有机发光设备及其制造方法

有机发光设备及其制造方法
【专利摘要】公开了有机发光设备和制造有机发光设备的方法。有机发光设备包括衬底、显示单元、第一电压供给单元、第二电压供给单元和绝缘层，其中，衬底包括有效区、死区和焊盘区，显示单元设置在有效区中并包括薄膜晶体管、像素电极、以及公共电极的一部分，第一电压供给单元设置在死区和焊盘区上并且与公共电极电接触，第二电压供给单元与公共电极交叠并且与公共电极间隔开且电绝缘，以及绝缘层设置在公共电极与第二电压供给单元之间，其中，公共电极的与第一电压供给单元交叠的部分比公共电极的与第二电压供给单元交叠的部分靠近焊盘区，以及绝缘层的端部与第一电压供给单元的邻近有效区的端部接触。
【专利说明】有机发光设备及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2015年5月I日提交的第10-2015-0062271号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文，如完全阐述在本文中。
技术领域
[0003]示例性实施方式涉及有机发光设备。更具体地，示例性实施方式涉及具有公共电极与电压供给单元之间的增加的接触面积的有机发光设备。
【背景技术】
[0004]有机发光设备是可包括像素和有机发光器件的显示装置。每个有机发光器件的发光或发光的程度可由薄膜晶体管(TFT)控制。有机发光器件可包括像素电极、包括有发射层的中间层以及与像素电极相对的公共电极。公共电极可整体地形成在像素电极和中间层上并且从电压供给单元接收电压，其中电压供给单元可与公共电极电接触并布置在供图像显示于其上的显示区的外部。
[0005]该【背景技术】部分中所公开的以上信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，并因此，其可包含并不形成本国的本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

【发明内容】

[0006]示例性实施方式提供了可防止在公共电极与导电层之间的不必要的接触并且将电压稳定地发送至公共电极的有机发光设备。
[0007]附加的方面将记载于以下详细描述中，并且部分地，将通过本公开而变得显而易见或可通过对本发明构思的实践而被习得。
[0008]示例性实施方式公开了有机发光设备，该有机发光设备包括衬底、显示单元、第一电压供给单元、第二电压供给单元和绝缘层，其中，衬底包括有效区、围绕有效区的死区以及位于死区的外部区域中的焊盘区，显示单元设置在有效区中，显示单元包括薄膜晶体管、像素电极、和公共电极的一部分，第一电压供给单元设置在死区和焊盘区上并且与公共电极电接触，第一电压供给单元配置为将第一电压施加到公共电极，第二电压供给单元与公共电极交叠并且与公共电极间隔开且电绝缘，第二电压供给单元配置为将第二电压施加到薄膜晶体管，以及绝缘层设置在有效区和死区上并且设置在公共电极与第二电压供给单元之间，其中，公共电极的与第一电压供给单元交叠的第一部分比公共电极的与第二电压供给单元交叠的第二部分靠近焊盘区，以及绝缘层的邻近第一电压供给单元的端部与第一电压供给单元的邻近有效区的端部接触。
[0009]不例性实施方式也公开了有机发光设备，该有机发光设备包括衬底、至少一个薄膜晶体管、至少一个像素电极、公共电极、第一电压供给单元、第二电压供给单元和绝缘层，其中，衬底包括有效区、围绕有效区的死区以及位于死区的外部区域中的焊盘区，至少一个薄膜晶体管设置在有效区中，至少一个薄膜晶体管包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极，至少一个像素电极设置在有效区中并电连接到源电极和漏电极中的一个，公共电极面对衬底并包括突起，其中突起设置在公共电极的邻近焊盘区的端部处并朝焊盘区延伸，第一电压供给单元设置在死区和焊盘区上并且与公共电极的突起接触，第一电压供给单元配置为将第一电压施加到公共电极，第二电压供给单元与公共电极交叠并与公共电极间隔开且电绝缘，以及绝缘层设置在有效区和死区上方并且设置在公共电极与第二电压供给单元之间，其中，公共电极设置在至少一个薄膜晶体管和至少一个像素电极上，以及绝缘层的邻近第一电压供给单元的端部与第一电压供给单元的邻近有效区的端部接触。
[0010]示例性实施方式还公开了制造有机发光设备的方法，该方法包括:在衬底上形成有效区、围绕有效区的死区以及位于死区的外部区域中的焊盘区；在有效区中形成薄膜晶体管;在死区中形成第一电压供给单元和第二电压供给单元;在有效区和死区中形成绝缘层，其中绝缘层覆盖薄膜晶体管、第一电压供给单元和第二电压供给单元;在有效区中在绝缘层上形成像素电极;去除绝缘层的覆盖第一电压供给单元的部分；以及在有效区和死区中形成公共电极，其中公共电极覆盖像素电极、绝缘层、以及第一电压供给单元的暴露的部分，其中，像素电极、公共电极和薄膜晶体管形成显示单元，第一电压供给单元将第一电压施加到公共电极且第二电压供给单元将第二电压施加到薄膜晶体管，并且第一电压供给单元和第二电压供给单元设置在与薄膜晶体管的漏电极和源电极相同的层上。
[0011 ]先前的一般性描述和以下具体描述是示例性和解释性的，并且意在对所要求保护的主题提供进一步解释。
【附图说明】
[0012]附图示出了发明构思的示例性实施方式，并且与描述一起用于解释发明构思的原理，其中附图被包括以提供对发明构思的进一步理解并且并入本说明书中且构成本说明书的一部分。
[0013]图1是根据示例性实施方式的有机发光设备的示意性平面图。
[0014]图2是沿图1的线I1-1I’取得的剖视图。
[0015]图3是沿图1的线II1-1II’取得的剖视图。
[0016]图4是根据比较性实施方式的有机发光设备的一部分的示意性平面图。
[0017]图5是沿图4的线V-V’取得的剖视图。
【具体实施方式】
[0018]在以下描述中，出于解释的目的陈述了许多具体细节以提供对各种示例性实施方式的全面理解。然而显而易见地，各种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下实践或者可使用一个或多个等同布置来实践。在其它情况下，以框图形式示出了众所周知的结构和装置以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。
[0019]在附图中，为清晰和描述性的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸被夸大。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
[°02°]当元件或者层被称为在另一元件或层“上(on)”、“连接至(connected to)”另一元件或层、或“联接至(coupled to)”另一元件或者层时，该元件或者层可直接在该另一元件或层上、直接连接至该另一元件或层，或者直接联接至该另一元件或者层，或者可存在中间元件或者层。然而，当元件或者层被称为直接在另一元件或层上、直接连接至另一元件或层或者直接联接至另一元件或者层时，则不存在中间元件或层。出于本公开的目的，“x、Y和Z中的至少一个”和“选自由Χ、Υ和Z构成的群组中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Ζ、或者Χ、Υ、Ζ中两个或更多个的任意组合，例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ和ΖΖ。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。如在本文中使用的用语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意或全部组合。
[0021]虽然用语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应被这些用语限制。这些用语用于将一个元件、部件、区域、层和/或区段与另一元件、部件、区域、层和/或区段区分开。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层和/或区段可在不背离本公开的教导的情况下称为第二元件、部件、区域、层和/或区段。
[0022]空间相对用语，如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部(lower)”、“在…上方(above)”、“上部(upper)”等可在本文中用于描述性的目的，并由此描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。除包括图中所描绘的定向以外，空间相对用语意在包含设备在使用、操作、和/或制造中的不同的定向。例如，如果附图中的设备被反转，则描述为在其它元件或特征的“下方”或“之下”的元件可被定向为在该其它元件或特征的“上方”。因此，示例性用语“在…下方”可包含上方和下方的两个定向。此外，设备可以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它定向)，并由此，本文中所使用的空间相对描述语被相应地解释。
[0023]本文中所使用的用语是出于描述特定实施方式的目的而不意在限制。除非上下文中明确另有所指，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”意在也包括复数形式。此外，用语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”当被用在本说明书中时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在，而不是排除一个或多个其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或附加。
[0024]在本文中参照截面图示对各种示例性实施方式进行了描述，其中截面图示是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示。由此，因例如制造技术和/或公差而导致的图示形状上的变化是意料之中的。因此，本文公开的示例性实施方式不应解释为受限于区域的特定图示形状，而是包括因例如制造而导致的形状上的偏差。例如，被示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆倒角的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度而非从注入区域至非注入区域的二元改变。同样地，通过注入形成的埋入区域可在埋入区域与发生注入的表面之间的区域中产生一些注入。因此，图中所示的区域实质上是示意性的，并且其形状不意在示出装置区域的实际形状并且不意在进行限制。
[0025]除非另有限定，否则本文中所使用的全部用语(包括技术用语和科学用语)具有与本公开所属技术领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非本文中明确地如此限定，否则如在通常使用的字典中所定义的用语应被解释为具有与在相关技术领域的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于形式化的意义来解释。
[0026]图1是根据示例性实施方式的有机发光设备1000的示意性平面图。图2是沿图1的线ΙΙ-ΙΓ取得的剖视图。图3是沿图1的线ΙΙΙ-ΙΙΓ取得的剖视图。
[0027]参照图1和图2，有机发光设备1000包括衬底100，衬底100包括有效区AA和死区DA，其中有效区AA是显示区，而死区DA是非显示区。
[0028]在衬底100的有效区AA中可布置有薄膜晶体管TFTl和电连接到薄膜晶体管TFTl的有机发光器件0LED。有机发光器件OLED与薄膜晶体管TFTl之间的电连接可意味着像素电极231电连接到薄膜晶体管TFTl。在衬底100的围绕有效区AA的死区DA中可布置有薄膜晶体管TFT2。薄膜晶体管TFT2可以是用于控制施加在有效区AA中的电信号的电路单元的一部分。
[0029]在衬底100的有效区AA和死区DA上可设置有公共电极233，并且公共电极233面对衬底100以使得薄膜晶体管TFTl和像素电极231设置于其下。
[0030]在衬底100的死区DA中可设置有各种线和驱动单元，其中驱动单元连接到线并将电信号或电压施加到线。更具体地，在死区DA中可设置有扫描驱动器110和数据驱动器120，其中扫描驱动器110经由扫描线(未示出)将扫描信号发送到像素，而数据驱动器120经由数据线(未示出)将数据信号发送到像素。在死区DA和焊盘区PA中可设置有第一电压供给单元225和第二电压供给单元226，其中第一电压供给单元225将第一电压施加到公共电极233，而第二电压供给单元226将第二电压施加到有效区AA中的薄膜晶体管TFTl。
[0031]第二电压线227连接到第二电压供给单元226并横跨衬底100的有效区AA朝衬底100的死区DA延伸。第二电压线227可在整个有效区AA中彼此平行地布置以将第二电压均匀地施加到各个像素。第二电压线227可彼此连接并具有网格形式，以使得第二电压中的压降可得以减少。第一电压供给单元225和第二电压供给单元226朝衬底100的焊盘区PA延伸并连接到焊盘区PA中的端子T。
[0032]在衬底100的死区DA中可布置有密封件130，其中密封件130与公共电极233分开并围绕公共电极233。密封件130从公共电极233的外部区域密封显示区(S卩，有效区AA)，并因此可防止外部的湿气、氧、其它杂质等渗透到显示区中。
[0033]密封件130可包括玻璃料(frit)。更具体地，密封件130可通过在衬底100的预定位置处形成包括有玻璃料的糊状物并随后熔化和硬化包括有玻璃料的糊状物来形成。玻璃料可包括氧化钒(VO2)或氧化铋(Bi2O3)，并还可包括各种材料，诸如二氧化碲(TeO2)、氧化锌(ZnO)、氧化钡(BaO)、五氧化二银(NteO5)、二氧化娃(S12)、氧化招(AhO3)、氧化错(ZrO2)和五氧化二磷(P2O5)中的至少一个。密封件130也可包括由各种材料形成的填充物以改善密封性质。
[0034]除了包括围绕显示区的密封件130以外，有机发光设备1000还可包括堆叠有至少一个绝缘层的密封介质。密封介质可包括至少一个有机层和/或至少一个无机层，并且该至少一个有机层和该至少一个无机层可交替地堆叠。密封介质可有效地密封显示区并且为显示设备提供柔性。
[0035]下文中，将参照图2详细描述有机发光设备1000的结构。
[0036]当有机发光设备1000是底部发射型时，可透过衬底100查看显示图像。在这种情况下，衬底100可由主要包括二氧化硅(S12)的透明玻璃形成。可替代地，衬底100可由包括绝缘有机材料的透明塑料形成。
[0037]当有机发光设备1000是顶部发射型时，显示图像可实施在与衬底100相对的方向上。在这种情况下，衬底100可不包括透明材料，而是包括金属。
[0038]薄膜晶体管TFTl可设置在衬底100的有效区AA中并且分别包括有源图案221、栅电极222、源电极223和漏电极224。
[0039]在衬底100上可形成有缓冲层212。缓冲层212可防止杂质渗透到衬底100中并为衬底100提供平坦的表面。缓冲层212可包括无机材料或有机材料并且可由多层形成。
[0040]有源图案221可由诸如硅的无机半导体或有机半导体形成，并且设置在缓冲层212上。有源图案221可包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。当有源图案221由非晶硅形成时，可在整个衬底100上形成非晶硅层并随后使非晶硅层结晶化并形成结晶硅层。结晶硅层可被图案化，并且设置在有源图案221的边缘上的源区和漏区可用杂质掺杂，由此可形成包括有源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区的有源图案221。
[0041]在有源图案221上可形成有栅绝缘层213。栅绝缘层213可将有源图案221与栅电极222绝缘，并且栅绝缘层213可由诸如氮化娃(SiNx)或二氧化娃(Si02)的无机材料形成。
[0042]栅电极222可形成在栅绝缘层213的预定部分上。栅电极222连接到扫描线(未示出)，其中扫描线将开/关信号发送到薄膜晶体管TFTl等。栅电极222可包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)和钼(Mo)及其合金，诸如铝-钕(Al:Nd)和钼-钨(Mo:W)。可替代地，栅电极222可根据设计由各种材料形成。
[0043]形成在栅电极222上的中间绝缘层214可将栅电极222与源电极223和漏电极224绝缘。中间绝缘层214可以是包括有诸如SiNx或S12的无机材料的单层或多层。
[0044]源电极223和漏电极224可形成在中间绝缘层214上。更具体地，中间绝缘层214和栅绝缘层213可形成为暴露有源图案221的源区和漏区，并且源电极223和漏电极224可形成为与有源图案221的暴露的源区和漏区接触。
[0045]第一电压供给单元225、第二电压供给单元226和连接到第二电压供给单元226的第二电压线227可形成在与源电极223和漏电极224相同的层上。数据线(未示出)可形成为平行于第二电压线227并且可设置在与源电极223和漏电极224相同的层上。
[0046]图2示出了顺序地包括有源图案221、栅电极222、源电极223和漏电极224的顶栅型薄膜晶体管TFT1。根据示例性实施方式，栅电极222可设置在有源图案221下方。
[0047]覆盖薄膜晶体管TFTl的源电极223和漏电极224的绝缘层215可被布置以保护薄膜晶体管TFTl等。由此，形成在与源电极223和漏电极224相同的层上的数据线和第二电压线227以及连接到第二电压线227的第二电压供给单元226可由绝缘层215绝缘。绝缘层215可包括有机材料，诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、苯酚类聚合物衍生物、丙烯酸酯类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其任意组合。可替代地，绝缘层215可由无机材料形成。当绝缘层215由无机材料形成时，绝缘层215可包括二氧化硅(S12)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1N)、氧化铝(AI2O3)、二氧化钛(Ti02)、五氧化二钽(Ta205)、氧化給(Hf02)、氧化错(Zr02)、钛酸锁钡(BST)、锆钛酸铅(PZT)等。绝缘层215可以是堆叠有无机绝缘层和有机绝缘层的层叠件。
[0048]在绝缘层215中可形成有孔230，使得漏电极224或源电极223的一部分可被暴露。
[0049]像素电极231可形成在绝缘层215上并且包括覆盖孔230的整个内表面或部分内表面或者填充孔230的接触栓。像素电极231可经由形成在像素电极231中的孔230电连接到薄膜晶体管TFTl的漏电极224或源电极223。相应地，由薄膜晶体管TFTl施加的驱动电流可流到有机发光器件OLED。
[0050]在衬底100的有效区AA中，包括有像素电极231、公共电极233和中间层232的有机发光器件OLED可设置在绝缘层215上，其中中间层232设置在像素电极231与公共电极233之间并包括有发射层。
[0051]像素电极231可以是透明(半透明)电极或者反射电极。当像素电极231是透明(半透明)电极时，像素电极231可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(Ιη203)、铟镓氧化物(IGO)或锌铝氧化物(ΑΖ0)。当像素电极231是反射电极时，像素电极231 可包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物形成的反射层以及由IT0、IZ0、Zn0、In203、IG0或AZO形成的层。像素电极231可具有单层结构或多层结构。
[0052]像素限定层216可设置在绝缘层215上。像素限定层216包括与各个子像素对应的开口，即，至少暴露像素电极231的中央部分的开口，并由此限定像素。如图2中所示，像素限定层216可增加像素电极231的端部与设置在像素电极231上的公共电极233之间的距离，这可防止在像素电极231的端部处发生电弧。像素限定层216设置在绝缘层215上，并且像素限定层216可布置在死区DA中或者可不布置在死区DA中，其中死区DA布置在有效区AA的外部区域上。像素限定层216可由包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)和苯酚树脂中的至少一种的有机材料通过旋转涂覆等形成。
[0053]有机发光器件OLED的中间层232可包括低分子材料或高分子材料。当中间层232包括低分子材料时，中间层232可具有包括有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等中的一个的单层结构或者其多层结构。形成中间层232的有机材料可改变，并且包括例如铜酞菁(0^(3)、11^’-0丨(萘-111)44’-二苯-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。前述层可由真空沉积形成。
[0054]当中间层232包括高分子材料时，中间层232可具有包括有HTL和EML的结构。在这种情况下，通过喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等，HTL可由如聚(3，4_乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的高分子材料形成，并且EML可由如聚亚苯基亚乙烯(PPV)类高分子材料或聚芴类高分子材料的高分子材料形成。
[0055]公共电极233可设置在有效区AA和死区DA上方。如图1中所示，公共电极233可覆盖有效区AA。更具体地，公共电极233可整体地形成在各个有机发光器件OLED的像素电极231和中间层232上并且可以是面对各个像素电极231的相对电极。
[0056]公共电极233可以是透明(半透明)电极或者反射电极。当公共电极233是透明(半透明)电极时，公共电极233可包括包含有诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)或其组合的、具有低功函数的金属的层以及包含有ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0、Ιη203或类似物的透明(半透明)层。当公共电极233是反射电极时，公共电极233可包括包含有L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其组合的层。
[0057]下文中，将参照图1至图3详细描述公共电极233的形状和布置。首先将描述第一电压供给单元225和第二电压供给单元226。
[0058]与公共电极233电接触的第一电压供给单元225可设置在衬底100的位于有效区AA的外部区域上的死区DA中。公共电极233可设置在衬底100的有效区AA和死区DA上方，并且与布置在死区DA中的第一电压供给单元225的至少一部分电接触，从而从第一电压供给单元225接收第一电压。
[0059]如图2中所示，公共电极233的表面可在接触区CA中与第一电压供给单元225的表面直接地接触。可替代地，公共电极233可经由设置在公共电极233与第一电压供给单元225之间的导电层与第一电压供给单元225间接地接触。
[0060]接触区CA的尺寸越大，则第一电压可越平稳地通过第一电压供给单元225施加到公共电极233。例如，当第一电压被恒定地施加到公共电极233时或者当公共电极233接地时，公共电极233的电势可以是恒定的。由此，第一电压供给单元225与公共电极233之间的接触区CA的尺寸增加可提供稳定的表面接触，以使得公共电极233中的电势可以是恒定的。
[0061]参照图2，可执行以下处理以在接触区CA中实现公共电极233与第一电压供给单元225之间的充分接触。在衬底100的死区DA中，在第一电压供给单元225和第二电压供给单元226形成在与源电极223和漏电极224相同的层上之后，可形成绝缘层215以覆盖源电极223、漏电极224、第一电压供给单元225和第二电压供给单元226。然后，可通过蚀刻等去除绝缘层215的覆盖第一电压供给单元225的部分，S卩，第一电压供给单元225上方的待形成为接触区CA的区。在这种情况下，可保留绝缘层215的设置在第二电压供给单元226上方的部分从而例如防止第二电压供给单元226与公共电极233之间的接触，否则该接触可导致短路和损伤像素电路。相应地，在第二电压供给单元226与公共电极233之间的绝缘层215可防止或减小对像素电路的损伤。在像素电极231和中间层232形成在绝缘层215上之后，公共电极233设置在衬底100的有效区AA和死区DA上方。
[0062]如图2中所示，通过上述处理，在衬底100的死区DA中，绝缘层215的邻近第一电压供给单元225的端部可与第一电压供给单元225的邻近有效区AA的端部接触或部分地交叠。由于第一电压供给单元225的上表面的实质部分可通过去除绝缘层215的设置在第一电压供给单元225上的部分而暴露，所以公共电极233可覆盖第一电压供给单元225的上表面。因此，从第一电压供给单元225接收第一电压的公共电极233的电势可通过充分地增加在公共电极233与第一电压供给单元225之间的接触区CA来均匀地维持。
[0063]返回参照图1，在衬底100的死区DA中，当公共电极233的面积增加到线A-A’以覆盖第一电压供给单元225的大部分上表面时，第二电压供给单元226也可被增加到线A-A’的公共电极233覆盖。在这种情况下，绝缘层215的设置在第二电压供给单元226与公共电极233之间的面积也可增加以与增加到线A-A’的公共电极233对应。然而，可能难以在朝向设置在死区DA的相对最外部区域上的密封件130的方向上增加绝缘层215的面积，这将在下文中详细描述。
[0064]根据示例性实施方式，在衬底100的死区DA中，公共电极233的在第一电压供给单元225上方的部分可具有与公共电极233的在第二电压供给单元226上方的部分的形状不同的形状。
[0065]更具体地，如图1和图3中所示，在衬底100的死区DA中，公共电极233的与第一电压供给单元225接触的部分可相较于公共电极233的与第二电压供给单元226交叠的部分更靠近衬底100的焊盘区PA。公共电极233的与第一电压供给单元225接触的部分与公共电极233的与第二电压供给单元226交叠的部分布置在不同的层上。更具体地，绝缘层215设置在公共电极233与第二电压供给单元226之间。
[0066]如图1中所示，朝焊盘区PA突出的突起234可从公共电极233的在第一电压供给单元225上方邻近焊盘区PA的端部延伸。公共电极233的突起234可从公共电极233的与第一电压供给单元225接触的部分突出，但突起234可不形成在公共电极233的与第二电压供给单元226交叠的部分上。另外，如图3中所示，绝缘层215可不布置在公共电极233的与第一电压供给单元225接触的部分上，而布置在公共电极233的与第二电压供给单元226交叠的部分上。因此，由于公共电极233与第一电压供给单元225接触而不与第二电压供给单元226接触，所以第一电压可稳定地施加到公共电极233。
[0067]下文中，将参照图4和图5详细描述公共电极233的形状和布置的效果。
[0068]图4是根据比较性实施方式的有机发光设备2000的一部分的示意性平面图。图5是沿图4的线V-V’取得的剖视图。
[0069]如上所述，公共电极233与第一电压供给单元225之间的接触面积可被增加以将第一电压平稳地施加到公共电极233，由此使得公共电极233中的电势可以是恒定的。
[0070]在比较性实施方式中，如图4中所示，公共电极33覆盖第一电压供给单元25和第二电压供给单元26的上部直至线A-A’。在衬底10的死区DA’中，绝缘层15可形成至线A-A’，其中线A-A’可与第一电压供给单元25的邻近焊盘区PA’的端部对应。然而，当绝缘层15延伸到线A-A’时，绝缘层15可在衬底10的死区DA’中形成设置在绝缘层15外部的密封件30时受损伤，而这可能劣化形成在绝缘层15下方的薄膜晶体管TFTl ’。
[0071]更具体地，绝缘层15相较于其它绝缘层13和14可具有更大的厚度以平坦化在形成薄膜晶体管TFT1’期间所产生的不平坦的部分，由此使得绝缘层15可覆盖和保护薄膜晶体管TFT1’。由此，绝缘层15可包括有机材料。然而，当密封件30形成为围绕衬底10的死区DA’中的绝缘层15的外侧时，如果绝缘层15与密封件30之间的距离小于最小距离，则包括有有机材料的绝缘层15可易于被在形成密封件30期间施加到玻璃料等的热量劣化。相应地，在衬底10的死区DA’中，绝缘层15与围绕绝缘层15的外侧的密封件30应被彼此间隔开。
[0072]根据图4和图5的比较性实施方式，当绝缘层15形成至与第一电压供给单元25邻近焊盘区PA’的端部对应的线A-A’时，绝缘层15可能不与密封件30充分地间隔开，而这可能损伤绝缘层15。
[0073]根据示例性实施方式的有机发光设备1000包括参照图1和图2示出的显示设备，以增加在第一电压供给单元225与公共电极233之间的接触区CA而不增加绝缘层215在衬底100的死区DA中的面积。更具体地，公共电极233的与第一电压供给单元225的上部接触的部分可朝密封件130突出，并且公共电极233的与第二电压供给单元226的上部交叠的部分与密封件130相对分开，其中在公共电极233与第二电压供给单元226之间设置有绝缘层215。由此，第一电压可通过第一电压供给单元225平稳地施加到公共电极233。
[0074]因此，根据本发明构思示例性实施方式，可平稳地创建公共电极与电压供给单元之间的电连接，并因此有机发光设备可将电压稳定地施加到公共电极。此外，有机发光设备可防止公共电极与导电层之间的不必要的接触。
[0075]虽然本文中已描述了某些示例性实施方式和实现，然而其它实施方式和修改将通过本说明书而变得明确。相应地，发明构思不限于这种示例性实施方式，而应限于所提出的权利要求的更宽的范围及各种显而易见的修改和等同布置。
【主权项】
1.有机发光设备，包括: 衬底，包括有效区、围绕所述有效区的死区以及位于所述死区的外部区域中的焊盘区；显示单元，设置在所述有效区中，所述显示单元包括薄膜晶体管、像素电极、和公共电极的一部分； 第一电压供给单元，设置在所述死区和所述焊盘区上并且与所述公共电极电接触，所述第一电压供给单元配置为将第一电压施加到所述公共电极； 第二电压供给单元，与所述公共电极交叠并且与所述公共电极间隔开且电绝缘，所述第二电压供给单元配置为将第二电压施加到所述薄膜晶体管；以及 绝缘层，设置在所述有效区和所述死区上并且设置在所述公共电极与所述第二电压供给单元之间， 其中: 所述公共电极的与所述第一电压供给单元交叠的第一部分比所述公共电极的与所述第二电压供给单元交叠的第二部分靠近所述焊盘区；以及 所述绝缘层的邻近所述第一电压供给单元的端部与所述第一电压供给单元的邻近所述有效区的端部接触。2.如权利要求1所述的有机发光设备，其中: 所述绝缘层包括突出部分，所述突出部分设置在所述绝缘层的端部，并且所述突出部分朝所述焊盘区延伸。3.如权利要求2所述的有机发光设备，其中从所述焊盘区到所述绝缘层的所述突出部分的距离短于从所述焊盘区到所述公共电极的设置在所述突出部分上的部分的距离。4.如权利要求1所述的有机发光设备，其中所述绝缘层包括有机材料。5.如权利要求1所述的有机发光设备，还包括: 密封件，设置在所述死区中，其中所述密封件与所述公共电极和所述绝缘层间隔开并围绕所述公共电极和所述绝缘层。6.如权利要求1所述的有机发光设备，还包括从所述第二电压供给单元跨越所述有效区延伸的第二电压线。7.如权利要求1所述的有机发光设备，其中所述第一电压供给单元和所述第二电压供给单元设置在与所述薄膜晶体管中的每个的源电极和漏电极相同的层上。8.如权利要求3所述的有机发光设备，其中所述突出部分设置在多个第一电压供给单元之间。9.如权利要求3所述的有机发光设备，其中从所述焊盘区到所述公共电极的所述第一部分的距离短于从所述焊盘区到所述绝缘层的所述突出部分的所述距离。10.有机发光设备，包括: 衬底，包括有效区、围绕所述有效区的死区以及位于所述死区的外部区域中的焊盘区；至少一个薄膜晶体管，设置在所述有效区中，所述至少一个薄膜晶体管包括有源图案、栅电极、源电极和漏电极； 至少一个像素电极，设置在所述有效区中并电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个； 公共电极，面对所述衬底并包括突起，其中所述突起设置在所述公共电极的邻近所述焊盘区的端部处并朝所述焊盘区延伸； 第一电压供给单元，设置在所述死区和所述焊盘区上并且与所述公共电极的所述突起接触，所述第一电压供给单元配置为将第一电压施加到所述公共电极； 第二电压供给单元，与所述公共电极交叠并与所述公共电极间隔开且电绝缘；以及绝缘层，设置在所述有效区和所述死区上方并且设置在所述公共电极与所述第二电压供给单元之间， 其中: 所述公共电极设置在所述至少一个薄膜晶体管和所述至少一个像素电极上；以及所述绝缘层的邻近所述第一电压供给单元的端部与所述第一电压供给单元的邻近所述有效区的端部接触。11.如权利要求10所述的有机发光设备，还包括: 第二电压线，从所述第二电压供给单元跨越所述有效区延伸， 其中所述第二电压供给单元配置为经由所述第二电压线中的至少一个将第二电压施加到所述至少一个薄膜晶体管。12.如权利要求10所述的有机发光设备，其中所述第二电压供给单元的设置在所述死区中的部分不与所述突起交叠。13.如权利要求10所述的有机发光设备，其中所述第一电压供给单元的设置在所述死区中的部分不与所述绝缘层交叠。14.如权利要求10所述的有机发光设备，其中在所述死区中，所述突起设置在所述第一电压供给单元上。15.如权利要求10所述的有机发光设备，其中所述绝缘层包括有机材料。16.如权利要求10所述的有机发光设备，还包括: 密封件，设置在所述死区中，其中所述密封件与所述公共电极和所述绝缘层间隔开并围绕所述公共电极和所述绝缘层。17.如权利要求10所述的有机发光设备，其中所述第一电压供给单元和所述第二电压供给单元设置在与所述至少一个薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极相同的层上。18.制造有机发光设备的方法，所述方法包括: 在衬底上形成有效区、围绕所述有效区的死区以及位于所述死区的外部区域中的焊盘区； 在所述有效区中形成薄膜晶体管； 在所述死区中形成第一电压供给单元和第二电压供给单元； 在所述有效区和所述死区中形成绝缘层，其中所述绝缘层覆盖所述薄膜晶体管、所述第一电压供给单元和所述第二电压供给单元； 在所述有效区中在所述绝缘层上形成像素电极； 去除所述绝缘层的覆盖所述第一电压供给单元的部分； 在所述有效区和所述死区中形成公共电极，其中所述公共电极覆盖所述像素电极、所述绝缘层、以及所述第一电压供给单元的暴露的部分； 其中: 所述像素电极、所述公共电极和所述薄膜晶体管形成显示单元； 所述第一电压供给单元将第一电压施加到所述公共电极且所述第二电压供给单元将第二电压施加到所述薄膜晶体管； 所述第一电压供给单元和所述第二电压供给单元设置在与所述薄膜晶体管的漏电极和源电极相同的层上。19.如权利要求18所述的方法，还包括: 在所述公共电极的端部上形成突起， 其中所述突起与所述第一电压供给单元交叠且不与所述第二电压供给单元交叠。20.如权利要求19所述的方法，还包括: 在所述绝缘层的端部上形成突出部分， 其中，所述突出部分朝所述焊盘区延伸，并且从所述焊盘区到所述突起的距离短于从所述焊盘区到所述突出部分的距离。
【文档编号】H01L27/32GK106098730SQ201610268767
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年4月27日 公开号201610268767.1, CN 106098730 A, CN 106098730A, CN 201610268767, CN-A-106098730, CN106098730 A, CN106098730A, CN201610268767, CN201610268767.1
【发明人】辛惠真
【申请人】三星显示有限公司