同的要素。这些实施例在下面仅参照附图 来描述以解释本说明书的方面。在本文中使用的术语"和/或"包括一个或多个相关联列 出项的任一个和所有组合。当诸如"…中的至少之一"之类的表达出现在一列要素之后时， 该表达修饰整列要素，而不修饰该列的个别要素。
[0025] 将理解，尽管术语"第一"、"第二"等可在本文中用于描述各部件，这些部件不应受 这些术语限制。这些术语仅仅用于区分一个部件与另一部件。
[0026] 本文中使用的单数形式"一"、"一个"和"所述"旨在也包括复数形式，除非上下文 另外清楚地指出。
[0027] 将进一步理解，本文中使用的术语"包括"和/或"包含"指定所述的特征或部件 的存在，但不排除一个或多个其它特征或部件的存在或增加。
[0028] 将理解，当一层、区域或部件被称为"形成在"另一层、区域或部件"上"时，其可直 接或间接地形成在该另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在中间的层、区域或部 件。还将理解，当一层被称为"在"另一层"下面"时，其可直接在下面，并且也可存在一个 或多个中间的层。另外，还将理解，当一层被称为"在"两层"之间"时，其可以是两层之间 的唯一的层，或也可存在一个或多个中间的层。
[0029] 为了便于说明，图中要素的尺寸可被放大。换句话说，由于图中部件的尺寸和厚度 为了便于说明而随意地被图示，因此下列实施例不局限于此。
[0030] 图1图示根据一实施例的有机发光显示设备100的示意性剖视图。
[0031] 参照图1，根据一实施例的有机发光显示设备100可包括基板110、在基板110上 的第一电极120、包括有机发射层（EML)且可位于第一电极120上的中间层130、以及可包 括第一层141、第二层142和第三层143的第二电极140。
[0032] 基板110可以是具有极好的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度的玻璃基板 或塑料基板，可容易地被处理，并且可防水。第一电极120可位于基板110上。
[0033] 第一电极120可以是可充当空穴注入电极的阳极，并且可以是反射电极。第一电 极120可包括反射金属层和透明导电氧化物层，该反射金属层可包括银（Ag)、镁（Mg)、铝 (Al)、铂（Pt)、钯（Pd)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)和铬（Cr)中的至少之一，并且该 透明导电氧化物层形成在该反射金属层上和/或下。
[0034] 透明导电氧化物层可包括铟锡氧化物（ITO)、铟锌氧化物（IZO)、氧化锌（ZnO)、氧 化铟（In2O3)、铟镓氧化物（IGO)和铝锌氧化物（AZO)中的至少之一。
[0035] 第一电极120可被形成为例如IT0/Ag/IT0的堆叠层结构。例如，Ag的厚度可以 是600A以上，以在可视区域中具有足够的反射率。
[0036] 中间层130可被布置在第一电极120上。中间层130包括有机EML，并且可进一步 包括在第一电极120和有机EML之间的空穴传输区域、以及在有机EML和第二电极140之 间的电子传输区域。
[0037] 空穴传输区域可包括例如空穴注入层（HIL)、空穴传输层（HTL)、缓冲层和电子阻 挡层（EBL)中的至少之一。电子传输区域可包括例如空穴阻挡层（HBL)、电子传输层（ETL) 和电子注入层（EIL)中的至少之一。
[0038]有机EML可包括铜钛菁（CuPc)、N'_二（萘-1-基）-N，N'_联苯-联苯胺（NPB)、 三（8-羟基喹啉）铝（Alq3)、聚（对苯撑乙烯）（PPV)系有机材料或聚芴系有机材料。
[0039] 包括在中间层130中的有机EML可包括发射例如红光、绿光或蓝光的有机材料。在 一实施例中，有机EML可发射白光。有机EML可包括发射红光的发光材料、发射绿光的发光 材料和发射蓝光的发光材料彼此被堆叠的结构，或发射红光、绿光和蓝光的发光材料被混 合的结构。
[0040] 颜色红、绿和蓝仅仅被提供作为示例。除红、绿和蓝的组合之外，可采用能够发射 白光的其它各种颜色的任意组合。
[0041] 第二电极140被布置在中间层130上，该第二电极140可包括顺序地布置在中间 层130上的第一层141、第二层142和第三层143。第二电极140可以是作为电子注入电极 的阴极。
[0042] 第一层141包括偶极子材料，并且可包括氟化物系化合物或氯化物系化合物。
[0043] 第一层141可以是通过隧穿（tunneling)将从第二层142和第三层143注入的电 子传输至中间层130的非导电层，并且可形成为例如薄膜以允许隧穿。
[0044] 例如，第一层141的厚度可在从约0? 5nm至约5nm的范围。当第一层141的厚度 小于约〇? 5nm时，沉积可能是困难的。可替代地，当第一层141的厚度大于约5nm时，隧穿 可能是困难的，并且可能难以将从第二层142和第三层143注入的电子传输至包括有机EML 的中间层130。
[0045] 第二层142可包括具有约3. 6eV或更小的功函数的金属、金属合金或金属氧化物。
[0046] 第一层141和第三层143之间的第二层142具有低于第三层143的功函数。如果