专利名称：可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及高频线圈技术领域，尤其是涉及一种可使电流均匀分布在内孔 周围，通过电流使硅芯或其它晶体材料受热均匀，并可同时生产四根硅芯及其 它晶体材料的新型高频线圈结构。
背景技术：
目前，硅芯在国内使用量非常巨大；现有的硅芯、单晶硅及其它材料晶体 区熔方式生产的工艺过程中，大多使用的是一种单目高频线圈，其工作原理如 下工作时通过给高频线圈通入高频电流，使高频线圈产生电流对原料棒进行 感应加热，加热后的原料棒上端头形成融化区，然后将仔晶插入熔化区，慢慢 提升仔晶，熔化后的原料就会跟随仔晶上升，形成一个新的柱形晶体，这个新 的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。
本人通过多次实验发现，在先专利布局不合理；例如本人在先申请的两项 实用新型专利；
其中专利l:专利名称、 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频 线圈；申请日、2007年1月19日；授权公告号、CN201001209Y;
其中专利2:专利名称、 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频
线圈；申请日、2007年2月13日；授权公告号、CN201024228Y;
通过这两年的使用，在内孔周围的电流运行达不到预期的目的，如上述两 项专利申请文件图中所示的结构，电流在环绕各个内孔运行时，会出现中部内 孔的电流运行较多，另外三个内孔的环绕电流受到高频电流运行原理的影响，使得中部内孔的温度远高于两侧下部内孔及上部内孔(也就是电流走近路)由 于电流的走近路现象，所产生的后果是提升起来的仔晶直径悬殊非常大，从而 造成残次品数量的增加。
发明内容
为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种可同时生产四根硅芯及其 它晶体材料的高频线圈结构，本发明的斜开口连接中部内孔，两条分流槽由中 部内孔向上延伸至两个无斜开口的内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作 用下均匀围绕四个内孔运行，并且分流槽辅助电流更均匀的分布在四个内孔周 围，实现了电流在四个内孔周围均匀分布的目的。
为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案
一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线 圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨 冷却水输送铜管B，高频线圈的高频线圈上面呈向中心位置内陷的斜面，高频 线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道环埋在高频线圈的 外部；所述的高频线圈结构包括用于电流导流的分流槽，四个内孔为中部设置 一个内？L，另外三个内孔呈均匀分布在中部内孔的周围，在电流输送暨冷却水 输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B —侧的斜开口连接惯通连接中部内 孔，所述的分流槽由中部内孔向外延伸至除了斜开口以外的每两个内孔之间。
所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔 可设置为圆形内孔、方形内孔、方形内角倒圆内孔、长方形内孔、长方形内角 倒圆内孔、三角形内孔、三角形内角倒圆内孔、多边形内孔、不规则多边形内 孔、菱形内孔、菱形内角倒圆内孔、梯形内孔、梯形内角倒圆内孔、长圆形内 孔或椭圆形内孔。
由于采用上述技术方案，本发明具有如下优越性本发明的斜开口连接中部内孔，分流槽由中部内孔向外分布在每两个外围 内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕四个内孔运行，并且 分流槽辅助电流更均匀的分布在四个内孔周围，通过实验及测试，证明了本发 明改进后电流在分流槽的导流下可以均匀的环绕各个内孔运行，四个内孔的加 热温度基本相同，实现了电流在四个内孔周围均匀分布的目的，提高能量利用 率，降低生产成本和减少次品率；本发明且具有加热均匀、大量节约能源、减 少设备投资及人工综合成本可有效降低等优点，易于在多晶硅行业推广实施。
图l是本发明的电流分配图。
图2是本发明的平面结构示意图。
图3是图2的A-A示图。
图4是本发明的工作原理^意图。
在图中1、原料棒；2、磁力线；3、高频线圈；4、冷却水道；5、硅芯； 6、仔晶；7、仔晶夹头；8、内孔；9、高频线圈上面；1 0、高频线圈下面； 11、电流输送暨冷却水输送铜管A; 12、电流输送暨冷却水输送铜管B; 13、 斜开口； 14、分流槽；15、电流。
具体实施例方式
参考下面的实施例，可以更详细地解释本发明；但是，本发明并不局限于 这些实施例。
在图l、 2、 3、 4中； 一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线 圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送 铜管All及电流输送暨冷却水输送铜管B12,高频线圈的高频线圈上面9呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形， 冷却水道4环埋在高频线圈3的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流15
导流的分流槽14，四个内孔8为中部设置一个内孔8，另外三个内孔8呈均匀 分布在中部内孔8的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管All及电流输送暨冷 却水输送铜管B12—侧的斜开口 13连接惯通连接中部内孔8，所述的分流槽 14由中部内孔8向外延伸至除了斜开口 13以外的每两个内孔8之间。
所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔 8可设置为圆形内孔8、方形内孔8、方形内角倒圆内孔8、长方形内孔8、长 方形内角倒圆内孔8、三角形内孔8、三角形内角倒圆内孔8、多边形内孔8、 不规则多边形内孔8、菱形内孔8、菱形内角倒圆内孔8、梯形内孔8、梯形内 角倒圆内孔8、长圆形内孔8或椭圆形内孔8。
使用过程如下所述在图4中，先将原料棒1送至高频线圈3下部，原料 .棒1距高频线圈3越近越好，但是不得与高频线圈3接触，然后在高频线圈3 上的电流输送暨冷却水输送铜管All通电送水及另一根电流输送暨冷却水输 送铜管B12通电排水，电流15促使高频线圈3产生强大的磁力线2，使原料 硅棒1上端头靠近线圈的部分利用磁力线2进行感应加热，冷却水道4中流过 的冷却水给高频线圈3降温，斜开口 13做成斜口并惯通至中部内孔8。
在图l、 2或4中，在电流输送暨冷却水输送铜管A11及电流输送暨冷却 水输送铜管B12 —侧的斜开口 13连接惯通连接中部内孔8，该分流槽14由中 部内孔8向外延伸至除了斜开口 13以外的每两个内孔8之间，其主要功能是 为了使高频电流在分界处能形成交叉使原料棒1均匀受热，并且可以实现辅助 化料的作用；在原料硅棒1的端头靠近高频线圈下面10的部位融化后，仔晶 夹头7带着仔晶6下降，使仔晶6通过四个内孔8后插入原料棒1的熔化区， 然后提升仔晶6，原料棒1上部的熔化液体会跟随仔晶6上升，其原料棒1下 部的下轴也相应跟随同歩缓慢上升，但是其原料棒1不得与高频线圈3接触；因为原料棒1的端部可能不太平整，所以，高频线圈下面io设计为内陷台阶，
其作用在于尽可能的使原料硅棒1多靠近高频线圈的下部面IO，其高频线圈上 面9设计为由外至内的斜坡，其作用是可以减少高频电流过于在中部的集中， 使其在高频线圈3上均匀分布，以实现受热均匀的效果；原料硅棒l上部的熔
化区在仔晶6的粘和带动并通过高频线圈3内孔8后，由于磁力线2的减弱而 冷凝，便形成一个新的柱型晶体，其仔晶夹头7夹带仔晶6缓慢上升，便可形 成所需长度的成品硅芯5。
为了公开本发明的目的而在本文中选用的实施例，当前认为是适宜的，但 是应了解的使，本发明旨在包括一切属于本构思和本发明范围内的实施例的所 有变化和改进。
权利要求
1、一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)，高频线圈的高频线圈上面(9)呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道(4)环埋在高频线圈(3)的外部；其特征在于所述的高频线圈结构包括用于电流(15)导流的分流槽(14)，四个内孔(8)为中部设置一个内孔(8)，另外三个内孔(8)呈均匀分布在中部内孔(8)的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接惯通连接中部内孔(8)，所述的分流槽(14)由中部内孔(8)向外延伸至除了斜开口(13)以外的每两个内孔(8)之间。
2、 如权利要求1所述的可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，其特征在于所述的内孔(8)可设置为圆形内孔(8)、方形内孔(8)、方形内角倒圆内孔(8)、长方形内孔(8)、长方形内角倒圆内孔(8)、三角形内孔(8)、三角形内角倒圆内孔(8)、多边形内孔(8)、不规则多边形内孔(8)、菱形内孔(8)、菱形内角倒圆内孔(8)、梯形内孔(8)、梯形内角倒圆内孔(8)、长圆形内孔(8)或椭圆形内孔(8)。
全文摘要
一种可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，涉及高频线圈技术领域；所述的高频线圈结构包括用于电流(15)导流的分流槽(14)，四个内孔为中部设置一个内孔(8)，另外三个内孔呈均匀分布在中部内孔的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A(11)及电流输送暨冷却水输送铜管B(12)一侧的斜开口(13)连接惯通连接中部内孔，所述的分流槽由中部内孔向外延伸至除了斜开口以外的每两个内孔之间；本发明的斜开口连接中部内孔，两条分流槽由中部内孔向上延伸至两个无斜开口的内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕四个内孔运行，实现了电流在四个内孔周围均匀分布的目的。
文档编号C30B13/20GK101457391SQ20081018205
公开日2009年6月17日 申请日期2008年11月25日 优先权日2008年11月25日
发明者刘朝轩 申请人:刘朝轩