光刻曝光设备的反射镜布置和包括反射镜布置的光学系统的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求德国专利申请102015213275.7的优先权，其内容通过引用并入本文。

本发明涉及光刻曝光设备的反射镜布置，还涉及包括这种反射镜布置的光学系统。

背景技术：

目前主要的光刻曝光方法用来制造半导体部件(例如计算机芯片)和其他精细结构部件。在这种情况下，使用掩模(掩模母版)或其他承载或形成待成像的结构的图案的图案装置，例如半导体部件的层的线形图案。图案定位在光刻曝光设备中，在照明系统和投射物镜之间位于投射物镜的物平面的区域内，并且以由照明系统提供的照明辐射照明该图案。由图案改变的辐射通过将图案成像到待曝光的基板上的投射物镜作为投射辐射。基板的表面定位在投射物镜的与物平面光学共轭的像平面中。通常，基板表面涂有辐射敏感层(光刻胶)。

为了能够制造甚至更精细的结构，追逐多种的方法。举例而言，投射物镜的分辨能力可以通过增大投射物镜的像侧数值孔径来增加。其他的方法在于采用更短波长的电磁辐射。例如，光学系统已经开发为使用来自极紫外范围(euv)(特别是具有在5纳米(nm)和30nm之间的范围中的操作波长)的电磁辐射。

借助于折射光学元件不可能将来自euv范围的辐射聚焦或引导，因为由在更长的波长处透明的已知光学材料吸收短波长。因此，为euv光刻使用反射镜系统。反射镜不仅适用于用于euv光刻的光学系统，而且适用于使用来自深紫外范围(duv，操作波长小于300nm)或真空紫外范围(vuv，操作波长小于200nm)的光的光刻的光学系统。

为了确保光刻成像可能的最佳质量，通常尽力产生在由照明系统照明的照明场中的良好限定的强度分布，并且将掩模的图案以尽可能小的像差成像到像场上。这些需求不仅必须在光学系统交付时满足，而且必须在光学系统的整个使用寿命期间得到保持，而不具有显著的变化。在前文的情况下，可能的偏差实质上基于设计残留和制造缺陷，使用寿命期间的改变常常实质上是由老化现象引起的。偏差的一个来源是反射镜表面形状与指定表面形状的可能偏差，可能引起由反射镜反射的光内相对相位改变。

许多现代光刻工艺使用分辨率增强技术，例如双重曝光、多重曝光或者隔圈(spacering)。这些技术允许通过随后的曝光步骤的序列产生精细结构。这些技术需要：在随后的步骤产生的结构应当以连续曝光的高叠加准确度来叠加。因此，当与单曝光技术比较时，基于精确的横向成像定位的需求增加。

另外，随着像侧数值孔径na增加以及波长减小，焦平面的精确定位变得更加困难。例如，焦深的范围正比于波长而反比于像侧数值孔径的平方。例如，数值孔径na大于0.4的euv波长或在数值孔径大于1.1的在深紫外范围中的波长将焦深的范围减小至可能小于70nm的值。结果，焦平面的轴向位置需要被非常精确地控制。

另外，远心效应可能影响相对于期望的像位置的像的精确定位。远心可能引起像位置相对于辐射的传播方向倾斜。因此，曝光区域的轴向位置的改变可能引起实际像与期望像位置的横向位移，因此以不利方式影响横向叠加准确度。

总而言之，应当非常小心地控制焦点的轴向位置和横向位置。另外，应当考虑如下情况：通常涂有感光涂层的真正基板表面不可能必然是平坦的表面，而是替代地可能偏离于平坦。这个可能需要焦点位置在曝光步骤之间或者甚至在单个扫描曝光操作期间的调整。其次，可期望的是不仅能够精确地控制焦点的位置，而且能够精确地控制影响成像质量的其他因素(例如成像比例或者像是畸变的像差)。

更高的像差可能由光学元件的加热而引起，该光学元件的加热可能引起折射率的变化和/或光学表面的变形的。重力也可能影响光学元件的光学效应，使得光学表面可能由于重力而变形。其次，可能对像差有贡献的老化过程不可能避免。

经常采用动态操纵系统以解决光刻工艺的质量的时间相关影响。

wo2012/126954a1披露了校正在euv照明系统的照明场中的照明强度分布和照明角度分布的反射镜布置。反射镜布置包括形成反射镜表面的多个反射镜元件，其中每个反射镜元件具有基板，在该基板上施加具有关于来自euv范围的辐射的反射效应的多层布置。每个多层布置包含具有厚度的压电层，该厚度可以通过由相关的电极布置产生的电场进行控制。由此反射镜元件的压电层可以独立于彼此被控制，并且因此关于它们的层厚度单独调整。作为上述的结果，可以在反射镜表面上局部不同地影响反射镜布置的反射特性，允许校正照明强度分布和照明角度分布。

技术实现要素：

问题和方案

本发明提出的问题是提供可以在光刻曝光设备中使用的反射镜布置和配备其的光学系统，其中关于现有技术进行改进该反射镜布置，并且该反射镜布置具有例如改进的波前校正的改进的光学特性。

为解决这个问题，本发明提供包括权利要求1的特征的反射镜布置、包括权利要求2的特征的反射镜布置以及包括权利要求17的特征的光学系统。有利的发展在从属权利要求中指定。所有权利要求的措辞通过引用并入说明书的内容中。

反射镜布置具有邻近地布置并且共同形成反射镜布置的反射镜表面的多个反射镜元件。反射镜元件可以以实质上填充了反射镜表面的区域或完全填充表面区域，或者相互距彼此一距离的方式，特别是横向地邻近布置成例如行和列。反射镜元件可以是能够彼此间隔开(并且，如果适当，以通过在载体结构上的空隙的方式间隔)安装的反射镜元件。反射镜表面可以是完全平坦的(平面反射镜)或弯曲的(例如凸面镜、凹面镜、柱面镜或一般非球面形状)。反射镜元件可以安装在载体结构上，使得得到反射镜表面的期望形式。

每个反射镜元件包括基板和在基板上的多层布置。多层布置包含具有辐射入射表面的反射层系统，其中辐射入射表面形成反射镜表面的部分。反射层系统包括引起关于电磁辐射的反射效应的一个或更多个反射层。此外，反射层系统可以包括在一个或更多个反射层之上的保护层。反射层系统的最顶层的表面形成辐射入射表面。因此，每个反射镜元件包括包含实质平行于辐射入射表面的层的层结构。

另外，每个反射镜元件的多层布置包含布置在辐射入射表面和基板之间的压电层。每个反射镜元件包括与压电层相关联的电极布置，以产生电场，其中压电层的层厚度(在垂直于层的垂直方向上)可以由电场控制。可以通过将电压施加到电极布置而产生电场。每个电极布置必要时可以独立于其他电极布置被驱动。由此可以独立于彼此控制反射镜元件的压电层，并且因此关于它们的层厚度调整压电层。作为上述的结果，可以在反射镜表面上局部不同地影响反射镜布置的反射特性，允许补偿反射镜表面的非期望偏差或变化。

电极布置的电极可以与压电层以触摸接触。距待受影响的压电层的一距离处布置一个或多个电极也是可能的，只要电场可以透过材料填充或不含材料的空隙到达压电层。因此，多层布置的一个或多个层，特别是反射层系统的一个或多个反射层，可以位于电极和相关联的压电层之间。

关于反射层系统的一个或多个反射层布置压电层存在多种可能性。例如，压电层可以在反射层系统和基板之间布置。在这种情况下，反射层系统可以相对于基板整体借助于压电层提高或降低。通过改变邻近布置的反射镜元件的反射层系统的相对高度，可以补偿反射镜表面的可能的非平滑性，并且照射辐射的波前的空间解析相位校正是可能的。在这种情况下，校正的横向分辨率(空间分辨率)取决于单独的反射镜元件的辐射入射表面的横向尺寸。

根据本发明主张的一个构想，反射镜布置包括使邻近的电极布置的邻近的第一电极和第二电极电互连的互连布置。通过至少在压电层的一边上的间隙区域，在横向方向上将第一电极与邻近的电极(第二电极)间隔开。因为第一电极和第二电极之间的间隙，所以第一电极和第二电极之间没有短路，并且因此邻近的电极布置可以独立于彼此被驱动。

根据一个构想，互连布置在第一电极和第二电极的间隙区域中产生互连电场。互连电场在第一电极处的第一电场和第二电极处的第二电场之间产生连续过渡。

根据其他设想，在第一电极和第二电极之间的间隙区域中的互连布置的电阻大于第一电极和第二电极的电阻，并且小于包括第一电极和第二电极的邻近的电极布置的压电层的电阻。

第一电极和第二电极的电阻可以包含将第一电极和第二电极与对应电压源和/或电流源连接的引入连接线的可能电阻。由于互连布置的电阻(也指示为“互连电阻”)大于第一电极和第二电极的电阻(也指示为“电极电阻”)，因此在第一电极和第二电极之间没有短路。第一电极和第二电极布置可以独立于彼此被驱动。由于互连电阻小于包括第一电极和第二电极的邻近的电极布置的压电层的电阻(也指示为“压电电阻”)，因此由第一电极和第二电极提供的电荷可以在互连布置中积累，并且不会通过邻近的电极布置的压电层的泄露而立刻耗竭(drainoff)。当电荷积累时，建立上文提及的互连电场。

有利地，从第一电场(终止于第一电极的边界处)到第二电场(起始于第二电极的边界处)的间隙区域中的压电材料中电场强度的连续或平滑过渡，降低了反射镜元件的部件(特别是压电层)的材料疲劳和分裂的风险。

反射镜元件可以以完全填充反射镜布置的反射镜表面的区域的方式布置，其中邻近的反射镜元件的侧边界彼此接触。特别是，邻近的压电层可以彼此接触。在这种情况下，第一电极和第二电极不可能在横向方向上完全覆盖对应的压电层，使得在第一电极和第二电极之间呈现间隙，使得第一电极和第二电极彼此不接触。另外，在第一电极和第二电极之间可能导致短路，防止将第一电极和第二电极布置被独立于彼此地驱动。在常规的反射镜中，压电层的未覆盖部分不变形，通常导致在压电层的未覆盖部分的上方反射层系统的部分中尖锐的纽结、台阶或沟槽。在反射层系统中的这种纽结、台阶或沟槽可能对期望的波前校正产生负面影响。与此相反，互连布置覆盖至少不受第一电极和第二电极覆盖的压电层的部分，并且由互连布置产生的互连电场引起压电层中的这些部分的变形。由此，减少由离散的第一电极和第二电极引起的波前误差的源，例如在反射层系统和反射镜表面中的尖锐的纽结、台阶或沟槽。

互连布置的其他优点为：作为用于压电层的从互连布置之上或之下对(例如由引入连接导线引起的)电场的遮蔽件。因此消除从这种电场引入的串扰。

在本发明的实施例中，在第一电极和第二电极之间的间隙区域中的互连布置的电阻在从1千欧(kω)到10兆欧(mω)的范围中，优选地在从10kω到1mω的范围中。

根据其他构想，在第一电极和第二电极之间的间隙区域中的互连布置的电导率可以在从200至1s/m的范围中，优选地在从100至1s/m的范围中。

如果互连电阻太大(或者电导率太低)，在互连布置中积累电荷的时间常数可能太高。在另一方面，如果互连电阻太低(或电导率太高)，用于保持施加电压的电流流可能导致电阻加热。在本发明的实施例中，互连布置包括半导体材料。典型地，电极布置包括金属材料。金属材料具有比半导体材料更低的特定电阻率，并且半导体材料具有比压电材料更低的特定电阻率。因此，互连电阻可以高于电极电阻并且低于压电电阻。半导体材料可以基于硅或可以本质上仅由硅构成。半导体材料可以被掺杂，其中掺杂允许调整互连布置的电阻率(各自的电阻)。

半导体材料可以基于硅之外的材料。例如，半导体材料可以选自由如下构成的组：lanio3、srruo3、srvo3、lacoo3、srcoo3、lamno3、sr0.7ce0.3mno3、la2ce2o7、lavo3、lacro3、lafeo3、latio3、lacuo3、la(mn0.5co0.5)o3、lacu0.4(mn0.5co0.5)0.6o3、la0.7sr0.3feo3、la0.7sr0.3mno3、srfeo3、bamno3、srmno3、ba0.5sr0.5mno3、baruo3、batio3、camno3、ce0.8y0.2o1.9、mgo、ndnio3、y稳定的zro2、znfeo3、caruo3、catio3、tio2、la0.6sr0.4fe0.8co0.2o3、la0.85sr0.15mno3。

通常，半导体材料的电阻强烈取决于温度，而金属材料的电阻较少地依赖于温度。因此，包括半导体材料的互连布置的电阻测量可用于确定在反射镜布置内的局部温度分布，该局部温度分布可能由照射辐射在反射镜布置内的吸收引起。测量温度分布提供了对波前误差的源的估计，并且因此可以作为反射镜布置的反馈信号，即施加到对应电极布置的特别的电压的单独调节。

在本发明的实施例中，第一电极和第二电极的电阻小于或等于1kω，优选地低于100ω。因此，沿着第一电极和第二电极(特别是沿着它们的引入连接线)应当不存在显著的电压降。

在本发明的实施例中，具有第一电极和第二电极的邻近的电极布置的压电层的电阻大于或等于10mω，优选地大于100mω。因此，通过压电层的泄露电流可能导致在互连布置中积累的电荷的减小可以被抑制。

互连布置可以包括互连层，该互连层通过从第一电极的边界延伸到第二电极的边界使第一电极和第二电极互连。在本发明的一些实施例中，反射镜布置的几个部分在多个或所有反射镜元件上方延伸，这可以简化反射镜布置的(特别是反射镜元件的)制造。

例如，互连布置可以包括使多个或所有反射镜元件互连的公共互连层。公共互连层可以不仅使第一电极和第二电极互连，而且可以超越第一电极和第二电极的边界在它们之上或之下延伸。优选地，公共互连层是没有任何间隙的连续层，优选地覆盖与反射镜表面区域一样大的区域。因此，公共互连层在例如通过光刻工艺的全部制造期间完全不必结构化。

还可以是多个或所有反射镜元件的压电层形成公共压电层和/或多个或所有反射镜元件的反射层系统形成公共反射层系统。不具有任何间隙的公共压电层可以连续地变形并且可以具有或不具有类似纽结、台阶或沟槽的不连续。类似地，特别是当由公共压电层变形时，不具有任何间隙的公共反射层系统可以连续变形，并且可以具有或不具有类似纽结、台阶或沟槽的不连续。

多个或所有反射镜元件的电极布置与第一电极和第二电极相对的电极可以形成公共电极。因此，并非所有电极需要通过单独引入连接线连接至对应电压源和/或电流源，而是仅一个公共单独引入连接线可能就足够。另外，只有第一电极和第二电极不得不构造为在它们之间有间隙。

多个或全部反射镜元件的基板可以形成公共基板。由此，反射镜布置的(特别是本段中上文提到的层的)制造可以在公共基板上发生。则只有公共基板需要安装在承载结构上。

在本发明的实施例中，反射层系统适配于反射电磁辐射，该电磁辐射的波长范围为低于300nm，优选地低于200nm，特别是低于20nm。在duv体系中为低于300nm的波长，像krf准分子激光器的248nm波长。在vuv体系中为低于200nm的波长，像arf准分子激光器的193nm波长。在euv体系中为低于20nm的波长，像例如气体放电产生的等离子体或激光产生的等离子体的13.5nm波长。通过与这些短波长范围适配，反射镜布置可以在光刻曝光设备中应用于非常精细的结构。

例如电介质增强的铝反射镜层可以将来自duv体系或vuv体系的电磁辐射反射。

在本发明的实施例中，反射层系统包括多个层对，该层对具有高折射率材料和(相对于其的)低折射率层材料的交替层。这种层对也称为“两层”或“双层”。具有大量层对的层布置以“分布的布拉格反射器”的方式运作。在该情况下，例如关于euv辐射，反射层系统模拟引起布拉格反射的晶格面通过具有折射率的低实部的材料的层来形成的晶体。通过预先确定的波长和预先确定的入射角(范围)的布拉格公式确定层对的最佳周期厚度。对于euv辐射而言，最佳周期厚度一般在1nm和10nm之间。除了由相对折反射率和相对低折射率材料构成的两层以外，层对还可以分别具有一个或多个其他层，例如为了减少在邻近层之间的相互扩散的插入阻挡层。

在该情况下，压电层可以定位在远离基板的第一组层对和靠近基板的第二组层对之间。通过插入压电层，通过施加外部电压可改变在层组之间的距离(垂直于辐射入射表面测量)。插入压电层引入在第一层组处反射的辐射的部分辐射和在第二层组处反射的辐射的部分辐射之间的光学路径长度差或相移。通过施加外部电压，相移的程度可以以连续可变方式变化，由此改变对应反射镜元件的反射率。在第一和第二层组之间集成的压电层以集成的fabry-perot干涉仪(标准具)的方式来运作，其具有反射效应的界面之间的距离是可电调节的。

多层布置还可以具有多于一个压电层，该多于一个压电层布置在具有多个层对的两个邻近层组之间并且用作在这些层组的辐射的反射部分之间的可控制的相移。举例而言，可以提供这种压电层中的两个或三个压电层，则具有多个层对的层组同样地位于该压电层之间。

多层布置可以具有多个压电层，使得在反射层系统内的周期厚度的变化是可能的。由于，对于给定的操作波长和给定的入射角，只有特定层周期导致完全相长干涉，并且因此导致反射的最大角度，通过改变周期厚度，可以以连续可变的方式来改变反射元件的反射层系统在操作波长的反射率。而且，反射的辐射的相位受影响，使得空间解析波前影响也是可能的。

关于多层布置的层结构的其他可能性，特别是反射层系统和压电层，引用wo2012/126954a1的内容。在此通过引用并入相应的公开内容。

在本发明的实施例中，互连布置的互连层的厚度在从50nm到200nm或甚至高达500nm之间的范围中。典型地，压电层将具有表面粗糙度，可能影响具有低于50nm的厚度的互连层，使得互连层不是连续的，而是具有间隙。在主张的范围中的厚度可以减少源自表面粗糙度的问题。

在本发明的实施例中，平行于反射镜表面测量的第一电极和第二电极的最大电极直径在从0.5mm到50mm的范围中，特别是从2mm到20毫米的范围中。最大电极直径的定义取决于第一电极和第二电极在平行于反射镜表面的平面中的形式。在电极形式为圆形的情况下，直径可以是圆形的直径。在多边形电极形式的情况下，特别是四边形的或六边形的形状，直径可以为在多边形中的最长对角线。

替代地或额外地，在第一电极和第二电极之间的间隙区域的宽度可以在从10mm到1mm的范围中。间隙区域的宽度可以确定为第一电极的边界到第二电极的相对边界的最短距离。关于分别在主张范围中的最大电极直径和间隙区域的宽度，反射镜表面的形式可以近似为反射镜表面的期望形式，同时分别不具有太多电极并且由此太多反射镜元件。反射镜元件的数量可以大约为200个或者更少。特别是，在反射镜布置的有用区域(即反射镜表面)的直径上的反射镜元件的数量可以在从50个到180个的范围中，优选地例如在从100到150个的范围中。

本发明还涉及包括至少一个反射镜布置的光学系统。光学系统可以是光刻曝光设备的投射物镜。反射镜布置可以布置在投射物镜的光瞳平面的区域中，即关于物表面和像表面的平面以傅里叶变换的方式定位的平面的区域中。反射镜布置的其它潜在有用位置可以被定位为靠近场表面，例如物表面、像表面、或可用的真实中间像形成的位置。两个或更多个反射镜布置可以优选地设置在光学上不同的位置处。

这些或其他特征不仅从权利要求而且从说明书和附图中出现，其中单独特征可以分别在本发明的实施例中和在其他领域中以其自身或者以子组合的形式作为多个来实现，并且可以构成有利且本质上可保护的实施例。示例性实施例在附图中说明并且在下文详细解释。

附图说明

图1示出了穿过反射镜布置的实施例的部分截面的纵切示意图；

图2示出了对应于在图1中的第一电极和第二电极的顶部的高度处，穿过反射镜布置的部分截面的横截面的示意图；

图3示出了不具有互连布置的参考反射镜布置沿着图2中线aa’的高度轮廓图；

图4示出了具有根据实施例的互连布置的图1的反射镜布置的电部件的等效电路图；

图5示出了具有根据实施例的互连布置的反射镜布置沿着图2中线aa’的高度轮廓图；

图6示出了包括反射镜布置的光刻曝光设备的投射物镜。

具体实施方式

图1示出了具有多个反射镜元件2a、2b的反射镜布置1的部分截面。如图2中的反射镜布置的横截面所示，多个反射镜元件2a、2b可以以六边形的方式邻近地布置。每个反射镜元件2a、2b可以被指示为单独反射镜并且具有六边形横截面。

图1的反射镜布置1包括公共基板4作为机械支撑。在此使用的术语“公共基板”意味着一个单基板对于多个或所有反射镜元件是公共的，使得反射镜元件共享公共基板。如图1中说明，基板4可以横向细分为单独反射镜元件2a、2b的单独基板4a、4b。公共基板4提供刚度以对抗通过在公共基板4上沉积的层中的应力导致的弯曲。在完成反射镜布置1之后，只有公共基板4必须安装在未示出的承载结构上。公共基板4可以是极低膨胀基板，例如由非晶材料构成，像是具有极低膨胀系数和在垂直z方向上约为50mm(毫米)的厚度的玻璃。

在公共基板4的表面上，单独反射镜元件2a、2b的多层布置5a、5b由适当涂覆技术处理，因此，在示例的情况下，在单独反射镜元件2a、2b的多层布置的几个层形成公共层，即横穿多个邻近反射镜元件延伸的层。为了制造多个或所有单独层，可以使用例如磁控溅射、电子束溅射或离子束溅射或气流溅射。例如，如果期望晶体层结构，则还可以通过脉冲层沉积(pld)实现涂覆。

第一公共粘合层14沉积在公共基板的表面上。第一公共粘合层14提供从公共基板4到上述晶体层的过渡。例如，它可以由tio2构成，并且具有在垂直z方向上大约10nm(纳米)至20nm的厚度。

例如由pld，在公共粘合层14上沉积公共电极9c。例如，公共电极9c可以由pt构成，并且具有在垂直z方向上的50nm至100nm的厚度。替代地，例如可以使用一些其他导电材料，例如al或cr。在示例的情况下，公共电极9c电连接至可设定的dc电压源中的一个极，如接地(未示出)。

第二公共粘合层15沉积在公共电极9c的顶部。第二公共粘合层15形成导电层，其上可以生长典型的压电材料，其同样地形成晶体层。例如，它可以由lanio3构成，并且具有在垂直z方向上大约20nm至50nm的厚度。

例如通过pld在第二公共粘合层15的表面上生长公共压电层8。在此使用的术语“公共压电层”意味着一个单压电层对于多个或所有反射镜元件是公共的，使得反射镜元件共享公共压电层。如图1中说明，压电层8可以横向细分为单独反射镜元件2a、2b的单独压电层8a、8b。公共压电层8可以由具有呈现相对强的压电效应的钙钛矿结构的材料构成。特别地，压电层材料可以选自由如下构成的组：ba(sr，zr)tio3、bi(a1，fe)o3、(bi，ga)o3、(bi，sc)o3、cds、(li，na，k)(nb，ta)o3、pb(cd，co，fe，in，mg，ni，sc，yb，zn，zr)(nb，w，ta，ti)o3、zno、zns、alscn或可以包含该组的至少一种材料与至少一种其他材料的结合。因此，记号(a，b)表示可以在晶体结构的特定晶格位置中呈现类型a的元素或离子或元素b的元素或离子。例如，pbzrtio3可以选择作为压电材料。例如，公共压电层8可以具有在垂直z方向上从1μm到4μm(微米)的厚度tp。压电常数(d33)在65-250pm/v的范围中对于典型的压电层材料而言是已知的。

形式为公共互连层10的互连布置直接沉积在公共压电层8的表面上。例如，公共互连层10可以例如由半导体材料构成。半导体材料可以基于硅或可以本质上仅由硅构成。半导体材料可以被掺杂，其中掺杂允许公共互连层10的电导率(各自电阻)的调节。例如，公共互连层10的厚度ti在从50nm到200nm的范围中。在提到的范围中的厚度可以减少源自公共压电层8的表面粗糙度的问题。

结构化第三粘合层16沉积在公共互连层10上。使用光刻工艺将第三粘合层16结构化为单独反射镜元件2a、2b的结合垫16a、16b，使得它们只布置在预期电极的下面。例如，第三粘合层16可以由lanio3构成，并且在垂直z方向上具有从20nm到50nm的厚度。第三粘合层可以存在或可以不存在。

其他例如激光切除或通过掩模沉积的结构化技术可以用来制作结构化层。

在粘合垫16a、16b的顶部，每个单独反射镜元件2a、2b包括结构化电极9a、9b，它们在这里也表示为第一电极和第二电极。第一电极和第二电极9a、9b可以通过pld施加并且使用光刻工艺来结构化。例如，第一电极和第二电极9a、9b可以由类似材料构成，并且具有与公共电极9c类似的厚度。第一电极9a和在第一电极9a之下的公共电极9c的相对横截面形成第一电极布置。对应地，第二电极9b和位于相对侧(超过压电层8)的公共电极9c的部分形成第二电极布置。在图2中也可以见到，第一电极和第二电极9a、9b在横向方向上不完全覆盖对应的单独压电层8a、8b。间隙或间隙区域11呈现在第一电极和第二电极之间，使得第一电极和第二电极相互不接触。否则，在第一电极和第二电极之间可能导致短路，这防止第一电极和第二电极布置被独立于彼此地驱动。根据反射镜元件2a、2b的布置和/或形式，可以形成在横向平面上第一电极和第二电极9a、9b的横截面。在示例的情况下，如图2中所示，第一电极和第二电极9a、9b具有六边形横截面形状。第一电极和第二电极9a、9b的最大电极直径d(六边形的最长对角线)在示例的情况下近似为例如5毫米。在第一电极和第二电极之间的间隙区域11的宽度w(第一电极9a的边界到第二电极9b的相对边界的最短距离)在示例的情况下近似为例如20毫米。

隔离体和间隔体层17横向沉积在粘合垫16a、16b以及第一电极和第二电极9a、9b的旁边。隔离体和间隔体层17分别将第一电极和第二电极9a、9b以及粘合垫16a、16b彼此电绝缘。隔离体和间隔体层17可以例如由sio2构成，并且与粘合垫16a、16b加第一电极和第二电极9a、9b的高度一样。

第一电极和第二电极9a、9b的每一个电极经由分离的结构化引入连接线18a、19b连接到dc电压源的另一极。结构化线18a、18b例如可以由类似材料构成，并且具有与公共电极9c之一类似的厚度。结构化线18a、18b通过隔离体和间隔体层17分别与公共互连层10和公共压电层8隔离。结构化线18a、18b可以使另外的第一电极和第二电极交叉，因此可以在中间存在额外的隔离体层以避免短路。

公共平滑层19沉积在结构化线18a、18b与隔离体和间隔体层17的顶部。该公共平滑层19可以通过离子束在施加下一层之前打磨光滑，以获得亚nmrms(均方根)的平滑度。公共平滑层19可以例如由sio2构成，并且在垂直z方向上具有从2μm到10μm的厚度。

公共屏蔽层20例如通过pld沉积在公共平滑层19上。公共屏蔽层20提供在具有线18a、18b的第一电极和第二电极9a、9b与沉积在公共平滑层19上的层之间的电屏蔽。此外，防止平滑层受到euv光子的攻击，由此抑制劣化。在一些情况下，公共屏蔽层20可以被省去。

公共反射层系统6沉积在公共屏蔽层20的顶部。在此使用的术语“公共反射层系统”意味着一个单反射层系统对于多个或所有反射镜元件是公共的，使得反射镜元件共享公共反射层系统。如在图1中所示，反射层系统6可以横向细分为单独反射镜元件2a、2b的单独反射层系统6a、6b。公共反射层系统6包括多个层对，该层对具有高折射率层材料(也叫作“间隔体”)和(相对于其)低折射率层材料(也叫作“吸收体”)的交替层12、13。这种层对也称为“两层”或“双层”。反射层系统6以“分布式布拉格反射器”的方式行动。在示例性实施例中，公共反射层系统6适配于反射在从5nm到30nm的范围中的euv辐射。包括作为吸收体材料的mo的薄层12与包括si作为间隔体材料的相对“更厚的”层13交替施加。层对还可以包含至少一个其他层，特别是插入阻挡层，该插入阻挡层可以由例如c、b4c、sixny、sic或包括所述材料中的一种的合成物构成，并且旨在防止界面处的相互扩散。由此甚至在持续很久的辐射负载下，可以确保永久清晰限定的界面。

公共反射层系统6包括例如具有大约350nm的总厚度的50个层对，使得周期叠层将从公共反射层系统6的公共辐射入射表面7入射的辐射反射。此外，以取决于出现的入射角范围和操作波长的方式选择层对的周期，使得根据布拉格公式出现最大的或几乎最大的反射率。在此使用的术语“公共辐射入射表面”意味着一个单辐射入射表面对于多个或所有反射镜元件是公共的，使得反射镜元件共享公共辐射入射表面。如图1中所示，辐射入射表面7可以横向细分为单独反射镜元件2a、3b的单独辐射入射表面7a、7b。公共辐射入射表面7和单独辐射入射表面7a、7b二者分别形成反射镜布置1的反射镜表面3。因此，每个反射镜元件2a、2b包括含有实质上平行于辐射入射表面7a、7b的层的层结构。

分别对于给定的电极直径d和间隙区域的宽度w，反射镜表面3的形式可近似于反射镜表面的期望形式，同时分别不具有太多电极9a、9b以及由此太多反射镜元件2a、2b。特别地，在像反射镜表面3的反射镜布置1的使用区域的直径(例如在图2中进一步沿着线aa’向左和向右)上的反射镜元件2a、2b的数量例如可以在从20个到200个的范围中。

单独反射镜元件2a、2b的多层布置5a、5b的层结构设计为使得反射镜布置1作为整体可以用作波前校正装置，该波前校正装置以空间解析方式有效。

第一电极和第二电极9a、9b经由线18a、18b连接至可切换的dc电压源，通过其，视需要可以将预先确定大小高达几个伏特的dc电压va、vb施加在第一电极9a和公共电极9c之间和/或第二电极9b和公共电极9c之间。在邻近的第一电极和第二电极9a、9c之间的电压差va-vb可以高达几个伏特。通常，存在分离的可切换或连续可变设定的dc电压源用于第一电极和第二电极9a、9b中的每一个电极。因此，第一电极和第二电极9a、9b中的每一个电极可以相对于公共电极9c被彼此独立地放置在合适的电位。由此，单独压电层8a、8b或层部分由在第一和/或第二电极9a、9b之下的单独第一和第二电场局部穿透，并且它们在垂直z方向上的层厚度tp以取决于施加电压的方式局部变化；关于反射镜元件2a、2b的单独压电层8a、8b的层厚度单独地调节它们。因此，可以产生在x方向上延伸的层厚度轮廓图。

这使用逆压电效应，其中公共压电层8在局部电场的作用下可逆地局部变形。在该情况下，例如pb(zr，ti)o3的压电层的晶体材料不进行相位变换，而是发生在压电层材料的晶体结构内正负电荷形心的可逆位移。

首先由压电层材料的弹性度和屈服应力确定设定范围(调谐范围)。当超过屈服应力(σy)时，层材料开始不可逆的变形。屈服应力与材料的弹性(描述为弹性模量e，也被称为杨氏模量)和材料的尺寸变化或变形相关，则应变ε作为归一化度量。在没有材料的塑性变形的情况下可能的层厚度的尺寸变化(应变)(εmax＝δtp/tp)、屈服应力和弹性模量之间的关系由εmax＝σy/e给定。在该情况下，tp为最初层厚度，δtp为层厚度的变化。压电材料的屈服应力，对于batio3而言，典型地在1％到5％之间并且大约为4.8％(r.f.cook，c.j.fairbanks，b.r.lawn和y.-w.mai“crackresistancebyinterfacialbridging：itsroleindeterminingstrengthcharacteristics，”j.materres.，2，345-356(1987))。

如果意图接着为提供在完整反射镜表面3之上的位置相依的(空间解析的)波前校正，则不同大小的电压va、vb可以施加到单独反射镜元件2a、2b的压电层8a、8b，使得在第一和/或第二电极9a、9b之下的压电层8a、8b的不同层厚度在单独反射镜元件2a、2b内确立。在该情况下，分别关于单独基板4a、4b和公共基板4，借助于压电层8a、8b，具有单独反射层系统6a、6b的辐射入射表面7a、7b的单独反射镜层系统6a、6b可以在第一电极和第二电极9a、9b的上方局部升高或降低。通过改变邻近布置的反射镜元件2a、2b的反射层系统6a、6b的相对高度，可以补偿反射镜表面3的可能的非平滑性或其他不期望偏差，并且照射辐射的波前的空间解析的相位校正是可能的。因此，校正的横向分辨率(空间分辨率)取决于单独的反射镜元件2a、2b的辐射入射表面7a、7b的横向尺寸。

在没有公共互连层10的情况下，在间隙11的下方的压电层8a、8b的部分压电层在操作期间不会由电场穿透并且因此不会变形。图3示出了在没有互连布置的反射镜布置的第一电极和第二电极9a、9b的顶部处、沿着图2中的线aa’的任意单位(a.u.)的高度z轮廓图。在压电层8a、8b不变形的间隙区域11中，隔离体和间隔体层17的高度z保持在恒定水平，其在示例的情况下为z＝0。在间隙区域11的旁边，第一电极和第二电极9a、9b的高度z通过对应压电层8a、8b的外部控制变形而改变。因此，沿着高度轮廓存在尖锐的纽结、台阶和沟槽。对应地，在第一电极和第二电极9a、9b与隔离体和间隔体层17上方的公共反射层系统6和反射镜表面3分别可以表现尖锐的纽结、台阶和沟槽。在公共反射层系统6和反射镜表面3中的这种纽结、台阶和沟槽可以分别引起反射光的波前畸变。

与之相对的是，根据实施例的反射镜布置包括互连布置，如图1的形式为公共互连层10的示例的情况。它覆盖了压电层8a、8b的部分，该部分在间隙区域11中未被第一电极和第二电极9a、9b覆盖。

图4示出了具有所描述的互连布置的图1的反射镜布置的电部件的等效电路图。互连布置10在图1的第一电极和第二电极9a、9b之间的间隙区域11中的电阻也指示为“互连电阻”ri，大于第一电极9a加其引入连接线18a的电阻(也指示为“电极电阻”rw)，并且大于第二电极9b加其引入连接线18b的电阻rw。此外，互连电阻ri小于包括第一电极和第二电极9a、9b的邻近的电极布置的压电层8a、8b的电阻(也指示为“压电电阻”ri)。典型地，引入线18a、18b和电极9a、9b、9c的金属材料具有比公共互连层10更低的特定电阻率，并且半导体材料具有比压电层8a、8b的压电材料更低的特定电阻率。因此，互连电阻ri可以高于电极电阻rw并且低于压电电阻ri，如所期望的。

因为互连电阻ri大于电极电阻rw，在第一电极和第二电极9a、9b之间将不存在短路。第一电极和第二电极布置仍然可以独立于彼此被驱动并且因此保持在适当电位。因为互连电阻ri小于压电电阻ri，通过第一电极和第二电极9a、9b提供的电荷可以在互连布置10中积累，并且将不会通过通过压电层8a、8b的泄露而耗竭。

在示例的情况中，电极电阻rw可以小于或等于100欧姆(ω)。因此，沿着第一电极和第二电极9a、9b(特别是沿着它们的引入连接线18a、18b)，应当没有显著的电压降。

在示例的情况中，互连电阻ri可以在从10千欧(kω)到1兆欧(mω)的范围中。如果互连电阻太高，在间隙区域11中的公共互连层10中积累电荷的时间常数τc可能太高。给定τc为从2.5毫秒到0.25秒，在间隙区域11中压电层8a、8b的电容为cg＝0.5微法拉，时间常数τc可以估计为τc＝cgxri/2。对于作为波前校正装置的反射镜布置1的期望使用而言，该时间常数目前被认为足够低，因此施加电压va、vb的调节可以例如在每个晶片交换(具体地每20秒)之后完成。cp是在第一电极和第二电极9a、9b的下方的压电层8a、8b的电容，该电容可以与电容cg的数值相当。在另一方面，如果互连电阻ri太低，由施加在第一电极和第二电极9a、9b处的电压引起的电流流经在第一电极和第二电极9a、9b之间的互连层10，可能引起不期望的电阻加热。对于在第一电极和第二电极9a、9b之间的2v的电压差va-vb，电阻加热产生(resistiveheatgeneration)p是在4到400μw(微瓦特)的范围中且p＝(va-vb)²/ri，其目前被认为对于反射镜布置1的期望使用而言是足够低的。对应于间隙区域11的尺寸，互连布置的特定电阻率可以在ρi＝rixtixw/d的范围中，给定数值范围为从5x10^-4ωm到2x10^-1ωm，该值对于半导体材料是典型的。

在示例的情况中，压电电阻ri可以大于或等于100mω。因此，通过压电层8a、8b的漏电流可能导致在互连布置10中积累的电荷的减小可以被抑制。

当第一和/或第二电极9a、9b被放置在适当电压或电位va、vb时，在间隙区域11中的公共互连层10中存在连续或平滑电位或电压过渡，从图1中的第一电极9a的右边界处va到第二电极9b的左边界处vb。电荷积累在公共互连层10中，导致互连电场建立在间隙区域11中、垂直地在间隙区域11中的互连层10和下方的公共电极9c的之间。互连电场在第一电极9a处或下方的第一电场和第二电极9b处或下方的第二电场之间产生连续横向过渡。

图5示出了在根据实施例的具有互连布置的反射镜布置的第一电极和第二电极9a、9b的顶部处、沿着图2中的线aa’的任意单位(a.u.)的高度z轮廓图。通过互连布置产生的互连电场穿透在间隙区间11中的压电层8a、8b。由此，引起在间隙区域11中的压电层8a、8b中的部分压电层的连续或平滑变形。总之，公共压电层8在没有任何间隙的情况下连续变形，并且其厚度轮廓不会具有任何像是台阶或沟槽的不连续。对应地，隔离体和间隔体层17与电极的顶部的z高度在图5中从左向右只是上升。对应地，公共反射层系统6在没有任何间隙的情况下连续变形，并且不会具有任何像是台阶或沟槽的不连续。它只是从左向右在z高度上上升。由此，减少由离散的第一电极和第二电极9a、9b引起的波前误差的源，例如在反射层系统6a、6b和反射镜表面3上的尖锐的纽结、台阶或沟槽。反射镜布置1相对于现有技术得到改进，并且具有改进的光学特性，例如改进的波前校正。此外，减少反射镜元件2a、2b的部件的材料疲劳和破裂的风险。

形式为公共互连层10的互连布置的其他优点为：作为用于压电层8a、8b(特别是在间隙区域11中)对例如来自互连布置的上方的电场(例如由引入连接线18a、18b引起的)的屏蔽。因此，消除了从这种电场引入的串扰。

通常，互连布置10的半导体材料的电阻将强烈取决于温度，然而电极9a、9b的金属材料的电阻将较少地依赖于温度。因此，包括半导体材料的互连布置的电阻测量可用于确定在反射镜布置1内的局部温度分布，该局部温度分布可能由在反射镜布置1内的照射辐射的吸收引起。电阻测量可以通过测量从第一电极9a穿过互连布置10到第二电极9b的电流流li来执行并且可以由ri＝(va-vb)/li计算为ri。测量温度分布提供了对波前误差的源的估计，并且因此可以用作反射镜布置1的反馈信号，即施加到对应电极布置9a、9b、9c的特别的电压va、vb的单独调节。

反射镜布置可以用于例如光学系统中的多种任务，该反射镜布置借助于压电层使在反射镜布置的反射镜表面上的波前轮廓的空间解析设定是可能的。在光刻曝光设备的投射物镜的情景下可能的使用在下文中呈现。

图6示出了光刻曝光设备wsc的光学部件，以通过布置在投射物镜po的物平面os的区域中的掩模m或反射图案装置的图案的至少一个像，曝光布置在投射物镜po的像平面is的区域中的辐射敏感基板sub。

以来自主要辐射源rs的辐射操作设备wsc。照明系统ill用于接收来自主要辐射源rs的辐射并且用于将引导到图案上的照明辐射成形。投射物镜po用于将图案的结构成像到感光基板sub上。

在euv光刻的应用区域中，主要辐射源rs特别可以是激光等离子体源或是气体放电等离子体源或是基于同步加速器的辐射源。这种辐射源产生在euv范围(特别是具有在4nm和30nm之间的波长)中的辐射rad。为了照明系统ill和投射物镜po可以以该波长范围操作，它们通过可以反射euv辐射的部件构造。

从辐射源rs发出的辐射rad通过集光器col收集并且指引到照明系统ill中。在该情况下，辐射穿过中间焦平面，其中可以提供分离非期望辐射部分的装置。照明系统ill使辐射rad成形并且因此照明位于投射物镜po的物平面os中或其附近的照明场。在该情况下，照明场的形式和尺寸确定在物平面is中有效使用的物场的形式和尺寸。

在设备wsc的操作期间，反射式掩模母版m或一些其他反射图案装置布置在物场平面os中。

投射物镜po具有六个反射镜m1至m6，该反射镜具有沿着公共光轴ax布置的弯曲的反射镜表面。投射物镜将掩模的图案以缩小比例成像到像平面中，其中布置待曝光的基板(例如半导体晶片)。从掩模m穿过到基板的投射辐射pr连续在六个反射镜(第一反射镜m1到第六反射镜m6)处反射。像场if位于像平面中，该像场是关于物场of光学共轭的。实际中间像imi关于物场和像场光学共轭，并且在第四反射镜m4和第五反射镜m5之间、几何上靠近第六反射镜m6的边缘光学地形成。第一光瞳表面p1存在于主射线在第二反射镜m2处或附近与光轴ax交叉处。第二光瞳表面p2几何结构上大约存在第五和第六反射镜m5和m6之间的中途处。

所有反射镜以多层反射涂层覆盖，该多层反射涂层具有euv辐射的反射效应并且可以包含例如mo/si层对(双层)。

保持和操纵掩模m(掩模母版)的装置(掩模母版台)布置使得布置在掩模上的图案位于投射物镜po的物平面os中，文中也指示为掩模母版平面。对于扫描曝光机操作而言，在该平面中，借助于扫描驱动器，在垂直于投射镜头的参考轴ax(z方向)的扫描方向(y方向)上，掩模是可移动的。

由包括扫描驱动器的装置(晶片台)保持待曝光的基板sub，以便基板与掩模m在扫描方向(y方向)上垂直于参考轴ax同步移动。根据投射镜头po的设计，掩模和基板的这些运动可以以关于彼此平行或反平行的方式实现。

晶片台和掩模母版台是通过扫描控制装置控制的扫描曝光机装置的部件，该扫描控制装置在实施例中集成到投射曝光设备的中心控制装置中。

投射曝光设备wsc的所有光学部件安置在可抽真空的外壳中。投射曝光设备在真空下操作。

例如从wo2009/100856a1已知具有相似基本构造的euv投射曝光设备。具有相似基本构造的投射物镜在ep1178356a2(图4)中公开.为此，所述文件公开内容通过引用并入到本说明书的内容中。

第一到第六反射镜m1到m6中的一个或更多个反射镜可以包括根据在本申请中描述的实施例的反射镜布置。反射镜布置可以提供有用的不同功能，取决于反射镜的类型和反射镜沿着光路的位置。

例如，第二反射镜m2是定位在第一光瞳表面p1处或非常接近第一光瞳表面p1的凹面反射镜，该第一光瞳表面p1与照明系统ill的光瞳表面光学共轭。因此，在该反射镜上的辐射的空间强度分布将通过由照明系统提供的照明设定的类型来决定。例如，当使用双极设定时，照射在第二反射镜m2上的辐射将集中在对应于照明设定的极的两个在直径上相对的区域中，由此引起在第二反射镜上的不均匀辐射负载。这可能导致反射镜的不均匀加热，由此引起不均匀的变形和相关的像差。那么可以控制反射镜布置的反射式反射镜表面，使得不均匀辐射负载的效应可以至少部分被补偿，由此减少不然会在系统中呈现的成像误差。

尽管六个反射镜m6不恰好定位在光瞳表面中，但是位置相对接近于光瞳表面，因此不均匀辐射负载可能导致特定照明设定。如在第二反射镜中，可适配的反射镜布置可以至少部分补偿不然会产生的像差。而且，第六反射镜m6的大部分在操作中光学地被使用。特别是，第六反射镜是具有所有反射镜中的最大光学使用区域的反射镜。大反射镜可以特别敏感于重力对反射镜形状的影响。因此，这些影响可以通过控制反射镜布置的整个反射形状来补偿。

作为另一示例，第五反射镜m5(几何结构上最接近于像表面)是凸面反射镜，其定位为使得在反射镜表面上呈现euv辐射的入射角的最大范围。而且，在该反射镜上可以出现最大入射角。在这些条件下，该反射镜的反射率行为特别敏感于在多层系统的层结构中的小缺陷。当第五反射镜设计为根据实施例的反射镜布置，可以至少部分抵消在层结构中的小缺陷导致的问题。

作为另一示例，第四反射镜m4的光学使用的凹面反射表面定位为光学地接近于场表面，特别是在中间像imi形成的地方接近于场表面。可以采用控制接近场表面的反射镜的表面形状以补偿场相关像差。

第三反射镜m3具有凸面反射表面，光学地布置在既不非常接近场表面又不非常接近光瞳表面的中间范围中。在这种中间位置的反射镜还可以设置有根据实施例的反射镜布置。

当考虑波前校正的问题时，还可以强调：典型euv投射物镜典型地具有实际贡献于像形成的相对小数量的光学表面，例如四个、六个或8个反射镜。因此，仅存在影响穿过波前校正操纵器的波前的有限数量的自由度。因此，提供具有根据本申请的实施例的反射镜布置的投射物镜的多于一个反射镜可以是有用的。例如，接近光瞳表面的至少一个反射镜，接近场表面的至少一个反射镜以及在中间位置处的至少一个反射镜可以设计为根据本发明的实施例的反射镜布置，使得提供波前校正的多个自由度。

如上文提到的，根据本发明的实施例的反射镜布置不限于euv光刻的光学系统。例如，根据实施例的反射镜布置可以用作反射折射投射物镜中的弯曲反射镜，该反射折射投射物镜设计用于在深紫外范围中的波长，例如大约248nm处或大约193nm处的波长。例如，反射镜布置的平滑连续反射镜表面可以具有完整凹面形状，使得可以提供能够适配凹面反射镜的表面形状的主动凹面反射镜。

已经基于示例性实施例解释了在光刻曝光设备的投射物镜中的反射镜布置的一些可能用途。替代地或额外地，还可以设置为根据反射镜布置的实施例制作照明系统ill的至少一个反射镜。在wo2012/126954a1中描述的反射镜可以根据本申请的实施例设计。

反射镜布置的全部反射镜表面可以以平面反射镜的方式是平坦的。还可以以凸面或凹面弯曲的反射镜表面设计反射镜布置。在示例中，单独辐射入射表面各为平面表面。然而，这不是强制的。反射镜元件的单独辐射入射表面的单独或全部单独辐射入射表面还可以是凸面或凹面弯曲的。此外，单独反射镜元件可以安装在载体结构上，使得获得反射镜表面的期望形式。

单独反射镜元件的形状可以适配于期望应用。

在连续层对的区域中的多层布置的层构造可以适配于寻求的应用。在示例性实施例中，压电层布置在反射层系统的多个层对和基板之间，参考wo2012/126954a1的图9的示例。单独反射镜元件的多层布置的层构造设计为使得反射镜布置作为整体可以用作以空间解析方式有效的波前校正装置，而没有在不同操作模式下出现反射率的不同空间分布。

替代地，压电层可以定位在远离基板的第一组层对和靠近基板的第二组层对之间，参考wo2012/126954a1中的图1的示例。对应地，可以定位互连布置，以便能够向压电层提供互连场。通过插入压电层，通过施加外部电压可以改变在层组之间的距离(垂直于辐射入射表面测量)。插入压电层引入在第一层组处反射的辐射的部分辐射和在第二层组反射的辐射的部分辐射之间的光学路径长度差或相移。通过施加外部电压，相移的程度可以以连续可变方式变化，由此改变对应反射镜元件的反射率。在第一和第二层组之间集成的压电层以集成的fabry-perot干涉仪(标准具)的方式运作，其具有反射效应的界面之间的距离是可电调节的。

在具有定位在远离基板的第一组层对和靠近基板的第二组层对之间的互连布置和压电层的多层布置中，应当特别考虑以确保互连布置材料具有对使用辐射的低吸收。

多层布置还可以具有多于一个压电层，该多于一个压电层布置在具有多个层对的两个邻近的层组之间并且用于在这些层组的辐射的反射部分之间的可控制的相移。举例而言，可以提供这种压电层中的两个或三个压电层，则具有多个层对的层组同样地位于该压电层之间，参考wo2012/126954a1的图8的示例。对应地，多层布置可以具有多于一个互连布置，使得能够为每一个压电层提供互连场。

多层布置可以具有多个压电层，使得在反射层系统内的周期厚度的变化是可能的。由于，对于给定的操作波长和给定的入射角，只有特定层周期导致完全相长干涉，并且因此导致最大反射角，通过改变周期厚度可以以连续可变的方式来改变反射元件的反射层系统在操作波长的反射率。而且，反射辐射的相位受影响，使得空间解析波前影响也是可能的。

如果对于相对小的入射角范围需要高的最大反射率，那么层对的全周期序列可以是有利的。相对地，如果在角度空间中的宽带配置和/或光谱宽带配置是期望的，那么还可以结合具有不同周期的层对(参见例如de10155711b4或者wo2010/118928a1)。为了减少反射率对入射角的依赖，层布置原则上还可以以其他方式构造。特别是，不同材料配对可以提供给多层布置的层对。在该配置下，通过将电场施加到压电层，如果合适的话，可以在多层布置内产生层周期的连续可变的变化。

层周期的失调或改变还可以用来将反射率适配于可能偏离期望值的中心波长，使得例如可以进行源谱的变化的补偿或整体光学系统的光谱传输的变化的补偿。替代地或额外地，适配于在反射镜上的期望的或不期望改变的入射角也是可能的。

关于多层布置的层结构的其他可能性，特别是反射层系统和压电层，引用wo2012/126954a1的内容。在此通过引用并入相应的公开内容。

本发明的实施例可以不仅仅在光刻的光学系统中使用。举例而言，在x射线显微镜的领域中使用是可能的，特别是在euv掩模度量学的领域中。实施例可以使用在监控euv空间像的系统中，例如，如在国际公开文本wo2011/012267a1和wo2011/012266a1披露的。在euv系统度量学中的应用同样是可想象的。在euv天文学的领域中的应用，以及用于在同步加速器系统中的光学装配件也是可想象的。

在示例性实施例中，反射层系统适配于反射euv辐射。替代地或额外地，反射层系统适配于反射duv或vuv电磁辐射。为了该目的，作为多个层对的替代，反射层系统可以包括电介质增强铝反射镜层。

在示例的情况下，单独反射镜元件的多层布置的几个层或部件形成公共层或部件。特别是，单独反射镜元件的基板形成公共基板。此外，单独反射镜元件共享与第一电极和第二电极相对的公共电极、公共压电层以及公共反射层系统。替代地，反射镜元件可以分离，即具有分离基板、在压电层的相对侧的两者上的分离电极、分离压电层和/或分离反射层系统。反射镜元件可以是能够彼此分离(并且，如果适当，以通过在载体结构上的空隙分离的方式)安装的反射镜元件。

在压电层的相对侧的两者上的分离电极的情况下，将在两侧有间隙区域。因此，互连布置可以包括压电层的相对侧的两者上的互连层，以便给它们提供互连场。替代示出的超越第一电极和第二电极的边界，在它们的上方延伸的公共互连层，互连布置可以包含通过始于第一电极的边界且终止于第二电极的边界而使第一电极和第二电极互连的互连层。