1.一种电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)对目标基底进行电晕处理；
2)将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起，得到胶膜/石墨烯/金属衬底的结构；
3)去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；
4)将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与电晕处理过的目标基底贴合在一起；
5)去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构，即本发明石墨烯薄膜。
2.根据权利要求1所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述电晕处理时，电晕放电电压为5000-15000V/m2。
3.根据权利要求2所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述电晕放电功率控制在1-4KW，优选3KW。
4.根据权利要求2或3所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：放电速度为0.5-3m/min，优选1m/min。
5.根据权利要求1所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述目标基底的厚度为1-500μm，优选厚度为10-250μm；
优选的，所述目标基底的材料为聚乙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺薄膜、聚苯硫醚薄膜、聚四氟乙烯薄膜等其中的一种或者两种及两种以上的叠合膜材；优选聚酰亚胺薄膜。
6.根据权利要求1所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2)中，采用辊压的方式将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起，优选的，所述辊压工艺条件为：在100℃下辊压30s。
7.根据权利要求1所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述胶膜的剥离力为(1-20)g/25mm，优选15g/25mm；
优选的，所述胶膜选自硅胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物等其中的一种或者两种以上的复合胶膜；优选PET胶膜。
8.根据权利要求1所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述去除金属衬底的方法为化学腐蚀法、机械剥离法或鼓泡法，优选化学腐蚀法，进一步优选的，所述化学腐蚀法为将步骤2)得到的胶膜/石墨烯/金属衬底置于刻蚀液中进行刻蚀；进一步优选的，所述刻蚀液采用盐酸和双氧水的混合溶液。
9.根据权利要求1所述的电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，其特征在于：所述步骤4)中，采用压合的方法将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与电晕处理过的目标基底贴合在一起。
10.根据权利要求1-9任一项所述方法制备的低方阻石墨烯薄膜，其特征在于：所述石墨烯薄膜的方阻为100-150Ω/□。