有机发光装置的制造方法
【专利摘要】有机发光装置包括第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区；和在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区，其中所述发光层包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一个表示的第二材料，并且所述空穴传输区包括由式3表示的第三材料。所述有机发光装置可具有高效率和长寿命。
【专利说明】
有机发光装置
[0001] 相关申请的交叉参考
[0002] 本申请要求于2015年3月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015- 0029854号的优先权和利益，其全部内容通过引用整体并入本文。
技术领域
[0003] 本发明的实施方式的一个或多个方面设及有机发光装置。
【背景技术】
[0004] 有机发光装置(OLED)为自发光装置，其具有宽视角、高对比度、短响应时间、高亮 度和优异的驱动电压特征，并且可产生全色图像。
[0005] 有机发光装置可W包括布置在基板上的第一电极、W及顺序在第一电极上形成的 空穴传输区、发光层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴穿过空穴传输区而传 输至发光层，并且由第二电极提供的电子穿过电子传输区而传输至发光层。载流子(例如， 空穴和电子)然后可在发光层中复合W产生激子。当运些激子从激发态降至基态时发光。
【发明内容】
[0006] 本发明的实施方式的一个或多个方面设及具有高效率和长寿命的有机发光装置。
[0007] 其它方面部分将会在接下来的说明书中列出，部分将从说明书中显而易见，或可 通过实行目前的实施方式而认识到。
[000引根据本发明的一个或多个实施方式，有机发光装置包括第一电极;面对所述第一 电极的第二电极;在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;在所述发光层和所述第 一电极之间的空穴传输区；W及在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区，其中所 述发光层包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一个表示的第二材料，且所述空 穴传输区包括由式3表示的第=材料：
[0009]式]
[0011]
[001^ 其中，在式1、2-1至2-5和3中，
[001引 Al适Ai4、A21、A22和A31各自独立地选自苯、糞、邮晚、喀晚、哇嘟、异哇嘟、2，6-糞晚、 1，8-糞晚、1，5-糞晚、1，6-糞晚、1，7-糞晚、2，7-糞晚、哇喔嘟、献嗦、哇挫嘟和增嘟；
[0014] Xll选自 0、S、N[ai2)al2-Ari2]、C(Rl5)(Rl6)、Si(Rl5)(Rl6)、P[ai2)al2-Ari2]、B [(Li2 ) al2-A；r 12 巧口P ( = 0 )[山2 ) aU-Ar 12 ];
[001 引 X2 功 C(R23)或 N;
[0016] X22 为 C(R24)或 N;
[0017] Y 功 N[化 21)a2 广 Ani];
[001 引 Y2 选自 N[化 22)a22-Ar22]、0、S、C(R25KR26WPSi(R25)(R26);
[0019] X31选自 0、S和N[化 3i)a3广Ani];
[0020] 1^1适山、L21、L22和L31至L34各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取 代的或未取代的Ci-Cio亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环締基、取代的或未取代的 Cl-Cio亚杂环締基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C广C60亚杂芳基、取 代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基 团；
[0021] all至al3、a21、a22和a31至a34各自独立地选自0、1、2和3且当all为2或更大时，两 个或更多个彼此相同或不同，当al2为2或更大时，两个或更多个^2彼此相同或不同，当 al3为2或更大时，两个或更多个^3彼此相同或不同，当曰21为2或更大时，两个或更多个L21 彼此相同或不同，当曰22为2或更大时，两个或更多个L22彼此相同或不同，当曰31为2或更大 时，两个或更多个L31彼此相同或不同，当a32为2或更大时，两个或更多个L32彼此相同或不 同，当曰33为2或更大时，两个或更多个L33彼此相同或不同，且当曰34为2或更大时，两个或更 多个L34彼此相同或不同；
[0022] Arii、Ari2、Ani 和 Ar22 各自独立地选自 ETi 和 HT2;
[0023] Ani至Ar33各自独立地为HT2;
[0024] 其中ETi是电子传输基团且HT2是空穴传输基团；
[002引 Rl适Ri6、R21至R26、R31和R32各自独立地选自氨、気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝 基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、取代的或未取代的Ci-Cso 烷基、取代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Cl- C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的Cl-Cio杂环烷基、取代的或未 取代的C3-C10环締基、取代的或未取代的Cl-Cio杂环締基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取 代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C广C60杂 芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂 多环基团、-Si(Qi)(Qs) (Q3)、-B(化）（化)和-N(Qs) (Q7);
[00%]化5和Ri6任选地彼此连接W形成饱和的或不饱和的环；
[0027] bll 至 614、621、622、631和632各自独立地选自0、1、2和3;^及
[0028] 所述取代的C3-C1Q亚环烷基、取代的Cl-ClQ亚杂环烷基、取代的C3-C1Q亚环締基、取 代的Ci-Cio亚杂环締基、取代的C6-C60亚芳基、取代的Ci-Cso亚杂芳基、取代的二价非芳族稠 合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的Cl-Cso烷基、取代的C2-C60締基、取 代的C2-C60烘基、取代的Cl-Cso烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的Cl-Cio杂环烷基、取代的 C3-C10环締基、取代的打-打0杂环締基、取代的〔6-〔60芳基、取代的〔6-〔60芳氧基、取代的〔6-〔60 芳硫基、取代的Ci-Cso杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂 多环基团中的至少一个取代基选自：
[0029] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、CrCso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C广C60烷氧基；
[0030] 各自被选自W下的至少一个取代的Cl-Cs偏基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Cl-Cso烧 氧基:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其 盐、憐酸或其盐、C3-C10环烷基、扣-ClO杂环烷基、C3-C10环締基、&-ClO杂环締基、C6-C60芳基、 C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多 环基团、-5；[(011)(012)(013)、-8(014)(01日)和-則016)(017);
[00川 C3-C1肺烷基、Cl-ClQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、Cl-ClQ杂环締基、C6-C6Q芳基、C6-C60芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基 团；
[0032] 各自被选自W下的至少一个取代的C3-C10环烷基、扣-CiO杂环烷基、C3-C10环締基、 Cl-Cl日杂环締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多 环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱 基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、扣-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C6日烘基、扣-Cso 烷氧基、C3-C1Q环烷基、C广CiQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、Ci-CiQ杂环締基、Cs-Csq芳基、Cs-Cso芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基 团、-SKQ21)(化2) (Q23)、-B(Q24)(化5)和-N(化6) (Q27) ; W及 [003；3] -Si(Qsi) (Q32) (Q33)、-B(Q34) (Q35)和-N(跑6) (Q37);
[0034] 其中化至Q7、Qii至Qi7、Q2i至Q27和跑1至跑7各自独立地选自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、^ 基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C60烷基、 C2-C60締基、C2-C60烘基、C广C册烷氧基、Cs-Cio环烷基、打-Cl日杂环烷基、Cs-Cio环締基、打-CiO杂 环締基、Cs-C日日芳基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基 团。
【附图说明】
[0035] 与附图结合，运些和/或其它方面会由实施方式的下列描述变得显而易见且更易 理解，附图是根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光装置的示意图。
[0036] 图1描述了根据实施方式的有机发光装置的示意图。
【具体实施方式】
[0037] 现在将更详细地参考本发明的实施方式，其实例于附图中阐述，其中相同的参考 数字通篇是指相同的元件。在运方面，本发明实施方式可具有不同形式并且不应解释为限 于本文列出的描述。因此，通过参阅附图仅在下面描述实施方式W解释本申请说明书的各 方面。如本文所使用，术语"和/或"包括一个或多个列出的相关项目的任何和所有组合。诸 如"中的至少一个"或"选自…的至少一个"的表述，在一列要素之后时，修饰整列要素，而不 是修饰该列中的单个要素。此外，在描述本发明的实施方式时使用"可(可W ,may)"是指"本 发明的一个或多个实施方式"。
[0038] 附图为根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光装置10的横截面的示意图。 有机发光装置10包括第一电极110、空穴传输区130、发光层150、电子传输区170和第二电极 190。
[0039] 在下文，将详细地描述根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光装置的结构 和其制备方法。
[0040] 如附图中所示，基板可另外布置在第一电极110之下或在第二电极190之上。基板 可为玻璃基板或透明塑料基板，各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、 易操作性和防水性(耐水性）。
[0041] 第一电极110可通过在基板上沉积或瓣射第一电极材料而形成。当第一电极110是 阳极时，第一电极材料可选自具有高功函W利于空穴注入的材料。第一电极110可W为反射 电极、半透射电极或透射电极。第一电极材料可为氧化铜锡（IT0)、氧化铜锋（IZ0)、氧化锡 (Sn〇2)和/或氧化锋(ZnO)，其可赋予第一电极110透明度和导电性。在一些实施方式中，为 了形成为半透射电极或反射电极的第一电极110,第一电极材可为选自儀(Mg)、侣(41)、侣- 裡(A^Li)、巧(Ca)、儀-铜(Mg-In)和儀-银(Mg-Ag)中的至少一种。
[0042] 第一电极110可具有单层结构或包括两层或更多层的多层结构。例如，第一电极 110可具有口0/Ag/口0的S层结构，但是本发明的实施方式并不限于此。
[0043] 空穴传输区130、发光层150和电子传输区170W所述的次序在第一电极110上顺序 堆叠。
[0044] 发光层150包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一个表示的第二材料， 且空穴传输区130包括由式3表示的第=材料：
[0046]
[0047] 在式 1、2-1 至2-5和3 中，
[004引 An至Ai4、A21、A22和A31可各自独立地选自苯、糞、化晚、喀晚、哇嘟、异哇嘟、2，6-糞 晚、1，8-糞晚、1，5-糞晚、1，6-糞晚、1，7-糞晚、2，7-糞晚、哇喔嘟、献嗦、哇挫嘟和增嘟。 [0049] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，
[0化0] All至Ai4和A21可各自独立地选自苯、糞、化晚、异哇嘟和哇喔嘟；W及 [00川 A22和A31可各自独立地选自苯和糞。
[0化2] 在一些实施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，
[00对 All和A21可各自独立地选自苯、糞、化晚、异哇嘟和哇喔嘟；W及 [0化4] Ai2至Ai4、A22和A31可各自独立地选自苯和糞。
[005引在式1 中，Xll 可选自0、5、則化12)312-4^2]、(：（扣5)(扣6)、51(扣5)(扣6)、？[化12)312- Ar 12 ]、B [ (； Li2 ) al2-A；ri2 ]和P ( = 0 ) [ (1^12 ) al2-A；r 12 ]。
[0056] 在式2-1至2-5中，X21可W为C(R23)或N，且拉2可W为C(R24)或N。
[0057] 例如，在式2-1至2-5中，&巧W为C(R23)，，且拉河W为C(R24)。
[005 引在式 2-1至 2-5 中，Y巧 W为N[化21)a2 广AniL且 Y2 可选自 N[化 22)a22-Ar22]、0、S、C (R25KR26)和 SKR25KR26)。
[0059] 在式3中，&巧选自0、S和N[化3i)a3广Ani]。
[0060] 在式1、2-1至2-5和3中，Li适Li3、L2i、L22和L31至L3河各自独立地选自取代的或未 取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的Ci-Cio亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环 締基、取代的或未取代的Cl-Cio亚杂环締基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取 代的Ci-Cso亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二 价非芳族稠合杂多环基团。
[0061 ] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，Lii至Li3可各自独立地选自：
[0062] 亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、 亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚 苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯 基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚化咯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚咪挫基、亚化挫基、亚 嚷挫基、亚异嚷挫基、亚嗯挫基、亚异嗯挫基、亚化晚基、亚化嗦基、亚喀晚基、亚化嗦基、亚 异吗I噪基、亚吗I噪基、亚吗I挫基、亚嚷岭基、亚哇嘟基、亚异哇嘟基、亚苯并哇嘟基、亚献嗦 基、亚糞晚基、亚哇喔嘟基、亚哇挫嘟基、亚增嘟基、亚巧挫基、亚菲晚基、亚叮晚基、亚菲咯 嘟基、亚吩嗦基、亚苯并咪挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩基、亚异苯并嚷挫基、亚苯并嗯 挫基、亚异苯并嗯挫基、亚=挫基、亚四挫基、亚嗯二挫基、亚=嗦基、亚二苯并巧喃基、亚二 苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基、亚二苯并巧挫基、亚嚷二挫基、亚咪挫并化晚基和亚咪挫并喀 晚基；W及
[0063] 各自被选自W下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、 亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那 締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧 基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚化咯基、亚嚷吩 基、亚巧喃基、亚咪挫基、亚化挫基、亚嚷挫基、亚异嚷挫基、亚嗯挫基、亚异嗯挫基、亚化晚 基、亚化嗦基、亚喀晚基、亚化嗦基、亚异吗I噪基、亚吗I噪基、亚吗I挫基、亚嚷岭基、亚哇嘟基、 亚异哇嘟基、亚苯并哇嘟基、亚献嗦基、亚糞晚基、亚哇喔嘟基、亚哇挫嘟基、亚增嘟基、亚巧 挫基、亚菲晚基、亚叮晚基、亚菲咯嘟基、亚吩嗦基、亚苯并咪挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷 吩基、亚异苯并嚷挫基、亚苯并嗯挫基、亚异苯并嗯挫基、亚=挫基、亚四挫基、亚嗯二挫基、 亚=嗦基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基、亚二苯并巧挫基、亚嚷二挫 基、亚咪挫并化晚基和亚咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、 阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、扣-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、扣- C20烷氧基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、化晚基、 喀晚基、化嗦基、化嗦基、=嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基和哇挫嘟 基，
[0064] L21、L22和Lsi至L34可各自独立地选自：
[0065] 亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、 亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚 苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯 基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚巧挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并 嚷吩基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基和亚二苯并巧挫基；W及
[0066] 各自被选自W下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、 亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那 締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧 基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃 基、亚巧挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧 挫基和亚二苯并巧挫基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸 或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊 締基、环己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、 苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯 并芳娃烷基和-Si (化1) (Q32)(化3)，W及
[0067] Q31至Q33可各自独立地选自C广Cl日烷基、扣-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、 苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基。
[0068] 在一些实施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，。1至^3可各自独立地为选自由式3-1 至3-34表示的基团中的一个，W及
[0069] L21、L22和L31至L34可各自独立地为选自由式3-1至3-10、3-26至3-28、3-32和3-33表 示的基团中的一个：
[0。7"
[0072] 在式 3-1 至 3-34 中，
[0073] Yii可选自0、S、S(=0)，S(=0)2、C(Z3) (Z4)、N(Zs)和Si(Zs) (Z7);
[0074] Zi至Z?可各自独立地选自氨、気、-F、-Cl、-化、-I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱 基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、C1-C20 烷氧基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；
[00巧]dl可为选自1至4的整数;d2可为选自1至3的整数;d3可为选自1至6的整数;d4可为 选自1至8的整数;d5可为整数1或2;d6可为选自1至5的整数;且*和*'可各自独立地为与相 邻原子的结合位点。
[0076] 在一些实施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，1^11至。3可各自独立地为选自由式4-1 至4-26表示的基团中的一个，W及
[0077] L2i、L22和L31至L34可各自独立地为选自由式4-1、4-3、4-5至4-8和4-10至4-21表示 的基团中的一个，但是本发明的实施方式并不限于此：
[n07Rl
[0079] 在式4-1至4-26中，*和*'可各自独立地为与相邻原子的结合位点。
[0080] 在式1、2-1至2-5和3中，all至al3、a21、a22和曰31至曰34可各自独立地选自0、1、2和 3。在式1、2-1至2-5和3中，all指示Lii的数量，且当all为0时，-(LiOai广为单键，并且当all 为2或更大时，两个或更多个^1可W彼此相同或不同。曰12、曰13、曰21、曰22和曰31至曰34的描述 可通过参考all的描述和式1、2-1至2-5和3的各自结构而各自独立地被理解。
[0081 ]在式 1、2-1 至2-5和3 中，
[0082] Arii、Ari2、Ani和Ar22可各自独立地选自ETi和HT2; W及
[0083] Ani 至 Ar33 可 W 为HT2。
[0084] 在此，ETi是电子传输基团且HT2是空穴传输基团。
[0085] 在式 1、2-1 至2-5和3 中，
[0086] Arii和Ari2可各自独立地选自ETi和肌2，其中Arii和Ari2中的至少一个可W为ETi且 Aki和Ar22可W为HT2;或
[0087] Arii和Ari2可各自独立地为HT2，其中Ani和Ar22各自独立地选自ETi和HT2，且Ar2i和 Ak2中的至少一个可W为ETio
[0088] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，
[0089] Arii 可 W 为ETi，Xii 可选自 0、S、C(Ri 日）（Ri6)和 SKRi 日）（Ri6)且 Ani 和 Ar22 可 W 为HT2;
[0090] Aril 可 W 为61'1品1可选自^化12)312-4。2]、？[化12)312-4。2]、8[化12)312-4。2巧口？ (=0)[山2) ai2-A;r 12 ]且 Aru、Ani 和 Ar22 可 W 为肌2;或
[00川 Aril 可 W 为61'1品1可选自^化12)312-4。2]、？[化12)312-4。2]、8[化12)312-4。2巧口？ (=0)[山2)ai2-Ari2 ]、Ari2可 W 为ETi且Ani和Ar22可 W 为HT2。
[0092] ETi可选自取代的或未取代的Ci-Cio杂环烷基、取代的或未取代的Ci-Cio杂环締基、 取代的或未取代的Ci-Cso杂芳基和取代的或未取代的包括至少一个氮原子作为成环原子的 单价非芳族稠合杂多环基团（其中在取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团中排除 取代的或未取代的巧挫基）。
[OOW] 例如，E。可选自：
[0094] 化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀 晚基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、 糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、异苯 并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、=挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、嚷二挫基、咪挫 并化晚基和咪挫并喀晚基；
[0095] 各自被选自W下的至少一个取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯 挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟 基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、 菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、=挫基、四挫 基、嗯二挫基、S嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、 氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci- Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、 屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、 苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫 基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si(Qsi)(化2) (Q33)、-B(Q34)地日）和-N(跑 6) (Q37) ; W及
[0096] 各自被选自W下的至少一个取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯 挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟 基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、 菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、=挫基、四挫 基、嗯二挫基、=嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基：苯基、糞基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫 基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、 异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷 吩基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基，其各自被选自W下的至少一个取代：気、-F、-C1、- 化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci- Cio烷基、C广Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯 挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫 基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si (Q2I) (Q22) (Q23)、-B(Q24) (Q25)和-N(Q26) (Q27)，
[0097] 其中Q21至Q27和跑适跑7可各自独立地选自C1-C20烷基、&-C2〇烷氧基、苯基和糞基。 [009引在一些实施方式中，ETi可选自由式5-1至5-41表示的基团：
[01001
[0101] 在式 5-1 至 5-41 中，
[0102] Z"至Z43可各自独立地选自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、 阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C广C2G烷基和C广C2G烷氧基；
[0103] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈 基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并 咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、= 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；
[0104] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、 异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟 基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯 并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基 和咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其 盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫 基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟 基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯 并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪 挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-SKQ21)(化2) (Q23)、-B(Q24)(化5)和-N(化6) (Q27) ; W及 [010引-Si(Qsi) (Q32) (Q33)、-B(Q34) (Q35)和-N(跑6) (Q37);
[0106] 其中Q21至Q27和跑适跑7可各自独立地选自C广打日烷基、C广打日烷氧基、苯基和糞基；
[0107] n可为选自1至4的整数;f2可为选自1至3的整数;f3可为整数1或2;f4可为选自1 至6的整数;且巧可为选自1至5的整数。
[010引例如，在式5-1至5-41中，
[0109] Z41至Z43可各自独立地选自：
[0110]氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横 酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci偏基和Ci-Ci偏氧基；
[0111] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯 并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；
[0112] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基： Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、化晚基、化嗦基、喀晚基、哇嘟基、-Si (Q2I) (Q22) (〇23)、-B(Q24) (〇2日)和-N(Q26) (〇27) ; W及
[01 13] -Si(Qsi) (Q32) (Q33)、-B(Q34) (Q35)和-N(跑6) (Q37)，
[0114] 其中Q21至Q27和跑适跑7可各自独立地选自Cl-打0烷基、C广打0烷氧基、苯基和糞基。
[0115] 在一些实施方式中，HT2可选自苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基；
[0116] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、硝基、氨基、脉基、阱 基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧 基、巧挫基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q34)(Q3日)和-N(跑6)(937);
[0117] 各自被选自C1-C20烷基和苯基的至少一个取代的苯基取代的苯基、戊搭締基、巧 基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締 基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并 五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并 巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基；W及
[011 引-Si(Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化）和-N(化）（化），
[0119] 其中化至化和跑1至跑7可各自独立地选自Ci-Cio烷基、打-CiO烷氧基、苯基和糞基。
[0120] 例如，HT河选自：
[0121] -51(91)(92)(93)、-8(化）（化）和-則化）（化）；^及
[0122] 选自式7-1至7-9的基团，
[0123] 其中化至化可各自独立地选自Cl-打0烷基、C广打0烷氧基、苯基和糞基：
[0125] 在式 7-1 至 7-9 中，
[0126] Y31 和Y3河各自独立地选自单键、0、S、C(Z34)(Z35)、N(Z36WPSi(Z37)(Z38);
[0127] Z31至Z38可各自独立地选自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、 阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C广ClG烷基和C广ClG烷氧基；
[0128] 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 匆基、^苯并匆基、非那締基、非基、恩基、欠恩基、苯并非基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；W及
[0129] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉 基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C广ClG烷基和C广ClG烷氧基；
[0130] el可为选自1至5的整数，日2可为选自1至7的整数，日3可为选自1至3的整数，日4可为 选自I至4的整数，且*和*'可各自独立地为与相邻原子的结合位点。
[0131] 例如，HT2可选自由式8-1至8-46表示的基团：
[0132]
「019/11
[0135] 在式8-1至8-46中，*可W为与相邻原子的结合位点。
[0136] 在式1、2-1至2-5和3中，Rll至Ri6、R21至R26、R31和R32可各自独立地选自氨、気、-F、- C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其 盐、取代的或未取代的Cl-Cso烷基、取代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60 烘基、取代的或未取代的Cl-Cso烷氧基、取代的或未取代的C3-C1G环烷基、取代的或未取代的 Ci-Cio杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环締基、取代的或未取代的Ci-Cio杂环締基、取代 的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫 基、取代的或未取代的Ci-Cso杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的 或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si (Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化)和-N(化）（化），其中化 至化如本文所定义；W及
[0137] 化5和Ri6可任选地彼此连接并且形成饱和的或不饱和的环。
[0138] 例如，Ris和Ri6可任选地彼此连接并且形成具有4至10个碳原子的饱和的或不饱和 的环。
[0139] 在一些实施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，Ri适Ri6可各自独立地选自：
[0140]氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横 酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0141] 各自被选自W下的至少一个取代的C广C20烷基和C广C20烷氧基：気、-F、-Cl、-Br、- I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐，和憐酸或其盐；
[0142] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯 并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；
[0143] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基： 気、-F、-CU-Br、-I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐 酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲 基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、巧挫基、S嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和-Si(^i) (Q32KQ33); W及
[0144] -Si(Qi)(Q2)(Q3);
[0145] R2I至R26、R31和R32可各自独立地选自：
[0146]氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横 酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0147] 各自被选自W下的至少一个取代的C广C20烷基和C广C20烷氧基:気、-F、-Cl、-Br、- I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐，和憐酸或其盐；
[0148] 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；
[0149] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉 基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、环戊基、环 己基、环庚基、环戊締基、环己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基和-Si(Qsi) (Q32) (Q33) ; W及
[0150] -Si(Qi)(Q2)(Q3);
[0151] 其中化至化和跑1至跑3各自独立地选自Ci-Cio烷基、打-Cio烷氧基、苯基和糞基。
[01对在一些实施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，Ri适Ri6可各自独立地选自：
[01对氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横 酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0154] 各自被选自W下的至少一个取代的C广C20烷基和C广C20烷氧基：気、-F、-Cl、-Br、- I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐，和憐酸或其盐；
[0155] 苯基、糞基、巧基、菲基、化晚基、喀晚基、=嗦基、二苯并巧喃基和二苯并嚷吩基； W及
[0156] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、菲基、化晚基、喀晚基、S嗦 基、二苯并巧喃基和二苯并嚷吩基:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、 腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Cio烷基、Ci-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、菲 基、化晚基、喀晚基、S嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基和-Si(化1KQ32KQ33)，
[0157] R21至R26、R31和R32可各自独立地选自：
[015引氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横 酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0159] 各自被选自W下的至少一个取代的C广C20烷基和C广C20烷氧基：気、-F、-Cl、-Br、- I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐，和憐酸或其盐；
[0160] 苯基、糞基、巧基、菲基、巧挫基、二苯并巧喃基和二苯并嚷吩基；W及
[0161] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、菲基、巧挫基、二苯并巧喃基 和二苯并嚷吩基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其 盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、菲基、巧挫基、二 苯并巧喃基、二苯并嚷吩基和-Si(化1)(932)(化3)，
[01创其中跑适跑河各自独立地选自Ci-CiQ烷基、Ci-CiQ烷氧基、苯基和糞基。
[0163] 在式1、2-1至2-5和3中，bll至614、621、622、631和632可各自独立地选自0、1、2和 3。在式1、2-1至2-5和3中，bll指示化1的数量，且当bll为2或更大时，多个Rll可彼此相同或 不同。bl2至614、621、622、631和632的描述可通过参考611和式1、2-1至2-5和3的描述而各 自独立地被理解。
[0164] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，bll至614、621、622、631和632可各自独立地选自0、1 和2,或，在一些实施方式中，选自0和1。
[0165]在一些实施方式中，第一材料可由式IA至IG中的任一个表示，第二材料可由式2 (1)至2(16)中的任一个表示，且第=材料可由式3A至3E中的任一个表示：
[01661 式.1A
[0167
[01巧]在式3A至3E中，A3i、X3i、L32至L34、a32至曰34、4蜘、1?31、1?32、631和632与本文所定义的 相同，R41至R46各自独立地与在式3中定义的化1相同，且b43至b46各自独立地与在式3中定义 的b31相同。
[0176]在一些实施方式中，第一材料可由式IA至IG中的一个表示，第二材料可由式2(1) 至2 (13)中的一个表示，且第=材料可由式3A至3E中的一个表示：
[017
[018
[0183] 在式IA至IG中，
[0184] Xii可选自 0、S、N[ ai2)ai2-Ari2]、C(Ri5)(Ri6)、Si (Ris) (Ri6)、P[ai2)ai2-Ari2]、B [(Li2 ) al2-A；r 12 巧口P ( = 0 )[山2 ) aU-Ar 12 ];
[01化]Aril和Aru中的至少一个可W为ETi;
[0186] 。适山、曰11至A13、化适Ri6和bll至bl4与本文所定义的相同；
[0187] 在式 2(1)至 2(13)中，
[018引 Yi 可 W 为N[化 21)32 广 Ani];
[0189] Y 河选自 N[化 22)a22-Ar22]、0、S、C(R25KR26WPSi(R25)(R26);
[0190] X2巧 W为C(R23)且拉河 W为C(R24);
[0191] Ani 和 Ar22 可 W 为HTi;
[0192] a21、a22、b21和b22可各自独立地选自0、1、2和3;
[0193] 在式3A至3E中，
[0194] X3巧选自 0、S和N[化31)a3广Ani];
[01巧]a31至a34、b31、b32和b43至b46可各自独立地选自0、1、2和3;
[0196] A3i、Ar3i和Ar33与本文所定义的相同；
[0197] 在式2(1)至2(13)和式3A至3E中，
[019引 L21、L22和Lsi至L34可各自独立地选自：
[0199] 亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、 亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚 苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯 基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚巧挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并 嚷吩基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基和亚二苯并巧挫基；W及
[0200] 各自被选自W下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、 亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那 締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧 基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃 基、亚巧挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧 挫基和亚二苯并巧挫基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸 或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊 締基、环己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、 苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯 并芳娃烷基和-Si (化1) (Q32)(化3);
[020。 R21至R26、R31、R32和R41至R46可各自独立地选自：
[020^ 氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横 酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci偏基和Ci-Ci偏氧基；
[0203] 各自被选自W下的至少一个取代的C广Cio烷基和C广Cio烷氧基:気、-F、-Cl、-Br、- I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐和憐酸或其盐；
[0204] 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；
[0205] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉 基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、环戊基、环 己基、环庚基、环戊締基、环己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基、二苯并芳娃烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33);W及
[0206] -Si(Qi) (Q2KQ3)，
[0207] 其中化至化和跑1至跑3可各自独立地选自Ci-Cio烷基、打-Cio烷氧基、苯基和糞基。
[0208] 在一些实施方式中，第一材料可选自化合物IOlA至189A和化合物IOlB至163B，第 二材料可选自化合物301A至373A和化合物30IB至460B，且第S材料可选自化合物501至 796：
[0209]
[0243]
[0244] 在上文所述的化合物式中，化为苯基且Me为甲基。
[0245] 在一些实施方式中，第一材料可为选自化合物IOlA至189A中的一种，第二材料可 为选自化合物30IA至373A中的一种，且第=材料可为选自化合物501至796中的一种。
[0246] 在一些实施方式中，第一材料可为选自化合物IOlB至163B中的一种，且第二材料 可为选自化合物30IB至460B中的一种，且第=材料可为选自化合物501至796中的一种。
[0247] 当发光层包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中的任一个表示的第二材 料，W及空穴传输区包括由式3表示的第=材料时，发光层的激子区（例如，含有激子的发光 层的区)被放大，因为空穴可W容易地从空穴传输区转移至发光层，由此所得有机发光装置 可具有高效率和长寿命。
[0248] 空穴传输区可W包括选自空穴注入层化IL)、空穴传输层化化）、缓冲层和电子阻 挡层化化)中的至少一个。
[0249] 空穴传输区可具有由单种材料形成的单层结构、由多种不同材料形成的单层结 构、或具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0250] 例如，空穴传输区可具有由多种不同材料形成的单层结构、或空穴注入层/空穴传 输层的结构、空穴注入层/空穴传输层/缓冲层的结构、空穴传输层/缓冲层的结构、空穴注 入层/电子阻挡层的结构、空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构、或空穴传输层/电 子阻挡层的结构，其中每种结构的层W所述次序从第一电极110顺序堆叠，但是本发明的实 施方式并不限于此。
[0251] 在一些实施方式中，发光层可W包括主体和渗杂剂，并且主体可W包括由式I表示 的第一材料和由式2-1至2-5表示的第二材料；
[0252] 空穴传输区可W包括选自空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个，选自空穴传输 层和电子阻挡层中的至少一个可W包括由式3表示的第=材料。
[0253] 当空穴传输区包括空穴注入层时，通过一种或多种适合方法诸如真空沉积、旋转 涂布、诱注、朗缪尔-布罗基特化angmuir-BlOdgett (LB))法、喷墨打印、激光打印和/或激光 诱导的热成像化ITI)可在第一电极110上形成空穴注入层。
[0254] 当空穴注入层通过真空沉积形成时，例如，取决于用于形成空穴注入层的化合物 和所需空穴注入层的结构，真空沉积可在约l〇〇°C至约500°C范围内的沉积溫度和约1(T8托 至约ICT3托范围内的真空度下W约化Ol A/秒至约1 OOJl/秒范围内的沉积速率进行。
[0255] 当空穴注入层通过旋转涂布形成时，取决于用于形成空穴注入层的化合物和所需 空穴注入层的结构，旋转涂布可在约80°C至200°C范围内的溫度下W约2000巧m至约 500化pm范围内的涂布速率进行。
[0256] 当空穴传输区包括空穴传输层时，通过一种或多种适合方法诸如真空沉积、旋转 涂布、诱注、LB法、喷墨打印、激光打印和/或LITI，可在第一电极110或空穴注入层上形成空 穴传输层。当空穴传输层通过真空沉积和/或旋转涂布形成时，沉积和涂布条件可与用于形 成空穴注入层的条件类似。
[0巧7]空穴传输区的厚度可W在约100 A至约1(),000 A，例如约100 A至约1，000 A的范 围内。当空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输层两者时，空穴注入层的厚度可在约100 A 至约10000 A，例如约100 A至约1000 A的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约50 A至约 2000 A，例如约100 A至约1500 A的范围内。当空穴传输区包括电子阻挡层时，电子阻挡 层的厚度可W在约50 A至约800基，例如约100 A至约斌0 A的范围内。
[0258] 当空穴传输区、空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的厚度在任意运些范围内 时，可在驱动电压没有显著增加下获得空穴传输区的令人满意的空穴传输性质。
[0259] 除了上文所述的第=材料之外，空穴传输区还可W包括用于改善导电性的电荷产 生材料。电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散于整个空穴传输区中。
[0260] 电荷产生材料可W为例如P-渗杂剂。P-渗杂剂可W为选自W下的一种:酿衍生物、 金属氧化物和含氯基化合物，但是本发明的实施方式并不限于此。例如，P-渗杂剂可W为酿 衍生物，诸如四氯基酿二甲烧（TCNQ)和/或2,3,5,6-四氣-四氯基-1,4-苯酿二甲烧(F4- TCNQ);金属氧化物，诸如氧化鹤和/或氧化钢;和/或化合物HT-Dl，但是本发明的实施方式 并不限于此： <化合物 HT-m> <F4-TCN〇> 幽；
[0262] 除了空穴注入层和空穴传输层之外，空穴传输区还可W包括选自缓冲层和电子阻 挡层中的至少一个。缓冲层可根据由发光层发射的光的波长来补偿光学共振距离。因此，可 改善包括缓冲层的有机发光装置的发光效率。缓冲层中的材料可W为也包括于空穴传输区 中的材料。电子阻挡层可防止或大致上阻挡来自电子传输区的电子的注入。
[0263] 通过使用（利用）一种或多种适合方法诸如真空沉积、旋转涂布、诱注、LB法、喷墨 打印、激光打印和/或LITI，可在空穴传输区130上形成发光层150。当发光层150通过真空沉 积和/或旋转涂布形成时，用于形成发光层150的沉积和涂布条件可W与用于形成空穴注入 层的沉积和涂布条件类似。
[0264] 当有机发光装置10为全色有机发光装置时，可将发光层150图案化为子像素，包括 红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。在一些实施方式中，发光层150可具有红色发光层、 绿色发光层和蓝色发光层的堆叠结构，或可W包括于单个层中彼此混合的红光发射材料、 绿光发射材料和蓝光发射材料而发射白光。
[0265] 发光层150可W包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中的任一个表示的第 二材料。
[0266] 发光层150的厚度可在约100: A至约:1，0舰A，例如约200 A至约600 A的范围内。 当发光层的厚度在任意运些范围内时，可在驱动电压没有显著增加下获得发光层的优异的 发光特性。
[0267] 发光层150可W包括主体和渗杂剂。
[0268] 在发光层150中，主体可W包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中的任一个 表示的第二材料。
[0269] 发光层中的第一材料与第二材料的重量比率可W在约10:90至约90:10,例如约 20:80至约80: 20、或约25:75至约50:50的范围内。当第一材料与第二材料的重量比率在任 意运些范围内时，可有效平衡发光层150中的空穴转移和电子转移。
[0270] 渗杂剂可W包括选自巧光渗杂剂和憐光渗杂剂中的至少一种。
[0271] 憐光渗杂剂可W包括由式401表示的有机金属络合物： 4' 401
[0272]
[0273] 在式 401 中，
[0274] M可选自银（Ir)、销（Pt)、饿（Os)、铁(Ti)、错（Zr)、给化f)、館化U)、铺（Tb)和镑 (Tm)；
[0275] X401至X4日河各自独立地为氮（-N-)或碳(-C-);
[0276] 环A4Q1和A4Q2可各自独立地选自：
[0277] 取代的或未取代的苯、取代的或未取代的糞、取代的或未取代的巧、取代的或未取 代的螺-巧、取代的或未取代的巧、取代的或未取代的化咯、取代的或未取代的嚷吩、取代的 或未取代的巧喃、取代的或未取代的咪挫、取代的或未取代的化挫、取代的或未取代的嚷 挫、取代的或未取代的异嚷挫、取代的或未取代的嗯挫、取代的或未取代的异嗯挫、取代的 或未取代的化晚、取代的或未取代的化嗦、取代的或未取代的喀晚、取代的或未取代的化 嗦、取代的或未取代的哇嘟、取代的或未取代的异哇嘟、取代的或未取代的苯并哇嘟、取代 的或未取代的哇喔嘟、取代的或未取代的哇挫嘟、取代的或未取代的巧挫、取代的或未取代 的苯并咪挫、取代的或未取代的苯并巧喃、取代的或未取代的苯并嚷吩、取代的或未取代的 异苯并嚷吩、取代的或未取代的苯并嗯挫、取代的或未取代的异苯并嗯挫、取代的或未取代 的=挫、取代的或未取代的嗯二挫、取代的或未取代的=嗦、取代的或未取代的二苯并巧喃 和取代的或未取代的二苯并嚷吩；W及
[0278] 所述取代的苯、取代的糞、取代的巧、取代的螺-巧、取代的巧、取代的化咯、取代的 嚷吩、取代的巧喃、取代的咪挫、取代的化挫、取代的嚷挫、取代的异嚷挫、取代的嗯挫、取代 的异嗯挫、取代的化晚、取代的化嗦、取代的喀晚、取代的化嗦、取代的哇嘟、取代的异哇嘟、 取代的苯并哇嘟、取代的哇喔嘟、取代的哇挫嘟、取代的巧挫、取代的苯并咪挫、取代的苯并 巧喃、取代的苯并嚷吩、取代的异苯并嚷吩、取代的苯并嗯挫、取代的异苯并嗯挫、取代的= 挫、取代的嗯二挫、取代的=嗦、取代的二苯并巧喃和取代的二苯并嚷吩的至少一个取代基 选自：
[0279] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、CrCso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和CrCso烷氧基；
[0280] 各自被选自W下的至少一个取代的Ci-Cs偏基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Ci-Cso烧 氧基:気、-F、-Cl、-化、-I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其 盐、憐酸或其盐、C3-C10环烷基、扣-Cio杂环烷基、C3-C10环締基、&-Cio杂环締基、C6-C60芳基、 C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多 环基团、-N(Q4Oi) (〇4〇2)、-Si(Q4〇3) (〇4〇4) (〇4〇5)和-B(Q406) (〇4〇7);
[02川 C3-Cl肺烷基、Cl-ClQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、Cl-ClQ杂环締基、C6-C6Q芳基、C6-C60芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基 团；
[0282] 各自被选自W下的至少一个取代的C3-C10环烷基、扣-Cio杂环烷基、C3-C10环締基、 Cl-Cl日杂环締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多 环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱 基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、扣-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C6日烘基、扣-Cso 烷氧基、C3-C1Q环烷基、C广CiQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、Ci-CiQ杂环締基、Cs-Csq芳基、Cs-Cso芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基 团、-N(Qui) (〇412)、-Si(Q413) (〇414)(化15)和-B(Q416)(化17) ; W及 [028；3] -N(Q421) (Q422)、-Si(Q423) (Q424) (Q425)和-B(Q426) (Q427);
[0284] 其中Q401至Q407、Q"i至Q"7和Q421至Q427可各自独立地选自氨、気、-F、-Cl、-化、-I、美圣 基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Cso烷基、 C2-C60締基、C2-C60烘基、C广C册烷氧基、Cs-Cio环烷基、打-Cl日杂环烷基、Cs-Cio环締基、打-Cio杂 环締基、Cs-C日日芳基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基 团；
[0285] Lwi可W是有机配体；
[0286] XCl可W为1、2或3; W及
[0287] xc2可 W 为0、1、2或 3。
[028引L401可W为单价、二价、或S价有机配体。例如，L401可选自面素配体(例如，Cl或F)、 二酬配体(例如，乙酷丙酬化物、1，3-二苯基-1，3-丙烷二酬酸盐、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚 烧二酬酸盐和/或六氣丙酬酸盐）、簇酸配体(例如，化晚甲酸盐、二甲基-3-化挫簇酸盐和/ 或苯甲酸盐）、一氧化碳配体、异腊配体、氯基配体和憐配体(例如，麟和/或亚憐酸盐），但是 本发明的实施方式并不限于此。
[0289] 在式401中，当A401具有两个或更多个取代基时，A401的两个或更多个取代基可彼此 连接W形成饱和的或不饱和的环。
[0290] 在式401中，当A402具有两个或更多个取代基时，A402的两个或更多个取代基可彼此 连接W形成饱和的或不饱和的环。
[0291] 在式401中，当XCl为2或更大时，式401中的多个配
彼此相同或不 同。在式401中，当XCl为2或更大时，一个配体的A401和/或A40河分别直接(例如，经由单键） 或经由在其间的连接基团（例如，Ci-Cs亚烷基、C2-C5亚締基、-N(R'）-(其中R'为Ci-Cio烷基 或C6-C20芳基)和/或-C(=0)-)连接于不同相邻配体的A401和/或A402。
[0292] 憐光渗杂剂可W包括化合物PDl至PD74中的至少一种，但是本发明的实施方式并 不限于此：
[0299]
[0300] 在一些实施方式中，憐光渗杂剂可W包括PtOEP或PD75:
[03(
[0302] 基于100重量份的主体，发光层中渗杂剂的量可W在约0.01至约15重量份的范围 内，但是本发明的实施方式并不限于此。
[0303] 电子传输区170可布置在发光层150上。
[0304] 电子传输区170可W包括选自空穴阻挡层化BU、电子传输层化化)和电子注入层 化IU中的至少一种，但是本发明的实施方式并不限于此。
[0305] 例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层的结构或空穴阻挡层/电子传输 层/电子注入层的结构，其中每种结构的层W所述的次序从发光层顺序堆叠，但是本发明的 实施方式并不限于此。
[0306] 电子传输区可W包括空穴阻挡层。当发光层包括憐光渗杂剂时，空穴阻挡层可防 止或大致上阻挡=重峰激子和/或空穴从发光层扩散到电子转移层。
[0307] 当电子传输区包括空穴阻挡层时，通过一种或多种适合方法诸如真空沉积、旋转 涂布、诱注、LB法、喷墨打印、激光打印和/或LITI，可在发光层上形成空穴阻挡层。当空穴阻 挡层通过真空沉积和/或旋转涂布形成时，用于形成空穴阻挡层的沉积和涂布条件可与用 于形成空穴注入层的沉积和涂布条件类似。
[0308] 空穴阻挡层可W包括，例如选自BCP和化hen中的至少一种，但是本发明的实施方 式并不限于此。
[0309]
[0310] 空穴阻挡层的厚度可在约20 A至约1,000 A，例如约30 A至约300 A的范围内。当 空穴阻挡层的厚度在任意运些范围内时，可在驱动电压无显著增加下获得空穴阻挡层的优 异的空穴阻挡特性。
[0311] 电子传输区可W包括电子传输层。通过一种或多种适合方法诸如真空沉积、旋转 涂布、诱注、LB法、喷墨打印、激光打印和/或LITI，可在发光层或空穴阻挡层上形成电子传 输层。当电子传输层通过真空沉积和/或旋转涂布形成时，用于形成电子传输层的真空沉积 和涂布条件可与用于形成空穴注入层的真空沉积和涂布条件类似。
[0312] 在一些实施方式中，有机发光装置10可W包括在发光层150与第二电极190之间的 电子传输区170。电子传输区170可W包括选自电子传输层和电子注入层中的至少一种。 [0313] 除BCP和I3phen (如上所示）之外，电子传输层还可W包括选自Alqs、BAlq、TAZ和 NTAZ(如下所示）中的至少一种：
[03141
[0315] 在一些实施方式中，电子传输层可W包括选自由式601表示的化合物和由式602表 示的化合物中的至少一种：
[0316] 式601
[0317] Ar601-[ (L60l)xel-E60l]xe2〇
[031引在式601中，
[0319] Arsoi可选自：
[0320]糞、庚搭締、巧、螺-巧、苯并巧、二苯并巧、非那締、菲、蔥、巧蔥、苯并菲、巧、屈、并 四苯、畦、巧、戊芬和巧并蔥；W及
[0321] 各自被选自W下的至少一个取代的糞、庚搭締、巧、螺-巧、苯并巧、二苯并巧、非那 締、菲、蔥、巧蔥、苯并菲、巧、屈、并四苯、畦、巧、戊芬和巧并蔥:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯 基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-C日日烷基、C2-C60 締基、C2-C60烘基、C广Cs日烷氧基、C3-C1日环烷基、C广Cl日杂环烷基、C3-C1日环締基、Ci-Cio杂环締 基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价 非芳族稠合杂多环基团和-Si (化日1) ( 〇3日2 ) ( 〇3日3 )(其中化日1至跑03各自独立地选自氨、Cl-Cso烧 基、Cs-Cso締基、Cs-Cso芳基和C广Cso杂芳基）；
[0322] Lsoi可具有与本文定义的L201相同的定义；
[0323] Esoi可选自：
[0324] 化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化 晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并 哇嘟基、献嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、 吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、 =挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫 基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；W及
[0325] 各自被选自W下的至少一个取代的化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫 基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫 基、嚷岭基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、 巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并 嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、=挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二 苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、- I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烧 基、C1-C20烷氧基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、 咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、异 吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、糞晚基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃 基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、=挫基、四挫基、嗯二挫基、= 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀 晚基；
[0326] xel 可选自 0、1、2和3;W 及
[0327] xe2可选自 1、2、3和4。
[0328；
[0329] 在式602 中，
[0330] Xsil 可 W 为N或 C-(Xsil)XeSll-Rsil，Xsi2 可 W 为N或 C-(X612)xe612-R612，Xsi3可 W 为N或〔- (L613 )xe613-Rsi3，且选自Xsil至X613中的至少一个可W为N;
[0331] Lm至L616可各自独立地具有与本文定义的L201相同的定义；
[0332] Rsii至R616可各自独立地选自：
[0333] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和=嗦基；W及
[0334] 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、巧挫基和S嗦基:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺 基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、奧基、巧 基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦 基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和=嗦基；W及
[0335] xe611至xe616可各自独立地选自0、1、2和3。
[0336] 由式601表示的化合物和由式602表示的化合物可各自独立地选自化合物ETl至 ET15：
[033引
[0339] 电子传输层的厚度可在约]00 A屯约1,000 A，例如约】50 A至约洗0 A的范围内。 当电子传输层的厚度在任意运些范围内时，可在驱动电压无显著增加下获得电子传输层的 优异的电子传输特征。
[0340] 在一些实施方式中，除上文所述的材料之外，电子传输层还可W包括含金属材料。 [CX341]含金属材料可W包括Li络合物。Li络合物可W包括，例如化合物ET-DUS-^基哇 嘟裡、LiQ)和/或ET-D2:
[cm2;
[0343] 电子传输区可W包括利于电子从第二电极190注入的电子注入层。
[0344] 通过一种或多种适合方法诸如真空沉积、旋转涂布、诱注、LB法、喷墨打印、激光打 印和/或LITI，可在电子传输层上形成电子注入层。当电子注入层通过真空沉积和/或旋转 涂布形成时，用于电子注入层的真空沉积和涂布条件可W与用于空穴注入层的真空沉积和 涂布条件类似。
[0345] 电子注入层可W包括选自^。、船(：1、〔3。、^2〇、8曰0和^9中的至少一种。
[0346] 电子注入层的厚度可W在约IA至约100 A，例如约3 A至约撕A的范围内。当电 子注入层的厚度在任意运些范围内时，可在驱动电压无显著增加下获得电子注入层的令人 满意的电子注入特征。
[0347] 第二电极190可布置在电子传输区170上。第二电极190可W为阴极，其是电子注入 电极。用于形成第二电极190的第二电极材料可W为具有低功函的的材料，诸如金属、合金、 导电性化合物或其混合物。第二电极材料的非限制性实例可W包括裡化i)、儀(Mg)、侣 (Al)、侣-裡(A^Li)、巧(化）、儀-铜(Mg-In)和儀-银(Mg-Ag)。在一些实施方式中，第二电极 材料可W为ITO和/或IZ0。第二电极190可W为反射电极、半透射电极或透射电极。
[0348] 在上文，已参考附图描述了有机发光装置10,但是本发明的实施方式并不限于此。
[0349] 本文所使用的术语乂 1-C60烷基"是指主链中具有1至60个碳原子的直链或支链脂 族单价控基。Ci-Cso烷基的非限制性实例可W包括甲基、乙基、丙基、异下基、仲下基、叔下 基、戊基、异戊基和己基。本文所使用的术语乂 1-C60亚烷基"是指具有与Ci-Cso烷基相同的结 构的二价基团。
[0350] 本文所使用的术语"Ci-Cs偏氧基"是指由-OAioi(其中Aioi为Ci-Cso烷基读示的单 价基团。Ci-Cs偏氧基的非限制性实例可W包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0351] 本文所使用的术语乂 2-C60締基"是指沿着C2-C60烷基的碳链的一个或多个位置处 (例如，在C2-C60烷基的中间或任一末端)包括至少一个碳-碳双键的控基。C2-C60締基的非限 制性实例可W包括乙締基、丙締基和下締基。本文所使用的术语乂 2-C60亚締基"是指具有与 C2-C60締基相同的结构的二价基团。
[03对本文所使用的术语"C2-C60烘基"是指沿着C2-C60烷基的碳链的一个或多个位置处 (例如，在C2-C60烷基的中间或任一末端饱括至少一个碳-碳立键的控基。C2-C60烘基的非限 审雌实例可W包括乙烘基和丙烘基。本文所使用的术语"C2-C60亚烘基"是指具有与C2-C60烘 基相同的结构的二价基团。
[0353]本文所使用的术语乂 3-Cio环烷基"是指包括3至10个碳原子作为成环原子的单价 单环饱和控基。C3-C10环烷基的非限制性实例可W包括环丙基、环下基、环戊基、环己基和环 庚基。本文所使用的术语"C3-C10亚环烷基"是指具有与C3-C10环烷基相同的结构的二价基 团。
[0354]本文所使用的术语"Ci-Cio杂环烧堂'是指包括至少一个选自N、0、Si、P和S的杂原 子作为成环原子和1至10个碳原子作为剩余成环原子的单价单环基团。Ci-Cio杂环烷基的非 限制性实例可W包括四氨巧喃基和四氨嚷吩基。本文所使用的术语乂 I-Cio亚杂环烷基"是 指具有与Ci-Cio杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0?5]本文所使用的术语乂 3-Cio环締基"是指在C3-C10环締基的环中包括3至10个碳原子 作为成环原子和至少一个双键并且不具有芳香性的单价单环基团。C3-C10环締基的非限制 性实例可W包括环戊締基、环己締基和环庚締基。本文所使用的术语乂 3-Cio亚环締基"是指 具有与C3-C10环締基相同的结构的二价基团。
[0356] 本文所使用的术语乂广Cio杂环締基"是指在其环中包括至少一个选自N、0、Si、P和 S的杂原子作为成环原子、1至10个碳原子作为剩余成环原子和至少一个双键的单价单环基 团。Ci-Cio杂环締基的非限制性实例可W包括2,3-二氨巧喃基和2,3-二氨嚷吩基。本文所使 用的术语"Ci-Cio亚杂环締基"是指具有与Ci-Cio杂环締基相同的结构的二价基团。
[0357] 本文所使用的术语乂 6-C60芳基"是指包括具有6至60个碳原子作为成环原子的碳 环芳族系统的单价基团，并且本文所使用的C6-C60亚芳基是指包括具有6至60个碳原子作为 成环原子的碳环芳族系统的二价基团。C6-C60芳基的非限制性实例可W包括苯基、糞基、蔥 基、菲基、巧基和屈基。当C6-C60芳基和/或C6-C60亚芳基包括两个或更多个环时，各个环可W 彼此稠合。
[0358] 本文所使用的术语乂广C60杂芳基"是指具有包括至少一个选自N、0、P和S的杂原子 作为成环原子和1至60个碳原子作为剩余成环原子的碳环芳族系统的单价基团。本文所使 用的术语乂 1-C60亚杂芳基"是指具有包括至少一个选自N、0、Si、P和S的杂原子作为成环原 子和1至60个碳原子作为剩余成环原子的碳环芳族系统的二价基团。Ci-Cso杂芳基的非限制 性实例可W包括化晚基、喀晚基、化嗦基、化嗦基、S嗦基、哇嘟基和异哇嘟基。当Ci-Cso杂芳 基和/或Ci-Cso亚杂芳基包括两个或更多个环时，各个环可W彼此稠合。
[0359] 本文所使用术语"C6-C60芳氧基"是指由-〇Ai〇2(其中Ai〇2为C6-C60芳基)表示的单价 基团，并且本文所使用的术语乂 6-C60芳硫基"是指由-SAi〇3(其中Ai〇3为C6-C60芳基)表示的单 价基团。
[0360] 本文所使用的术语"单价非芳族稠合多环基团"是指运样的单价基团，其具有彼此 稠合的两个或更多个环，只有碳原子作为成环原子(例如，具有8至60个碳原子)且不具有总 体芳香性。单价非芳族稠合多环基团的非限制性实例可W包括巧基。本文所使用的二价非 芳族稠合多环基团是指具有与单价非芳族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0361] 本文所使用的术语"单价非芳族稠合杂多环基团"是指运样的单价基团，其具有彼 此稠合的两个或更多个环，具有至少一个选自N、0、Si、P和S的杂原子作为成环原子和碳原 子作为剩余成环原子(例如，具有1至60个碳原子)且不具有总体芳香性。单价非芳族稠合杂 多环基团的非限制性实例可W包括巧挫基。本文所使用的术语"二价非芳族稠合杂多环基 团"是指具有与单价非芳族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0362] 如本文所使用，所述取代的C3-C10亚环烷基、取代的Ci-Cio亚杂环烷基、取代的C3- Cio亚环締基、取代的Ci-Cio亚杂环締基、取代的C6-C60亚芳基、取代的Ci-Cso亚杂芳基、取代的 二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的Ci-Cso烷基、取代的 C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的Cl-Cs偏氧基、取代的C3-C1肺烷基、取代的Cl-Cio杂环 烷基、取代的C3-C10环締基、取代的Cl-Cio杂环締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、 取代的C6-C60芳硫基、取代的Cl-Cso杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价 非芳族稠合杂多环基团中的至少一个取代基选自：
[0363] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、CrCso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C广Cso烷氧基；
[0364] 各自被选自W下的至少一个取代的Ci-Cs偏基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Ci-Cso烧 氧基:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其 盐、憐酸或其盐、C3-C10环烷基、扣-Cio杂环烷基、C3-C10环締基、&-ClO杂环締基、C6-C60芳基、 C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多 环基团和-5;[(011)(012)(013);
[0365] C3-C1肺烷基、Cl-ClQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、Cl-ClQ杂环締基、C6-C6Q芳基、C6-C60芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基 团；
[0366] 各自被选自W下的至少一个取代的C3-C10环烷基、扣-CiO杂环烷基、C3-C10环締基、 Cl-Cl日杂环締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多 环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱 基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、扣-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C6日烘基、扣-Cso 烷氧基、C3-C1Q环烷基、C广CiQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、Ci-CiQ杂环締基、Cs-Csq芳基、Cs-Cso芳 氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团 和-Si(Q21)(胞0(Q23);W及
[0367] -Si(Qsi) (Q32) (933)，
[036引其中Qll至化3、Q21至Q23和跑1至Q33可各自独立地选自氨、気、-F、-C1、-化、-I、径基、 氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-C日日烷基、C2- Cso締基、C2-C60烘基、CrCs日烷氧基、Cs-Cio环烷基、打-Cl日杂环烷基、Cs-Cio环締基、打-Cl日杂环 締基、C6-C60芳基、C广C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。
[0369] 如本文所使用，表述"Pb"指示苯基，表述"Me"指示甲基，表述巧t"指示乙基，并且 表述"ter-Bu"或巧U"'指示叔下基。
[0370] 在下文，将参考合成例和实施例更详细地描述根据本发明的实施方式的化合物和 包括所述化合物的有机发光装置。然而，本发明的实施方式并不限于此。在描述合成实施例 时使用的表述"使用B代替A"指示A的摩尔当量与B的摩尔当量相等。
[0371 ]实施例 [0巧。实施例1
[037；3] 将厚度为15 Q/cnr'(MX_) A)的氧化铜锡（ITO)玻璃基板(得自Corning Inc.)切成 50mm X 50mmX 0.5mm的大小，在异丙醇和纯水中各自超声处理10分钟，然后用UV和臭氧清洁 10分钟。
[0374] 将2-TNATA(得自Duksan Hi-Metal Co Ltd)真空-沉积在所制备的ITO玻璃基板 (在此，阳极）上W形成具有600 A厚度的空穴注入层，并将化合物587(得自Duksan Hi- Metal Co Ltd)真空-沉积在空穴注入层上W形成具有300 A厚度的电子阻挡层，从而形成 空穴传输区。
[0375] 将作为主体的化合物108B(得自化inil Steel Co丄td.)和化合物426B(得自 Toray IndustriesJnc.)和作为渗杂剂的PD75(得自Universal Display Coloration)W 50:50:10的重量比率共沉积W形成具有400 A厚度的发光层。然后，将Alq3沉积在发光层 上W形成具有300 A厚度的电子传输层，并且在电子传输层上形成具有2000 A厚度的Al 阴极，从而完成有机发光装置的制造。
[0巧引 实施例2至16和比较例1至4
[0377] W与实施例1相同（或大致上相同）的方式制造有机发光装置，除了根据表1改变用 于主体和电子阻挡层的材料。
[0巧引评价实施例1
[0379] 使用Keithl巧SMU 236和亮度计PR650评价实施例1至16和比较例1至4中制备的 有机发光装置的驱动电压、电流密度、效率和寿命(T97)。结果示于表1中。寿命(T97)被定义 为有机发光装置的亮度降至其起始亮度的97%的时间。
[0380] 表 1
[0
[0384] 参考表1，实施例1至16的有机发光装置的效率和寿命特性优于比较例I至4的有机 发光装置。
[0385] 根据本发明的一个或多个实施方式，包括由式1、2-1至2-5和3表示的化合物的有 机发光装置可具有高效率和长寿命。
[0386] 如本文所使用的术语"使用(use)"、"正在使用(using)"和"所使用的(used)"可被 认为分别与术语"利用（utilize)"、"正在利用（utilizing)"和"所利用的（utilized)"同 义。
[0387] 此外，本文所使用的术语"大致上"、"约"和类似术语作为近似术语而不是作为程 度术语来使用，并且意图解释本领域普通技术人员公认的测量值或计算值的固有偏差。
[0388] 同样，本文列举的任何数值范围意图包括纳入所列举范围的相同数值精度的所有 子范围。例如，"1.0至10.0"的范围意图包括在所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0 之间（且包括端值)的，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有 子范围，诸如，例如，2.4至7.6。本文列举的任何最大数值限制意图包括被纳入其中的所有 较低的数值限制并且在本说明书中列举的任何最小数值限制意图包括被纳入其中的所有 较高的数值限制。因此，
【申请人】保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，W明确列举被纳 入本文明确列举的范围内的任何子范围。
[0389] 应理解，本文所述的实施方式应被认为仅是描述性含义而非限制的目的。在每个 实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其他类似的特征 或方面。
[0390] 尽管已经参考附图描述本发明的一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员 会理解，可在不偏离如通过权利要求及其等效形式限定的本发明的精神和范围下对本文在 形式和细节上作出各种变化。
【主权项】
1. 一种有机发光装置，其包括： 第一电极； 面对所述第一电极的第二电极； 在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层； 在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区；和 在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区， 其中所述发光层包含由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一个表示的第二材 料，W及 所述空穴传输区包含由式3表示的第Ξ材料：V: ·ν.;,ννι'令 其中，在式1、2-1至2-5和3中， Ai适Αι4、Α2ι、Α22和Α31各自独立地选自苯、糞、化晚、喀晚、哇嘟、异哇嘟、2,6-糞晚、l，8- 糞晚、l，5-糞晚、l，6-糞晚、l，7-糞晚、2,7-糞晚、哇喔嘟、献嗦、哇挫嘟和增嘟； Xll选自 0、S、N[αl2)al2-Arl2]、C(Rl5)(Rl6)、Si(Rl5)(Rl6)、P[αl2)al2-Arl2]、B[αl2)al2- Arl2]和P(=0)[αl2)al2-Arl2]; X21 为C(R23)或N; X22为C(R24)或N; Yl为N[ (X21)a21-Ar21]; Y2选自 N[ (X22)a22-Ar22]、0、S、C(R25) (R26)和Si (化5) (R26); X31选自 ο、S和N[化31) a3广Ani ]; Ln至Li3、L21、L22和L31至L34各自独立地选自取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的 或未取代的Ci-Cio亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环締基、取代的或未取代的Ci-Cio 亚杂环締基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C6O亚杂芳基、取代的或 未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团； all至al3、a21、a22和a31至a34各自独立地选自0、1、2和3,且当all为2或更大时，两个 或更多个^1彼此相同或不同，当al2为2或更大时，两个或更多个^2彼此相同或不同，当al3 为2或更大时，两个或更多个^3彼此相同或不同，当曰21为2或更大时，两个或更多个L21彼此 相同或不同，当a22为2或更大时，两个或更多个L22彼此相同或不同，当a31为2或更大时，两 个或更多个L31彼此相同或不同，当曰32为2或更大时，两个或更多个L32彼此相同或不同，当 a33为2或更大时，两个或更多个L33彼此相同或不同，且当a34为2或更大时，两个或更多个 L34彼此相同或不同； Aril、Ari2、Αγ2ι和Αγ22各自独立地选自ETi和HT2; Ani至Αγ33各自独立地为HT2; 其中ETi是电子传输基团，ΗΤ2是空穴传输基团； 化适Ri6、R2适R26、R31和R32各自独立地选自氨、気、-F、-C1、-化、-I、径基、氯基、硝基、氨 基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、取代的或未取代的C1-C60烷基、 取代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Cl-Cso烧氧 基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的Ci-Cio杂环烷基、取代的或未取代的 C3-C10环締基、取代的或未取代的C广ClO杂环締基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或 未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的Cl-Cso杂芳基、 取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基 团、-Si(Qi)(Q2)(Q3)、-BW4)(^WP-N(Q6)(Q7); 化5和化6任选地彼此连接W形成饱和的或不饱和的环； bll至614、621、622、63巧化32各自独立地选自0、1、2和3;且 所述取代的C3-C10亚环烷基、取代的Cl-ClO亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环締基、取代的 Cl-ClO亚杂环締基、取代的C6-C60亚芳基、取代的Cl-Cso亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多 环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60締基、取代的 C2-C6D烘基、取代的Ci-Ceo烷氧基、取代的C3-C1肺烷基、取代的Ci-Cio杂环烷基、取代的C3-C10 环締基、取代的Cl-ClO杂环締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫 基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环 基团中的至少一个取代基选自： 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其 盐、憐酸或其盐、C广C60烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C广C60烷氧基； 各自被选自W下的至少一个取代的Ci-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Cl-Cso烷氧基： 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐 酸或其盐、C3-C1Q环烷基、Cl-ClQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、打-ClQ杂环締基、Cs-CsQ芳基、Cs-Cso 芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C6O杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基 团、-Si(Qn)(化2) (Qi3)、-B(Qi4)(化5)和-N(Qi6)(化7); C3-C1Q环烷基、Cl-ClQ杂环烷基、C3-C1Q环締基、Cl-ClQ杂环締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧 基、C6-C60芳硫基、C广C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团； 各自被选自W下的至少一个取代的C3-C1日环烷基、C广Cl日杂环烷基、C3-C1日环締基、C广Cio 杂环締基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C6O杂芳基、单价非芳族稠合多环基团 和单价非芳族稠合杂多环基团：気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺 基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日烧氧 基、Cs-Cio环烷基、打-Cl日杂环烷基、Cs-Cio环締基、打-Cl日杂环締基、Cs-Cso芳基、Cs-Cs日芳氧基、 C6-C日日芳硫基、Ci-C日日杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si (〇21) (〇22) (〇23)、-Β(024) (〇25)和-Ν(026) (〇27) ; W及 -Si (Q31)(化2) (Q33)、-B(化4) (Q35)和-N(Q36) (Q37); 其中化至化、Qii至化7、Q2i至Q27和Q31至Q37各自独立地选自氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、径基、 氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-C日日烷基、C2- Cso締基、C2-C60烘基、&-C6日烷氧基、Cs-Cio环烷基、打-Cl日杂环烷基、Cs-Cio环締基、打-Cl日杂环 締基、C6-C60芳基、C广C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。2. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中All至Ai4和A21各自独立地选自苯、糞、化晚、 异哇嘟和哇喔嘟且A22和A31各自独立地选自苯和糞。3. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中All和A21各自独立地选自苯、糞、邮晚、异哇嘟 和哇喔嘟，且Ai2至Ai4、A22和A31各自独立地选自苯和糞。4. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中，在式2-1至2-5中，X21为C(R23)，且X22为C 他4)。5. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中，在式1、2-1至2-5和3中，1^11至^3各自独立地 选自： 亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧 基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并 菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚 玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚化咯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚咪挫基、亚化挫基、亚嚷挫 基、亚异嚷挫基、亚嗯挫基、亚异嗯挫基、亚化晚基、亚化嗦基、亚喀晚基、亚化嗦基、亚异吗I 噪基、亚吗I噪基、亚吗I挫基、亚嚷岭基、亚哇嘟基、亚异哇嘟基、亚苯并哇嘟基、亚献嗦基、亚 糞晚基、亚哇喔嘟基、亚哇挫嘟基、亚增嘟基、亚巧挫基、亚菲晚基、亚叮晚基、亚菲咯嘟基、 亚吩嗦基、亚苯并咪挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩基、亚异苯并嚷挫基、亚苯并嗯挫基、 亚异苯并嗯挫基、亚Ξ挫基、亚四挫基、亚嗯二挫基、亚Ξ嗦基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并 嚷吩基、亚苯并巧挫基、亚二苯并巧挫基、亚嚷二挫基、亚咪挫并化晚基和亚咪挫并喀晚基； W及 各自被选自W下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚 搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、 亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊 芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚化咯基、亚嚷吩基、亚巧 喃基、亚咪挫基、亚化挫基、亚嚷挫基、亚异嚷挫基、亚嗯挫基、亚异嗯挫基、亚化晚基、亚化 嗦基、亚喀晚基、亚化嗦基、亚异吗I噪基、亚吗I噪基、亚吗I挫基、亚嚷岭基、亚哇嘟基、亚异哇 嘟基、亚苯并哇嘟基、亚献嗦基、亚糞晚基、亚哇喔嘟基、亚哇挫嘟基、亚增嘟基、亚巧挫基、 亚菲晚基、亚叮晚基、亚菲咯嘟基、亚吩嗦基、亚苯并咪挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩基、 亚异苯并嚷挫基、亚苯并嗯挫基、亚异苯并嗯挫基、亚Ξ挫基、亚四挫基、亚嗯二挫基、亚Ξ 嗦基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基、亚二苯并巧挫基、亚嚷二挫基、亚 咪挫并化晚基和亚咪挫并喀晚基:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、 腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、C1-C20烧氧 基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、化晚基、喀晚 基、化嗦基、化嗦基、Ξ嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基和哇挫嘟基，W 及 L21、L22和L31至L34各自独立地选自： 亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧 基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并 菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚 玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚巧挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩 基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基和亚二苯并巧挫基；W及 各自被选自W下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚 搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、 亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊 芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚巧 挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基和亚 二苯并巧挫基:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、 横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊締基、环 己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯并芳娃 烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)， 其中Q31至Q33各自独立地选自Ci-Cio烷基、Ci-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、 苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基。6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，在式1、2-1至2-5和3中，1^11至^3各自独立地 选自由式3-1至3-34表示的基团，且L2i、L22和L31至L34各自独立地选自由式3-1至3-10、3-26 至3-28、3-32和3-33表示的基团：其中，在式3-1至3-34中， Yii 选自 0、S、S(=0)，S(=0)2、C(Z3)(Z4)、N(Z5WPSi(Z6)(Z7); Zi至Z7各自独立地选自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺 基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、C1-C2日烧氧 基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基； dl为选自1至4的整数;d2为选自1至3的整数;d3为选自1至6的整数;d4为选自1至8的整 数;d5为1或2;d6为选自1至5的整数;且*和*'各自独立地为与相邻原子的结合位点。7. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中，在式1、2-1至2-5和3中，Aril和Ari2各自独立 地选自ETi和肌2，其中Aril和Ari2中的至少一个为ETi，且Am和Αγ22各自为HT2;或 Aril和Ari2各自为肌2，且Ani和Αγ22各自独立地选自ETi和肌2，其中Ani和Αγ22中的至少 一个为ETi。8. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中ETi选自： 化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚 基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、糞 晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、异苯并 嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、嚷二挫基、咪挫并 化晚基和咪挫并喀晚基； 各自被选自W下的至少一个取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫 基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟基、 异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯 嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯 二挫基、Ξ嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、 硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Cl-ClG烷基、Cl-ClG烧氧 基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化 咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦 基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫 基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦 基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si (Q31)(化2)(933)、-B (934)(935)和-則跑6)(937);^及 各自被选自W下的至少一个取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫 基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、异吗I噪基、吗I噪基、吗I挫基、嚷岭基、哇嘟基、 异哇嘟基、苯并哇嘟基、献嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯 嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯 二挫基、Ξ嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫 基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟 基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯 并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪 挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、-F、-C1、-化、-I、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、 簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫 基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、 异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷 吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si(Q21)(化2)(Q23)、-B(Q24)(化5)和-N(Q26)(化7)， 其中Q21至Q27和跑适跑7各自独立地选自C1-C20烷基、打-C20烷氧基、苯基和糞基。9.如权利要求1所述的有机发光装置，其中ETi选自由式5-1至5-41表示的基团：其中，在式5-1至5-41中， Z"至Z43各自独立地选自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、C1-C2Q烷基和C1-C2Q烷氧基； 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、 化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化 嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪 挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦 基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基； 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、 菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、异嚷挫 基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并哇嘟基、哇 喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫基、苯并嗯挫 基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基和咪挫 并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸 或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯 并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫 基、异嚷挫基、嗯挫基、异嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、苯并 哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、异苯并嚷挫 基、苯并嗯挫基、异苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化 晚基、咪挫并喀晚基、-Si(Q21)(化 2)(Q23)、-B(Q24)(化 5)和-N(化 6)(Q27);W及 -Si (Q31)(化2) (Q33)、-B(化4) (Q35)和-N(Q36) (Q37); 其中Q2I至Q27和跑适跑7各自独立地选自C1-C10烷基、打-C10烷氧基、苯基和糞基； η为选自1至4的整数;f2为选自1至3的整数;f3为1或2;f4为选自1至6的整数;且巧为 选自1至5的整数。10. 如权利要求9所述的有机发光装置，其中Z"至Z43各自独立地选自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、Cl-ClQ烷基和Cl-ClQ烷氧基； 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化 嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃 基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基； 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、 菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫 嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基:Ci-Cio烧 基、Ci-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、化晚基、化嗦基、喀晚基、哇嘟基、-Si (Q21) (Q22)(Q23)、-B(Q24)(Q2日）和-N(Q26)(Q27) ; W及 -Si (Q31)(化2) (Q33)、-B(化4) (Q35)和-N(Q36) (Q37); 其中Q2I至Q27和跑适跑7各自独立地选自C1-C10烷基、打-C10烷氧基、苯基和糞基。11. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中HT2选自： 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基； 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、硝基、氨基、脉基、阱 基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧 基、巧挫基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q34)(Q35WP-N^6)(Q37); 各自被选自C1-C20烷基和苯基的至少一个取代的苯基取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞 基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲 基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯 基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃 基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基；W及 -Si (Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化）和-N(Q6) (Q?)， 其中化至化和化1至化7各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基和糞基。12.如权利要求1所述的有机发光装置，其中HT2选自： -Si (Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化）和-N(化）（化）；W及 由式7-1至7-9表示的基团， 其中化至化各自独立地选自Ci-Cio烷基、打-Cio烷氧基、苯基和糞基：其中，在式7-1至7-9中， Y31 和Y32各自独立地选自单键、0、S、C(Z34)(Z35)、N(Z36WPSi(Z37)(Z38); Z31至Z38各自独立地选自氨、気、-F、-Cl、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺 基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C广ClG烷基和C广ClG烷氧基； 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；W及 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉 基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、C广ClG烷基和C广ClG烷氧基； el为选自1至5的整数，日2为选自1至7的整数，日3为选自1至3的整数，日4为选自1至4的整 数，且*和*'各自独立地为与相邻原子的结合位点。13.如权利要求1所述的有机发光装置，其中HT2选自由式8-1至8-46表示的基团：其中，在式8-1至8-46中，*为与相邻原子的结合位点。14.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，在式1、2-1至2-5和3中， Ri适Ri6各自独立地选自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、C1-C2Q烷基和C1-C2Q烷氧基； 各自被选自W下的至少一个取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基:気、-F、-C1、-Br、-I、径 基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐和憐酸或其盐； 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化 嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃 基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；W及 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、 菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫 嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基:気、-F、- C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其 盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥 基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、异哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧 挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和-Si (化1)(Q32) (跑3); W及 -Si(Qi)(Q2)(Q3)； R2I至R26、R31和R32各自独立地选自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、C1-C2Q烷基和C1-C2Q烷氧基； 各自被选自W下的至少一个取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基:気、-F、-C1、-Br、-I、径 基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐和憐酸或其盐； 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基； 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉 基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、环戊基、环 己基、环庚基、环戊締基、环己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基、二苯并芳娃烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33);W及 -Si(Qi)(Q2)(Q3), 其中化至化和化1至化3各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基和糞基。15.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一材料由式1A至1G中的任一个表 示，所述第二材料由式2(1)至2(16)中的任一个表示，且所述第Ξ材料由式3A至3E中的任一 个表示：其中，在式ΙΑ至IG中，乂11、山、1^13、曰11、曰13、4^、1?11至扣4，且611至614与式1中的定义相 同， 在式2(1)至2(16)中，乂21^22、￥1^2、1?21、1?22、62巧化22与式2-1至2-5中的定义相同， 在式34至36中，431、乂31、132至134、日32至日34、4〇3、尺31、化2、631和632与式3中的定义相同， R"至R46各自独立地与在式3中定义的R31相同，且b43至b46各自独立地与在式3中定义的b31 相同。16.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一材料由式1A至1G中的任一个表 示，所述第二材料由式2(1)至2(13)中的任一个表示，且所述第Ξ材料由式3A至3E中的任一 个表示：其中，在式ΙΑ至IG中， Xll选自 0、S、N[αl2)al2-Arl2]、C(Rl5)(Rl6)、Si(Rl5)(Rl6)、P[αl2)al2-Arl2]、B[αl2)al2- Arl2]和P(=0)[αl2)al2-Arl2]， Aril和Aru中的至少一个为ETi，W及 Lii至Li3、all至al3、Rii至Ri6和bll至bl4与式1中定义的相同； 在式2(1)至2(13)中， Yl为N[ (X21)a21-Ar21]， Y2选自 N[ (X22)a22-Ar22]、0、S、C(R25) (R26)和Si (化5) (R26)， X21 为 C(R23)，且拉 2 为 C(化 4)， ΑΓ21和ΑΓ22各自为HTl，W及 a21、a22、b21和b22各自独立地选自0、1、2和3; 在式3A至3E中， X31选自 0、S和N[化31) a3广Ani ]， a31至a34、b31、b32和b43至b46各自独立地选自0、1、2和3，W及 A31、Αγ32和An洛自独立地与式3中的定义相同；且 在式2(1)至2(13)和式34至36中， L21、L22和L31至L34各自独立地选自： 亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧 基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并 菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚 玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚巧挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩 基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基和亚二苯并巧挫基；W及 各自被选自W下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭締基、亚巧基、亚糞基、亚奧基、亚庚 搭締基、亚引达省基、亚起基、亚巧基、螺-亚巧基、亚苯并巧基、亚二苯并巧基、亚非那締基、 亚菲基、亚蔥基、亚巧蔥基、亚苯并菲基、亚巧基、亚屈基、亚并四苯基、亚畦基、亚巧基、亚戊 芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚違基、亚卵苯基、亚嚷吩基、亚巧喃基、亚巧 挫基、亚苯并巧喃基、亚苯并嚷吩基、亚二苯并巧喃基、亚二苯并嚷吩基、亚苯并巧挫基和亚 二苯并巧挫基:気、-F、-C1、-化、-1、径基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、 横酸或其盐、憐酸或其盐、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊締基、环 己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯并芳娃 烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)， R2I至R26、R3I、R32和R4I至R46各自独立地选自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或 其盐、憐酸或其盐、Cl-ClQ烷基和Cl-ClQ烷氧基； 各自被选自W下的至少一个取代的Ci-Cio烷基和Ci-Cio烷氧基:気、-F、-C1、-Br、-I、径 基、氯基、硝基、氨基、脉基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐和憐酸或其盐； 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基； 各自被选自W下的至少一个取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脉 基、阱基、腺基、簇酸或其盐、横酸或其盐、憐酸或其盐、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、环戊基、环 己基、环庚基、环戊締基、环己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引达省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基、二苯并芳娃烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，W及 -Si (Qi) (Q2)(跑），其中化至化和跑适跑3各自独立地选自扣-Cio烷基、CrCio烷氧基、苯基 和糞基。17.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一材料选自化合物101A至189A和化 合物101B至163B，所述第二材料选自化合物301A至373A和化合物301B至460B，且所述第Ξ 材料选自化合物501至796:其中，在上式中，陆为苯基，且Me为甲基。18. 如权利要求17所述的有机发光装置，其中所述第一材料选自化合物101A至189A，所 述第二材料选自化合物301A至373A，且所述第Ξ材料选自化合物501至796。19. 如权利要求17所述的有机发光装置，其中所述第一材料选自化合物101B至163B，所 述第二材料选自化合物301B至460B，且所述第Ξ材料选自化合物501至796。20. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述发光层包含主体和渗杂剂，所述主体 包含由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5任一个表示的第二材料，W及 所述空穴传输区包含选自空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个，且选自所述空穴传 输层和所述阻挡层中的至少一个包含由式3表示的第Ξ材料。
【文档编号】C07D401/14GK105938877SQ201610121707
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月3日
【发明人】李在庸, 赵桓熙
【申请人】三星显示有限公司