技术总结
本发明公开了一种电晕法制备低方阻石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：1)对目标基底进行电晕处理；2)将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起，得到胶膜/石墨烯/金属衬底的结构；3)去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；4)将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与电晕处理过的目标基底贴合在一起；5)去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构，即本发明石墨烯薄膜。本发明方法，可以在目标基底上获得较大面积的石墨烯，可得到300mm×200mm的面积，并且单层石墨烯膜方阻较低(≤150Ω/□)，与直接转移到未经过处理的目标基底上的方法相比，对目标基底进行预处理后单层石墨烯薄膜的方阻可以大幅度降低。
技术研发人员：王小蓓;王炜;谭化兵
受保护的技术使用者：无锡格菲电子薄膜科技有限公司
文档号码：201610463375
技术研发日：2016.06.23
技术公布日：2016.11.30