一种高频发生器电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种高频发生器电路。
【背景技术】
[0002]现有的高频发生器电路中，基本上都涉及到控制器，导致高频发生器电路成本较高；其次，高频发生器电路中并未设置相关的元器件对电路中出现的MOS管进行保护，从而在一定的程度上降低了高频发生器电路工作的稳定性以及使用寿命。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是，提供一种稳定性高，使用寿命长，以及成本较低的高频发生器电路。
[0004]为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为:一种高频发生器电路，它包括触发电路和自激振荡电路；其特征在于:所述触发电路包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、电阻R2、双向触发二极管D5、双向触发二极管D6、双向触发二极管D7、双向触发二极管D8和双向触发二极管D9 ;所述自激振荡电路包括电容C5、电容C6、电容C7、电阻R3、电阻R4、耦合变压器Tl、稳压二极管D1、稳压二极管D2、稳压二极管D3、稳压二极管D4、MOS管Ql和MOS管Q2 ;所述高频发生器还包括两个输入端和三个输出端，分别为高频发生器第一输入端、高频发生器第二输入端、高频发生器第一输出端、高频发生器第二输出端和高频发生器第三输出端；其中，高频发生器第一输入端与电阻Rl的一端、电容Cl的一端、电容C2的一端以及MOS管Ql的漏极电连接；其中，高频发生器第一输入端分别与电容C3的一端、电容Cl的另一端、电容C2的另一端、MOS管Q2的源极以及电容C4的一端电连接；所述电阻Rl的另一端分别与电容C3的另一端以及电阻R2的一端电连接，电阻R2的另一端分别与双向触发二极管D9的一端以及电容C4的另一端电连接，其中，所述双向触发二极管D9的另一端与双向触发二极管D8的一端电连接；所述双向触发二极管D8的另一端与双向触发二极管D7的一端电连接，所述双向触发二极管D7的另一端与双向触发二极管D6的一端电连接，所述双向触发二极管D7的另一端与双向触发二极管D5的一端电连接；所述耦合变压器Tl包括第一绕组N1、第二绕组N2和第三绕组N3 ;所述第一绕组NI的一端分别与第二绕组N2的一端、电容C6的一端、电阻R4的一端、稳压二极管D3的负极以及稳压二极管D4的负极电连接，另一端分别与电容C7的一端以及双向触发二极管D5的另一端电连接；第二绕组N2的另一端分别与电容C6的另一端、稳压二极管D3的正极以及MOS管Q2的栅极电连接，所述稳压二极管D4的正极与MOS管Q2的源极电连接；所述第三绕组N3的一端与电容C5的一端、电阻R3的一端、稳压二极管Dl的正极以及MOS管Ql的栅极电连接，所述第三绕组N3的另一端与电容C5的另一端、电阻R3的另一端、稳压二极管Dl的负极以及稳压二极管D2的负极电连接，所述稳压二极管D2的正极分别与MOS管Ql的源极和MOS管Q2的漏极电连接；其中，电容C7的另一端与高频发生器第一输出端电连接，MOS管Q2的漏极与MOS管Ql的源极的连接节点与高频发生器第二输出端电连接，电容C3与电容C4的连接节点与高频发生器第三输出端电连接。
[0005]采用以上结构后，本发明与现有技术相比，具有以下优点:本申请的高频发生器由触发电路和自激震荡电路组成，其结构简单，自激震荡电路元件少，无需控制电路，所以电路结构简单成本较低。其中，触发电路由电容Cl，C2, C3, C4和电阻Rl，R2以及双向二极管05，06，07，08，09组成。Cl，C2，C3为旁路电容用以滤除电路中的旁路干扰。C4为储能电容为触发电路提供触发能量。当加载直流电时，C4开始储能，当电压达到额定值时则双向二极管导通，并为高频发生电路提供触发电压。其中，高频发生电路由电容C5，C6，C7,电阻R3，R4，藕合变压器Tl，稳压二极管D1，02，03，04，103管以，02组成。Q1，Q2起到开关作用。藕合变压器Tl起到频率选择和能量祸合的作用。C5，C6，R3，R4起到钳位吸收保护MOS管Ql和Q2的作用。稳压二极管起到稳压作用，保护Ql和Q2栅极和源极之间的电压。当触发电路的电压达到额定电压时，电容C7和耦合变压器线圈组成了自激震荡电路，震荡电路将能量通过耦合变压器Tl耦合到Ql和Q2并推动两个MOS管开断对直流电进行逆变。电路整合逆变电路以及点火电路于一体，并对MOS钳位电路进行了改进，通常钳位电路只用一个单项导通的二极管，不能保证MOS管源极、栅极之间的电压稳定，在电路中添加了 4个稳压二极管，从而保持源极、栅极之间的电压稳定，并采用了 RC吸收电路，进而有效的保护了 MOS管。
【附图说明】
[0006]图1是本发明的高频发生器的电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0007]下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。
[0008]本发明一种高频发生器电路，如附图1所示，它包括触发电路和自激振荡电路；所述触发电路包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、电阻R2、双向触发二极管D5、双向触发二极管D6、双向触发二极管D7、双向触发二极管D8和双向触发二极管D9 ;所述自激振荡电路包括电容C5、电容C6、电容C7、电阻R3、电阻R4、耦合变压器Tl、稳压二极管Dl、稳压二极管D2、稳压二极管D3、稳压二极管D4、MOS管Ql和MOS管Q2 ;所述高频发生器还包括两个输入端和三个输出端，分别为高频发生器第一输入端、高频发生器第二输入端、高频发生器第一输出端、高频发生器第二输出端和高频发生器第三输出端；其中，高频发生器第一输入端与电阻Rl的一端、电容Cl的一端、电容C2的一端以及MOS管Ql的漏极电连接；其中，高频发生器第一输入端分别与电容C3的一端、电容Cl的另一端、电容C2的另一端、MOS管Q2的源极以及电容C4的一端电连接；所述电阻Rl的另一端分别与电容C3的另一端以及电阻R2的一端电连接，电阻R2的另一端分别与双向触发二极管D9的一端以及电容C4的另一端电连接，其中，所述双向触发二极管D9的另一端与双向触发二极管D8的一端电连接；所述双向触发二极管D8的另一端与双向触发二极管D7的一端电连接，所述双向触发二极管D7的另一端与双向触发二极管D6的一端电连接，所述双向触发二极管D7的另一端与