1.一种制备具有支撑在玻璃载体基材上的装置改性的基材的装置基材制品的方法,所述方法包括:
处理装置基材第一表面的至少一部分,和/或玻璃载体基材第一表面的至少一部分，其中处理的表面具有:
约0.1-约14原子％的硅；
约1-约40原子％的氧；
约3-60原子％的碳；
约5-65原子％的氟；和
约1:1-约1:3的金属和氟(M:F)原子比例；
使处理的表面接触未处理的或类似-处理的配对的装置基材或玻璃载体基材，从而形成包含粘结到玻璃载体基材的装置基材的层压件；以及
用至少一种装置表面改性处理来改性层压件的装置基材的未粘结第二表面的至少一部分，从而形成装置基材制品。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在至少一种装置表面改性处理中，将层压件在约200-约700℃下加热1秒到1200分钟；以及分离具有装置改性的第二表面的装置基材制品与层压件的玻璃载体基材。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，分离包括下述的至少一种：
从玻璃载体基材剥离装装置基材制品,和/或从装置基材剥离玻璃载体基材；以及
使装置基材或玻璃载体基材中的至少一种接触抽吸装置、夹具装置、刀边缘或其组合。
4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，还包括清洁分离的玻璃载体基材，用于在所述方法中重复地再次使用。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述处理包括：使玻璃载体基材的第一玻璃表面的至少一部分接触等离子体，所述等离子体包含聚合试剂；蚀刻剂；或其组合。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：
聚合试剂包括CHF3,C4F8,C3F6,C3F8,H2,CH4,选自烷烃、烯烃、烷基、芳香族的具有3-12个碳原子且不含氟原子的烃,或其组合中的至少一种；以及
所述蚀刻剂包括CF4,C2F6,NF3,SF6,HF,或其组合中的至少一种。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，当装置基材是玻璃时，所述层压件在装置基材和玻璃载体基材之间具有含约100-约2,000mJ/m2粘合强度的界面粘结。
8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，用至少一种装置表面改性处理来改性是下述的至少一种：蚀刻、涂覆、印刷、电镀、气相沉积、溅射,或其组合。
9.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，装置基材在玻璃中，且具有约10-约500微米的厚度,载体玻璃基材具有约200微米-3毫米的厚度,且玻璃装置基材和玻璃载体基材之间的界面粘结层的厚度是约单一原子层到约100纳米。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，装置基材在其中包含多个孔。
11.如权利要求1-10中任一项所述的方法，其特征在于，所述装置基材具有支撑在玻璃载体基材上的装置改性的半导体基材。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述装置基材选自硅(Si),砷化镓(GaAs),或其组合。
13.一种层压件玻璃制品，其包括：
粘结到玻璃载体基材的玻璃装置基材，所述玻璃载体基材具有已用选自下述的等离子体处理的至少一个界面粘结表面：
含氟聚合物；
氟化蚀刻剂的反应产物；
或其组合，
其中，玻璃装置基材和载体玻璃基材之间的界面粘结强度是约100-约1,000mJ/m2,玻璃装置基材和玻璃载体之间的界面具有约0.1-约14原子％的硅含量；约5-65原子％的氟含量,以及约1:1到1:3的金属和氟(M:F)原子比例。
14.如权利要求13所述的制品，其特征在于，还包含具有至少一个装置改性的表面区域的层压件制品中的玻璃装置基材的未粘结第二表面。
15.如权利要求13或14所述的制品，其特征在于，玻璃装置基材在其中包含多个孔。
16.如权利要求13-15中任一项所述的制品，其特征在于，玻璃装置基材具有约20-约500微米的厚度,载体玻璃基材具有约200微米-约3毫米的厚度,且玻璃装置基材和玻璃载体基材之间的界面粘结层的厚度是约单一原子层到约100纳米。