有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法
【专利摘要】提供了一种有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法，所述有机发光显示装置包括：基底，包括显示区域和设置在显示区域的一侧上的非显示区域；线单元，包括在一个方向上延伸的多条线，并且设置在基底上并在非显示区域中；绝缘膜，设置在线单元上并暴露线单元的一端；金属层，设置在线单元和绝缘膜之间。
【专利说明】有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法
[0001 ] 本申请要求于2015年4月14日提交的第10-2015-0052456号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002]发明构思的示例性实施例涉及一种有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法，更具体地讲，涉及在扇出线之间具有减少的短路缺陷的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。
【背景技术】
[0003]由于有机发光显示装置具有宽的视角、良好的对比度和快速的响应时间，因此有机发光显示装置的使用正在增多。在有机发光显示装置中，多个薄膜晶体管(TFT)和多个有机发光器件形成在下基底上，并且有机发光器件自发光。有机发光显示装置可以用作诸如以便携式终端为例的小型产品的显示器以及用作诸如以TV为例的大型产品的显示器。
[0004]有机发光显示装置包括基底，基底具有显示区域和位于显示区域的外部的垫(pad，或称为“焊盘”)区域。以矩阵方式连接在扫描线和数据线之间以形成像素的多个有机发光器件形成在基底的显示区域中。处理并供应通过输入垫从有机发光显示装置的外部提供的信号的扫描驱动单元和数据驱动单元以及扫描线和数据线形成在垫区域中。扫描驱动单元和数据驱动单元均包括驱动电路，驱动电路处理从有机发光显示装置的外部提供的信号以分别产生扫描信号和数据信号。驱动电路在有机发光器件的制造工艺期间形成，或者被制成单独的驱动电路芯片然后安装在基底上。
[0005]有机发光显示装置通过在形成薄膜晶体管、有机发光器件以及连接到薄膜晶体管和有机发光器件的各种线的工艺期间在基底上涂覆材料层并以期望的图案蚀刻材料层来形成显示装置。在此工艺期间，在将材料层涂覆在显示区域和整个基底上之后以期望的图案蚀刻材料层。
【发明内容】
[0006]发明构思的示例性实施例包括一种在相邻的扇出线之间具有减少的短路缺陷的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。
[0007]根据发明构思的示例性实施例，有机发光显示装置包括:基底，包括显示区域和设置在显示区域的一侧上的非显示区域;线单元，包括在一个方向上延伸的多条线，并且设置在基底上并在非显示区域中；绝缘膜，设置在线单元上并暴露线单元的一端;金属层，设置在线单元和绝缘膜之间。
[0008]在示例性实施例中，金属层以岛的形状设置在多条线中的每条线上。
[0009]在示例性实施例中，有机发光显示装置包括设置在线单元的所述一端上的第一垫单元和设置在线单元的另一端上的第二垫单元。
[0010]在示例性实施例中，第一垫单元电连接到驱动电路芯片，第二垫单元电连接到柔性印刷电路板。
[0011 ]在示例性实施例中，绝缘膜包括有机绝缘材料。
[0012]在示例性实施例中，有机发光显示装置包括设置在基底上并在显示区域中的薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。金属层和像素电极包括第一相同材料。
[0013]在示例性实施例中，有机发光显示装置包括覆盖像素电极(例如，像素电极的边缘)并暴露像素电极的中心部分的像素限定层。绝缘膜和像素限定层包括第二相同材料。
[0014]根据发明构思的示例性实施例，有机发光显示装置包括基底，基底包括显示区域、非显示区域、垫区域和扇出区域，非显示区域设置在显示区域的一侧上，垫区域形成在非显示区域的中心部分中，扇出区域设置在非显示区域中。垫区域设置在显示区域和扇出区域之间。有机发光显示装置还包括:线单元，包括设置在基底上并在扇出区域中并且在一个方向上延伸的多条线;第一绝缘膜，设置在非显示区域的除扇出区域和垫区域之外的部分中；第二绝缘膜，设置在线单元上并暴露线单元的一端。
[0015]在示例性实施例中，有机发光显示装置包括设置在线单元和第二绝缘膜之间的金属层。
[0016]在示例性实施例中，金属层以岛的形状设置在多条线中的每条线上。
[0017]在示例性实施例中，有机发光显示装置包括设置在基底上并在显示区域中的薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。金属层和像素电极包括第一相同材料。
[0018]在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括:覆盖像素电极的边缘并暴露像素电极的中心部分的像素限定层。第二绝缘膜和像素限定层包括第二相同材料。
[0019]在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括设置在薄膜晶体管和像素电极之间的平坦化层。第一绝缘膜和平坦化层包括第二相同材料。
[0020]在示例性实施例中，薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，线单元与漏电极或源电极包括第二相同材料。
[0021]在示例性实施例中，有机发光显示装置包括设置在线单元的所述一端上的第一垫单元和设置在线单元的另一端上的第二垫单元。
[0022]在示例性实施例中，第一垫单元电连接到驱动电路芯片，第二垫单元电连接到柔性印刷电路板。
[0023]在示例性实施例中，第一绝缘膜和第二绝缘膜包括有机绝缘材料。
[0024]根据发明构思的示例性实施例，制造有机发光显示装置的方法包括在基底上并在基底的扇出区域中形成在一个方向上延伸的多条线。基底包括显示区域、非显示区域、扇出区域、垫区域和围绕区域，非显示区域设置在显示区域的一侧上，扇出区域设置在非显示区域中，垫区域形成在非显示区域的中心部分中并设置在显示区域和扇出区域之间，围绕区域设置在非显示区域的除垫区域和扇出区域之外的部分中。该方法还包括在基底上并在围绕区域中形成第一绝缘膜。形成在扇出区域中的多条线从第一绝缘膜暴露。该方法还包括:在多条线中的每条线上形成金属层；以及在金属层上形成第二绝缘膜。第二绝缘膜覆盖多条线并暴露多条线中的每条线的位于垫区域中的一端。
[0025]在示例性实施例中，形成第一绝缘膜的步骤包括:在基底上涂覆第一绝缘材料层；以及去除在垫区域和扇出区域中形成的第一绝缘材料层。
[0026]在示例性实施例中，形成金属层的步骤包括在多条线中的每条线上以岛的形状形成金属层。
[0027]在示例性实施例中，形成第二绝缘膜的步骤包括:在基底上涂覆第二绝缘材料层以覆盖金属层、多条线和第一绝缘膜；以及去除在垫区域和围绕区域中形成的第二绝缘材料层。
[0028]在示例性实施例中，该方法还包括:在显示区域中形成薄膜晶体管；以及形成电连接到薄膜晶体管的像素电极。在与形成像素电极基本相同的第一时间执行形成金属层的步骤。
[0029]在示例性实施例中，该方法还包括形成覆盖像素电极的边缘并暴露像素电极的中心部分的像素限定层。在与形成像素限定层基本相同的第二时间执行形成第二绝缘膜的步骤。
[0030]在示例性实施例中，该方法还包括在形成薄膜晶体管之后并在形成像素电极之前形成平坦化层。在与形成平坦化层基本相同的时间执行形成第一绝缘膜的步骤。
[0031]在示例性实施例中，形成薄膜晶体管的步骤包括:形成半导体层;形成栅电极；以及形成电连接到半导体层的源电极和漏电极。在与形成源电极或漏电极基本相同的时间执行形成所述多条线的步骤。
[0032]在示例性实施例中，该方法还包括:将多条线中的每条线的所述一端电连接到驱动电路芯片；以及将多条线中的每条线的另一端电连接到柔性印刷电路板。
[0033]在示例性实施例中，第一绝缘膜和第二绝缘膜包括有机绝缘材料。
[0034]根据发明构思的示例性实施例，制造有机发光显示装置的方法包括在基底的非显示区域中形成包括在一个方向上延伸的多条线的线单元。基底包括显示区域和设置在显示区域的一侧上的非显示区域。该方法还包括在线单元上形成绝缘膜。绝缘膜暴露线单元的一端。该方法还包括形成设置在线单元和绝缘膜之间的金属层。
[0035]在示例性实施例中，该方法还包括:在基底上并在显示区域中形成薄膜晶体管；以及形成电连接到薄膜晶体管的像素电极。金属层和像素电极包括第一相同材料。
[0036]在示例性实施例中，该方法还包括形成像素限定层。像素限定层覆盖像素电极的边缘并暴露像素电极的中心部分。绝缘膜和像素限定层包括第二相同材料。
[0037]发明构思的示例性实施例可以使用例如系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的组合来实现。
【附图说明】
[0038]通过参照附图详细描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中:
[0039]图1是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图。
[0040]图2是示出根据发明构思的示例性实施例的图1的垫区域的放大平面图。
[0041]图3是示出根据发明构思的示例性实施例的图2的区域III的放大平面图。
[0042]图4是根据发明构思的示例性实施例的沿图3的线IV-1V’截取的示意性剖视图。
[0043]图5是根据发明构思的示例性实施例的图1的显示区域的一部分的示意性剖视图。
[0044]图6A至图SB是示出根据发明构思的示例性实施例的制造图4的有机发光显示装置的方法的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0045]在下文中将参照附图更充分地描述发明构思的示例性实施例。在附图中，为了清楚，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸以及厚度。在整个附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。
[0046]将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个区分开。因此，示例性实施例中的“第一”元件可以被描述为另一示例性实施例中的“第二”元件。除非上下文清楚地另有表明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
[0047]在下面的示例中，X轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，X轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示互不垂直的不同的方向。
[0048]当可以不同地实现特定的实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时地执行，或者按照与所描述的顺序相反的顺序执行。
[0049]为了便于描述，在这里可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下面的”、“在……之下”、“在…上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除在附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件随后将被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……之下”可包括上方和下方两种方位。
[0050]将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的组件被称作“在”另一组件“上”、“连接至IJ”、“结合到”或“邻近于”另一组件时，该组件可直接在所述另一组件上、直接连接到、直接结合到或直接邻近于所述另一组件，或者可以存在中间组件。还将理解的是，当组件被称作“在”两个组件“之间”时，该组件可以是所述两个组件之间的唯一组件，或者也可以存在一个或更多个中间组件。还将理解的是，当组件被称作“覆盖”另一组件时，该组件可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者也可以有一个或更多个中间组件覆盖所述另一组件。
[0051]在这里，当两个或更多个元件或值被描述为彼此基本相同或彼此大约相等时，将理解的是，如本领域普通技术人员将理解的，所述元件或值彼此相同、彼此不能区分或彼此可区分，但在功能上彼此相同。此外，当两个工艺被描述为同时执行或彼此基本在同一时间执行时，将理解的是，如本领域普通技术人员将理解的，所述工艺可以精确地同时执行或者在大约同一时间执行。此外，当第一区域被描述为围绕第二区域时，将理解的是，第一区域可以完全地或部分地围绕第二区域。
[0052]图1是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图。图2是示出根据发明构思的示例性实施例的图1的垫区域PA的放大平面图。图3是示出根据发明构思的示例性实施例的图2的区域III的放大平面图。
[0053]参照图1至图3，根据示例性实施例的有机发光显示装置可以包括基底100、有机发光器件OLED 200、线单元300、第一绝缘膜175、第二绝缘膜185和金属层215，基底100包括显示区域DA和设置在显示区域DA的一侧上的非显示区域NDA，有机发光器件OLED 200设置在显示区域DA中，线单元300设置在非显示区域NDA中，第一绝缘膜175设置在非显示区域NDA的除线单元300之外的部分中，第二绝缘膜185设置在线单元300上，金属层215设置在线单元300的扇出线165上。
[0054]基底100可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。非显示区域可以设置在显示区域DA的一侧。多个像素PX可以设置在显示区域DA中。信号线可以包括在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的栅极线GL和在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的数据线DL。像素PX可以设置在栅极线GL和数据线DL彼此交叉的区域中。
[0055]栅极线GL可以包括前一条扫描线、发光控制线等。然而，栅极线GL不限于此。栅极线GL可以连接到栅极驱动单元或发光控制驱动单元以接收扫描信号或发光控制信号。在这点上，以上描述的栅极线GL中包括的信号线的类型、通过信号线传输的信号的类型以及信号线连接到的驱动单元的类型、数量和位置等不限于此，并且可以根据具有不同设计的示例性实施例来以各种方式应用和修改。
[0056]数据线DL可以通过垫和扇出线连接到安装在非显示区域NDA中的驱动电路芯片400。数据线DL可以通过扇出线从驱动电路芯片400接收数据信号。
[0057]如上面所描述的，像素PX可以设置在栅极线GL和数据线DL彼此交叉的区域中。像素PX可以发射例如红光、绿光或蓝光。然而，像素PX不限于此。例如，像素PX可以发射白光。
[0058]像素PX可以包括发射亮度与驱动电流(与数据信号对应)对应的光的有机发光器件OLED 200和控制流过有机发光器件OLED 200的驱动电流的像素电路(或驱动电路)。像素电路可以连接到栅极线GL和数据线DL中的每条线。有机发光器件OLED 200可以连接到像素电路。如图5中所示，像素电路可以包括至少一个薄膜晶体管TFT和电容器CAP。
[0059]参照非显示区域NDA，在该区域中不显示图像，并且各种构件和用于驱动有机发光显示装置的其它模块可以安装在非显示区域NDA上。例如，非显示区域NDA的中心部分可以包括垫区域PA、扇出区域FA和围绕区域SA，垫区域PA上安装有驱动电路芯片400，扇出区域FA关于垫区域PA与显示区域DA相对地设置(例如，垫区域PA设置在显示区域DA和扇出区域FA之间)并且包括电连接到柔性印刷电路板(FPCB) 500的扇出线165，围绕区域SA围绕垫区域PA和扇出区域FA。
[0060]基底100可以由诸如以玻璃材料、金属材料或塑料材料(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺等)为例的各种材料形成。然而，基底100不限于此。
[0061 ] 参照图2，线单元300可以设置在非显示区域NDA的扇出区域FA中并且可以包括扇出线165。扇出线165可以沿一个方向(例如，Y轴方向)设置并且可以延伸到基底100的外部。
[0062]线单元300的一端165a可以延伸到垫区域PA。线单元300的所述一端165a指的是线单元300的多条扇出线165的端部165a。因此，多条扇出线165中的每条扇出线的一端165a可以延伸到垫区域PA。第一垫单元163可以设置在线单元300的所述一端165a上。线单元300的另一端165b可以延伸到基底100的外部。第二垫单元167可以设置在线单元300的另一端165b上并连接到线单元300的另一端165b。第一垫单元163可以是驱动电路芯片400的连接端子所电连接到的部件。第二垫单元167可以是FPCB 500的连接端子所电连接到的部件。第一垫单元163和第二垫单元167可以从扇出线165延伸并且可以将扇出线连接到驱动电路芯片400和FPCB 500。
[0063]线单元300可以由与将在下面进一步详细描述的薄膜晶体管TFT的源电极(见图5的160)或漏电极(见图5的162)的材料相同的材料形成。因此，根据示例性实施例，线单元300与薄膜晶体管TFT的源电极160和漏电极162同时形成。即，根据示例性实施例，线单元300以及薄膜晶体管TFT的源电极160和漏电极162基本同时形成。
[0064]第一绝缘膜175可以设置在非显示区域NDA的除扇出区域FA和垫区域PA之外的部分中。例如，第一绝缘膜175可以形成在非显示区域NDA的围绕区域SA中。第一绝缘膜175可以包括与将在下面进一步描述的形成在显示区域DA中的平坦化层(见图5的170)的材料相同的材料。因此，第一绝缘膜175可以在被形成在整个基底100上的显示区域DA和非显示区域NDA的上方之后被图案化。第一绝缘膜175可以由有机绝缘材料形成，并且可以使设置在围绕区域SA中的各种结构与外部绝缘。
[0065]第二绝缘膜185可以设置在其中设置有线单元300的扇出区域FA中。即，第二绝缘膜185可以设置在线单元300上并且可以覆盖线单元300，并且可以暴露线单元300的其上设置有第一垫单元163的所述一端165a。例如，线单元300的所述一端165a可以从第二绝缘膜185暴露，使第一垫单元163设置在所述一端165a上并连接到所述一端165a。第二绝缘膜185可以包括与将在下面进一步描述的形成在显示区域DA中的像素限定层(见图5的180)的材料相同的材料。因此，第二绝缘膜185可以在被形成在整个基底100上的显示区域DA和非显示区域NDA的上方之后被图案化。第二绝缘膜185可以由有机绝缘材料形成，并且可以使线单元300与外部绝缘。
[0066]第一绝缘膜175可以设置在非显示区域NDA的围绕区域SA中，第二绝缘膜185可以设置在非显示区域NDA的扇出区域FA中，并且第一绝缘膜175和第二绝缘膜185可以不设置在非显示区域NDA的垫区域PA中。垫区域PA是未设置有第一绝缘膜175和第二绝缘膜185的敞开区域。扇出线165的所述一端165a和从扇出线165的所述一端165a延伸的第一垫单元163可以暴露于外部。
[0067]金属层215可以设置在线单元300中包括的每条扇出线165上。如图3中所示，金属层215可以以岛(island)型设置在每条扇出线165上。例如，金属层215可以具有在每条扇出线165上设置的岛的形状，使得金属层215设置在扇出线165的边界内。即，岛状的金属层215的边缘/边可以设置在扇出线165内而不与扇出线165的边缘/边接触(例如，在平面图中，金属层215的每个边缘/边与扇出线165的每个边缘/边之间可以存在空间)。金属层215可以具有例如矩形的岛的形状。然而，金属层215不限于此。金属层215可以包括与将在下面进一步描述的形成在显示区域DA中的像素电极(见图5的210)的材料相同的材料。因此，可以在整个基底100上在显示区域DA和非显示区域NDA上方形成用于形成像素电极210的材料、对该材料图案化并保留像素电极210的图案和诸如金属层215的各种图案、并且蚀刻不必要的部分之后，形成金属层215。金属层215可以设置在每条扇出线165上，这可以增大被设计成具有小宽度的扇出线165的厚度，从而减小扇出线165的电阻。
[0068]驱动电路芯片400可以包括向数据线DL供应数据信号的数据驱动单元和用于驱动显示区域DA的各种功能单元。驱动电路芯片400可以使用例如玻璃覆晶(COG)安装方式来安装在基底100上。电连接到包括第一垫单元163 (形成在基底100上)的垫的连接端子可以设置在驱动电路芯片400的一侧上。导电球可以利用例如置于垫和连接端子之间的可电连接粘合材料来设置在垫和连接端子之间，以使垫与连接端子结合。例如，各向异性导电膜、自组织导电膜等可以用作粘合材料。然而，粘合材料不限于此。
[0069]图4是根据发明构思的示例性实施例的沿图3的线IV-1V’截取的示意性剖视图。
[0070]图4中示出根据示例性实施例的包括有机发光显示装置的扇出线165的非显示区域NDA的一部分的放大详细图。
[0071]参照图3和图4，包括在线单元300中的扇出线165可以设置在基底100的扇出区域FA中。根据示例性实施例，线单元300可以直接设置在基底100上，或者可以在基底100和线单元300之间设置各种层。例如，缓冲层(见图5的110)、栅极绝缘膜(见图5的130)和层间绝缘膜(见图5的150)中的至少一个可以设置在基底100和线单元300之间。为了便于解释，线单元300被示出为直接设置在基底100上。然而，如上面所描述的，示例性实施例不限于此。
[0072]根据示例性实施例，第二绝缘膜185设置在扇出线165上。此外，根据示例性实施例，第二绝缘膜185设置在线单元300上，覆盖扇出线165并暴露扇出线165的所述一端165a。第二绝缘膜185可以包括与将在下面进一步描述的形成在显示区域DA中的像素限定层180的材料相同的材料。因此，第二绝缘膜185可以在被形成在整个基底100上的显示区域DA和非显示区域NDA的上方之后被图案化。第二绝缘膜185可以由有机绝缘材料形成，并且可以使线单元300与外部绝缘。
[0073]金属层215可以设置在线单元300和第二绝缘膜185之间。金属层215可以直接设置在扇出线165上以与扇出线165接触。金属层215可以不连接到任何线或器件，并且可以以岛的形状设置在扇出线165上，如上面描述的。金属层215可以直接设置在扇出线165上，这可以增大扇出线165的厚度，从而减小线单元300的被设计为具有小宽度的扇出线165的电阻。金属层215可以包括与下面将进一步描述的形成在显示区域DA中的像素电极210的材料相同的材料。
[0074]第一绝缘膜175可以设置在基底100的围绕区域SA中。根据示例性实施例，第一绝缘膜175可以直接设置在基底100上，或者可以在基底100和第一绝缘膜175之间设置各种层。例如，缓冲层110、栅极绝缘膜130和层间绝缘膜150中的至少一个可以设置在基底100和第一绝缘膜175之间。为了便于解释，第一绝缘膜175被示出为直接设置在基底100上。然而，如上面所描述的，示例性实施例不限于此。
[0075]第一绝缘膜175可以在非显示区域NDA中设置在除扇出区域FA和垫区域PA之外的部分中。例如，第一绝缘膜175可以设置在非显示区域NDA的围绕区域SA中。即，在示例性实施例中，第一绝缘膜175可以形成在除扇出区域FA和垫区域PA之外的整个非显示区域中。第一绝缘膜175可以包括与将在下面进一步描述的形成在显示区域DA中的平坦化层170的材料相同的材料。因此，第一绝缘膜175可以在被形成在整个基底100上的显示区域DA和非显示区域NDA的上方之后被图案化。第一绝缘膜175可以由有机绝缘材料形成，并且可以使设置在围绕区域SA中的各种结构与外部绝缘。
[0076]参照对比示例，通过对在一个工艺期间在扇出区域FA和围绕区域SA中形成的同一绝缘膜图案化来形成非显示区域NDA。通常，在对比示例中，薄膜晶体管TFT的栅电极140、源电极160或漏电极162可以用于形成扇出区域FA的线单元300，设置在薄膜晶体管TFT上的平坦化层170可以用于设置扇出区域FA和围绕区域SA中的绝缘膜。绝缘膜被图案化为暴露扇出线165的一端165a，结果，在绝缘膜的边缘和扇出线165之间会形成台阶槽169。在形成绝缘膜之后，执行在绝缘膜上涂覆形成像素电极210的材料并蚀刻形成像素电极210的材料(形成在非显示区域NDA中)的工艺。在这种情况下，具有相对高还原倾向的金属会因形成线单元300的金属和形成像素电极210的金属之间的还原倾向差引起的电偶效应(galvaniceffect)而被还原。在这种情况下，被还原的金属颗粒聚集在绝缘膜的边缘和扇出线165之间的台阶槽169中。如果向扇出线165施加电压，则金属颗粒会弓I起相邻线之间的短路缺陷。此外，扇出线165被设计为在相邻的扇出线165之间具有非常小的间隙，因此，扇出线165容易发生这种情况。
[0077]在这点上，根据发明构思的示例性实施例，在围绕区域SA中设置第一绝缘膜175和在扇出区域FA中设置第二绝缘膜185并且蚀刻形成像素电极210的材料的工艺期间，有机发光显示装置去除由绝缘膜引起的台阶，从而防止被还原的金属颗粒聚集在绝缘膜的边缘和扇出线165之间的台阶槽169中。结果，可以显著减少相邻线之间的短路缺陷。根据示例性实施例，金属层215可以直接形成在每条扇出线165上，从而增大线的厚度。因此，可以减小线单元300的被设计为具有小宽度的扇出线165的电阻。
[0078]图5是根据发明构思的示例性实施例的图1的显示区域DA的一部分的示意性剖视图。
[0079]参照图1和图5，多个像素PX可以设置在根据示例性实施例的有机发光显示装置的显示区域DA中。每个像素PX可以包括薄膜晶体管TFT和电连接到薄膜晶体管TFT的有机发光器件OLED 200。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层120(包括例如非晶硅、多晶硅或有机半导体材料)、栅电极140、源电极160和漏电极162。有机发光器件OLED 200可以包括像素电极210、中间层220(包括例如发射层(EML))和对电极230。在下文中，将详细描述薄膜晶体管TFT和有机发光器件OLED 200的大体构造。
[0080]可由氧化硅或氮化硅形成的缓冲层110可以设置在基底100上，以使基底100的表面平坦化或防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120中。半导体层120可以设置在缓冲层110上。
[0081]栅电极140可以设置在半导体层120上。源电极160和漏电极162可以根据施加到栅电极140的信号来彼此电连接。考虑到例如与邻近于栅电极140的层的粘合性、堆叠在栅电极140上的堆叠层的表面平整度以及加工性，栅电极140可以形成为单层或多层，并且可以由例如从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种或更多种材料形成。
[0082]在这点上，为了确保半导体层120和栅电极140之间绝缘，可以由氧化硅和/或氮化硅形成的栅极绝缘膜130可以设置在半导体层120和栅电极140之间。
[0083]层间绝缘膜150可以设置在栅电极上。层间绝缘膜150可以形成为单层或多层，并且可以由诸如以氧化硅或氮化硅为例的材料形成。
[0084]源电极160和漏电极162可以设置在层间绝缘膜150上。源电极160和漏电极162可以通过形成在层间绝缘膜150和栅极绝缘膜130中的接触孔而电连接到半导体层120。源电极160和漏电极162可以形成为单层或多层。考虑到例如导电性，源电极160和漏电极162可以由例如从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种或更多种材料形成。
[0085]线单元300可以与形成显示区域DA的薄膜晶体管TFT的工艺同时地形成在非显示区域NDA的扇出区域FA中。即，线单元300可以与在显示区域DA中形成薄膜晶体管TFT基本同时地形成在非显示区域NDA的扇出区域FA中。因此，线单元300可以由与薄膜晶体管TFT的栅电极140、源电极160或漏电极162的材料相同的材料形成。
[0086]可以设置保护膜，以覆盖薄膜晶体管TFT，从而保护具有以上描述的结构的薄膜晶体管TFT。保护膜可以由例如以氧化硅、氮化硅或氮氧化硅为例的无机材料形成。然而，保护膜不限于此。
[0087]平坦化层170可以设置在基底100上。平坦化层170大体上可以使薄膜晶体管TFT的顶表面平坦化，并且当有机发光器件OLED 200设置在薄膜晶体管TFT上时可以保护薄膜晶体管TFT和各种器件。平坦化层170可以由例如丙烯酰类有机材料或苯并环丁烯(BCB)形成。在这点上，如图5中所示，缓冲层110、栅极绝缘膜130、层间绝缘膜150和平坦化层170可以形成在整个基底100上。
[0088]如上面所描述的，第一绝缘膜175可以与形成显示区域DA的平坦化层170的工艺同时地(例如，基本同时地)形成在非显示区域NDA的围绕区域SA中。因此，第一绝缘膜175可以由与以上描述的平坦化层170的材料相同的材料形成。
[0089]像素限定层180可以设置在薄膜晶体管TFT上。像素限定层180可以设置在以上描述的平坦化层170上并且可以具有开口。像素限定层180可以在基底100上限定像素区域。
[0090]像素限定层180可以被设置为例如有机绝缘层。有机绝缘层可以包括诸如以聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)为例的丙烯酰类聚合物、聚苯乙烯(PS)、含酚基的聚合物衍生物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物和它们的组合。然而，有机绝缘层不限于此。
[0091]如上面所描述的，第二绝缘膜185可以与形成显示区域DA的像素限定层180的工艺同时地(例如，基本同时地)形成在非显示区域NDA的扇出区域FA中。因此，第二绝缘膜185可以由与像素限定层180的材料相同的材料形成。
[0092]有机发光器件OLED 200可以设置在像素限定层180上。有机发光器件OLED 200可以包括像素电极210、包括EML的中间层220和对电极230。
[0093]像素电极210可以形成为例如(半)透明电极或反射电极。当像素电极210形成为(半)透明电极时，像素电极210可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(Ιη203)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)形成。当像素电极210形成为反射电极时，像素电极210可以包括由六8、1%^1^?(1^11、祖、制、1^0和它们的组合形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，像素电极210可以由各种材料形成。此外，像素电极210的结构可以通过各种修改而包括单层或多层。
[0094]如上面所描述的，金属层215可以与形成显示区域DA的像素电极210的工艺同时地(例如，基本同时地)形成在非显示区域NDA中的每条扇出线165上。因此，金属层215可以由与像素电极210的材料相同的材料形成。
[0095]中间层220可以设置在由像素限定层180限定的像素区域中。中间层220可以包括根据电信号发光的EML。除EML之外，设置在EML与像素电极210之间的空穴注入层(HIL)、设置在对电极230与HTL和EML之间的电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)可以以单一结构或复合结构堆叠并形成。然而，中间层220不限于此，并且可以具有各种结构。
[0096]中间层220可以由低分子量的有机材料或聚合物有机材料形成。
[0097]当中间层220包括低分子量的有机材料时，可以相对于EML堆叠HTL、HIL、ETL和ER。另外，可以堆叠各种其它层。中间层220可以使用诸如以铜钛菁(CuPc)、N，N’-二(萘-卜基)-N，N’_二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)为例的各种材料来作为可用的有机材料。
[0098]当中间层220包括聚合物有机材料时，除中间层220之外可以设置HTL13HTL可以使用聚-(3，4)_乙撑-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在这种情况下，中间层220可以使用诸如以聚(对苯撑乙烯撑)(PPV)类聚合物材料和聚芴类聚合物材料为例的聚合物有机材料作为可用的有机材料。此外，无机材料可以设置在中间层220与像素电极210和对电极230之间。
[0099]在这种情况下，HTL、HIL、ETL和EIL可以一体地形成在整个基底100上。在示例性实施例中，仅EML可以以喷墨印刷工艺形成在每个像素中。甚至在这种情况下，HTL、HIL、ETL和EIL也可以设置在凹陷部中。
[0100]覆盖包括EML的中间层220并与像素电极210相对的对电极230可以设置在整个基底100上。对电极230可以形成为例如(半)透明电极或反射电极。
[0101]当对电极230形成为(半)透明电极时，对电极230可以包括例如由具有小逸出功的金属(例如，1^、0&、1^?/^&、1^?/^1^1^8、1%和它们的组合)形成的层和由11'0、120、2110或In2O3形成的(半)透明导电层。当对电极230形成为反射电极时，对电极230可以包括例如由1^、0&、1^/^、1^/^1^1^8、1%和它们的组合形成的层。然而，对电极230的结构和材料不限于此，并且可以不同地修改。
[0102]图6A至图SB是示出根据发明构思的示例性实施例的制造图4的有机发光显示装置的方法的示意性剖视图。
[0103]参照图6A至图8B，示例性实施例的基底100可以包括非显示区域NDA，非显示区域NDA包括形成在中心部分中的垫区域PA、关于垫区域PA设置在与设置有显示区域DA的一侧相对的一侧处的扇出区域FA以及除垫区域PA和扇出区域FA之外的围绕区域SA。显示区域DA可以形成在基底100的大部分上，非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的一侧处。
[0104]参照图6A和图6B，可以执行在基底100上形成扇出线165的操作，如图6A中所示。例如，可以在非显不区域NDA的扇出区域FA中设置扇出线165。扇出线165的一端165a可以延伸到垫区域PA。参照图2，可以在扇出线165的一端处形成第一垫单元163。
[0105]尽管在图6A至图8B中扇出线165被示出为直接形成在基底100上，但示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，可以在基底100和扇出线165之间设置各种层。例如，可以在基底100和扇出线165之间设置缓冲层110、栅极绝缘膜130和层间绝缘膜150中的至少一个。
[0106]如上面所描述的，可以与在显示区域DA中形成薄膜晶体管TFT的工艺同时地(例如，基本同时地)形成扇出线165。即，可以与形成薄膜晶体管TFT的栅电极140、源电极160或漏电极162的工艺基本同时地形成扇出线165。
[0107]之后，可以执行在扇出线165上涂覆第一绝缘材料层175’的操作。第一绝缘材料层175’可以包括与设置在显示区域DA中的平坦化层170的材料相同的材料。因此，可以与形成平坦化层170的操作同时地(例如，基本同时地)执行涂覆第一绝缘材料层175’的操作。第一绝缘材料层175’可以包括有机绝缘材料，并且可以由例如丙烯酰类有机材料或苯并环丁烯(BCB)形成。在示例性实施例中，在形成薄膜晶体管TFT之后并且在形成像素电极210之前形成平坦化层170。
[0108]之后，如图6B中所示，可以执行对第一绝缘材料层175’图案化并部分地蚀刻第一绝缘材料层175’的操作。即，可以去除涂覆在基底100的整个表面上并形成在垫区域PA和扇出区域FA中的第一绝缘材料层175’。因此，第一绝缘膜175可以设置在围绕区域SA中，并且扇出线165可以通过第一绝缘膜175暴露。
[0109]在对比示例中，当在扇出线165上形成第一绝缘膜175时，会在扇出线165和第一绝缘膜175之间形成台阶槽。此外，在形成金属层215(将在下面进一步描述)的操作中，由蚀刻产生的金属离子会由于金属离子与形成扇出线165的金属材料之间的还原倾向差而被还原。结果，金属颗粒会聚集在先前形成的扇出线165和第一绝缘膜175的台阶槽中，这会引起相邻线之间的短路。
[0110]根据发明构思的示例性实施例，如上面所描述的，可以去除形成在扇出线165上的第一绝缘材料层175’，从而防止在制造工艺期间金属离子被还原和聚集在台阶部中。
[0111]参照图7A和图7B，可以执行在每条扇出线165上形成金属层215的操作。
[0112]如图7A所示，可以在基底100上并在非显示区域NDA中涂覆金属材料层215’。可以与形成显示区域DA的像素电极210的工艺同时地(例如，基本同时地)形成金属材料层215’。即，可以与有机发光器件OLED 200的像素电极210同时地(例如，基本同时地)形成金属层215。因此，金属层215可以包括与像素电极210的材料相同的材料。例如，金属层215可以包括由厶8、1^、厶1^?(1、厶11、祖、制、&、(^和它们的组合形成的反射层以及由11'0、120、2110、In203、IG0或AZO形成的层，并且可以形成为单层或多层。
[0113]然后，如图7B中所示，可以执行通过对涂覆在基底100上的非显示区域NDA中的金属材料层215’图案化来形成金属层215的操作。即，可以通过仅保留金属材料层215’的设置在每条扇出线165上的部分并去除金属材料层215’的剩余部分来形成金属层215。可以在去除金属材料层215’的工艺中使用腐蚀金属的蚀刻剂。
[0114]可以参照线层形成为Ti/Al/Ti的复合层并且金属层215包括Ag的示例来描述此工艺。如上面所描述的，在去除金属材料层215’的工艺期间，可以通过蚀刻剂使Ag离子化。在这点上，通过Ag+离子与包括在下面的线层中的异种金属的相遇，会产生电偶效应。因此，Ag+离子可以被还原以形成Ag颗粒。Ag颗粒聚集在下面的层结构的台阶槽中。因此，为了防止Ag颗粒聚集在下面的层结构的台阶槽中，在示例性实施例中，在金属层215之前去除形成在扇出线165上的第一绝缘膜175，之后，可以利用在金属层215之后形成的第二绝缘膜185来覆盖扇出线165。结果，可以防止金属层215的蚀刻期间产生的金属颗粒聚集在台阶槽中，从而减少相邻线之间的短路缺陷。
[0115]可以在每条扇出线165上以岛的形状形成金属层215，并且可以不将金属层215连接到任何器件或线。如上面所描述的，金属层215可以直接设置在扇出线165上，这可以增大扇出线165的厚度，从而减小线单元300的被设计为具有小宽度的扇出线165的电阻。金属层215可以包括与形成在显示区域DA中的像素电极210的材料相同的材料。
[0116]参照图8A和图8B，可以执行在金属层215上形成第二绝缘膜185以覆盖扇出线165并暴露扇出线165的位于垫区域PA上的一端165a的操作。
[0117]如图8A中所示，可以执行在基底100上并在非显示区域NDA中涂覆第二绝缘材料层185’以覆盖金属层215、扇出线165和第一绝缘膜175的操作。可以与显示区域DA的像素限定层180同时地(例如，基本同时地)形成第二绝缘材料层185’。因此，第二绝缘材料层185’可以包括与像素限定层180的材料相同的材料。因此，第二绝缘材料层185’可以包括有机绝缘材料。例如，有机绝缘材料可以包括诸如以聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)为例的丙烯酰类聚合物、聚苯乙烯(PS)、含酚基的聚合物衍生物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物和它们的组合。
[0118]之后，如图8B中所示，可以执行去除涂覆在基底100上的围绕区域SA和垫区域PA中的第二绝缘材料层185’的操作。在此工艺期间，可以通过第二绝缘膜185将扇出线165的延伸到垫区域PA上的一端165a暴露于外部。
[0119]如上面所描述的，根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置，通过在围绕区域SA中设置第一绝缘膜175和在扇出区域FA中设置第二绝缘膜185，在蚀刻形成像素电极210的材料的工艺期间，可以去除因设置在扇出线165上的绝缘膜而产生的台阶，从而减少金属颗粒聚集在绝缘膜的边缘和扇出线165之间的台阶槽169中的发生。因此，可以显著减少相邻线之间的短路缺陷。金属层215可以直接形成在每条扇出线165上，从而增加线的厚度。因此，可以减小线单元300的被设计为具有小宽度的扇出线165的电阻。
[0120]如上面所描述的，根据发明构思的示例性实施例，提供了相邻扇出线之间的短路缺陷最小化的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。
[0121]尽管已经参照本发明构思的示例性实施例具体地示出并描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括: 基底，包括显示区域和非显示区域； 线单元，包括多条线，并且设置在所述基底上并在所述非显示区域中； 绝缘膜，设置在所述线单元上并暴露所述线单元的一端；以及 金属层，设置在所述线单元和所述绝缘膜之间。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述金属层以岛的形状设置在所述多条线中的每条线上。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括设置在所述线单元的所述一端上的第一垫单元和设置在所述线单元的另一端上的第二垫单元。4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一垫单元电连接到驱动电路芯片，所述第二垫单元电连接到柔性印刷电路板。5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述绝缘膜包括有机绝缘材料。6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括: 薄膜晶体管，设置在所述基底上并在所述显示区域中；以及 像素电极，电连接到所述薄膜晶体管， 其中，所述金属层和所述像素电极包括相同的材料。7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括: 像素限定层，覆盖所述像素电极并暴露所述像素电极的中心部分， 其中，所述绝缘膜和所述像素限定层包括相同的材料。8.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括: 基底，包括显示区域、非显示区域、垫区域和扇出区域，所述垫区域形成在所述非显示区域的中心部分中，所述扇出区域设置在所述非显示区域中，其中，所述垫区域设置在所述显示区域和所述扇出区域之间； 线单元，包括设置在所述基底上并在所述扇出区域中的多条线； 第一绝缘膜，设置在所述非显示区域的除所述扇出区域和所述垫区域之外的部分中；以及 第二绝缘膜，设置在所述线单元上并暴露所述线单元的一端。9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括设置在所述线单元和所述第二绝缘膜之间的金属层。10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述金属层以岛的形状设置在所述多条线中的每条线上。11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括: 薄膜晶体管，设置在所述基底上并在所述显示区域中；以及 像素电极，电连接到所述薄膜晶体管， 其中，所述金属层和所述像素电极包括相同的材料。12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括覆盖所述像素电极并暴露所述像素电极的中心部分的像素限定层， 其中，所述第二绝缘膜和所述像素限定层包括相同的材料。13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括设置在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的平坦化层， 其中，所述第一绝缘膜和所述平坦化层包括相同的材料。14.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，所述线单元与所述漏电极或所述源电极包括相同的材料。15.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括设置在所述线单元的所述一端上的第一垫单元和设置在所述线单元的另一端上的第二垫单元。16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述第一垫单元电连接到驱动电路芯片，所述第二垫单元电连接到柔性印刷电路板。17.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括有机绝缘材料。18.—种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括以下步骤: 在基底上并在所述基底的扇出区域中形成多条线，其中，所述基底包括显示区域、非显示区域、所述扇出区域、垫区域和围绕区域，所述扇出区域设置在所述非显示区域中，所述垫区域形成在所述非显示区域的中心部分中并设置在所述显示区域和所述扇出区域之间，所述围绕区域设置在所述非显示区域的除所述垫区域和所述扇出区域之外的部分中； 在所述基底上并在所述围绕区域中形成第一绝缘膜，其中，形成在所述扇出区域中的所述多条线从所述第一绝缘膜暴露； 在所述多条线中的每条线上形成金属层；以及 在所述金属层上形成第二绝缘膜，其中，所述第二绝缘膜覆盖所述多条线并暴露所述多条线中的每条线的位于所述垫区域中的一端。19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述第一绝缘膜的步骤包括: 在所述基底上涂覆第一绝缘材料层；以及 去除在所述垫区域和所述扇出区域中形成的所述第一绝缘材料层。20.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述金属层的步骤包括在所述多条线中的每条线上以岛的形状形成所述金属层。21.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述第二绝缘膜的步骤包括: 在所述基底上涂覆第二绝缘材料层以覆盖所述金属层、所述多条线和所述第一绝缘膜，以及 去除在所述垫区域和所述围绕区域中形成的所述第二绝缘材料层。22.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括: 在所述显示区域中形成薄膜晶体管；以及 形成电连接到所述薄膜晶体管的像素电极， 其中，与形成所述像素电极同时地执行形成所述金属层的步骤。23.根据权利要求22所述的方法，所述方法还包括形成覆盖所述像素电极并暴露所述像素电极的中心部分的像素限定层， 其中，与形成所述像素限定层同时地执行形成所述第二绝缘膜的步骤。24.根据权利要求22所述的方法，所述方法还包括在形成所述薄膜晶体管之后并在形成所述像素电极之前形成平坦化层， 其中，与形成所述平坦化层同时地执行形成所述第一绝缘膜的步骤。25.根据权利要求22所述的方法，其中，形成所述薄膜晶体管的步骤包括: 形成半导体层； 形成栅电极；以及 形成电连接到所述半导体层的源电极和漏电极， 其中，与形成所述源电极或所述漏电极同时地执行形成所述多条线的步骤。26.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括: 将所述多条线中的每条线的所述一端连接到驱动电路芯片；以及 将所述多条线中的每条线的另一端连接到柔性印刷电路板。27.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括有机绝缘材料。28.—种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括以下步骤: 在基底的非显示区域中形成包括多条线的线单元，其中，所述基底包括显示区域和所述非显示区域； 在所述线单元上形成绝缘膜，其中，所述绝缘膜暴露所述线单元的一端；以及 形成设置在所述线单元和所述绝缘膜之间的金属层。29.根据权利要求28所述的方法，所述方法还包括: 在所述基底上并在所述显示区域中形成薄膜晶体管；以及 形成电连接到所述薄膜晶体管的像素电极， 其中，所述金属层和所述像素电极包括相同的材料。30.根据权利要求29所述的方法，所述方法还包括形成像素限定层，其中，所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘并暴露所述像素电极的中心部分， 其中，所述绝缘膜和所述像素限定层包括相同的材料。
【文档编号】H01L21/77GK106057851SQ201610220385
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年4月11日 公开号201610220385.1, CN 106057851 A, CN 106057851A, CN 201610220385, CN-A-106057851, CN106057851 A, CN106057851A, CN201610220385, CN201610220385.1
【发明人】权善子, 李知恩
【申请人】三星显示有限公司