有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法

有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法
【专利摘要】本发明提供有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。所述有机发光显示设备包括：在基底上的多个像素区域，每个像素区域具有子像素区域、透射区域和周边区域；在子像素区域中的控制子像素区域的多个子像素电路；覆盖子像素电路的平坦化层；被设置在子像素区域中的平坦化层上的第一电极；被设置在第一电极上的第二电极；以及被设置成在周边区域中在基底上方的不同层处的多个配线。配线被布置成至少双层构造，包括在基底上方在第一方向上延伸的第一配线以及在基底上方在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二配线。
【专利说明】
有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法
技术领域
[0001]公开的示例性实施例涉及有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。更具体地说，公开的不例性实施例涉及具有提尚的透射率的有机发光显不设备和制造有机发光显示设备的方法。【背景技术】
[0002]有机发光显示设备通常可以利用从其像素产生的光来显示图像。在常规的有机发光显示设备中，可以从包含不同的发光材料的有机发光层产生不同颜色的光。例如，常规的有机发光显示设备可以包括用于产生红色、绿色和蓝色的不同类型的有机发光层。常规的有机发光显示设备可利用这些颜色的不同组合显示图像。
[0003]最近，已经利用诸如包含透明材料的晶体管和发光结构的组件开发出了透明有机发光显示设备。然而，由于具有相对大的面积的配线，常规的透明有机发光显示设备的透射区域可能不具有期望的面积，使得常规的透明有机发光显示设备对于某些应用可能不具有足够的透射率。
【发明内容】
[〇〇〇4]不例性实施例可以提供具有提尚的透射率的有机发光显不设备。[00〇5]不例性实施例可以提供制造具有提尚的透射率的有机发光显不设备的方法。
[0006]根据公开的实施例，提供了一种有机发光显示设备，包括在基底上的多个像素区域、多个子像素电路、平坦化层、第一电极、第二电极和多个配线。每个像素区域包括子像素区域、透射区域和周边区域。多个子像素电路被设置在子像素区域中，并控制子像素区域。 平坦化层基本上覆盖子像素电路。第一电极被设置在子像素区域中的平坦化层上。第二电极被设置在第一电极上。配线被设置成在周边区域中在基底上方的不同层处的至少双层构造。
[0007]在示例性实施例中，多个配线可以包括:在基底上方在第一方向上延伸的第一配线；以及在基底上方在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二配线。每个子像素电路可以包括多个晶体管，每个晶体管可以包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极。
[0008]在示例性实施例中，第一配线可以包括:被设置在覆盖栅电极的层间绝缘层上的第一下配线；以及被设置在平坦化层上的第一上配线。
[0009]在一些示例性实施例中，第一上配线与第一下配线不重叠。
[0010]在一些示例性实施例中，第一上配线可以具有基本上大于第一下配线的宽度的宽度。
[0011]在一些示例性实施例中，第一配线可以包括被设置在基底上方的设置有栅电极的层处的第一附加配线。
[0012]在一些示例性实施例中，第一配线可以包括:被设置在覆盖栅电极的层间绝缘层上的第一上配线；以及被设置在基底上方的设置有栅电极的层处的第一下配线。第一上配线与第一下配线不重叠。
[0013]在一些示例性实施例中，第一下配线可以是将数据信号传送到子像素电路的数据配线，第一上配线可以是将电力供给到子像素电路的电源配线或将初始化电压供给到子像素电路的初始化电压配线。
[0014]在一些示例性实施例中，第一附加配线、第一下配线和第一上配线可以选自包括将数据信号传送到子像素电路的数据配线、将电力供给到子像素电路的电源配线以及将初始化电压供给到子像素电路的初始化电压配线的组。
[0015]在一些示例性实施例中，第二配线可以包括:被设置在基底上方的设置有源电极和漏电极的层处的第二下配线；以及被设置在基底上方的设置有第一电极的层处的第二上配线。
[0016]在一些示例性实施例中，第二下配线可以被设置在覆盖栅电极的层间绝缘层上， 第二上配线可以被设置在平坦化层上，第二上配线与第二下配线不重叠。
[0017]在一些示例性实施例中，第二下配线和第二上配线可以选自包括将电力供给到子像素电路的电源配线、将初始化电压供给到子像素电路的初始化电压配线、传送发光信号的配线、传送扫描信号的配线、以及传送栅极初始化信号的配线的组。
[0018]在一些示例性实施例中，平坦化层可以具有在透射区域中的透射窗。
[0019]根据公开的另一实施例，提供了一种制造有机发光显示设备的方法。在该方法中， 具有子像素区域、透射区域和周边区域的基底被提供，然后晶体管被形成在子像素区域中的基底上。每个晶体管包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极。平坦化层被形成在基底上， 以覆盖晶体管。第一电极被形成在平坦化层上，发光层被形成在第一电极上。第二电极被形成在发光层上。多个配线被形成在周边区域中的基底上的不同层处。
[0020]根据示例性实施例的形成多个配线可以包括:在周边区域中的基底上形成沿第一方向延伸的第一配线；以及在周边区域中的基底上形成沿第二方向延伸的第二配线。第二方向可以基本上垂直于第一方向。
[0021]在示例性实施例中，栅电极可以被形成在覆盖有源图案的第一层间绝缘层上，源电极和漏电极可以被形成在覆盖栅电极的第二层间绝缘层上。
[0022]在示例性实施例中，形成第一配线可以包括:在第二层间绝缘层上形成第一下配线；以及在平坦化层上形成第一上配线。第一下配线以及源电极和漏电极可以同时形成。另夕卜，第一上配线和第一电极可以同时形成。
[0023]在示例性实施例中，形成第一配线可以包括在第一层间绝缘层上形成第一附加配线。第一附加配线和栅电极可以同时形成。
[0024]在示例性实施例中，形成第二配线可以包括:在第二层间绝缘层上形成第二下配线；以及在平坦化层上形成第二上配线。
[0025]在示例性实施例中，第二下配线以及源电极和漏电极可以同时形成。此外，第二上配线和第一电极可以同时形成。[〇〇26]根据公开的另一实施例，提供了一种有机发光显示设备，包括在基底上的多个像素区域、平坦化层、第一电极、第二电极和多个配线。多个像素区域中的每一个包括子像素区域、透射区域和周边区域。平坦化层覆盖多个子像素电路，第一电极被设置在子像素区域中的平坦化层上，第二电极被设置在第一电极上，多个配线被设置成在周边区域中在基底上方的不同层处的至少双层构造。多个配线包括:在基底上方在第一方向上延伸的第一配线；以及在基底上方在第二方向上延伸的第二配线，第二方向基本上垂直于第一方向。
[0027]在示例性实施例中，有机发光显示设备可以进一步包括在子像素区域中控制子像素区域的多个子像素电路，其中每个子像素电路包括多个晶体管，每个晶体管包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极、以及在第一电极与第二电极之间的发光层。平坦化层可以包括在透射区域中的透射窗。
[0028]在示例性实施例中，第一配线可以进一步包括被设置在基底上方的设置有栅电极的层处的第一附加配线。
[0029]在示例性实施例中，第一配线可以包括:被设置在覆盖栅电极的层间绝缘层上的第一上配线；以及被设置在基底上方的设置有栅电极的层处的第一下配线，第一上配线与第一下配线不重叠。
[0030]在示例性实施例中，第二配线可以包括:被设置在基底上方的设置有源电极和漏电极的层处的第二下配线；以及被设置在基底上方的设置有第一电极的层处的第二上配线。第二下配线可以被设置在覆盖栅电极的层间绝缘层上，第二上配线可以被设置在平坦化层上，第二上配线与第二下配线不重叠。
[0031]根据示例性实施例，有机发光显示设备可以包括以至少双层构造被设置在像素的周边区域中的多个配线。因此，配线所占据的面积可以减小，而透射区域的面积可以增加。 结果是，有机发光显示设备可具有提高的透射率。【附图说明】
[0032]图1是根据示例性实施例的有机发光显示设备的平面图。
[0033]图2是根据示例性实施例的有机发光显示设备的电路图。
[0034]图3是根据示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。[〇〇35]图4是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。[〇〇36]图5是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。[〇〇37]图6是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。[〇〇38]图7是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。[〇〇39]图8是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。
[0040]图9是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。
[0041]图10是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的平面图。[〇〇42]图11是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。[〇〇43]图12至图18是示出了根据示例性实施例的制造有机发光显示设备的方法的剖视图。
[0044]图19至图22是示出了根据一些示例性实施例的制造有机发光显示设备的方法的剖视图。【具体实施方式】
[0045]在下文中，将参考附图详细描述根据示例性实施例的有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。然而，本公开可以以许多不同形式体现，而不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。
[0046]将理解的是，当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”、“被连接到”或“被结合至f另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，被直接连接到或被直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件或层 “上”、“被直接连接到”或“被直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。贯穿全文，相同或相似的附图标记可以指代相同或者相似的元件。
[0047]图1是根据示例性实施例的有机发光显示设备的平面图。[0〇48]参考图1，根据公开的一个实施例的有机发光显不设备包括在第一方向和第二方向上被布置在基底上的多个像素P。每个像素P包括第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb、透射区域T、以及周边区域R。第一子像素PR、第二子像素PG和第三子像素PB分别生成红色、绿色和蓝色。例如，被包括在第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中的发光结构分别发射红色、 绿色和蓝色。[〇〇49]在示例性实施例中，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb中的每一个沿第一方向延伸。第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中的每一个可以具有大致矩形形状、大致椭圆形状、大致超椭圆形状等。这里，第一子像素Pr的沿第一方向的长度基本上大于第一子像素Pr 的沿第二方向的长度。另外，第二子像素Pg的沿第一方向的长度基本上大于第二子像素Pg的沿第二方向的长度。此外，第三子像素Pb的沿第一方向的长度基本上大于第三子像素Pb的沿第二方向的长度。在一些示例性实施例中，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb沿第二方向被布置在基底上。例如，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb在第二方向上隔开预定距离。
[0050]根据一些示例性实施例，第三子像素Pb可以具有与第一子像素Pr的面积和/或第二子像素Pg的面积基本上相同的面积。可替代地，第三子像素Pb可以具有基本上大于第一子像素Pr的面积和/或第二子像素Pg的面积的面积。[〇〇51]如图1所示，透射区域T沿第一方向与第一至第三子像素Pr、Pg和Pb隔开。透射区域T 具有在第二方向上的第一长度D1、以及沿第一方向的第二长度D2。例如，当透射区域T具有大致矩形形状时，透射区域T的面积可以通过第一长度D1和第二长度D2的乘积来定义。在示例性实施例中，透射区域T的面积可为像素P的面积的约20%至约90%。随着透射区域T的面积增加，根据公开的实施例的有机发光显示设备的透射率增加。[〇〇52] 在一些示例性实施例中，相邻的第一至第三子像素Pr、Pg和Pb沿第一方向共享一个透射区域T。例如，第一至第三子像素Pr、Pg和Pb可以被布置为邻近于一个透射区域T。在其它实施例中，有机发光显示设备可以具有两个相邻像素P可以共享一个透射区域T的构造。 [〇〇53]在示例性实施例中，周边区域R基本上围绕透射区域T和第一至第三子像素Pr、Pg和 Pb。例如，周边区域R与像素P的除了透射区域T和第一至第三子像素Pr、Pg和Pb之外的剩余区域对应。[〇〇54]现在参考图1，根据示例性实施例的有机发光显示设备包括被设置在周边区域R中的第一配线L1和第二配线L2,第一配线L1和第二配线L2被电连接到位于像素P中的电路。发光结构和用于控制发光结构的子像素电路被设置在第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中，其中第一配线L1和第二配线L2被电连接到子像素电路。子像素电路将参考图2进行描述。
[0055]第一配线L1在第一方向上延伸。第一配线L1在基底上沿第二方向隔开预定距离。在示例性实施例中，第一配线L1沿第二方向位于相邻像素P之间。在这种情况下，第一配线 L1与透射区域T或第一至第三子像素PR、PG和PB基本上不重叠。
[0056]第二配线L2沿第二方向延伸，并且在基底上在第一方向上隔开预定距离。根据示例性实施例，第二配线L2与第一至第三子像素Pr、Pg和PB部分重叠，但与透射区域T基本上不重叠。[〇〇57]如图1所示，在第二方向上相邻的像素P的透射区域T之间的距离D3可以基于位于透射区域T之间的第一配线L1的尺寸来确定。也就是说，当由第一配线L1占据的面积增加时，在第二方向上透射区域T之间的距离D3也可增加，从而减小了透射区域T的第一长度D1。 另一方面，随着第二方向上透射区域T之间的距离D3减小，透射区域T的第一长度D1可增加， 从而增加透射区域T的面积。结果是，根据公开的实施例的有机发光显示设备可具有提高的透射率。[〇〇58]根据示例性实施例，第一配线L1在基底上具有多层构造。在这种情况下，相邻透射区域T之间的距离D3可以基本上小于被包括在第一配线L1中的各个配线的宽度的总和。也就是说，当第一配线L1具有多层构造时，相比具有单层构造的配线，沿第二方向的透射区域 T之间的距离D3减小。因此，因为透射区域T具有增加的面积，根据一个示例性实施例的有机发光显不设备可具有提尚的透射率。
[0059]图2是根据示例性实施例的有机发光显示设备的电路图。[0〇6〇]参考图2,在一些实施例中，有机发光显不设备包括被布置在第一方向和第二方向上的多个像素P(参考图1)。在示例性实施例中，如图1所示，每个像素P具有第一子像素Pr、 第二子像素Pg、第三子像素Pb、透射区域T和周边区域R。
[0061]如图所示，子像素电路被设置在第一至第三子像素Pr、Pg和PB中。在示例性实施例中，子像素电路中的每一个包括多个晶体管、至少一个电容器、发光结构等。在示例性实施例中，如图2所示，每个子像素电路包括七个晶体管!1、12、13、14、15、16和17、一个电容器 Cst和一个发光结构ED。然而，公开的实施例并不限于这样的结构，有必要时，每个子像素电路可以包括多于或少于七个的晶体管、多于一个的电容器和/或多于一个的发光结构。
[0062]如图2所示，子像素电路被电连接到在第一方向上延伸的多个第一配线，并且还被电连接到沿第二方向延伸的多个第二配线。第一配线包括第一数据配线DATA_R、第二数据配线DATA_G、第三数据配线DATA_B、第一初始化电压配线VINT_1、第一高电压电源配线 ELVDD_1和第一低电压电源配线ELVSS_1。[〇〇63] 在示例性实施例中，第一至第三数据配线将数据信号传送到像素P，因而对应于所有的像素P。这里，第一数据配线DATA_R、第二数据配线第三数据配线DATA_B被分别电连接到每个像素P的第一子像素PR中的第二晶体管T2、每个像素P的第二子像素Pg中的第二晶体管T2和每个像素P的第三子像素PB中的第二晶体管T2。 第一至第三数据配线DATA_R、数据信号传送到第一至第三子像素PR、PG和 Pb中的子像素电路。[〇〇64] 另外，第一初始化电压配线VINT_1、第一高电压电源配线ELVDD_1和第一低电压电源配线ELVSSj对应于所有的像素P。在示例性实施例中，第一初始化电压配线VINT j通过第二初始化电压配线VINT_2被电连接到每个像素P。第一初始化电压配线VINT_1可以将初始化电压施加到每个子像素电路的第四晶体管T4和第七晶体管T7。
[0065]在示例性实施例中，第一高电压电源配线ELVDD_1通过第二高电压电源配线 ELVDD_2被电连接到每个像素P。第一高电压电源配线ELVDD_1可将高电压供给到每个子像素电路的电容器Cst和第五晶体管T5。
[0066]在示例性实施例中，第一低电压电源配线ELVSS_1通过第二低电压电源配线 ELVSS_2被电连接到每个像素P。第一低电压电源配线ELVSS_1可以将低电压施加到每个子像素电路的发光结构ED。[〇〇67]在示例性实施例中，如图2所示，第一数据配线DATA_R、第二数据配线DATA_G、第三数据配线DATA_B、第一初始化电压配线VINT_1、第一高电压电源配线ELVDD_1和第一低电压电源配线ELVSS_1与相邻的透射区域T基本上不重叠。当由相邻像素P之间的第一数据配线 DATA_R、第二数据配线DATA_G、第三数据配线DATA_B、第一初始化电压配线VINT_1、第一高电压电源配线ELVDD_1和第一低电压电源配线ELVSSj所占据的面积增加以将第一数据配线DATA_R、第二数据配线DATA_G、第三数据配线DATA_B、第一初始化电压配线VINT_1、第一高电压电源配线ELVDD_1和第一低电压电源配线ELVSS_1设置在基底上的同一层处时，透射区域T在第二方向上的长度可减小，从而减小了透射区域T的面积。另一方面，当由第一数据配线DATA_R、第二数据配线DATA_G、第三数据配线DATA_B、第一初始化电压配线VINT_1、第一高电压电源配线ELVDDj和第一低电压电源配线ELVSSj占据的面积减小时，透射区域T 的面积可增加，以提高有机发光显示设备的透射率。第一数据配线DATA_R、第二数据配线 DATA_G、第三数据配线DATA_B、第一初始化电压配线VINT_1、第一高电压电源配线ELVDD_1 和第一低电压电源配线ELVSS_1的各种构造将参考图3至图6进行描述。[〇〇68]如图2所示，第二配线包括第二低电压电源配线ELVSS_2、第二高电压电源配线ELVDD_2、第二初始化电压配线VINT_2、用于发光信号的配线EM、用于扫描信号的配线GW、以及用于栅极初始化信号的配线GI。[〇〇69]在示例性实施例中，第二低电压电源配线ELVSS_2沿第二方向延伸，并被连接到第一低电压电源配线ELVSS_1。例如，为了将低电压传送到每个像素P，第一低电压电源配线 ELVSS_1和第二低电压电源配线ELVSS_2彼此交叉，并被布置成网格构造。因此，第一低电压电源配线ELVSSj和第二低电压电源配线ELVSS_2的电阻可以被显著减小。另外，第二低电压电源配线ELVSS_2被电连接到每个像素P的第一至第三子像素PR、PG和PB的发光结构ED的第一端。因而，第二低电压电源配线ELVSS_2可以将低电压传送到第一至第三子像素PR、PG和 Pb中的发光结构ED。
[0070]在示例性实施例中，第一高电压电源配线ELVDD_1和第二高电压电源配线ELVDD_2 彼此连接。为了将高电压施加到每个像素P，第一高电压电源配线ELVDD_1和第二高电压电源配线ELVDD_2在第一方向和第二方向上彼此交叉，使得第一高电压电源配线ELVDD_1和第二高电压电源配线ELVDD_2的电阻可以被显著减小。第二高电压电源配线ELVDD_2被电连接到每个子像素电路的第五晶体管T5和存储电容器Cst。第二高电压电源配线ELVDD_2可以将高电压传送到子像素电路。
[0071]在示例性实施例中，第二初始化电压配线VINT_2被连接到第一初始化电压配线 VINT_1。例如，第一初始化电压配线VINT j沿第一方向和第二方向与第二初始化电压配线 VINT_2相交，以将初始化电压传送到像素P。因此，第一初始化电压配线VINT_1和第二初始化电压配线VINT_2的电阻可以被减小。
[0072]另外，如图2所示，用于发光信号的配线EM、用于扫描信号的配线GW和用于栅极初始化信号的配线GI沿第二方向被电连接到子像素电路。
[0073]图3是根据示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。图3是沿图1中的线1-1I 截取的有机发光显示设备的剖面。[〇〇74]参考图3,有机发光显示设备包括在基底100上的晶体管、电容器Cst、第一配线、第二配线、第一电极180、发光层190和第二电极195。在示例性实施例中，第一配线包括第一下配线160、162和164以及第一上配线182和184。另外，第二配线与参考图1和图2描述的第二配线基本上相同或相似。此外，发光结构包括第一电极180、发光层190和第二电极195。
[0075] 基底100包括透明绝缘基底。例如，基底100可以包括玻璃基底、石英基底、透明塑料基底等。可替代地，基底1 〇〇可以包括透明柔性基底。[〇〇76]在示例性实施例中，基底100具有子像素区域Ps、透射区域T、周边区域R等。这里， 如图1所示，周边区域R基本上围绕子像素区域Ps和透射区域T。
[0077]在示例性实施例中，第一势皇层103和第二势皇层105被设置在基底100上。第一势皇层103和第二势皇层105可以防止杂质和/或离子穿过基底100扩散。此外，第一势皇层103 和第二势皇层105可以基本上平坦化基底100的表面。另外，第一势皇层103和第二势皇层 105中的每一个可包括诸如氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛的无机材料和/或诸如聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸等的有机材料。在一些示例性实施例中，第一势皇层103包括氮化硅，第二势皇层105包括氧化硅。可替代地，在其它示例性实施例中，第一势皇层103和/或第二势皇层105基于基底100的材料、尺寸和制造条件被省略。例如，当一个势皇层被提供在基底100上时，这样的势皇层可以具有包括上述无机材料和/或上述有机材料的单层构造或多层构造。
[0078]如图3所示，第一有源图案110和第二有源图案115可以被设置在第二势皇层105 上，或者可替代地在基底100上。第一有源图案110和第二有源图案115位于基底100的子像素区域Ps中。第一有源图案110包括第一源区112、第一漏区113和第一沟道区111。第二有源图案115包括第二源区117、第二漏区118和第二沟道区116。
[0079]第一有源图案110和第二有源图案115中的每一个可包括单晶硅、多晶硅、氧化物半导体等。例如，第一有源图案110和第二有源图案115中的每一个可以包括氧化物半导体， 所述氧化物半导体包括二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四元化合物(ABxCyDz)，这些化合物可以包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(A1)、铪(Hf)、锆(Zr)等。这里，第一有源图案110和第二有源图案115中的每一个可以是例如GIZO[(In2〇3)a(Ga2〇3)b (Zn0)c]层，其中￡12 0，1^0，并且〇>0。[〇〇8〇]在示例性实施例中，栅极绝缘层120基本上覆盖第一有源图案110和第二有源图案 115,并且可以被设置在第二势皇层105或基底100上。另外，栅极绝缘层120可以包括氧化硅、金属氧化物等。在示例性实施例中，第一有源图案110和第二有源图案115基本上由可以都包括氧化硅的栅极绝缘层120和第二势皇层105包围。特别是，当第一有源图案110和第二有源图案115包括氧化硅时，第一有源图案110和第二有源图案115中的每一个可以相对于栅极绝缘层120和第二势皇层105具有提高的界面稳定性。
[0081]在示例性实施例中，第一栅电极125和第一导电图案129被设置在栅极绝缘层120 上。在示例性实施例中，第一栅电极125被设置在第一有源图案110的第一沟道区111上。第一导电图案129和第一栅电极125位于子像素区域Ps中。另外，第一栅电极125和第一导电图案129中的每一个可包括金属、金属氮化物、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。
[0082]在示例性实施例中，第一层间绝缘层130被设置在栅极绝缘层120上，以基本上覆盖第一栅电极125和第一导电图案129。另外，第一层间绝缘层130可包括氮化硅、氮氧化硅等。
[0083]再次参考图3,第二栅电极135和第二导电图案139被设置在第一层间绝缘层130 上。在示例性实施例中，第二栅电极135被设置在第二有源图案115的第二沟道区116上，第二导电图案139被设置在第一导电图案129上。另外，第二导电图案139和第二栅电极135中的每一个可包括金属、金属氮化物、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。[〇〇84] 在示例性实施例中，电容器Cst包括第一导电图案129、第二导电图案139、以及第一层间绝缘层130的被插入在第一导电图案129与第二导电图案139之间的部分。当第一层间绝缘层130包括氮化硅时，电容器Cst可以具有基本上比包括氧化硅的层间绝缘层的电容器的电容更大的电容。
[0085]在示例性实施例中，第二层间绝缘层140被设置在第一层间绝缘层130上，以基本上覆盖第二栅电极135和第二导电图案139。另外，第二层间绝缘层140可包括氧化硅。[〇〇86]在示例性实施例中，第三层间绝缘层145被设置在第二层间绝缘层140上。另外，第三层间绝缘层145可以包括氮化硅、氮氧化硅等。
[0087] 在示例性实施例中，第一源电极152、第一漏电极154、第二源电极156、第二漏电极 158和第一下配线160、162和164被设置在第三层间绝缘层145上。在示例性实施例中，第一下配线160、162和164、第一源电极152、第一漏电极154、第二源电极156和第二漏电极158位于基底100上的同一层处。第一源电极152和第一漏电极154穿过第一至第三层间绝缘层 130、140和145以及栅极绝缘层120,以分别接触第一源区112和第一漏区113。另外，第二源电极156和第二漏电极158穿过第一至第三层间绝缘层130、140和145以及栅极绝缘层120， 以分别接触第二源区117和第二漏区118。此外，第二漏电极158穿过第二层间绝缘层140和第三层间绝缘层145,以接触第二导电图案139。因此，电容器Cst被电连接到具有第二源电极156和第二漏电极158的晶体管。[0〇88]根据不例性实施例，第一晶体管包括第一源电极152、第一漏电极154、第一有源图案110和第一栅电极125。此外，第二晶体管包括第二源电极156、第二漏电极158、第二有源图案115和第二栅电极135。在示例性实施例中，第一晶体管是开关晶体管，第二晶体管是驱动晶体管。
[0089]图3示出了具有第一栅电极125和第二栅电极135分别位于第一有源图案110和第二有源图案115上方的顶栅结构的晶体管。然而，晶体管中的一个或两个可具有栅电极被设置在有源图案下方的底栅结构。
[0090]如图3所示，第一下配线160、162和164被设置在周边区域R中的第三层间绝缘层 145上。另外，第一下配线160、162和164、第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158可以包括相同的材料。例如，第一下配线160、162和164、第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158中的每一个可以包括铜(Cu)、铝(A1)、铂的)、银^)、金以11)、镁(1%)、络(0)、妈(￥)、钼(11〇)、钛(11)、其合金等。
[0091]根据图3所示的示例性实施例，三个第一下配线160、162和164被设置在周边区域R中的第三层间绝缘层145上。然而，公开的实施例不限于此构造。例如，多于或少于三个的第一下配线可以被设置在周边区域R中的第三层间绝缘层145上。[〇〇92]根据示例性实施例，平坦化层170被设置在第三层间绝缘层145上，以基本上覆盖晶体管、电容器Cst和第一下配线160、162和164。在示例性实施例中，提供了透射窗172,以在透射区域T中形成穿过平坦化层170的开口。透射窗172可以由第三层间绝缘层145的上表面和平坦化层170的开口的侧壁限定。透射窗可以提高根据公开的实施例的有机发光显示设备的透射区域T的透射率。
[0093]根据示例性实施例，第一电极180和第一上配线182和184被设置在平坦化层170 上。第一电极180位于子像素区域Ps中，并穿过平坦化层170被电连接到第二漏电极158。另夕卜，第一电极180可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
[0094]根据示例性实施例，第一上配线182和184被设置在周边区域R中的平坦化层170 上。第一上配线182和184与第一电极180位于基底100上的同一层处。另外，第一上配线182 和184中的每一个可以包括与第一电极180的材料基本上相同的材料。例如，第一上配线182 和184中的每一个可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。[〇〇95]在图3所示的有机发光显示设备中，第一下配线160、162和164可以是参考图2描述的数据配线，第一上配线182和184可以是参考图2描述的与电源相关联的配线或与初始化电压相关联的配线。例如，第一下配线160、162和164中的一个可以是图2所示的第一数据配线DATA_R，第一下配线160、162和164中的再一个可以是图2所示的第二数据配线DATA_G。另夕卜，第一下配线160、162和164中的另一个可以是图2所示的第三数据配线DATA_B。另外，第一上配线182和184中的一个可以是图2所示的第一初始化电压配线VINT_1，第一上配线182 和184中的另一个可以是图2所示的第一高电压电源配线ELVDDj或第一低电压电源配线 ELVSS_1〇
[0096]在一些示例性实施例中，当第一下配线160、162和164是参考图2描述的与电源相关联的配线或与初始化电压相关联的配线时，第一上配线182和184是参考图2描述的数据配线。例如，第一下配线160、162和164中的一个可以是图2中所示的第一初始化电压配线 VINT_1，第一下配线160、162和164中的再一个可以是图2中的第一高电压电源配线ELVDD_ 1，第一下配线160、162和164中的另一个可以是第一低电压电源配线ELVSS_1。此外，第一上配线182和184可以是图2所示的数据配线DATA_R、中的相应的数据配线。
[0097]在图3所示的示例性实施例中，两个第一上配线182和184被设置在周边区域R中的平坦化层170上，然而，公开的实施例不限于这样的构造。例如，多于或少于两个的第一上配线可以被提供在周边区域R中的平坦化层170上。
[0098]在示例性实施例中，像素限定层185被设置在平坦化层170上，并覆盖第一上配线 182和184,同时部分地覆盖第一电极180。另外，像素限定层185可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。像素限定层185位于子像素区域Ps和周边区域R中，而不在透射区域T中。在透射区域T中在透射窗172上提供有穿过像素限定层185的开口。因而，透射区域T的透射率可以进一步提尚。
[0099]在示例性实施例中，发光层190被设置在由像素限定层185的像素开口暴露的第一电极180上。发光层190可至少包括有机发光层。此外，发光层190可以可替代地包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层等。从发光层190产生的光在朝向基底100的方向和远离基底100的方向上传播。在图3所示的有机发光显示设备中，发光层190与晶体管和/或电容器Cst基本上重叠，使得朝向基底100传播的光可被晶体管和/或电容器Cst阻挡。 也就是说，有机发光显示设备可以是从发光层190产生的光在穿过第二电极195传播之后朝向有机发光显示设备的前面发射的顶部发射型。
[0100]在示例性实施例中，第二电极195被设置在发光层190和像素限定层185上。另外， 第二电极195可包括铝(A1)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛 (Ti)、其合金等。[〇1〇1 ] 根据不例性实施例，第一下配线160、162和164与第一源电极152、第二源电极156、 第一漏电极154和第二漏电极158设置在同一层处。另外，第一上配线182和184与第一电极 180设置在同一层处。特别是，第一下配线160、162和164与第一上配线182和184被设置在基底100上方的不同层处。例如，第一下配线160、162和164与第一上配线182和184可被设置成基底100上方的多层构造。因而，相比有机发光显示设备的常规配线，由第一下配线160、162 和164与第一上配线182和184占据的面积可以减小，这可以增加有机发光显示设备的透射区域T的第一长度D1。结果是，根据示例性实施例的有机发光显示设备可通过增加透射区域 T的面积提高透射率。
[0102]图4是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。除了配线181和183 之外，图4的有机发光显示设备具有与参考图3描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造。在图4中，相同或相似的附图标记可指代图3中的相同或相似的元件。[〇1〇3]参考图4,根据示例性实施例的有机发光显示设备包括电容器、第一配线、第二配线、第一电极180、发光层190和第二电极195。在这种情况下，第一配线包括第一下配线160、 162和164以及第一上配线181和183。另外，第二配线与参考图1和图2描述的第二配线基本上相同。
[0104]根据示例性实施例，第一下配线160、162和164被设置在周边区域R中的第三层间绝缘层145上。第一下配线160、162和164、第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154 和第二漏电极158位于基底100上方的同一层处。另外，第一下配线160、162和164、第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158中的每一个可以包括铜、铝、铂、银、金、镁、络、妈、钼、钛、其合金等。
[0105]根据示例性实施例，第一上配线181和183被设置在周边区域R中的平坦化层170 上。第一上配线181和183以及第一电极180位于基底100上方的同一层处。另外，第一电极 180和第一上配线181和183中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、 透明导电材料等。
[0106]在示例性实施例中，第一下配线160、162和164以及第一上配线181和183被布置为多层构造，其中它们被设置在基底100上方的不同层处。第一下配线160、162和164中的每一个可具有第一宽度W1，第一上配线181和183中的每一个可以具有基本上大于第一宽度W1的第二宽度W2。当第一上配线181和183中的每一个包括透明导电材料时，第一上配线181和 183中的每一个具有基本上大于第一下配线160、162和164中的每一个的比电阻的比电阻。 这里，第一上配线181和183具有相对较大的第二宽度W2,使得第一上配线181和183的相对高的比电阻可以由相对较大的第二宽度W2进行补偿。因此，第一上配线181和183可以具有期望的电阻。
[0107]图5是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。除了配线132和134 之外，图5的有机发光显示设备具有与参考图3描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造。在图5中，相同或相似的附图标记可指代图3中的相同或相似的元件。
[0108]参考图5,根据一个示例性实施例的有机发光显示设备包括基底100、薄膜晶体管、 电容器、第一配线、第二配线、第一电极180、发光层190以及第二电极195。第一配线包括第一下配线132和134以及第一上配线160’、162’和164’。第二配线与参考图1和图2描述的第二配线基本相同。
[0109]如图5所示，第一下配线132和134被设置在周边区域R中的第一层间绝缘层130上， 第一上配线160 ’、162 ’和164 ’位于周边区域R中的第三层间绝缘层145上。第一下配线132和 134、第二栅电极135以及第二导电图案139被定位在基底100上方的同一层处。第一下配线 132和134、第二栅电极135以及第二导电图案139中的每一个可以包括相同的材料。第一上配线160’、162’和164’与第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158 位于基底100上方的同一层处。第一上配线160’、162’和164’、第一源电极152、第二源电极 156、第一漏电极154和第二漏电极158中的每一个可以包括相同的材料。
[0110]根据示例性实施例，当第一上配线160’、162’和164’是参考图2描述的数据配线时，第一下配线132和134是参考图2描述的与电源相关联的配线或与初始化电压相关联的配线。也就是说，第一上配线160’、162’和164’可以是用于将数据信号传输到子像素电路的配线，而第一下配线132和134可以是用于将电源和初始化电压供给到子像素电路的配线。 可替代地，第一下配线132和134可以是参考图2描述的数据配线，第一上配线160’、162’和 164’是与电源或初始化电压相关联的配线。
[0111]在示例性实施例中，第一上配线160’、162’和164’与第一下配线132和134基本上不重叠，或者第一上配线160’、162’和164’与第一下配线132和134重叠的面积可被最小化。 因此，可以防止或基本上最小化第一上配线160’、162’和164’与第一下配线132和134之间的寄生电容。[〇112]图6是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。除了配线132’、134’ 和182之外，图6的有机发光显示设备具有与参考图3描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造。在图6中，相同或相似的附图标记可指代图3中的相同或相似的元件。
[0113]参考图6,根据示例性实施例的有机发光显示设备包括基底100、晶体管、电容器、 第一配线、第二配线、第一电极180、发光层190、第二电极195。第一配线包括第一下配线 160、162和164、第一上配线182以及第一附加配线132’和134’。另外，第二配线与参考图1和图2描述的第二配线基本上相同。
[0114]在图6所示的有机发光显示设备中，第一下配线160、162和164设置在周边区域R中的第三层间绝缘层145上。第一上配线182被设置在周边区域R中的平坦化层170上。此外，第一附加配线132’和134’被设置在周边区域R中的第一层间绝缘层130上。
[0115]根据示例性实施例，第一附加配线132’和134’被设置在基底100上方的设置有第二栅电极135和第二导电图案139的层。第一附加配线132’和134’、第二栅电极135和第二导电图案139中的每一个可以包括相同的材料。[〇116]根据不例性实施例，第一下配线160、162和164被设置在基底100上方的设置有第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158的层。第一下配线160、162和164、第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158中的每一个可以包括相同的材料。
[0117]根据示例性实施例，第一上配线182被设置在设置有第一电极180的同一层处。第一上配线182可包括与第一电极180的材料基本上相同的材料。
[0118]在图6所示的有机发光显示设备中，当第一下配线160、162和164是图2所示的数据配线时，第一附加配线132’和134’是与电源相关联的配线，第一上配线182是与初始化电压相关联的配线。例如，配线132’可以是图2中的第一高电压电源配线ELVDD_1，配线134’可以是第一低电压电源配线ELVSS_1。这里，第一上配线182是图2所示的第一初始化电压配线 VINT_1〇
[0119]在一些示例性实施例中，当第一下配线160、162和164是图2所示的数据配线时，第一附加配线132’和134’是与电源或初始化电压相关联的配线。这里，第一上配线182是与图 2中的电源相关联的配线。例如，配线132’可以是图2中的第一高电压电源配线ELVDD_1，配线134’可以是图2中的第一初始化电压配线VINT_1。在这种情况下，第一上配线182是图2所示的第一低电压电源配线ELVSS_1。
[0120]在其它示例性实施例中，当第一下配线160、162和164是与电源或初始化电压相关的配线时，第一附加配线132’和134’以及第一上配线182是图2所示的数据配线。
[0121]根据示例性实施例，第一下配线160、162和164、第一附加配线132’和134’以及第一上配线182具有基底100上方的三层构造，使得由周边区域R中的第一配线占据的面积可以减小，同时增加了透射区域T的面积。结果是，根据示例性实施例的有机发光显示设备可具有提尚的透射率。
[0122]图7是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。除了第二电极196之夕卜，图7的有机发光显示设备具有与参考图3描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造。在图7中，相同或相似的附图标记可指代图3中的相同或相似的元件。
[0123]参考图7,根据示例性实施例的有机发光显示设备包括晶体管、电容器、第一配线、 第二配线、第一电极180、发光层190和第二电极196。第一配线包括第一下配线160、162和 164以及第一上配线182和184。第二配线与参考图1和图2描述的第二配线基本上相同。
[0124]在图7中的有机发光显示设备中，第二电极196基本上覆盖子像素区域Ps和周边区域R，但不覆盖透射区域T。例如，第二电极196充分暴露透射区域T。因而，在透射区域T中光不穿过第二电极196传播，使得根据示例性实施例的有机发光显示设备的透射区域T可以具有提尚的透射率。
[0125]图8是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。除了第二电极196之夕卜，图8的有机发光显示设备具有与参考图3描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造。在图8中，相同或相似的附图标记可指代图3中的相同或相似的元件。
[0126]参考图8,根据示例性实施例的有机发光显示设备包括晶体管、电容器、第一配线、 第二配线、第一电极180、发光层190和第二电极196。这里，第一配线包括第一下配线160、 162和164以及第一上配线182和184。第二配线与参考图1和图2描述的第二配线基本上相同。
[0127]在图8所示的有机发光显示设备中，第二电极196在透射区域T的一部分上方延伸， 同时基本上覆盖子像素区域Ps和周边区域R。例如，第二电极196延伸到像素限定层185的开口的侧壁上以及透射区域T中的透射窗172的侧壁上。当第二电极196包括透明导电材料时， 即使第二电极196可能部分地覆盖透射区域T，透射区域T的面积基本上没有减小。因此，根据示例性实施例的有机发光显示设备可以在透射区域T中具有提高的透射率。
[0128]图9是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。除了晶体管和电容器的布置之外，图9的有机发光显示设备具有与参考图3描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造。在图9中，相同或相似的附图标记可指代图3中的相同或相似的元件。
[0129]参考图9,根据示例性实施例的有机发光显示设备包括晶体管、电容器、第一配线、 第二配线、第一电极280、发光层290和第二电极295。在这种情况下，第一配线包括第一下配线260、262和264以及第一上配线282和284。另外，第二配线与参考图1和图2描述的第二配线基本上相同。[〇13〇]如图9所示，在沿基本上垂直于基底200的上表面的方向的视角，发光层290与晶体管和电容器基本上不重叠。因此，从发光层290产生的光可以朝向基底200传播，而不被晶体管和电容器阻挡。换句话说，根据示例性实施例的有机发光显示设备可以是底发射型，因而如箭头所示，从发光层290产生的光可以穿过基底200发射，而不会被晶体管和电容器阻挡。
[0131]图10是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的平面图。图11是根据一些示例性实施例的有机发光显示设备的剖视图。图11示出了沿图10中的线II1-1V截取的有机发光显示设备的剖面。在图10和图11中，相同或相似的附图标记可指代与图1和图3所示的元件相同或相似的元件。
[0132]参考图10和图11，根据示例性实施例的有机发光显示设备包括基底100、晶体管、 电容器、第一配线L1、第二配线L2、第一电极、发光层、第二电极。在这种情况下，第一配线L1 与参考图1和图2描述的第一配线基本上相同。第二配线L2包括第二下配线360、362和364以及第二上配线382和384。
[0133]在示例性实施例中，有机发光显示设备包括沿第一方向和第二方向被布置在基底 100上的多个像素P。每个像素P包括第一子像素Pr、第二子像素Pg、第三子像素Pb、透射区域T 和周边区域R。第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb分别生成红光、绿光和蓝光。另夕卜，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb中的每一个可以具有各种形状，诸如大致矩形形状、大致椭圆形状、大致超椭圆形状等。
[0134]如上所述，在一个示例性实施例中，透射区域T沿第一方向与第一子像素PR、第二子像素Pg和第三子像素Pb隔开。透射区域T具有在第二方向上的第一长度D1和在第一方向上的第二长度D2。例如，当透射区域T具有大致矩形形状时，透射区域T具有由第一长度D1和第二长度D2的乘积定义的面积。随着透射区域T的面积增加，有机发光显示设备的透射率增加。周边区域R基本上围绕透射区域T和第一至第三子像素PR、PG和PB。例如，周边区域R可以与每个像素P的除了第一至第三子像素Pr、Pg和Pb和透射区域T之外的剩余区域对应。
[0135]根据一个示例性实施例的有机发光显示设备包括被电连接到像素P中的电路的第一配线L1和第二配线L2。在示例性实施例中，发光结构和用于控制发光结构的子像素电路被提供在第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中。第一配线L1和第二配线L2被电连接到子像素电路。
[0136]如图10所示，第一配线L1在第一方向上延伸，第二配线L2沿与第一方向基本上垂直的第二方向延伸。第二配线L2沿第一方向被设置在相邻的像素P之间。第二配线L2与第一配线L1和第一至第三子像素PR、PG和PB基本上重叠，但基本上与透射区域T不重叠。虽然图10 示出了第二配线L2与第一至第三子像素PR、PG和PB部分地重叠，但公开的实施例不限于此构造。例如，第二配线L2可以被设置在透射区域T与第一至第三子像素PR、PG和PB之间。
[0137]如图10所示，在第一方向上相邻的像素P的透射区域T之间的距离可以由位于相邻透射区域T之间的第二配线L2的尺寸来确定。当第二配线L2的总面积增加时，相邻透射区域 T之间的距离可以增加，因而透射区域T的第二长度D2可以减小。另一方面，透射区域T的第二长度D2可以随着相邻透射区域T之间的距离减小而增加，因而透射区域T的面积可以增加。
[0138]在示例性实施例中，第二配线L2具有基底100上的多层构造。这里，第一方向上透射区域T之间的距离基本上小于被包括在第二配线L2中的各个配线的宽度的总和。换句话说，当第二配线L2被设置为多层构造时，在第一方向上透射区域T之间的距离可以相比被布置成单层构造的第二配线L2的情况显著减小。结果是，透射区域T的面积可以增加，从而提高了有机发光显示设备的透射率。
[0139]参考图11，第二下配线360、362和364被设置在周边区域R中的第三层间绝缘层145 上。第二下配线360、362和364与第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158位于同一层。另外，第二下配线360、362和364可以包括与第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158的材料基本上相同的材料。例如，第二下配线360、 362和364中的每一个可以包括铜、铝、铂、银、金、镁、铬、钨、钼、钛、其合金等。
[0140]在图11所示的有机发光显示设备中，三个第二下配线360、362和364被设置在周边区域R中的第三层间绝缘层145上，然而，公开的实施例不限于这样的构造。例如，多于或少于三个的第二下配线360、362和364可以被设置在周边区域R中的第三层间绝缘层145上。
[0141]在示例性实施例中，第二上配线382和384被设置在平坦化层170上。在示例性实施例中，第二上配线382和384和第一电极180被设置在基底100上方的同一层处。因此，第二上配线382和384与图3所示的第一上配线182和184位于同一层处。此外，第二上配线382和384 与第一电极180中的每一个可以包括相同的材料。例如，第二上配线382和384中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电材料等。
[0142]在图11所示的有机发光显示设备中，第二下配线360、362和364与参考图2描述的电源相关联，第二上配线382和384传送图2所示的信号。例如，如图2所示，第二下配线360、 362和364可以分别是第二低电压电源配线ELVSS_2、第二高电压电源配线ELVDD_2和第二初始化电压配线VINT_2。另外，第二上配线382和384可以是参考图2描述的用于发光信号的配线、用于扫描信号的配线和用于栅极初始化的配线。可替代地，第二下配线360、362和364可以是图2中的信号配线，第二上配线382和384可以是图2所示的与电源相关联的配线或与初始化电压相关联的配线。
[0143]虽然图11示出了被设置在周边区域R中的平坦化层170上的两个第二上配线382和 384,但公开的实施例不限于此结构。例如，多于或少于两个的第二上配线382和384可以被设置在周边区域R中的平坦化层170上。
[0144]如上所述，第二下配线360、362和364、第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154、第二漏电极158以及第一下配线160、162和164(参考图3)被设置在基底100上方的同一层处。此外，第二上配线382和384、第一电极180以及第一上配线182和184(参考图3)被设置在基底100上方的同一层处。除了具有双层构造的第一下配线160、162和164以及第一上配线182和184之外，第二下配线360、362和364以及第二上配线382和384可以可替代地或附加地具有双层构造。因此，由第一配线L1和/或第二配线L2所占据的面积可以在周边区域R 中减小，而透射区域T的长度可以增加。结果是，根据示例性实施例的有机发光显示设备可以通过增加透射区域T的面积提高透射率。
[0145]图12至图18是示出了根据示例性实施例的制造有机发光显示设备的方法的剖视图。图12至图18是沿图1中的线1-1I截取的剖视图。在图12至图18中，相同或相似的附图标记可指代图3中所示的相同或相似的元件。
[0146] 参考图12,第一势皇层103和第二势皇层105被形成在基底100上。基底100可使用透明绝缘基底形成。例如，基底100可以使用玻璃基底、石英基底、透明塑料基底、柔性基底等形成。在示例性实施例中，如图1和图10所示，基底100包括多个像素P，其中每个像素P包括子像素区域Ps、透射区域T和周边区域R。
[0147]第一势皇层103和第二势皇层105可以防止湿气和/或氧扩散到有机发光显示设备中，还可以阻止从基底100扩散的离子。此外，第一势皇层103和第二势皇层105可以基本上平坦化基底100的上表面。另外，第一势皇层103和第二势皇层105中的每一个可以由诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛等的无机材料形成。可替代地，第一势皇层103和第二势皇层105中的每一个可以由诸如聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸等的有机材料形成。可替代地，在一些示例性实施例中，取决于基底100的成分、表面情况和加工条件， 没有在基底100上形成第一势皇层103和/或第二势皇层105。
[0148]在示例性实施例中，第一有源图案110和第二有源图案115被形成在第二势皇层 105或基底100上。第一有源图案110和第二有源图案115中的每一个可以由单晶硅、多晶硅、 氧化物半导体等形成。
[0149]在示例性实施例中，栅极绝缘层120被形成在第二势皇层105或基底100上，以基本上覆盖第一有源图案110和第二有源图案115。另外，栅极绝缘层120可以使用氧化硅、金属氧化物等形成。如果栅极绝缘层120包括氧化硅，则第一有源图案110与栅极绝缘层120之间以及第二有源图案115与栅极绝缘层120之间的界面能更稳定。
[0150]在示例性实施例中，第一栅电极125和第一导电图案129被形成在栅极绝缘层120 上。例如，第一导电层被形成在栅极绝缘层120上，然后第一导电层被图案化，以在子像素区域Ps中同时形成第一栅电极125和第一导电图案129。在不例性实施例中，第一栅电极125被形成在第一有源图案110上方，第一导电图案129和第二有源图案115隔开预定距离。
[0151]参考图13,在示例性实施例中，第一层间绝缘层130被形成在栅极绝缘层120上，以基本上覆盖第一栅电极125和第一导电图案129。例如，第一层间绝缘层130可以使用诸如氮化硅或氮氧化硅的硅化合物通过化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)工艺、低压化学气相沉积(LPCVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺形成。
[0152]在示例性实施例中，第二栅电极135和第二导电图案139被形成在第一层间绝缘层 130上。例如，在第二导电层被形成在第一层间绝缘层130上之后，第二导电层被图案化，以在子像素区域Ps中同时形成第二栅电极135和第二导电图案139。第二导电层可使用金属、 金属氮化物、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。在示例性实施例中，第二栅电极135被形成在第二有源图案115上方，第二导电图案139被形成在第一导电图案129上方。因此，包括第一导电图案129、第一层间绝缘层130的一部分和第二导电图案139的电容器被形成在子像素区域Ps中。
[0153]在示例性实施例中，使用第一栅电极125和第二栅电极135作为离子注入掩模，杂质可以被注入到第一有源图案110和第二有源图案115中。因此，从第一有源图案110形成第一源区112、第一漏区113和第一沟道区111。类似地，从第二有源图案115形成第二源区117、 第二漏区118和第二沟道区116。
[0154]参考图14,在示例性实施例中，第二层间绝缘层140被形成在第一层间绝缘层130 上，以基本上覆盖第二栅电极135和第二导电图案139。第二层间绝缘层140可使用氧化硅通过化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
[0155]在示例性实施例中，第三层间绝缘层145被形成在第二层间绝缘层140上。第三层间绝缘层145具有基本上平坦的上表面。另外，第三层间绝缘层145可使用诸如氮化硅或氮氧化硅的硅化合物通过化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
[0156]在示例性实施例中，第三层间绝缘层145和第二层间绝缘层140被部分地去除，以形成暴露第二导电图案139的第一接触孔CH1。另外，暴露第一源区112、第二源区117、第一漏区113和第二漏区118的第二接触孔CH2通过局部蚀刻第三层间绝缘层145、第二层间绝缘层140、第一层间绝缘层130和栅极绝缘层120形成。在示例性实施例中，第一接触孔CH1和第二接触孔CH2被同时形成。
[0157]参考图15,在示例性实施例中，第一源电极152、第一漏电极154、第二源电极156、 第二漏电极158以及第一下配线160、162和164被形成在第三层间绝缘层145上。在示例性实施例中，第三导电层被形成在第三层间绝缘层145上，然后第三导电层被图案化，以在子像素区域Ps中形成第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158,同时在周边区域R中形成第一下配线160、162和164。这里，第一下配线160、162和164、第一源电极 152、第一漏电极154、第二源电极156和第二漏电极158被同时形成。第一源电极152和第一漏电极154贯穿第三至第一层间绝缘层145、140和130以及栅极绝缘层120,以分别与第一有源图案110的第一源区112和第一漏区113接触。此外，第二源电极156和第二漏电极158也贯穿第三至第一层间绝缘层145、140和130以及栅极绝缘层120,以分别与第二有源图案115的第二源区117和第二漏区118接触。因此，第一晶体管和第二晶体管被形成在子像素区域Ps 中。第二晶体管的第二漏电极158延伸到第三层间绝缘层145上，并基本上填充第一接触孔。 因而，第二漏电极158接触电容器的第二导电图案139。结果是，第二晶体管可以被电连接到电容器。周边区域R中的第一下配线160、162和164与第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158—起同时形成，从而不需要用于形成第一下配线160、162和164 的附加工艺。
[0158]参考图16,在示例性实施例中，平坦化层170被形成在第三层间绝缘层145上，以基本上覆盖第一下配线160、162和164、第一源电极152、第二源电极156、第一漏电极154和第二漏电极158。例如，平坦化层170可使用诸如聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸等的有机材料通过诸如旋涂工艺的涂覆工艺形成在第三层间绝缘层145上。平坦化层170具有用于随后被形成在其上的元件的基本上平坦的上表面。
[0159]在示例性实施例中，平坦化层170被部分地去除，以形成暴露第三层间绝缘层145 的透射窗172，并形成暴露第二漏电极158的第三接触孔CH3。透射窗172和第三接触孔CH3被分别形成在透射区域T和子像素区域Ps中。
[0160]参考图17,在示例性实施例中，第一电极180和第一上配线182和184被形成在平坦化层170上。根据示例性实施例，第四导电层被形成在平坦化层170和第三接触孔的侧壁上， 然后第四导电层被图案化，以同时形成第一电极180以及第一上配线182和184。例如，第四导电层可以使用透明导电材料、导电金属氧化物等形成。
[0161]在示例性实施例中，第一上配线182和184被形成在周边区域R中的第一下配线 160、162和164上方。第一电极180延伸到在子像素区域Ps中的平坦化层170上，同时接触第二漏电极158。第一上配线182、184和第一电极180被同时形成，这样不需要用于形成第一上配线182和184的附加工艺。
[0162]在示例性实施例中，第一上配线182和184以及第一下配线160、162和164被形成为双层构造，以减小周边区域R中由第一上配线182和184以及第一下配线160、162和164占据的面积。因此，透射区域T可以具有增加的面积，从而提高了有机发光显示设备的透射率。
[0163]参考图18,在示例性实施例中，像素限定层185被形成在平坦化层170上。像素限定层185由诸如聚酰亚胺的有机材料形成。像素限定层185被部分蚀刻，以形成暴露透射区域T 中的透射窗172的开口，并形成暴露子像素区域Ps中的第一电极180的像素开口。因此，在透射窗172的底部和侧壁上没有剩余的像素限定层185。
[0164]在示例性实施例中，在子像素区域Ps中，发光层和第二电极被顺序形成在暴露的第一电极180上。因此，提供了具有与参考图3描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造的有机发光显示设备。
[0165]图19至图22是示出了根据一些示例性实施例的制造有机发光显示设备的方法的剖视图。
[0166]在图19至图22中，相同或相似的附图标记可指代与图3或图6所示的元件相同或相似的元件。
[0167]参考图19,在示例性实施例中，在基底100上形成第一势皇层103和第二势皇层105 之后，第一有源图案110和第二有源图案115被形成在第二势皇层105上。
[0168]在示例性实施例中，栅极绝缘层120被形成在第二势皇层105上，以基本上覆盖子像素区域Ps中的第一有源图案110和第二有源图案115。第一栅电极125和第一导电图案129 被形成在栅极绝缘层120上。第一导电图案129和第二有源图案115隔开预定距离，第一栅电极125被形成在第一有源图案110上方。
[0169]参考图20,在示例性实施例中，第一层间绝缘层130被形成在栅极绝缘层120上，以基本上覆盖第一栅电极125和第一导电图案129。例如，第一层间绝缘层130可以使用氮化硅、氮氧化硅等形成。第二栅电极135、第二导电图案139以及第一下配线132和134被形成在第一层间绝缘层130上。
[0170]在示例性实施例中，在子像素区域Ps中，第二栅电极135被形成在第二有源图案 115上方。第二导电图案139被形成在第一导电图案129上方，以形成包括第一导电图案129、 第一层间绝缘层130的一部分和第二导电图案139的电容器。在周边区域R中，第一下配线132和134在第一层间绝缘层130上隔开预定距离。在示例性实施例中，第二栅电极135、第二导电图案139以及第一下配线132和134被同时形成。
[0171]参考图21，在示例性实施例中，第二层间绝缘层140和第三层间绝缘层145被顺序形成在第一层间绝缘层130上，以基本上覆盖第二栅电极135和第二导电图案139。第三层间绝缘层145具有基本上平坦的上面。
[0172]在示例性实施例中，第一源电极152、第一漏电极154、第二源电极156、第二漏电极 158以及第一上配线160’、162’和164’被形成在第三层间绝缘层145上。第一源电极152、第一漏电极154、第二源电极156、第二漏电极158以及第一上配线160’、162’和164’被同时形成。在示例性实施例中，第三层间绝缘层145和第二层间绝缘层140被部分地去除，以形成暴露第二导电图案139的接触孔。另外，第三至第一层间绝缘层145、140和130以及栅极绝缘层 120被蚀刻，以形成暴露第一源区112、第一漏区113、第二源区117和第二漏区118的第二接触孔。在第三层间绝缘层145上形成导电层以填充接触孔之后，导电层被图案化，以形成第一源电极152、第一漏电极154、第二源电极156、第二漏电极158以及第一上配线160’、162’ 和 164’。
[0173]根据示例性实施例，第一上配线160’、162’和164’被形成在周边区域R中的第一下配线132和134上方。在与基底100的上面基本上垂直的视线上，第一上配线160’、162’和 164’与第一下配线132和134基本上不重叠，或者第一上配线160’、162’和164’与第一下配线132和134之间的重叠的面积被最小化。因此，可以防止或最小化第一上配线160’、162’和 164’与第一下配线132和134之间的寄生电容。
[0174]参考图22,在示例性实施例中，平坦化层170被形成在第三层间绝缘层145上，然后第一电极180被形成在平坦化层170上。平坦化层170可使用诸如聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸等的有机材料通过诸如旋涂工艺的涂覆工艺形成。
[0175]在示例性实施例中，透射窗172通过部分地去除平坦化层170被形成在透射区域T 中，暴露第二漏电极158的延伸的另一接触孔通过部分地去除平坦化层170被形成在子像素区域Ps中。在导电层被形成在平坦化层170和第三接触孔的侧壁上之后，导电层被图案化， 以形成被电连接到第二漏电极158的第一电极180。
[0176]另外，在示例性实施例中，像素限定层、发光层和第二电极被形成在第一电极180 和平坦化层170上，这样提供了具有与参考图6描述的有机发光显示设备的构造基本上相同或相似的构造的有机发光显示设备。
[0177]根据示例性实施例，有机发光显示设备可以被用在各种电气和电子装置中。例如， 有机发光显示设备可被用在计算机、笔记本电脑、数码相机、智能电话、智能垫、视频相机、 视频电话、便携式多媒体播放器、个人数字助理、MP3播放器、汽车导航系统、监视系统、运动感测系统、跟踪系统、图像稳定系统等中。
[0178]以上是对示例性实施例的说明，而不应被解释为其限制。尽管已经描述了一些示例性实施例，本领域技术人员将容易理解可以对示例性实施例进行许多修改，而不脱离公开的实施例的新颖的教导。因此，所有这些修改都意在被包括在权利要求所限定的本发明构思的范围内。因此，要理解的是，前述是对各种示例性实施例的说明，而不应被解释为限于公开的具体示例性实施例，对所公开的示例性实施例的修改以及其它示例实施例都意在被包括在所附权利要求的范围内。
【主权项】
1.一种有机发光显不设备，包括:在基底上的多个像素区域，每个像素区域包括子像素区域、透射区域和周边区域；在所述子像素区域中的控制所述子像素区域的多个子像素电路；覆盖所述多个子像素电路的平坦化层；被设置在所述子像素区域中的所述平坦化层上的第一电极；被设置在所述第一电极上的第二电极;和在所述周边区域中在所述基底上方以位于不同层处的至少双层构造设置的多个配线。2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述多个配线包括:在所述基底上方在第一方向上延伸的第一配线;和在所述基底上方在第二方向上延伸的第二配线，所述第二方向垂直于所述第一方向， 其中每个子像素电路包括多个晶体管，每个晶体管包括有源图案、栅电极、源电极和漏电 极。3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述第一配线包括:被设置在覆盖所述栅电极的层间绝缘层上的第一下配线;和 被设置在所述平坦化层上的第一上配线。4.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述第一上配线与所述第一下配线不重叠。5.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述第一上配线具有大于所述第一 下配线的宽度的宽度。6.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中所述第一配线包括被设置在所述基 底上方的设置有所述栅电极的层处的第一附加配线。7.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述第一配线包括:被设置在覆盖所述栅电极的层间绝缘层上的第一上配线;和被设置在所述基底上方的设置有所述栅电极的层处的第一下配线，其中所述第一上配线与所述第一下配线不重叠。8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中所述第一下配线是将数据信号传送 到所述子像素电路的数据配线，并且其中所述第一上配线是将电力供给到所述子像素电路的电源配线或将初始化电压供 给到所述子像素电路的初始化电压配线。9.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中所述第一附加配线、所述第一下配线 和所述第一上配线各自选自包括将数据信号传送到所述子像素电路的数据配线、将电力供 给到所述子像素电路的电源配线以及将初始化电压供给到所述子像素电路的初始化电压 配线的组。10.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述第二配线包括:被设置在所述基底上方的设置有所述源电极和所述漏电极的层处的第二下配线;和 被设置在所述基底上方的设置有所述第一电极的层处的第二上配线。11.根据权利要求10所述的有机发光显示设备，其中所述第二下配线被设置在覆盖所 述栅电极的层间绝缘层上，所述第二上配线被设置在所述平坦化层上，所述第二上配线与 所述第二下配线不重叠。12.根据权利要求10所述的有机发光显示设备，其中所述第二下配线和所述第二上配 线各自选自包括将电力供给到所述子像素电路的电源配线、将初始化电压供给到所述子像 素电路的初始化电压配线、传送发光信号的配线、传送扫描信号的配线、以及传送栅极初始 化信号的配线的组。13.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述平坦化层包括在所述透射区域 中的透射窗，并且所述有机发光显示设备进一步包括在所述第一电极与所述第二电极之间 的发光层。14.一种制造有机发光显示设备的方法，包括:提供具有子像素区域、透射区域和周边区域的基底；在所述子像素区域中的所述基底上形成晶体管，每个晶体管包括有源图案、栅电极、源 电极和漏电极；在所述基底上形成平坦化层以覆盖所述晶体管；在所述平坦化层上形成第一电极；在所述第一电极上形成发光层；在所述发光层上形成第二电极;和在所述周边区域中的所述基底上的不同层处形成多个配线。15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述多个配线包括:在所述周边区域中的所述基底上形成沿第一方向延伸的第一配线;和 在所述周边区域中的所述基底上形成沿第二方向延伸的第二配线，所述第二方向垂直 于所述第一方向。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述栅电极被形成在覆盖所述有源图案的第一 层间绝缘层上，所述源电极和所述漏电极被形成在覆盖所述栅电极的第二层间绝缘层上。17.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第一配线包括:在所述第二层间绝缘层上形成第一下配线;和在所述平坦化层上形成第一上配线，其中所述第一下配线以及所述源电极和所述漏电极同时形成，并且所述第一上配线和所述第一电极同时形成。18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述第一配线进一步包括在所述第一层间 绝缘层上形成第一附加配线，其中所述第一附加配线和所述栅电极同时形成。19.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述第二配线包括:在所述第二层间绝缘层上形成第二下配线;和在所述平坦化层上形成第二上配线，其中所述第二下配线以及所述源电极和所述漏电极同时形成，并且所述第二上配线和所述第一电极同时形成。
【文档编号】H01L27/32GK106098726SQ201610212779
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年4月7日 公开号201610212779.2, CN 106098726 A, CN 106098726A, CN 201610212779, CN-A-106098726, CN106098726 A, CN106098726A, CN201610212779, CN201610212779.2
【发明人】朴常镐, 李承珉, 俞熙俊, 尹柱善, 张龙在, 崔炚永
【申请人】三星显示有限公司