一种半波电磁场发生器的制作方法

文档序号:8154975阅读:513来源:国知局
专利名称:一种半波电磁场发生器的制作方法
技术领域
本发明涉及加热装置领域,更具体的说涉及一种半波电磁场发生器,其用于产生高频磁场,以供加热管能基于所产生的涡流而发热。
背景技术
目前在加热领域,人们研究开发出了一种可以实现水电分离的电磁热水管,诸如中国实用新型专利CN2713367Y,其将线圈紧绕在一段绝缘不导磁的水管外圈而组成一个螺旋管,并在该螺旋管内设置加热组件。如此,当往该线圈中通以高频电流时,该螺旋管内即产生高频交变磁场,该加热组件在高频交变磁场的作用下产生润流发热,从而实现加热的功效。
但是,对于该高频磁场如何产生和设置,则未给予具体公开,目前通常是采用线圈与现有技术中的高频发生器直接相连的方式,如此具有成本高、容易损坏以及实际应用效率低等缺陷。有鉴于此,本发明人针对现有技术中的上述缺陷深入研究,遂有本案产生。

发明内容
本发明的目的在于提供一种半波电磁场发生器,其可以用于产生高频交变磁场,并且还具有结构简单和成本低的特点。为了达成上述目的,本发明的解决方案是
一种半波电磁场发生器,其中,包括整流滤波模块、第一 IGBT管、第一电容、第二 IGBT管、第二电容、CPU控制模块、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片,该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入,该第一 IGBT管、第一电容、第二 IGBT管、第二电容以及加热模块一起组成H桥,该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率,该第一 IGBT管的门极和第二 IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。进一步,该半波电磁场发生器还包括负载频率检测电路以及IGBT驱动芯片,该IGBT驱动芯片设置在CPU控制模块与功能芯片之间,该负载频率检测电路检测谐振回路的频率并将振荡频率反馈至CPU控制模块,该CPU控制模块则将通过IGBT驱动芯片产生驱动信号以使系统维持在谐振点上。进一步,该功能芯片采用SG3525.
进一步,该单管电磁场发生器还包括滤波保护电路和电压检测电路,该滤波保护电路设置在整流滤波模块与市电输入之间,该电压检测电路与滤波保护电路相连而检测市电的输入电压,并将检测获得的电压信号输送至CPU控制模块。进一步,该单管电磁场发生器还包括温度传感器和水流传感器,该温度传感器和水流传感器均与CPU控制模块相连。采用上述结构后,本发明涉及的一种半波电磁场发生器,其在CPU控制模块的控制下,利用功能模块产生互锁的两个方波信号,如此,第一 IGBT管和第二 IGBT管会分时导通,从而使得加热模块的两端会产生高频电压,从而使得加热模块中的线圈产生加热效果。与现有技术相比,本发明结构简单、成本低廉,而且由于设置两个IGBT管,IGBT管反压得到有效控制,使用寿命长;另外由于设置有38译码器,如此可以实现对输出方波的频率进行调节,从而具有加热功率调节方便的功效。


图I为本发明涉及一种半波电磁场发生器较佳实施例的具体电路图。图中
半波电磁场发生器 100
整流滤波模块I第一 IGBT管21 第二 IGBT管22第一电容31
第二电容32CPU控制模块4
38译码器5功能芯片6
负载频率检测电路 7IGBT驱动芯片 8
滤波保护电路91电压检测电路92
保护电路93
加热模块200市电输入300。
具体实施例方式为了进一步解释本发明的技术方案,下面通过具体实施例来对本发明进行详细阐述。如图I所示,其为本发明涉及一种半波电磁场发生器100,其包括整流滤波模块I、第一 IGBT管21、第一电容31、第二 IGBT管22、第二电容32、CPU控制模块4、38译码器5以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片6,在本实施例中,该功能芯片6采用的为SG3525。该整流滤波模块I与市电输入300相连,从而对市电进行整流滤波并形成直流输入,该第一 IGBT管21、第一电容31、第二 IGBT管22、第二电容32以及加热模块200 —起组成H桥,如此该第一 IGBT管21的发射极和集电极与第一电容31能与加热模块200形成回路,该第二 IGBT管22的发射极、集电极与第二电容32与加热模块200形成回路;该CPU控制模块4与功能芯片6相连并还通过38译码器5而调节功能芯片6所输出方波的频率,在CPU控制模块4的控制下,通过该38译码器5之后,可以控制SG3525的RT管脚输入阻抗大小,从而调节输出方波的频率;该第一 IGBT管21的门极和第二 IGBT管22的门极与功能芯片6相连而分别接收功能芯片6所产生的互锁方波,由于该SG3525输出的方波为互锁,故其可以驱动第一 IGBT管21和第二 IGBT管22轮流互锁导通,另外该两个方波之间还设置有死区时间可调的死区,从而可以防止两个IGBT管同时导通而烧毁。具体地,为了保护IGBT管,每一 IGBT管都设置有保护电路,如图I所示,其中ZD2和R2以及ZDl和R3均是起到保护作用。这样,本发明涉及的一种半波电磁场发生器100,其在CPU控制模块4的控制下,利用功能模块产生互锁的两个方波信号,如此,第一 IGBT管21和第二 IGBT管22会分时导通,从而使得加热模块200的两端会产生高频电压,从而使得加热模块200中的线圈产生加热效果。由于是采用IGBT管分时导通的方式,如此两个IGBT管的反压会比较小,使用寿命较长。与现有技术相比,本发明结构简单、成本低廉;另外由于设置有38译码器5,如此可以实现对输出方波的频率进行调节,从而具有加热功率调节方便的功效。如图I所示,该半波电磁场发生器100还包括负载频率检测电路7以及IGBT驱动芯片8,该负载频率检测电路7检测谐振回路的频率并将振荡频率反馈至CPU控制模块4,该负载频率检测电路7具体是采用电流互感器的方式来实现,其检测谐振回路的波形个数,从而将振荡频率反馈至CPU控制模块4,该IGBT驱动芯片8设置在CPU控制模块4与功能芯片6之间,该CPU控制模块4则将通过IGBT驱动芯片8产生驱动信号,从而使系统始终维持在谐振点上。另外,该单管电磁场发生器还包括滤波保护电路91和电压检测电路92,该滤波保护电路91设置在整流滤波模块I与市电输入300之间,从而起到滤波以及保护作用,具体 比如起到防雷击等功效;该电压检测电路92与滤波保护电路91相连而检测市电的输入电压,并将检测获得的电压信号输送至CPU控制模块4,如此一旦市电输入300出现异常情况而电压过高时,该CPU控制模块4会切断后续操作。本发明涉及的半波电磁场发生器100还包括各种保护电路93,该保护电路93可以根据实际需要而进行设置,比如其可以为温度传感器、水流传感器和电流互感器,该温度传感器和水流传感器用于感测水流的温度和水流量,如此可以给CPU控制模块4信息,从而调整当前的加热频率,进而达到自动化控制的功效;该各式保护电路93还可以包括过流、浪涌、EMC滤波以及能耗控制等保护电路93,具体则不一一阐述。本发明在工作之前,还包括启动的步骤,如图I所示,CPU控制模块4控制INT_CH端口输出高电平,从而使得功能芯片6的使能端能被上电;同时再通过Duty端口输出低电平,从而能输出一定频率的方波来启动电路。上述实施例和图式并非限定本发明的产品形态和式样,任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰,皆应视为不脱离本发明的专利范畴。
权利要求
1.一种半波电磁场发生器,其特征在于,包括整流滤波模块、第一 IGBT管、第一电容、第二 IGBT管、第二电容、CPU控制模块、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片,该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入,该第一 IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容以及加热模块一起组成H桥,该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率,该第一 IGBT管的门极和第二 IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。
2.如权利要求I所述的一种半波电磁场发生器,其特征在于,该半波电磁场发生器还包括负载频率检测电路以及IGBT驱动芯片,该IGBT驱动芯片设置在CPU控制模块与功能芯片之间,该负载频率检测电路检测谐振回路的频率并将振荡频率反馈至CPU控制模块,该CPU控制模块则将通过IGBT驱动芯片产生驱动信号以使系统维持在谐振点上。
3.如权利要求I所述的一种半波电磁场发生器,其特征在于,该功能芯片采用SG3525。
4.如权利要求I所述的一种半波电磁场发生器,其特征在于,该单管电磁场发生器还包括滤波保护电路和电压检测电路,该滤波保护电路设置在整流滤波模块与市电输入之间,该电压检测电路与滤波保护电路相连而检测市电的输入电压,并将检测获得的电压信号输送至CPU控制模块。
5.如权利要求I所述的一种半波电磁场发生器,其特征在于,该单管电磁场发生器还包括温度传感器和水流传感器,该温度传感器和水流传感器均与CPU控制模块相连。
全文摘要
本发明公开一种半波电磁场发生器,包括整流滤波模块、第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容、CPU控制模块、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片,该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入,该第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容以及加热模块一起组成H桥,该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率,该第一IGBT管的门极和第二IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。与现有技术相比,本发明结构简单、成本低廉,而且由于设置两个IGBT管,IGBT管反压得到有效控制,使用寿命长;另外还具有加热功率调节方便的功效。
文档编号H05B6/06GK102946654SQ20121045585
公开日2013年2月27日 申请日期2012年11月14日 优先权日2012年11月14日
发明者林华乡, 许耀元, 张英彪 申请人:明达实业(厦门)有限公司
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