专利名称：内埋式线路结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种线路板(Circuit Board)及其制作方法，且特别涉及一 种线路板的线路结构及其制作方法。
背景技术：
现今的线路板技术已发展出内埋式线路板(embedded circuit board),而 这种线路板具有内埋式线路结构(structure with embedded circuit )。详细而言， 内埋式线路板的特征在于其表面的走线是内埋于介电层中，而非突出于介电 层的表面。
图1A至图IG是根据已知一种内埋式线路结构的制作方法所绘示的流 程剖面示意图。请先参阅图1A,已知的内埋式线路结构的制作方法包括以 下步骤。首先，提供基板110,其包括铜金属层114，以及承载板112，其中 承载板112的材料为金属。
请参阅图1B，接着，粗糙化铜金属层114，，以形成具有粗糙表面SI的 铜金属层114。之后，涂布光致抗蚀剂层116于铜金属层114上，其中光致 抗蚀剂层116全面性地覆盖粗糙表面Sl。透过粗糙表面S1，光致抗蚀剂层 116得以稳固地附着在铜金属层114上。
请参阅图1B与图1C，接着，对光致抗蚀剂层116进行曝光与显影，以 形成光致抗蚀剂图案层116，，其中光致抗蚀剂图案层116，局部暴露粗糙表面 Sl，且光致抗蚀剂图案116，具有上表面116a，以及下表面116b，。上表面116a* 相对于下表面116b，，且下表面116b，与铜金属层114接触。由于光致抗蚀剂 图案层116，是经由曝光与显影所形成，因此上表面116a，的面积会大于下表 面116b，。
请参阅图1D与图1E,接着，对铜金属层114进行电镀，以形成铜线路 层120，其中铜线路层120具有多条走线122。之后，移除光致抗蚀剂图案 层116，，以暴露出部分粗糙表面Sl,如图1E所示。
请参阅图1F，接着，将承载板112压合于胶片(prepreg) 130上。请参阅图IF与图1G，之后，利用湿法蚀刻来移除铜金属层114以及承载板112。 至此，已知的内埋式线路结构100已制作完成。
不过，当对光致抗蚀剂层116进行显影时(请参阅图1B与图1C),虽 然粗糙表面Sl能使光致抗蚀剂层116稳固地附着在铜金属层114上，但逸 样却会使得上述显影的工艺参数不易控制，同时造成光致抗蚀剂残留物难以 清除而使粗糙表面Sl不洁净，进而降低内埋式线路结构100的成品率。
发明内容
本发明提供一种内埋式线路结构的制作方法，以提高内埋式线路结构的 成品率。
本发明提供一种内埋式线路结构，其制作方法能提高内埋式线路结构的 成品率。
本发明提出一种内埋式线路结构的制作方法，包括以下步骤。首先，提 供承载基板。接着，形成覆盖承载基板的膜层。之后，利用激光光束来图案 化膜层，以形成局部暴露承载基板的掩模层。接着，形成线路层于掩模层所 暴露的表面上。在形成线路层之后，移除掩模层。接着，形成绝缘层于承载 基板上，其中线路层内埋于绝缘层中。接着，移除承载基板，以棵露出线路 层的第一表面，其中线路层的第二表面相对于第一表面，且第一表面的面积 小于第二表面的面积。
在本发明的一实施例中，上述线路层具有连接于第一表面与第二表面之 间的侧表面，而绝缘层覆盖第二表面与侧表面。
在本发明的一实施例中，上述线路层是从第二表面朝向第一表面渐缩。
在本发明的一 实施例中，上述形成绝缘层的方法包括压合承载基板于绝 缘层上。
在本发明的一实施例中，上述绝缘层为胶片或树脂层。 在本发明的一实施例中，上述形成膜层的方法包括涂布光致抗蚀剂层于 承载基板上。
在本发明的一实施例中，在图案化膜层以前，还包括对膜层进行曝光。 在本发明的一实施例中，上述承载基板包括载板与配置于载板上的导电 层，而膜层覆盖导电层。当图案化膜层时，掩模层局部暴露导电层。 ' 在本发明的 一 实施例中，上述形成线路层的方法包括对导电层进行电镀。
在本发明的 一 实施例中，上述移除承载基板的方法包括对载板与导电层 进行蚀刻。
本发明另提出一种内埋式线路结构，其包括绝缘层以及线路层。线路层 内埋于绝缘层中，且线路层具有第一表面、相对第一表面的第二表面以及连 接于第一表面与第二表面之间的侧表面。绝缘层覆盖第二表面与侧表面，而 第 一表面未被绝缘层所覆盖。第 一表面的面积小于第二表面的面积。
在本发明的一实施例中，上述第一表面实质上与绝缘层的表面切齐。 本发明可以在未粗糙化承载基板的条件下，利用激光光束所形成的掩模 层来制作内埋式线路结构。相较于已知技术而言，本发明可以不需要进行显 影，且本发明可使承载基板的表面较为干净，进而提高内埋式线路结构的成
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为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并 配合附图，作详细说明如下。
图1A至图1G是根据已知一种内埋式线路结构的制作方法所绘示的流 程剖面示意图。
图2A至图2G是根据本发明一实施例的内埋式线路结构的制作方法所 绘示的流程剖面示意图。 附图标记说明
100、 200:内埋式线路结构 110:基板
112:承载4反 114、 114，铜金属层
116:光致抗蚀剂层 116，光致抗蚀剂图案层
116a，、 222a，上表面 116b，、 222b，下表面
120铜线路层122、 232:走线
130胶片Sl:粗糙表面
210承载基板210a、 240a:表面
212载板214:导电层
220膜层220，掩模层
230线路层230a:第一表面230b:第二表面 230c:侧表面
240:绝缘层 G:间隙
P:间距
具体实施例方式
图2A至图2G是根据本发明一实施例的内埋式线路结构的制作方法所 绘示的流程剖面示意图。请参阅图2A,本实施例的内埋式线路结构的制作 方法包括以下步骤。首先，提供承载基板210。在本实施例中，承载基板210 可以包括载板212与导电层214，其中导电层214配置于载板212上。承载 基板210与导电层214的材料可以是金属，例如导电层214可以是由铜金属 所制成，而承载基板210可以是铝板。
必须说明的是，本发明的承载基板210包括多种实施例，而图2A所示 的承载基板210仅为多种实施例的其中之一。因此，在此强调，图2A至图 2G所披露的承载基板210及其载板212与导电层214仅供举例说明，而非 限定本发明。
请参阅图2B,接着，形成膜层220，其覆盖承载基板210，其中膜层220 覆盖于导电层214。膜层220可以具有感光性，举例而言，膜层220可以是 光致抗蚀剂层，而形成膜层220的方法可以是涂布光致抗蚀剂层于承载基板 210上。
在形成膜层220之后，可以对膜层220进行曝光，以改变膜层220的物 理性质与化学性质，进而增加膜层220附着在承载基板210上的力量。
请参阅图2B与图2C,在对膜层220进行曝光之后，利用激光光束来图 案化膜层220，以形成掩模层220，，其中掩模层220，局部暴露承载基板210 的表面210a。在本实施例中，上述激光光束可以直接对膜层220进行烧蚀， 以移除部分膜层220，进而形成掩模层220'。当图案化膜层220之后，掩模 层220，会局部暴露导电层214。
掩模层220，具有上表面222a，以及相对上表面222a，的下表面222b，，其 中下表面222b，与承载基板210接触。由于掩模层220，可以经由激光光束烧' 蚀膜层220而形成，因此掩模层220，的上表面222a，的面积会小于下表面 222b，的面积。此外，掩模层220，可以从下表面222b，朝向上表面222a，渐缩， 如图2C所示。在利用激光光束来图案化膜层220之后，可以对掩模层220，所局部暴露 的表面210a进行去胶渣程序(desmear)，以清洁掩模层220，所局部暴露的 表面210a。在本实施例中，上述的去胶渣程序可以是利用蚀刻药液或等离子 体来清洁表面210a。
值得一提的是，本实施例的内埋式线路结构的制作方法可以省略对膜层 220进行曝光的步骤。也就是说，在形成膜层220之后，可以随即以激光光 束来图案化膜层220而不进行对膜层220曝光。因此，上述对膜层220进行 曝光的步骤仅为本实施例的选择性的步骤，而非必要步骤。
请参阅图2D，接着，形成线路层230于掩模层220，所暴露的表面210a 上，其中线路层230包括多条走线232。在本实施例中，线路层230是形成 于导电层214上，而形成线路层230的方法可以是对导电层214进行电镀。
线路层230具有第一表面230a、第二表面230b以及侧表面230c。第一 表面230a相对第二表面230b,侧表面230c连接于第一表面230a与第二表 面230b,而第一表面230a与承载基板210接触。第一表面230a的面积小于 第二表面230b的面积，而且在本实施例中，线路层230可以是从第二表面 230b朝向第一表面230a渐缩，如图2D所示。
请参阅图2D与图2E，在形成线路层230之后，移除掩模层220'。由于 掩模层220，可以是由光致抗蚀剂层所形成，因此移除掩模层220，的方法可以' 是利用剥离液来全面性地移除掩模层220，。在移除掩模层220，之后，线路层 230的侧表面230c以及承载基板210的部分表面210a得以棵露出来。
请参阅图2F,接着，形成绝缘层240于承载基板210上，其中线路层 230内埋于绝缘层240中。在本实施例中，绝缘层240可以是胶片或树脂层， 而形成绝缘层240的方法可以是压合承载基板210于绝缘层240上。由于胶 片与树脂层具有流动性，因此在压合承载基板210于绝缘层240上之后，线 路层230之间所存有的多个间隙G可以被绝缘层240所填满，即绝缘层240 覆盖线路层230的第二表面230b与侧表面230c。
请参阅图2F与图2G,接着，移除承载基板210，以棵露出线路层230 的第一表面230a以及绝缘层240的表面240a。由于承载基板210的导电层 214以及载板212二者的材料皆可以是金属，因此移除承载基板210的方法 可以是对载板212与导电层214进行蚀刻，其中此蚀刻可以是湿法蚀刻。'
在移除承载基板210之后， 一种包括线路层230以及绝缘层240的内埋式线路结构200基本上已制作完成。在内埋式线路结构200中，绝缘层240 覆盖线路层230的第二表面230b与侧表面230c，而线路层230的第一表面 230a未被绝缘层240所覆盖。
承上述，由于线路层230的第一表面230a的面积小于第二表面230b的 面积，因此，与已知技术相比，线路层230的这些走线232彼此之间存有较 大的间距P，而这样可以提高内埋式线路结构200的电性品质。另外，在本 实施例中，线路层230可以是从第二表面230b朝向第一表面230a渐缩，如 图2G所示，而线路层230的第一表面230a可以实质上与绝缘层240的表面 240a切齐。
值得说明的是，图2G所示的内埋式线路结构200可以是一种单层线路 板(single side circuit board ),或者，内埋式线3各结构200可以是双面线路板 (double side circuit board)或多层线路板(multi-layer circuit board )中的其
中一层线路结构，其例如是表面线路结构或是内层线路结构。因此，本发明'
路板的制作方法中。
综上所述，本发明的内埋式线路结构所包括的线路层，其具有未被绝缘 层所覆盖的第一表面以及相对此第一表面的第二表面。由于第一表面的面积 小于第二表面的面积，因此，相较于已知技术而言，本发明的内埋式线路结 构，其线路层的多条走线之间存有较大的间距。如此，本发明能提高内埋式 线路结构的电性品质。
其次，本发明可以在未粗糙化承载基板的情形下，利用激光光束来形成 掩模层于承载基板上，并且透过掩模层来制作内埋式线路结构。如此，本发 明可以不需要对上述膜层进行显影，而相较于已知技术而言，本发明可以使 承载基板的表面较为干净，进而提高内埋式线路结构的成品率。 —
虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何 所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的 更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。
9
权利要求
1.一种内埋式线路结构的制作方法，包括提供承载基板；形成覆盖该承载基板的膜层；利用激光光束来图案化该膜层，以形成局部暴露该承载基板的掩模层；形成线路层于该掩模层所暴露的表面上；在形成该线路层之后，移除该掩模层；形成绝缘层于该承载基板上，其中该线路层内埋于该绝缘层中；以及移除该承载基板，以裸露出该线路层的第一表面，其中该线路层的第二表面相对于该第一表面，且该第一表面的面积小于该第二表面的面积。
2. 如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该线路层具有 连接于该第一表面与该第二表面之间的侧表面，该绝缘层覆盖该第二表面与 该侧表面。
3. 如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该线路层是从 该第二表面朝向该第 一表面渐缩。
4. 如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中形成该绝缘层 的方法.包括压合该承载基板于该绝缘层上。
5. 如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该绝缘层为胶 片或树脂层。
6. 如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中形成该膜层的 方法包括涂布光致抗蚀剂层于该承载基板上。
7. 如权利要求1所述的内埋式线路结构的制作方法，其中该承载基板包 括载板与配置于该载板上的导电层，该膜层覆盖该导电层，当图案化该膜层 之后，该掩模层局部暴露该导电层。
8. —种内埋式线路结构，包括 绝缘层；以及线路层，内埋于该绝缘层中，该线路层具有第一表面、相对该第一表面 的第二表面以及连接于该第一表面与该第二表面之间的侧表面，其中该绝缘层覆盖该第二表面与该侧表面，而该第一表面未被该绝缘层所覆盖，该第一 表面的面积小于该第二表面的面积。
9. 如权利要求8所述的内埋式线路结构，其中该线路层是从该第二表面 朝向该第一表面渐缩。
10. 如权利要求8所述的内埋式线路结构，其中该第一表面实质上与 该绝缘层的表面切齐。
全文摘要
本发明公开了一种内埋式线路结构及其制作方法。该内埋式线路结构的制作方法包括以下步骤。首先，提供承载基板。接着，形成覆盖承载基板的膜层。接着，利用激光光束来图案化膜层，以形成局部暴露承载基板的掩模层。接着，形成线路层于掩模层所暴露的表面上。在形成线路层之后，移除掩模层。接着，形成绝缘层于承载基板上，而线路层内埋于绝缘层中。之后，移除承载基板，以裸露出线路层的第一表面。线路层的第二表面相对于第一表面，且第一表面的面积小于第二表面的面积。
文档编号H05K3/10GK101562945SQ200810093320
公开日2009年10月21日 申请日期2008年4月18日 优先权日2008年4月18日
发明者江书圣, 陈宗源 申请人:欣兴电子股份有限公司