第三层143的功函数过高，则可能难以将电子注入到中间层130。可由具有低功函数的材料 形成的第二层142可被布置在第三层143下面，并且电子可更容易地注入到中间层130。
[0047]第二层142的厚度可在从约0? 5nm至约5nm的范围。当第二层142的厚度小于约 0. 5nm时，沉积可能是困难的。可替代地，当第二层142的厚度大于约5nm时，透射率可能降 低，并且可通过第二电极140向外部发射的光的效率可能降低。
[0048] 第三层143可包括关于大气环境具有高稳定性的导电材料，例如Ag、Al、ITO、IZO、 ZnO、ln203、IGO、AZO、纳米线和石墨稀中的至少之一。
[0049] 第三层143的厚度可在从约5nm至约30nm的范围。当第三层143的厚度小于约 5nm时，电阻可能增加。可替代地，当第三层143的厚度大于约30nm时，透射率可能降低，并 且可通过第二电极140向外部发射的光的效率可能降低。
[0050] 如上所述，第二电极140可被配置成包括第一至第三层141至143,电子注入特性 可被改善，并且驱动电压可被降低且外量子效率可被提高。
[0051] 图2图示根据另一实施例的有机发光显示设备200的示意性剖视图。
[0052] 参照图2,根据另一实施例的有机发光显不设备200可包括：基板210;第一电极 220;包括有机EML且可被布置在第一电极220上的中间层230;以及可包括第一层241、第 二层242、第三层243和可被布置在第二层242与第三层243之间的第四层244的第二电极 240 〇
[0053] 基板210可以是玻璃基板或塑料基板。第一电极220可被布置在基板210上。
[0054] 第一电极220可以是充当空穴注入电极的阳极，并且可以是反射电极。第一电极 220可包括反射金属层和透明导电氧化物层，该反射金属层可包括Ag、Mg、Al、Pt、PcUAu、 Ni、Nd、Ir和Cr中的至少之一，并且该透明导电氧化物层形成在该反射金属层上和/或下。
[0055] 透明导电氧化物层可包括ITO、IZO、ZnO、ln203、IGO和AZO中的至少之一。
[0056] 第一电极220可被形成为例如IT0/Ag/IT0的堆叠层结构。例如，Ag的厚度可以 是600A以上，以具有足够的反射率。
[0057] 中间层230可以被布置在第一电极220上。中间层230包括有机EML，并且可进一 步包括在第一电极220和有机EML之间的空穴传输区域、以及在有机EML和第二电极240 之间的电子传输区域。
[0058] 空穴传输区域可包括例如HIL、HTL、缓冲层和EBL中的至少之一。电子传输区域 可包括例如HBL、ETL和EIL中的至少之一。
[0059] 第二电极240被布置在中间层230上，该第二电极240可包括顺序地布置在中间 层230上的第一层241、第二层242、第三层243以及布置在第二层242与第三层243之间 的第四层244。第二电极240可以是作为电子注入电极的阴极。
[0060] 第一至第三层241至243可分别由氟化锂（LiF)、镱（Yb)和Ag形成。第四层244 可附加地布置在第二层242和第三层243之间，该第四层244是包括Yb和Ag的化合物的 层。
[0061] 第一层241的厚度可在从约0?5nm至约5nm的范围。当第一层241的厚度小于约 0. 5nm时，沉积可能是困难的。可替代地，当第一层241的厚度大于约5nm时，隧穿可能是困 难的，并且可能难以将从第二层242和第三层243注入的电子传输至包括有机EML的中间 层 230。
[0062] 第二层242的厚度可在从约0?5nm至约5nm的范围。当第二层242的厚度小于约 0. 5nm时，沉积可能是困难的。可替代地，当第二层242的厚度大于约5nm时，透射率可能降 低，并且可通过第二电极240向外部发射的光的效率可能降低。
[0063] 第三层243的厚度可在从约5nm至约30nm的范围。当第三层243的厚度小于约 5nm时，电阻可能增加。可替代地，当第三层243的厚度大于约30nm时，透射率可能降低，并 且可通过第二电极240向外部发射的光的效率可能降低。
[0064] 第四层244的厚度可小于第一层241和第二层242的相应厚度。
[0065] 第三层243可由Ag形成，Ag关于外部环境具有高稳定性，并且当形成为薄膜时具 有光学上极好的特性，即低电阻和高透射率。
[0066] 银（Ag)是具有4. 5eV以上的高功函数的材料。当只有第三层243或只有第一层 241和第三层243被堆叠在中间层230上时，电子可能不从第三层243注入到中间层230， 并且光可能不从有机EML发射。
[0067] 图2的有机发光显示设备200包括被布置在第三层243下面的第二层242。第二 层242可由具有低功函数（即小于Ag的功函数，例如2. 6eV)的材料，例如Yb形成。
[0068] 而且，液态Ag可具有被聚合以减少被沉积时的表面张力的特性。也就是说，Ag可 以被不均匀地沉积在表面上，可以聚合，并且可以形成多个Ag颗粒。
[0069] 在图2的有机发光显示设备200中，第二层242可被布置在可由Ag形成的第三层 243下面，并且电子可以更容易地被注入到中间层230。而且，由Yb和Ag的化合物形成的 第四层244可被布置在第二层242和第三层243之间。可由Ag形成且位于第四层244上 的第三层243，可不被聚合并且可以是均匀的。
[0070] 可降低第二至第四层242至244的片电阻值，并且各个片电阻值可以是约5 D/ cm2。
[0071] 可由LiF形成的第一层241可被布置在第二层242下面。Li具有强的偶极子特 性，允许电子相对更容易地从第二层242和第三层243被注入到中间层230。
[0072]表 1
[0073]
【主权项】
1. 一种有机发光显不设备，包括： 基板； 在所述基板上的第一电极； 在所述第一电极上且包括有机发射层的中间层；以及 第二电极，所述第二电极包括含偶极子材料的第一层、含具有3. 6eV或更小的功函数 的材料的第二层、以及含导电材料的第三层，所述第一层至所述第三层被顺序地布置在所 述中间层上。
2. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一层至所述第三层分别由氟 化锂、镱和银形成。
3. 根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述第二电极进一步包括第四层， 所述第四层位于所述第二层和所述第三层之间并且包括镱和银的化合物。
4. 根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述第二层至所述第四层的片电阻 值是5 Ω/cm2或更小。
5. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一层的厚度在0. 5nm至5nm 之间。
6. 根据权利要求5所述的有机发光显示设备，其中所述第二层的厚度在0. 5nm至5nm 之间。
7. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中所述第三层的厚度在5nm至30nm之
8. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一层包括氟化物系化合物或 氯化物系化合物。
9. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二层包括金属、金属合金或 金属氧化物。
10. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第三层包括银、铝、铟锡氧化 物、铟锌氧化物、氧化锌、氧化铟、铟镓氧化物、铝锌氧化物、纳米线和石墨烯中的至少之一。
11. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括反射金属层和 透明导电氧化物层。
12. 根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括通过顺序地 堆叠铟锡氧化物、银和铟锡氧化物形成的堆叠层结构，并且所述第一电极中银层的厚度是 600A或更大。
13. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二层的厚度在0. 5nm至5nm 之间。
14. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第三层的厚度在5nm至30nm 之间。
【专利摘要】提供了一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：基板；在所述基板上的第一电极；在所述第一电极上且包括有机发射层的中间层；以及第二电极，所述第二电极包括含偶极子材料的第一层、含具有3.6eV或更小的功函数的材料的第二层、以及含导电材料的第三层，其中所述第一层至所述第三层被顺序地布置在所述中间层上。
【IPC分类】H01L51-52, H01L27-32
【公开号】CN104851984
【申请号】CN201510062026
【发明人】尹锡奎, 金东赞, 金元钟, 金应道, 徐东揆, 宋英宇, 李钟赫
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年2月5日
【公告号】US20150236296