有机发光装置的制造方法

有机发光装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机发光装置，该有机发光装置包括：基板；阳极，在基板上；空穴传输区域，在阳极上；发射层，在空穴传输区域上；电子传输区域，在发射层上；以及阴极，在电子传输区域上，其中，电子传输区域包括电子注入层，电子注入层包括第一材料和第二材料，第一材料包括碱金属的卤化物中的至少一种，第二材料包括镧系金属和碱土金属中的至少一种，其中，阴极接触电子注入层并且包括第一金属和第二金属，第一金属包括银、金、铂、铜、锰、钛、钴、镍和钨中的至少一种，第二金属包括镧系金属和碱土金属中的至少一种，其中，第一金属的量等于或大于第二金属的量。
【专利说明】
有机发光装置
[00011 本申请要求于2015年02月24日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0025922号韩 国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002] -个或更多个示例性实施例的多个方面涉及一种有机发光装置。
【背景技术】
[0003] 有机发光装置是利用在被施以电压时发光的材料的自发射装置。有机发光装置具 有高亮度和优异的对比度、宽视角、高响应速度和低驱动电压特性，并且产生多色图像。
[0004] 作为示例，有机发光装置具有有机发射层设置在阳极与阴极之间的结构。当向其 施加电压时，从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子注入到有机发射层中。在这些空穴与 电子之间的电子交换发生在有机发射层的相邻分子中，因此，空穴和电子移向彼此相反的 电极。空穴和电子在分子中复合以产生具有高能量激发态的激子。这些激子从高能量激发 态变成低能量基态，从而产生特定材料的光。为了提高发射效率，有机发光装置包括除了发 射层之外的电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层等。
[0005] 已经作出努力来改善有机发光装置的效率和寿命。

【发明内容】

[0006] -个或更多个示例性实施例的多个方面涉及一种能够减小驱动电压和提高发光 效率的有机发光装置。
[0007] 附加方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者 可以通过对所提出的实施例的实施来获知。
[0008] 根据一个或更多个示例性实施例，提供了一种有机发光装置，所述有机发光装置 包括:基板；阳极，在基板上；空穴传输区域，在阳极上；发射层，在空穴传输区域上；电子传 输区域，在发射层上；阴极，在电子传输区域上，其中，电子传输区域包括电子注入层，所述 电子注入层包括:第一材料，包括碱金属(第1族)的卤化物中的至少一种；以及第二材料，包 括镧系金属和碱土金属(第2族）中的至少一种，其中，阴极接触电子注入层并且包括:第一 金属，包括银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)和钨(W)中的至 少一种；以及第二金属，包括镧系金属和碱土金属中的至少一种，其中，第一金属的量等于 或大于第二金属的量。
[0009] 在实施例中，第一材料包括氯化锂(LiCl)、氯化钠(NaCl)、氯化钾(KCl)、氯化铷 (RbCl )、氯化铯(CsCl )、溴化钾(KBr )、溴化铷(RbBr )、溴化铯(CsBr )、碘化钾(KI )、碘化铷 (Rb I)和碘化铯(Cs I)中的至少一种。
[0010] 在实施例中，镧系金属或碱土金属包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、 钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、铍(Be)、 镁(Mg)、妈(Ca)、锁(Sr)、钡(Ba)和错(Ra)中的至少一种。
[0011] 在实施例中，电子注入层的厚度在IA至50人的范围内。
[0012] 在实施例中，共沉积第一材料和第二材料以形成电子注入层。
[0013]在实施例中，第一材料与第二材料的体积比在1:9至9:1的范围内。
[0014] 在实施例中，第一材料包括RbI和RbCl中的至少一种;第二材料包括Yb和Mg中的至 少一种。
[0015] 在实施例中，电子注入层包括由第一材料形成的第一层和由第二材料形成的第二 层。
[0016] 在实施例中，电子注入层包括由第二材料形成的第一层和由第一材料形成的第二 层。
[0017] 在实施例中，第一材料包括RbI和RbCl中的至少一种，第二材料包括Yb和Mg中的至 少一种。
[0018] 在实施例中，第一层和第二层的厚度中的每个在IA至49A的范围内，厚度的和在 IA至5(XA的范围内。
[0019] 在实施例中，第一金属与第二金属的体积比在50:50至99:1的范围内。
[0020] 在实施例中，阴极由Ag :Mg或Ag: Yb形成。
[0021] 在实施例中，电子传输区域还包括在电子注入层与发射层之间的电子传输层。 [0022]在实施例中，电子传输层包括Alq3、2,9_二甲基-4,7_二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、 4，7_二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4_联苯基）-4-苯基-5-叔丁基苯基_1，2，4_三唑 (TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1，2，4_三唑(NTAZ)、2-(4_联苯基)-5-(4-叔丁基苯 基)-1，3，4-噁二唑（tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-Nl，08)-(1，Γ -联苯基-4-羟基)铝 (BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)和9,10-二(萘-2-基)蒽(AND)中的至少一种。
[0023] 在实施例中，电子传输层还包括锂(Li)配合物。
[0024] 在实施例中，电子传输区域还包括在电子传输层与发射层之间的空穴阻挡层。
[0025] 在实施例中，空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少 一种。
【附图说明】
[0026] 通过下面结合附图对示例性实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更 容易理解，在附图中：
[0027] 图1是根据本发明的实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
[0028] 图2是根据本发明的另一个实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
[0029] 图3是根据本发明的另一个实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
[0030] 图4A和图4B分别是测试示例1的膜图像和测试示例2的膜图像；
[0031]图5是示出了如在根据本发明的示例性实施例和对比示例1中的有机发光装置中 测量的电流密度与电压之间的关系的曲线图；
[0032] 图6是示出了如在根据本发明的示例性实施例和对比示例2中的有机发光装置中 测量的电流密度与电压之间的关系的曲线图；以及
[0033] 图7是示出了如在根据本发明的示例性实施例和对比示例3中的有机发光装置中 测量的电流密度与电压之间的关系的曲线图。
【具体实施方式】
[0034] 现在将详细地参照示例性实施例，在附图中示出了示例性实施例的示例，其中，同 样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言，本示例性实施例可以具有不同的形式并 且不应被解释为局限于这里所阐述的描述。因此，通过参照附图仅在下面描述示例性实施 例以解释本描述的多个方面。
[0035] 图1是根据本发明的实施例的有机发光装置100的示意性剖视图。有机发光装置 100具有以陈述的次序顺序地堆叠的基板101和阳极110、空穴传输区域120、发射层130、电 子传输区域140和阴极150。在下文中，就其功能而言，将进一步地主要描述有机发光装置 100的每个区域。
[0036] 从阳极110提供的空穴经由空穴传输区域120注入到发射层130中，从阴极150提供 的电子经由电子传输区域140注入到发射层130中。之后，这样的空穴和电子在发射层130中 复合，从而产生激子。
[0037] 空穴传输区域120、发射层130和电子传输区域140中的每个可以具有单层结构或 者包括两个层或更多个层的多层结构。
[0038] 空穴传输区域120可以包括从空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和空穴传输区 域辅助层中选择的至少一种。这里使用的术语"空穴注入层"指促进空穴从阳极注入到有机 层的功能层，这里使用的术语"空穴传输层"指促进空穴从阴极传输到发射层的功能层。这 里使用的术语"电子阻挡层"指防止或基本上防止电子经由发射层流到阳极的功能层，这里 使用的术语"空穴传输区域辅助层"指在阳极与发射层之间执行各种功能的各种层。空穴传 输区域辅助层可以是例如用于确保共振距离的层。
[0039] 电子传输区域140可以包括从电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层和电子传输区 域辅助层中选择的至少一种。这里使用的术语"电子注入层"指促进电子从阴极注入到有机 层的功能层，这里使用的术语"电子传输层"指促进电子从阳极传输到发射层的功能层。这 里使用的术语"空穴阻挡层"指防止或基本上防止空穴经由发射层流到阴极的功能层，这里 使用的术语"电子传输区域辅助层"指在发射层与阴极之间执行各种功能的各种层。
[0040] 电子传输区域140可以包括具有第一材料和第二材料的电子注入层，其中，第一材 料可以选自于碱金属(第1族）的卤化物，第二材料可以选自于镧系金属(或镧系元素金属） 和碱土金属(第2族）。
[0041] 碱金属的卤化物和镧系金属或碱土金属在反应时可以变成透明的。碱金属可以产 生具有低逸出功的离子，离子被认为改善电子注入效率。然而，电子注入效率的机制不限于 此。
[0042]阴极150可以接触电子注入层，并且可以包括从银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、 锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)和钨(W)中选择的至少一种第一金属以及从镧系金属和碱 土金属中选择的至少一种第二金属。
[0043] 根据实施例，用于形成电子注入层和阴极150的材料的组合可以向有机发光装置 100提供改善的电子注入效率以及优异的低驱动电压、透明度和效率特性。
[0044] 图2是根据本发明的另一个实施例的有机发光装置200的示意性剖视图。
[0045] 有机发光装置200具有基板101、阳极110、空穴注入层121、空穴传输层122、发射层 130、电子传输层141、电子注入层142和阴极150。在下文中，将进一步详细地描述有机发光 装置200的每个层。
[0046] 可以使用普通有机发光装置中的任何基板作为基板101。基板101可以是具有优异 的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易处理性和防水性的玻璃基板或透明塑料基 板。基板101可以由诸如硅或不锈钢的不透明材料形成。
[0047] 阳极110设置在基板101上，并且可以由具有相对高的逸出功的材料形成。阳极可 以由透明导电氧化物(诸如氧化铟锡（ITO)、氧化铟锌（IZO)、氧化锌(ZnO)、掺杂铝的氧化锌 (ΑΖ0)、氧化铟（In 2O3)和/或氧化锡(SnO2))形成，但不限于此。阳极110可以根据沉积方法或 溅射方法形成在基板101上。
[0048] 空穴注入层121可以设置在阳极110上。空穴注入层121可以由例如酞菁化合物(诸 如铜酞菁）、二胺或三胺化合物(诸如N，N'_二苯基-N，N'_双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯 基]-联苯基-4,4'-二胺(0犯^))、4,4'，4〃-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(111-1〇1^4)、4， 4'，4〃_三(N，N-联苯基氨基)三苯胺(TDATA)和4,4'，4〃_三{N，-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三 苯胺（2T-NATA))和/或聚合物化合物(诸如聚（3,4_乙撑二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸盐） (PED0T/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)和聚苯 胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐）（PANI/PSS))形成，但不限于此。
[0049] 空穴注入层121可以通过利用各种合适的方法(诸如真空沉积、旋涂、浇铸和朗格 缪尔-布吉特(LB)沉积方法)形成在阳极110上。
[0050] 当空穴注入层121通过真空沉积形成在阳极110上时，沉积条件可以根据用于形成 空穴注入层121的化合物和空穴注入层121的特性而改变，例如，沉积条件包括在大约100°C 至大约500°C的范围内的沉积温度、在大约10_8托至大约10_3托的范围内的真空压力和在大 约0.01 AZsec至大约I OOA/sec的范围内的沉积速率。
[0051] 当空穴注入层121通过旋涂形成在阳极110上时，涂覆条件可以根据用于形成空穴 注入层121的化合物和空穴注入层121的特性而改变，例如，涂覆条件包括在大约2 ,OOOrprn 至大约5 ,OOOrpm的范围内的涂覆速度以及在涂覆之后进行热处理以去除溶剂的可以在大 约80°C至大约200°C的范围内的温度。
[0052] 空穴注入层121的厚度可以在大约1 〇〇人至大约10,OOOA (例如，大约100人至大 约],000A)的范围内。当空穴注入层121的厚度在这些范围之内时，可以获得令人满意的空 穴注入特性而不显著增大驱动电压。
[0053]空穴传输层122可以设置在空穴注入层121上。空穴传输层122可以是例如咔唑衍 生物(诸如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑）、三苯胺类化合物(诸如N，N'_双(3-甲基苯基)-N，N'_ 二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'_二胺(ITD)和4,4'，4〃_三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)和/或N， 矿-二（1-萘基)4，矿-二苯基联苯胺(即8))，但不限于此。
[0054]空穴传输层122可以通过利用诸如真空沉积、旋涂、浇铸和LB沉积方法的各种合适 的方法形成在空穴注入层121上。当空穴传输层122通过真空沉积和旋涂形成时，沉积和涂 覆条件可以根据用于形成空穴传输层122的化合物而改变，但是可以通过参照用于形成空 穴注入层121的沉积和涂覆条件来确定。
[0055]空穴传输层122的厚度可以在大约5QA至大约I ,〇〇〇A的范围内，例如，在大约 IOOA至大约800人的范围内。当空穴传输层122的厚度在这些范围之内时，可以获得令人 满意的空穴传输特性而不显著增大驱动电压。
[0056]空穴注入层121和空穴传输层122中的至少一种还可以包括除了在本领域中已知 的空穴注入材料和空穴传输材料之外的用于改善层的导电特性的电荷产生材料。
[0057]电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。其非限制性示例是:醌衍生物，诸如四氰基苯 醌二甲烷(TCNQ)或2，3，5，6-四氟-四氰基-1，4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ);以及金属氧化物，诸 如氧化钨或氧化钼，但不限于此。
[0058]当空穴注入层121和空穴传输层122还包括电荷产生材料时，电荷产生材料可以均 匀地或非均匀地分散在空穴注入层121和空穴传输层122上。
[0059]发射层(EML) 130可以通过利用诸如真空沉积、旋涂、浇铸和LB沉积方法的各种合 适的方法设置在空穴传输层122上。当EML 130通过真空沉积和旋涂形成时，沉积和旋涂条 件可以根据用于形成EML 130的化合物而改变，但是可以通过参照用于形成空穴注入层121 的沉积和涂覆条件来确定。
[0060]用于形成EML 130的材料可以包括在本领域中已知的材料(包括主体和掺杂剂）中 的至少一种。
[0061 ] 主体可以是例如三（8-羟基喹啉）铝（Alq3)、4，4 ' -双（N-咔唑基）_1，Γ -联苯 (〇8卩）、聚（11-乙烯基咔唑）（？￥1〇、9，10-二（萘-2-基）蒽（40~)、4,4'，4〃-三（咔唑-9-基）-三 苯胺(1'〇'4)、1，3,5-三0-苯基苯并咪唑-2-基)苯(11^1)、3-叔丁基-9，1〇-二（萘-2-基）蒽 (TBADN)、二苯乙烯亚芳基衍生物(DSA)、（三(N-咔唑基)苯(TCP)、E3和/或4,4'_双(9-咔唑 基)-2,2'-二甲基-联苯(⑶BP)，但不限于此。
[0062]掺杂剂可以是在本领域中已知的掺杂剂。在本领域中已知的掺杂剂可以是荧光掺 杂剂和磷光掺杂剂中的至少一种。磷光掺杂剂可以包括具有&、？1〇8、1^、11、2^!^或其两 种或更多种的组合的有机金属配合物，但不限于此。
[0063] 红色掺杂剂可以是例如PtOEP(八乙基卟吩铂（11))、？七（11)、三(2_苯基异喹啉)铱 (Ir(Piq)3)和/或双(2_(2'_苯并噻吩基)_吡啶_N，C3'）（乙酰丙酮)合铱(Btp2Ir(acac))，但 不限于此。
[0064] 绿色掺杂剂可以是例如三(2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)、双（2-苯基吡啶）（乙酰 丙酮)合铱（111)(11'化口7)2(3〇3(：))、三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)合铱（11'(11^^7)3)和/或10-(2-苯并噻唑基)-l，l，7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-lH，5H，llH-[l]苯并吡喃基[6,7,8-ij]-喹嗪 -ll-酮(C545T)，但不限于此。
[0065] 蓝色掺杂体可以是例如双[3,5-二氟-2-(2-吡啶基）苯基](吡啶甲酰)合铱（III) (F2lrpic)、（F2ppy)2lr(tmd)、Ir(dfppz)3、4,4'_双（2,2'_二苯乙稀-1-基）联苯（DPVBi)、4， 4'_双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)和/或2，5,8,11-四叔丁基茈(TBPe)JSF 限于此。
[0066] 当EML 130包括主体和掺杂剂时，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可以在大约 0.01重量份至大约15重量份的范围内，但不限于此。
[0067] EML 130的厚度可以在大约I(K)A至大约1，〇〇〇Α的范围内，例如，在大约200人 至大约60:0人的范围内。当EML 130的厚度在这些范围之内时，可以获得优异的发射特性而 不显著增大驱动电压。
[0068] 电子传输层141可以形成在EML 130上。电子传输层141可以由例如Alq3、2,9-二甲 基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4_联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑（TAZ)、4-(萘-1 -基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑(NTAZ)、 2-(4-联苯基）-5-(4-叔丁基苯基)-1，3,4_噁二唑（tBu-PBD)、双（2-甲基-8-羟基喹啉-NI, 08)-( 1，Γ-联苯基-4-羟基）铝（BAlq)、双（苯并喹啉-10-羟基）铍(Bebq2)和/或9，10-二 (萘-2-基)蒽(ADN)形成，但不限于此。
[0069] 电子传输层141可以通过利用诸如真空沉积、旋涂、浇铸和LB沉积方法的各种合适 的方法设置在EML 130上。当电子传输层141通过真空沉积和旋涂形成时，沉积和涂覆条件 可以根据用于形成电子传输层141的化合物而改变，但是可以通过参照用于形成空穴注入 层121的沉积和涂覆条件来确定。
[0070] 电子传输层141的厚度可以在大约ι〇?4至大约1:〇〇〇Α的范围内，例如，在大约 150人至大约500A的范围内。当电子传输层141的厚度在这些范围之内时，可以获得令人 满意的电子传输特性而不显著增大驱动电压。
[0071 ]可选地，电子传输层141可以包括电子传输有机化合物和含金属材料。含金属材料 可以包括锂(Li)配合物。Li配合物可以包括例如羟基喹啉锂(LiQ)或[2-(2-羟基苯基)苯并 噻唑]锂(LiBTz)。
[0072] 电子注入层142可以形成在电子传输层141上。电子注入层142可以包括选自于碱 金属(第1族)的卤化物的第一材料以及选自于镧系金属和碱土金属(第2族)的第二材料。
[0073] 碱金属（第1族）的卤化物可以包括例如氯化锂（LiCl)、氯化钠（NaCl)、氯化钾 (KCl )、氯化铷(RbCl )、氯化铯(CsCl )、溴化钾(KBr )、溴化铷(RbBr )、溴化铯(CsBr )、碘化钾 (KI)、碘化铷(Rb I)和/或碘化铯(Cs I)。
[0074] 镧系金属或碱土金属可以包括例如镧(La)、铈（Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐 (Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、铍(Be)、镁 (Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)和/或镭(Ra)。
[0075] 电子注入层142可以通过利用与碱金属的卤化物以及镧系金属或碱土金属的金属 材料相关联的共沉积方法形成在电子传输层141上。这里，碱金属的卤化物与金属材料的 (体积)比可以在大约1:9至大约9:1的范围内（例如，在大约4:6至大约6:4的范围内）。例如， 电子注入层142可以通过利用与诸如RbI或RbCl的卤化物以及Yb或Mg的金属相关联的共沉 积方法设置在电子传输层141上。
[0076] 电子注入层142的厚度可以在大约LA至大约50A的范围内（例如，在大约IOA至 大约3〇?的范围内）。当电子注入层142的厚度在这些范围之内时，可以获得令人满意的电 子注入特性而不引起驱动电压的显著增大。
[0077]阴极150可以设置在电子注入层142上。
[0078]阴极150接触电子注入层142并且可以包括第一金属和第二金属，第一金属是选自 于银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)和钨(W)中的至少一种， 第二金属选自于镧系金属和碱土金属。
[0079] 在阴极150中，第一金属的量可以等于或大于的第二金属的量。例如，第一金属与 第二金属的体积比可以在大约50:50至大约99:1的范围内。
[0080] 阴极150可以通过利用例如与第一金属和第二金属相关联的共沉积方法形成在电 子注入层142上。阴极150的厚度可以在大约1 〇農至大约300灰的范围内（例如，在大约50人 至大约150A的范围内）。阴极150可以通过例如Ag和Mg (Ag: Mg)的共沉积或者Ag和Yb (Ag: Yb)的共沉积形成。
[0081] 图3是根据本发明的另一个实施例的有机发光装置300的示意性剖视图。
[0082]除了电子注入层242具有包括第一电子注入层242a和第二电子注入层242b的两层 结构之外，有机发光装置300包括与有机发光装置100的层构造相同或基本相同的层构造。 [0083] 第一电子注入层242a可以包括碱金属的卤化物。碱金属的卤化物可以包括例如 LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、KBr、RbBr、CsBr、KI、RbMP/SCsI。
[0084] 第二电子注入层242b可以包括镧系金属或碱土金属。
[0085]镧系金属或碱土金属可以包括例如 La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 Yb、Lu、Be、Mg、Ca、Sr、Ba 和/或 Ra。
[0086]在其上设置第一电子注入层242a和第二电子注入层242b的位置可以彼此改变。 即，第一电子注入层242a可以接触电子传输层141，第二电子注入层242b可以接触阴极150。 可选地，第二电子注入层242b可以接触电子传输层141，第一电子注入层242a可以接触阴极 150〇
[0087] 第一电子注入层242a和第二电子注入层242b的总厚度可以在大约IA至大约 50A的范围内（例如，在大约IOA至大约30人的范围内）。这里，第一电子注入层242a和第 二电子注入层242b的厚度均可以在大约IA至大约49人的范围内（例如，在大约5A至大 约20Λ的范围内）。
[0088] 根据需要，根据示例性实施例的有机发光装置还可以包括如结合图1的有机发光 装置100描述的空穴阻挡层、电子阻挡层、空穴传输区域辅助层和电子传输区域辅助层中的 至少一种。
[0089] 上面的示例性实施例可以应用到发射单颜色、多颜色或白颜色的有机发光装置的 各种合适的结构。另外，这些示例性实施例可以应用到顶部发射显示装置或底部发射显示 装置。
[0090] 透明度测试
[0091] 测试示例1
[0092] 将Alq3(30〇A)和YK IOOA )共沉积在玻璃基板上，从而形成层压膜。
[0093] 测试示例2
[0094]将Alq3(3〇〇A)、RbI GOA )和Yb( 100A)沉积在玻璃基板上，从而形成层压膜。 [0095]图4A是测试示例1的膜的图像，图4B是测试示例2的膜的图像。参照图4A和图4B，显 示出，单个Yb层形成在Alq 3上的测试示例1的膜处于不透明状态，然而，RbI和Yb的层压层形 成在Alq3上的测试示例2的膜处于透明状态。因此，确认的是，RbI与Yb之间的反应产生透明 状态。
[0096] 电子注入特性
[0097] 示例 1
[0098] 通过如下步骤来制备阳极：利用异丙醇和纯水均超声清洗Corning 15 Ω/cm2 (1,20〇A)ITO玻璃基板5分钟，然后照射紫外(UV)光30分钟，并且暴露于臭氧以进行清洗。 然后，将Alq3真空沉积在ITO玻璃基板上以形成具有1,000A的厚度的空穴阻挡层。将作为 主体的98wt%的CBP和作为掺杂剂的2wt%的PtOEP设置在空穴阻挡层上以形成具有300人 的厚度的红色EML。将Alq 3真空沉积在红色EML上以形成具有300人的厚度的电子传输层。将 RbI和Yb以1:1的体积比共沉积在电子传输层上以形成具有151的厚度的电子注入层。然 后，将Ag和Mg以5:1的体积比共沉积在电子注入层上以形成具有9〇人的厚度的阴极，从而完 成仅电子装置(electron only device，E0D)的制造。
[0099] 示例2
[0100] 除了通过利用Ir(ppy)3(掺杂剂）代替PtOEP来形成绿色EML而不是红色EML之外， 以与示例1中的方式相同或基本相同的方式制造 E0D。
[0101] 示例3
[0102] 除了通过分别利用DPA VBi (掺杂剂）和AND(主体)代替PtOEP和CBP形成蓝色EML而 不是红色EML之外，以与示例1中的方式相同或基本相同的方式制造 E0D。
[0103] 对比示例1
[0104] 除了RbI真空沉积在电子传输层上以形成具有15A的厚度的电子注入层而不是 RbI和Yb共沉积在电子传输层上以形成具有15A的厚度的电子注入层之外，以与示例1中的 方式相同或基本相同的方式制造 E0D。
[0105] 对比示例2
[0106] 除了RbI真空沉积在电子传输层上以形成具有丨5A的厚度的电子注入层而不是 RbI和Yb在电子传输层上以1:1的体积比共沉积在电子传输层上以形成具有丨5A的厚度的 电子注入层之外，以与示例2中相同或基本相同的方式制造 E0D。
[0107] 对比示例3
[0108] 除了RbI真空沉积在电子传输层上以形成具有15A的厚度的电子注入层而不是 RbI和Yb在电子传输层上以1:1的体积比共沉积在电子传输层上以形成具有15A的厚度的 电子注入层之外，以与示例3中的方式相同或基本相同的方式制造 E0D。
[0109] 图5是示出了如在示例1和对比示例1的EOD中测量的电流密度与电压之间的关系 的曲线图。图6是示出了如在示例2和对比示例2的EOD中测量的电流密度与电压之间的关系 的曲线图。图7是示出了如在示例3和对比示例3的EOD中测量的电流密度与电压之间的关系 的曲线图。
[0110] 参照图5至图7,在相同或基本相同的电压下，示例1至示例3的EOD的电流密度分别 大于对比示例1至对比示例3的EOD的电流密度。就这点而言，确认的是，示例1至示例3的EOD 均具有比对比示例1至对比示例3的EOD的电子注入效率大的电子注入层的电子注入效率。
[0111] 装置特性
[0112] 示例4
[0113] 通过如下步骤制备EOD :利用异丙醇和纯水均超声清洗Corning I 5 Ω/cm2 (1,20〇A) ITO玻璃基板5分钟，然后照射UV光30分钟，并且暴露于臭氧以进行清洗。然后， 将2-TNATA真空沉积在ITO玻璃基板上以形成具有600人的厚度的空穴阻挡层。将NPB真空 沉积在空穴阻挡层上以形成具有3001的厚度的空穴传输层。将作为主体的98wt%的CBP 和作为掺杂体的2wt%的PtOEP沉积在空穴传输层上以形成具有的3〇〇/\厚度的红色EML。 将Alq3真空沉积在红色EML上以形成具有3〇〇A的厚度的电子传输层。将RbI和Yb以1:1的 体积比共沉积在电子传输层上以形成具有15人的厚度的电子注入层。然后，将Ag和Mg以5:1 的体积比共沉积在电子注入层上以形成具有904的厚度的阴极，从而完成有机发光装置的 制造。
[0114] 示例5
[0115] 除了通过利用Ir(ppy)3(掺杂剂）代替PtOEP形成绿色EML而不是红色EML之外，以 与示例4中的方式相同或基本相同的方式制造有机发光装置。
[0116] 示例6
[0117] 除了通过分别利用DPA VBi (掺杂剂）和AND(主体)代替PtOEP和CBP形成蓝色EML而 不是红色EML之外，以与示例4中的方式相同或基本相同的方式制造有机发光装置。
[0118] 对比示例4
[0119] 除了将RbI真空沉积在电子传输层上以形成具有15表的厚度的电子注入层而不是 将RbI和Yb在电子传输层上以1:1的体积比共沉积在电子传输层上以形成具有15人的厚度 的电子注入层之外，以与示例4中的方式相同或基本相同的方式制造有机发光装置。
[0120] 对比示例5
[0121] 除了将RbI真空沉积在电子传输层上以形成具南15人的厚度的电子注入层而不是 将RbI和Yb在电子传输层上以1:1的体积比共沉积在电子传输层上以形成具有15Λ的厚度 的电子注入层之外，以与如示例5中的方式相同或基本相同的方式制造有机发光装置。
[0122] 对比示例6
[0123] 除了将RbI真空沉积在电子传输层上以形成具有15A的厚度的电子注入层而不是 将RbI和Yb在电子传输层上以1:1的体积比共沉积在电子传输层上以形成具有15A的厚度 的电子注入层之外，以与如示例6中的方式相同或基本相同的方式制造有机发光装置。
[0124] 在示例4至示例6和对比示例4至对比示例6的有机发光装置的对应的驱动电压下 测量的驱动电压和电流密度示出在下面的表1中。
[0125] 表1
[0126]
[0127] 参照表1，示例4和示例5的有机发光装置的电流密度均为对比示例4和对比示例5 的有机发光装置的电流密度的两倍或更多倍。示例5的有机发光装置具有比对比示例5的有 机发光装置的驱动电压低的驱动电压。另外，确认的是，示例6的有机发光装置具有比对比 示例6的有机发光装置的驱动电压低的驱动电压。
[0128] 如上面描述的，根据上面的示例性实施例中的一个或更多个，通过将碱金属的卤 化物与镧系金属和碱土金属中的一种进行共沉积来制备电子注入层。可选地，电子注入层 由包括碱金属的卤化物的第一层和包括镧系金属和碱土金属中之一的第二层来形成。就这 点而言，电子注入层可以有助于降低驱动电压并提高有机发光装置的效率。
[0129] 应理解的是，这里描述的示例性实施例应当仅以描述性的意思来考虑，而不是为 了限制的目的。在每个示例性实施例内的特征或方面的描述通常被视为可用于在其它示例 性实施例中的其它相似特征或方面。
[0130] 尽管已经参照附图描述了一个或更多个示例性实施例，但本领域普通技术人员将 理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在这里做出 形式和细节上的各种合适的改变。
[0131] 将理解的是，尽管这里可使用术语"第一"、"第二"、"第三"等来描述各种元件、组 件、区域、层和/或材料，但是这些元件、组件、区域、层和/或材料不应受这些术语限制。这些 术语用来将一个元件、组件、区域、层或材料与另一元件、组件、区域、层或材料区分开。因 此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或材料 可以被命名为第二元件、组件、区域、层或材料。
[0132] 这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制发明构思。如这里 使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的"一个"和"一种"也意图包括复数形式。 还将理解的是，当术语"包括"及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、 步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操 作、元件、组件和/或它们的组。如这里使用的，术语"和/或"包括一个或更多个所列项的任 何组合和所有组合。当诸如"……中的至少一个(种)"的表达在一列元件之后时，修饰整列 元件，而不是修饰该列的单个元件。另外，当在描述发明构思的实施例时"可以"的使用是指 "发明构思的一个或更多个实施例"。此外，术语"示例性"意图指示例或例证。
[0133] 如这里使用的，术语"基本上"、"大约"和相似术语用作近似的术语而不是用作程 度的术语，并且意图解释可以本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏 差。
[0134] 如这里使用的，术语"使用"及其变型可以被认为是与术语"利用"及其变型同义。
[0135]此外，这里陈述的任何数值范围意图包括在所陈述的范围内包含的相同数值精度 的所有子范围。例如，"1.0至10.0"的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值 10.0之间（包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或 大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任何最大 数值上限意图包括其中包含的所有较小数值上限，在本说明书中陈述的任何最小数值下限 意图包括其中包含的所有较大数值下限。因此，
【申请人】保留修改包括权利要求的本说明书 的权利以明确陈述在这里明确陈述的范围内包含的任何子范围。
【主权项】
1. 一种有机发光装置，所述有机发光装置包括： 基板； 阳极，在所述基板上； 空穴传输区域，在所述阳极上； 发射层，在所述空穴传输区域上； 电子传输区域，在所述发射层上；W及 阴极，在所述电子传输区域上， 其中，所述电子传输区域包括电子注入层，所述电子注入层包括:第一材料，包括碱金 属的面化物中的至少一种；W及第二材料，包括铜系金属和碱±金属中的至少一种， 其中，所述阴极接触所述电子注入层并且包括：第一金属，包括银、金、销、铜、儘、铁、 钻、儀和鹤中的至少一种；W及第二金属，包括铜系金属和碱±金属中的至少一种，其中，所 述第一金属的量等于或大于所述第二金属的量。2. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一材料包括氯化裡、氯化 钢、氯化钟、氯化钢、氯化飽、漠化钟、漠化钢、漠化飽、舰化钟、舰化钢和舰化飽中的至少一 种。3. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述铜系金属或所述碱±金属包 括铜、姉、错、钦、银、衫、館、礼、铺、铺、铁、巧、镑、镜、错、被、儀、巧、锁、领和错中的至少一 种。4. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述电子注入层的厚度在IA至 50A的范围内。5. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，共沉积所述第一材料和所述第二 材料W形成所述电子注入层。6. 根据权利要求5所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一材料与所述第二材料的 体积比在1:9至9:1的范围内。7. 根据权利要求5所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一材料包括RbI和肺Cl中 的至少一种;所述第二材料包括孔和Mg中的至少一种。8. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述电子注入层包括由所述第一 材料形成的第一层和由所述第二材料形成的第二层。9. 根据权利要求8所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一材料包括RbI和肺Cl中 的至少一种，所述第二材料包括孔和Mg中的至少一种。10. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述电子注入层包括由所述第 二材料形成的第一层和由所述第一材料形成的第二层。11. 根据权利要求10所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一材料包括肺I和肺Cl 中的至少一种，所述第二材料包括孔和Mg中的至少一种。12. 根据权利要求8所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一层和所述第二层的厚 度中的每个在:lA至49A的范围内，所述厚度的和在IA至SOA的范围内。13. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述第一金属与所述第二金属 的体积比在50:50至99:1的范围内。14. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述阴极由Ag:Mg或Ag:Yb形成。15. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述电子传输区域还包括在所 述电子注入层与所述发射层之间的电子传输层。16. 根据权利要求15所述的有机发光装置，其特征在于，所述电子传输层包括Alqs、2，9- 二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯嘟、4,7-二苯基-1,10-菲咯嘟、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔 下基苯基-1，2，4-S 挫、4-(糞-1-基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-S 挫、2-(4-联苯基)-5-(4-叔 下基苯基)-1,3,4-嗯二挫、双(2-甲基-8-径基哇嘟-Nl ,08)-(1，r-联苯基-4-径基)侣、双 (苯并哇嘟-10-径基)被和9,10-二(糞-2-基)蔥中的至少一种。17. 根据权利要求15所述的有机发光装置，其特征在于，所述电子传输层还包括裡配合 物。18. 根据权利要求15所述的有机发光装置，其特征在于，所述电子传输区域还包括在所 述电子传输层与所述发射层之间的空穴阻挡层。19. 根据权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于，所述空穴传输区域包括空穴注 入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种。
【文档编号】H01L51/52GK105914301SQ201610027944
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年1月15日
【发明人】金应道, 金东赞, 金元锺, 徐东揆, 林多慧, 任相薰, 韩沅锡
【申请人】三星显示有限公司