专利名称：电力电子功率模块散热结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及适合应用于大功率电力半导体模块、功率控制电路、智能功率组件和高频开关电源等，具体是涉及一种电力电子功率模块散热结构。
背景技术：
双面覆铜板(DBC)是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片，如氧化铝或氮化铝表面上的工艺方法。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像印刷电路板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，双面覆铜板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。DBC的热阻主要是由铜板之间的陶瓷构成的，但是由于DBC上表面的热源面积较小，导热路径受到限制，陶瓷面积利用率较低，导致DBC在实际应用中热阻较高。随着对热阻的要求越来越高，这种结构的应用受到了明显的限制。鉴于此，本发明提出一种新的结构，可以提高DBC中陶瓷面积的利用率，降低DBC的电阻，同时又不会增加过多铜的用量。
发明内容
本发明的目的在于针对现有DBC结构在应用中的不足，提供一种电力电子功率模块散热结构，应用于DBC结构，这种结构可以提高DBC陶瓷面积利用率，和传统结构相比，可以降低DBC的热阻，增加其导热能力，使DBC性能得到进一步的改善。金属铜的热导率是氧化铝的10-20倍，是氮化铝的2-4倍，并且为了保证绝缘性， DBC中陶瓷厚度要大于金属层，由此可以看出在DBC中陶瓷的热阻占整个DBC热阻的绝大部分，而通常热源的面积远小于DBC的面积，这样热流在传递过程中只通过部分DBC板，不能有效利用DBC进行热量的传递。为解决上述技术问题，本发明采用如下的技术方案是
通过增加DBC上表面铜层厚度并削去多余部分来形成棱台状，以此改变热流在DBC上表面铜层的流动路径，使得热流到达陶瓷层时向四周扩散的足够多，与陶瓷有较大的接触面积，提高了陶瓷的导热面积，增加陶瓷面积的利用率，从而减少DBC的整体热阻。并且将多余的铜削去，降低了成本。一种电力电子功率模块散热结构，由上之下依次为热源、DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层，其中DBC陶瓷层热导率为P 1，铜的热导率为P 2，DBC陶瓷层长度为L3，热源长度为L1，DBC上铜层的厚度为h;DBC上铜层为棱台状，热源下表面与棱台斜面之间的钝
角a满足a = arctan-1— + 90° ;对于每处热源均可以设计相应的棱台状DBC上铜层，假
定需要用以导热的DBC陶瓷层边长为L2，则相应的DBC上铜层下表面的长度为L2，再由需要使用的DBC陶瓷层长度和热源长度计算出DBC上铜层的厚度h = pLM。优选的，DBC上铜层厚度在O. Imm至5mm之间。本发明由于采用了以上技术方案，具有以下显著的技术效果
①提高DBC陶瓷利用率，整体上减少热阻。(f;与其他减少热阻的技术方案相比，成本较低，容易实现。
图I为本发明实施例I的结构示意图2为本发明实施例2的结构示意其中I-热源、2-DBC上铜层、3-DBC陶瓷层、4-DBC下铜层。
具体实施例方式下面结合附图对本发明做进一步描述。实施例I
如图I所示，由上之下依次为热源1、DBC上铜层2、DBC陶瓷层3和DBC下铜层4，其中陶瓷热导率为P 1，铜的热导率为P 2，DBC陶瓷层3长度为L2，热源I长度为LI，DBC上铜层2的厚度为h。热流在层状结构中传递时其路径与材料导热系数有关，热流在交界面传递
的角度
权利要求
1.一种电力电子功率模块散热结构，由上之下依次为热源、DBC上铜层、DBC陶瓷层和 DBC下铜层，其中DBC陶瓷层热导率为P 1，铜的热导率为P 2，DBC陶瓷层长度为L3，热源长度为L1，DBC上铜层的厚度为h ;其特征在于DBC上铜层为棱台状，热源下表面与棱台斜面之间的钝角a满足a = arCtan-l￡l + 90° ;对于每处热源均可以设计相应的棱台状DBCPz上铜层，假定需要用以导热的DBC陶瓷层边长为L2，则相应的DBC上铜层下表面的长度为 L2，再由需要使用的DBC陶瓷层长度和热源长度计算出DBC上铜层的厚度h =
2.根据权利要求I所述的电力电子功率模块散热结构，其特征在于DBC上铜层厚度在 O. Imm至5mm之间。
全文摘要
一种电力电子功率模块散热结构，由上之下依次为热源、DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层，其中DBC陶瓷层热导率为ρ1，铜的热导率为ρ2，DBC陶瓷层长度为L3，热源长度为L1，DBC上铜层的厚度为h；DBC上铜层为棱台状，热源下表面与棱台斜面之间的钝角a满足；对于每处热源均可以设计相应的棱台状DBC上铜层，假定需要用以导热的DBC陶瓷层边长为L2，则相应的DBC上铜层下表面的长度为L2，再由需要使用的DBC陶瓷层长度和热源长度计算出DBC上铜层的厚度。
文档编号H05K7/20GK102595859SQ201210054548
公开日2012年7月18日 申请日期2012年3月4日 优先权日2012年3月4日
发明者汪涛, 盛况, 翟超, 郭清, 陈思哲 申请人:浙江大学