积层体基板、导电性基板、积层体基板的制造方法、导电性基板的制造方法与流程

本发明涉及积层体(层叠体)基板、导电性基板、积层体基板的制造方法、导电性基板的制造方法。

背景技术：

如专利文献1所述，以往使用了一种在透明高分子膜等透明基材的表面上作为透明导电膜形成了ito(氧化铟-锡)膜的触屏(touchpanel)用透明导电性膜。

然而，近年具备触屏的显示器正趋于大画面化，与此相应地，触屏用透明导电性膜等导电性基板也被要求大面积化。但是，由于ito的电阻值较高，故存在不能应对导电性基板的大面积化的问题。

为此，例如，如专利文献2、3所述进行了使用铜等配线取代ito配线的研究。然而，例如在配线中使用铜的情况下，由于铜具有金属光泽，故存在反射会导致显示器的视认性下降的问题。

因此，进行了与铜等配线一起在配线的与透明基材表面平行的表面上形成了由黑色材料构成的黑化层的导电性基板的研究。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本国特开2003-151358号公报

[专利文献2]日本国特开2011-018194号公报

[专利文献3]日本国特开2013-069261号公报

技术实现要素：

[发明要解决的课题]

然而，就在透明基材上具备铜配线的导电性基板而言，其是在获得了于透明基材表面形成了铜层的积层体基板之后，藉由将铜层蚀刻为预期的配线图案以形成铜配线的方式而获得的。此外，就在透明基材上具有黑化层和铜配线的导电性基板而言，其是在获得了于透明基材表面依次进行了黑化层和铜层的积层的积层体基板之后，藉由将黑化层和铜层蚀刻为预期的配线图案以形成配线的方式而获得的。

藉由对黑化层和铜层进行蚀刻，例如，如图1a所示可作为在透明基材1上进行了被图案化了的黑化层2和对铜层进行图案化而成的铜配线3的积层的导电性基板。在此情况下，被图案化了的黑化层2的宽度wa和铜配线3的宽度wb较佳为大致相同。

但是，存在铜层和黑化层相对蚀刻液的反应性大不相同的问题。即，如果想同时对铜层和黑化层进行蚀刻，则存在无论哪个层都不能被蚀刻成如图1a所示的目标形状的问题。

例如，在黑化层的蚀刻速度与铜层相比很慢的情况下，如图1b所示，就作为被图案化了的铜层的铜配线3而言，会产生其侧面被蚀刻的所谓的侧蚀(sideetching)。为此，金属配线3的截面形状容易变成下部较宽的梯形形状，如果进行至可确保金属配线3之间的电绝缘性的蚀刻，则存在配线间距宽度过宽的问题。

另外，在黑化层的蚀刻速度与铜层相比很快的情况下，如图1c所示，会存在被图案化了的黑化层2的宽度(底部宽度)wa变为小于铜配线3的宽度wb的状态、即、发生所谓的底切(undercut)的情况。发生了这样的底切之后，基于该底切的量，会存在与预定的铜配线3的宽度wb相比，作为与透明基材1进行密着的密着宽度的被图案化了的黑化层2的底部宽度wa变小，如果密着宽度的比率低至一定程度以上，则无法获得足够的配线密着强度的问题。

此外，在不同时对铜层和黑化层进行蚀刻，而是采用不同的步骤来实施铜层的蚀刻和黑化层的蚀刻的情况下，还存在步骤数会增加的问题。

鉴于上述现有技术的问题，本发明的目的在于，提供一种具备可同时进行蚀刻处理的铜层和低反射率合金层的积层体基板。

[用于解决课题的手段]

为了解决上述课题，本发明提供一种积层体基板，具备：

透明基材；及

积层体，形成在所述透明基材的至少一个表面侧，

其中，所述积层体具有

含有铜和镍的低反射率合金层；及

铜层，

其中，所述低反射率合金层所包含的所述铜和所述镍中的所述镍的比例为30质量％以上且85质量％以下。

[发明效果]

根据本发明，能够提供一种具备可同时进行蚀刻处理的铜层和低反射率合金层的积层体基板。

附图说明

[图1a]在先前的导电性基板中同时对铜层和黑化层进行蚀刻的情况的说明图。

[图1b]在先前的导电性基板中同时对铜层和黑化层进行蚀刻的情况的说明图。

[图1c]在先前的导电性基板中同时对铜层和黑化层进行蚀刻的情况的说明图。

[图2a]本发明的实施方式的积层体基板的截面图。

[图2b]本发明的实施方式的积层体基板的截面图。

[图3a]本发明的实施方式的积层体基板的截面图。

[图3b]本发明的实施方式的积层体基板的截面图。

[图4]本发明的实施方式的具备网状(mesh)配线的导电性基板的俯视图。

[图5]沿图4的a-a’线的截面图。

[图6]卷对卷(rolltoroll)溅射装置的说明图。

具体实施方式

以下对本发明的积层体基板、导电性基板、积层体基板的制造方法及导电性基板的制造方法的实施方式进行说明。

(积层体基板和导电性基板)

本实施方式的积层体基板可具备透明基材和在透明基材的至少一个表面侧所形成的积层体。此外，积层体具有含有铜和镍的低反射率合金层、及铜层，低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例可为30质量％以上且85质量％以下。

需要说明的是，本实施方式的积层体基板是指，在透明基材表面上具有图案化之前的铜层和/或低反射率合金层的基板。此外，导电性基板是指，在透明基材表面上具有被图案化为配线形状的铜配线层和/或低反射率合金配线层的配线基板。

这里，首先对本实施方式的积层体基板所包含的各部件在以下进行说明。

作为透明基材对其并无特别限定，较佳可使用能使可视光透过的高分子膜、玻璃基板等。

作为能使可视光透过的高分子膜，例如较佳可使用聚酰胺(pa)系薄膜、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)系薄膜，聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)系薄膜、环烯烃(cycloolefin)系薄膜、聚酰亚胺(pi)系薄膜、聚碳酸酯(pc)系薄膜等树脂膜。

对透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电性基板时所要求的强度和/或光的透过率等进行任意选择。作为透明基材的厚度，例如可为10μm以上且250μm以下。特别在用于触屏的用途的情况下，较佳为20μm以上且200μm以下，优选为20μm以上且120μm以下。在用于触屏的用途的情况下，例如尤其是在需要使显示器的整体厚度薄化的用途中，透明基材的厚度较佳为20μm以上且100μm以下。

接下来对积层体进行说明。积层体可形成在透明基材的至少一个表面侧，并具有低反射率合金层和铜层。

这里，首先对铜层进行说明。

对铜层并无特别限定，然而，为了不降低光的透过率，铜层和透明基材之间、或铜层和低反射率合金层之间较佳为不配置黏接剂。即，铜层较佳为直接形成在其他部件的上表面上。

为了在其他部件的上表面上直接形成铜层，可采用溅射法、离子镀法、蒸镀法等干式镀法形成铜薄膜层，并将该铜薄膜层作为铜层。

此外，在使铜层更厚的情况下，较佳为在采用干式镀法形成铜薄膜层之后再使用湿式镀法。即，例如在透明基材或低反射率合金层上采用干式镀法形成铜薄膜层之后，可将该铜薄膜层作为供电层，并采用湿式镀法形成镀铜层。在此情况下，铜层具有铜薄膜层和镀铜层。

如上所述，藉由仅采用干式镀法或藉由采用干式镀法和湿式镀法的组合来形成铜层，可在透明基材或低反射率合金层上不介由黏接剂而直接形成铜层，故为较佳。

对铜层的厚度并无特别限定，在将铜层使用为配线的情况下，可根据该配线的电阻值、配线宽度等进行任意选择。特别地，为了可充分地进行电气流动，铜层的厚度较佳为50nm以上，优选为60nm以上，最好为150nm以上。对铜层厚度的上限值并无特别限定，然而，如果铜层过厚，则由于为了形成配线而进行蚀刻时该蚀刻所需的时间变长，故容易产生发生侧蚀、蚀刻中途光阻剥离等的问题。为此，铜层的厚度较佳为5000nm以下，优选为3000nm以下。需要说明的是，在铜层如上所述具有铜薄膜层和镀铜层的情况下，铜薄膜层的厚度和镀铜层的厚度的合计较佳为位于上述范围内。

接下来，对低反射率合金层进行说明。

由于铜层具有金属光泽，若在透明基材上仅对铜层进行蚀刻以形成作为配线的铜配线层，如上所述，铜会对光进行反射，例如在作为触屏用配线基板而使用的情况下，存在显示器的视认性下降的问题。因此，进行了设置黑化层的方法的研究，然而，由于存在黑化层相对蚀刻液的反应性不充分的情况，故难以将铜层和黑化层同时蚀刻为预期的形状。

相对于此，本实施方式的积层体基板上所配置的低反射率合金层具有铜和镍。为此，本实施方式的积层体基板上所配置的低反射率合金层相对蚀刻液的反应性与铜层相对蚀刻液的反应性基本相同，蚀刻性也很好。因此，在本实施方式的积层体基板中，可同时对铜层、及含有铜和镍的低反射率合金层进行蚀刻。

以下对本实施方式的积层体基板上所配置的低反射率合金层可与铜层同时被进行蚀刻这点进行说明。

本发明的发明人最初对作为可抑制铜层表面的光反射的黑化层的、对铜层的一部分进行了氧化的氧化铜层的形成方法进行了研究。由此发现，当对铜层的一部分进行氧化以将其作为黑化层时，存在该黑化层中会包括非化学计量的(nonstoichiometric)铜氧化物和/或没被氧化的铜的情况。

在对具备铜层和黑化层的积层体基板的铜层和黑化层同时进行蚀刻的情况下，作为蚀刻液，例如可较佳使用能对铜层进行蚀刻的蚀刻液。另外，根据本发明的发明人的研究可知，在黑化层含有非化学计量的铜氧化物的情况下，其容易溶解于可对铜层进行蚀刻的蚀刻液。

这样，在黑化层含有容易溶解于蚀刻液的非化学计量的铜氧化物的情况下，黑化层相对蚀刻液的反应性较高，与铜层相比，黑化层的蚀刻速度很快。为此，在同时对铜层和黑化层进行蚀刻处理的情况下，黑化层容易出现底切。

因此，在本实施方式的积层体基板中，为了对底切进行抑制，黑化层可为不使用氧且除了铜之外还含有难以溶解于蚀刻液的镍的成分的低反射率合金层。这样，藉由使本实施方式的积层体基板的低反射率合金层不使用氧并含有铜和镍，可使其相对蚀刻液的反应性与铜层相同，据此可同时对低反射率合金层和铜层进行蚀刻。需要说明的是，由于低反射率合金层中不使用氧，故不含有氧，然而，也不能排除作为不可避免的成分而含有极微量的氧的情况。

对低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例并无特别限定，然而，低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例较佳为30质量％以上且85质量％以下。需要说明的是，镍的比例是指，如上所述在低反射率合金层中的铜和镍的含有量合计为100质量％的情况下的比例。

其原因在于，在低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例小于30质量％的情况下，波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值不能为55％以下。

另一方面，其原因在于，如果低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例超过85质量％地被进行了混合，则镍会过剩，导致难以对低反射率合金层进行蚀刻。即，低反射率合金层至蚀刻液的溶解速度与铜层相比较慢，不能成为可与铜层同时被进行蚀刻的低反射率合金层。此外，如后所述，低反射率合金层例如可采用溅射法形成，然而，如果镍的比例超过85质量％，则不能进行磁控溅射(magnetronsputtering)成膜。

另外，在积层体基板中，如后所述，可在透明基材上进行低反射率合金层和铜层的积层，通过对该低反射率合金层和铜层进行图案化，可作为导电性基板。此外，如果低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例超过85质量％，则在对低反射率合金层和/或铜层进行蚀刻以形成开口部时，基于蚀刻的除去处理不充分，存在可观察到透明基材的表面变为黄色的情况。为此，如上所述，低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例较佳为85质量％以下。

低反射率合金层中作为金属组分(metalspecies)可含有铜和镍，这里需要说明的是，低反射率合金层所含有的金属组分尽管可仅由铜和镍组成，然而，并不仅限定于铜和镍。例如，低反射率合金层中作为金属组分还可存在1质量％以下的不可避免的不纯物(杂质)。

此外，低反射率合金层只要含有铜和镍即可，对各组成成分以何状态包含于其中并无特别限定。

基于本实施方式的积层体基板所获得的导电性基板的铜配线层和低反射率合金配线层分别可维持本实施方式的积层体基板的铜层和低反射率合金层的特征。

对本实施方式的导电性基板上所配置的低反射率合金层的成膜方法并无特别限定。低反射率合金层例如较佳可采用溅射法等干式成膜法形成。

在对低反射率合金层采用溅射法进行成膜的情况下，例如可使用铜-镍合金靶，一边向腔体内供给作为溅射气体而使用的非活性(惰性)气体，一边进行成膜。

在溅射时使用铜-镍合金靶的情况下，铜-镍合金所包含的铜和镍中的镍的比例较佳为30质量％以上且85质量％以下。其目的在于，使所成膜的低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例与对该低反射率合金层进行成膜时所使用的铜-镍合金靶的铜-镍合金所包含的铜和镍中的镍的比例相同。

需要说明的是，作为进行低反射率合金层成膜时的惰性气体，对其并无特别限定，例如较佳可使用氩气和/或氙气，较佳可使用氩气。

对本实施方式的积层体基板中所形成的低反射率合金层的厚度并无特别限定，例如，可根据铜层表面的光反射的抑制程度等进行任意选择。

就低反射率合金层厚度而言，下限值例如较佳为10nm以上，优选为15nm以上。上限值例如较佳为70nm以下，优选为50nm以下。

低反射率合金层如上所述可发挥对铜层表面的光反射进行抑制的层的功能，然而，在低反射率合金层的厚度较薄的情况下，存在不能对铜层的光反射进行充分抑制的情况。相对于此，通过使低反射率合金层的厚度为10nm以上，可确实地对铜层表面的光反射进行抑制。

对低反射率合金层厚度的上限值并无特别限定，然而，如果过厚，则成膜所需要的时间和/或形成配线时该蚀刻所需要的时间会变长，导致成本上升。为此，低反射率合金层的厚度较佳为70nm以下，优选为50nm以下。

接下来，对本实施方式的积层体基板的构成例进行说明。

如上所述，本实施方式的积层体基板可具有透明基材、及包括铜层和低反射率合金层的积层体。此时，对积层体内的铜层和低反射率合金层在透明基材上的配置顺序和/或其层数并无特别限定。即，例如可在透明基材的至少一个表面侧依照任意的顺序进行铜层和低反射率合金层各为一层的积层。另外，还可在积层体内形成多个(plural)的铜层和/或低反射率合金层。

然而，在积层体内进行铜层和低反射率合金层的配置时，为了对铜层表面的光反射进行抑制，较佳为在铜层表面中的特别要对光的反射进行抑制的面上配置低反射率合金层。

特别地，优选为具有低反射率合金层被形成在铜层表面上的积层结构，具体而言，例如较佳为积层体具有作为低反射率合金层的第1低反射率合金层和第2低反射率合金层的两层，并且铜层配置在第1低反射率合金层和第2低反射率合金层之间。

关于具体构成例，基于图2a、图2b、图3a及图3b在以下进行说明。图2a、图2b、图3a及图3b示出了本实施方式的积层体基板的与透明基材、铜层及低反射率合金层的积层方向平行的面的截面图的例子。

例如，如图2a所示的积层体基板10a那样，可在透明基材11的一个表面11a侧依次进行铜层12和低反射率合金层13各为一层的积层。此外，如图2b所示的积层体基板10b那样，也可在透明基材11的一个表面11a侧和另一个表面(另一表面)11b侧分别依次进行铜层12a、12b和低反射率合金层13a、13b各为一层的积层。需要说明的是，铜层12(12a、12b)和低反射率合金层13(13a、13b)的积层顺序并不限定于图2a和图2b的例子，还可从透明基材11侧开始依次进行低反射率合金层13(13a、13b)和铜层12(12a、12b)的积层。

另外，如上所述，例如还可为在透明基材11的一个表面侧设置多个低反射率合金层的结构。例如，如图3a所示的积层体基板20a那样，可在透明基材11的一个表面11a侧依次进行第1低反射率合金层131、铜层12及第2低反射率合金层132的积层。

这样，作为低反射率合金层，具有第1低反射率合金层131和第2低反射率合金层132，并且铜层12配置在第1低反射率合金层131和第2低反射率合金层132之间，据此，可更确实地对从铜层12的上表面侧和下面侧入射的光的反射进行抑制。

在此情况下，也可为在透明基材11的两个表面上进行铜层、第1低反射率合金层及第2低反射率合金层的积层的结构。具体而言，如图3b所示的积层体基板20b那样，可在透明基材11的一个表面11a侧和另一个表面(另一表面)11b分别依次进行第1低反射率合金层131a、131b、铜层12a、12b、及第2低反射率合金层132a、132b的积层。

需要说明的是，第1低反射率合金层131(131a、131b)和第2低反射率合金层132(132a、132b)均可为含有铜和镍的低反射率合金层，并可通过相同制造方法进行制造。

此外，在透明基材的两个表面上进行了铜层和低反射率合金层的积层的图2b和图3b的构成例中，尽管示出了在透明基材11的上下所层叠的层以透明基材11为对称面呈对称的配置例，但并不限定于该形态。例如，在图3b中，可使透明基材11的一个表面11a侧的结构成为与图2b的结构同样地依次进行铜层12a和低反射率合金层13a的积层的形态，并使另一个表面(另一表面)11b侧成为依次进行第1低反射率合金层131b、铜层12b及第2低反射率合金层132b的积层的形态，据此，在透明基材11的上下进行了积层的层可为非对称结构。

对本实施方式的积层体基板的光的反射程度并无特别限定，例如，波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值较佳为55％以下，优选为40％以下，最好为30％以下。其原因在于，在波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值为55％以下的情况下，例如即使在将本实施方式的积层体基板作为触屏用导电性基板而使用时，也可特别地对显示器的视认性的降低进行抑制。

积层体基板的正反射率的测定可藉由向低反射率合金层照射光的方式来进行。即，可从积层体基板所包含的铜层和低反射率合金层中的低反射率合金层侧照射光以进行测定。具体而言，例如，如图2a所示，在透明基材11的一个表面11a上依次进行了铜层12和低反射率合金层13的积层的情况下，为了对低反射率合金层13进行光照射，可对低反射率合金层13的表面a照射光，由此来进行测定。另外，在交换了图2a的铜层12和低反射率合金层13的配置顺序、即、在透明基材11的一个表面11a上依次进行了低反射率合金层13和铜层12的积层的情况下，为了对低反射率合金层13进行光照射，可从透明基材11的表面11b侧对低反射率合金层照射光，据此进行正反射率的测定。

此外，波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值是指，在400nm以上且700nm以下的范围内改变波长并进行测定时的测定结果的平均值。测定时，对波长的变化宽度并无特别限定，例如，较佳为按照10nm的宽度改变波长并对上述波长范围内的光进行测定，优选为按照1nm的宽度改变波长并对上述波长范围内的光进行测定。

需要说明的是，如后所述，积层体基板可藉由通过蚀刻对铜层和低反射率合金层进行配线加工以形成金属细线的方式而成为导电性基板。导电性基板的光的正反射率是指，在除了透明基材之外的情况下配置在最表面的低反射率合金层的光入射侧的表面的正反射率。

为此，如果是进行了蚀刻处理之后的导电性基板，则较佳为铜层和低反射率合金层的残存部分处的测定结果的平均值满足上述范围。

接下来，对本实施方式的导电性基板进行说明。

本实施方式的导电性基板可具有透明基材和在透明基材的至少一个表面侧所形成的金属细线。此外，金属细线为具备含有铜和镍的低反射率合金配线层、及铜配线层的积层体，低反射率合金配线层所包含的铜和镍中的镍的比例可为30质量％以上且85质量％以下。

就本实施方式的导电性基板而言，例如可藉由对上述的积层体基板进行配线加工的方式获得。此外，在本实施方式的导电性基板中，由于在透明基材上设置了铜配线层和低反射率合金配线层，故可对铜配线层的光反射进行抑制。因此，藉由设置低反射率合金配线层，例如在使用于触屏等的情况下，显示器可具有良好的的视认性。

本实施方式的导电性基板例如可较佳作为触屏用导电性基板来使用。在此情况下，导电性基板可为具有藉由在上述的积层体基板的铜层和低反射率合金层上设置开口部而形成的配线图案的结构。优选为具备网状配线图案的结构。

就形成了具备开口部的配线图案的导电性基板而言，可通过对至此所说明的积层体基板的铜层和低反射率合金层进行蚀刻的方式而获得。此外，例如也可为具有基于两层金属细线的网状配线图案的导电性基板。具体构成例示于图4。图4示出了对具备网状配线图案的导电性基板30从铜配线层和低反射率合金配线层的积层方向的上表面侧进行观察时的图。图4所示的导电性基板30具有透明基材11、与图中x轴方向平行的多个铜配线层31b、及与图中y轴方向平行的铜配线层31a。需要说明的是，铜配线层31a、31b可藉由对上述的积层体基板进行蚀刻而形成，并且，在铜配线层31a、31b的上表面和/或下面上还形成了图中未示的低反射率合金配线层。此外，低反射率合金配线层被蚀刻为具有与铜配线层31a、31b基本相同的形状。

对透明基材11和铜配线层31a、31b的配置并无特别限定。透明基材11和铜配线层的配置的构成例示于图5。图5是沿图4的a-a’线的截面图。

例如，如图5所示，可在透明基材11的上下表面分别配置铜配线层31a、31b。需要说明的是，在图5所示的导电性基板的情况下，在铜配线层31a、31b的透明基材11侧配置了被蚀刻为具有与铜配线层31a、31b大致相同形状的第1低反射率合金配线层321a、321b。另外，在铜配线层31a、31b的与透明基材11相反的一侧的表面上还配置了第2低反射率合金配线层322a、322b。

因此，在图5所示的导电性基板中，金属细线具有作为低反射率合金配线层的第1低反射率合金配线层321a、321b和第2低反射率合金配线层322a、322b，并且，铜配线层31a、31b配置在第1低反射率合金配线层321a、321b和第2低反射率合金配线层322a、322b之间。

需要说明的是，这里尽管示出了设置第1低反射率合金配线层和第2低反射率合金配线层的例子，但并不限定于该形态。例如，也可仅设置第1低反射率合金配线层和第2低反射率合金配线层中的任意一个。

就图4所示的具有网状配线的导电性基板而言，例如，如图2b和图3b所示，其可基于在透明基材11的两个表面上具备铜层12a、12b和低反射率合金层13a、13b(131a、132a、131b及132b)的积层体基板来形成。

需要说明的是，例如，图5所示的具备第1低反射率合金配线层和第2低反射率合金配线层的导电性基板可基于图3b所示的积层体基板来形成。

因此，以使用图3b的积层体基板进行形成的情况为例进行说明。

首先，对透明基材11的一个表面11a侧的铜层12a、第1低反射率合金层131a、及第2低反射率合金层132a进行蚀刻，以使与图3b中y轴方向平行的多个线状图案沿x轴方向被配置为隔开预定间隔。需要说明的是，图3b中的y轴方向是指与纸面垂直的方向。此外，图3b中的x轴方向是指与各层的宽度方向平行的方向。

接下来，对透明基材11的另一表面11b侧的铜层12b、第1低反射率合金层131b、及第2低反射率合金层132b进行蚀刻，以使与图3b中x轴方向平行的多个线状图案沿y轴方向被配置为隔开预定间隔。

藉由以上操作，可形成图4和图5所示的具有网状配线的导电性基板。需要说明的是，也可同时对透明基材11的两个表面进行蚀刻。即，铜层12a、12b、第1低反射率合金层131a、131b、及第2低反射率合金层132a、132b的蚀刻也可同时进行。

图4所示的具有网状配线的导电性基板还可使用两个图2a或图3a所示的积层体基板来形成。如果以使用图3a的导电性基板的情况为例进行说明，则可首先对两个图3a所示的导电性基板分别进行铜层12、第1低反射率合金层131及第2低反射率合金层132的蚀刻，以使与x轴方向平行的多个线状图案沿y轴方向被配置为隔开预定间隔。接下来，以将藉由上述蚀刻处理而在各导电性基板上所形成的线状图案相互交叉配置的方式，对两个导电性基板进行贴合，据此可成为具有网状配线的导电性基板。需要说明的是，对贴合两个导电性基板时的贴合面并无特别限定。

例如，就两个导电性基板而言，可通过使图3a中的透明基材11的没有层叠铜层12等的表面11b相互贴合，以获得图5所示的结构。

需要说明的是，对图4所示的具有网状配线的导电性基板的金属细线的宽度和/或金属细线之间的距离并无特别限定，例如，可根据金属细线所需要的电阻值等进行选择。

然而，为了使透明基材和金属细线之间具有充分的密着性，较佳为对金属细线的宽度等进行选择。

本实施方式的导电性基板具有藉由对上述的积层体基板进行配线加工并在积层体基板的铜层和低反射率合金层上设置开口部而形成的配线图案。为此，在配线图案所包含的金属细线之间设置了可使透明基材露出的开口部。

此外，该开口部的波长为400nm以上且700nm以下的光的透过率的平均值与透明基材的波长为400nm以上且700nm以下的光的透过率的平均值相比，减少率较佳为3.0％以下。

其原因在于，上述开口部的波长为400nm以上且700nm以下的光的透过率的平均值与供积层体基板使用的透明基材的波长为400nm以上且700nm以下的光的透过率的平均值相比的减少率如果超过3.0％，则存在通过目视对透明基材进行观察时会看出颜色变为黄色的情况。还在于，上述减少率超过3.0％，对低反射率合金层和铜层进行蚀刻时，低反射率合金层的蚀刻速度较慢，不能同时对低反射率合金层和铜层进行蚀刻。为此，如上所述，低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例较佳为85质量％以下。

需要说明的是，在取代低反射率合金层而使用包括镍和铜的非化学计量的氧化物的黑化层的情况下，镍和铜的含有比例和/或它们的氧化状态会导致蚀刻性下降，若上述减少率超过3.0％，对透明基材目视观察时，也会存在可看到变为黄色的情况。这样，就具有使用了非化学计量的氧化物的黑化层的积层体基板而言，由于需要对黑化层成膜时的溅射环境气体进行控制，故还存在难以对制造条件进行最优化的情况。

另一方面，就本实施方式的积层体基板而言，由于黑化层使用了低反射率合金层，故仅需对镍和铜的组成成分进行控制即可，因此，可容易地进行制造条件的最优化。

另外，对本实施方式的导电性基板的光的反射程度并无特别限定，例如波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值较佳为55％以下，优选为40％以下，最好为30％以下。其原因在于，在波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值为55％以下的情况下，例如即使作为触屏用导电性基板而使用时，也可特别地对显示器的视认性的降低进行抑制。

就至此所说明的本实施方式的具有由两层配线所构成的网状配线的导电性基板而言，例如较佳可作为投影型静电容量式触屏用导电性基板来使用。

(积层体基板的制造方法和导电性基板的制造方法)

接着，对本实施方式的积层体基板的制造方法的构成例进行说明。

本实施方式的积层体基板的制造方法可具有以下步骤。

对透明基材进行准备的透明基材准备步骤。

在透明基材的至少一个表面侧形成积层体的积层体形成步骤。

此外，上述积层体形成步骤还可包括以下步骤。

藉由对铜进行堆积(沉积)的铜层成膜手段形成铜层的铜层形成步骤。

藉由对含有铜和镍的低反射率合金层进行堆积的低反射率合金层成膜手段对低反射率合金层进行成膜的低反射率合金层形成步骤。

另外，低反射率合金层形成步骤较佳在减压环境气体下实施。此外，低反射率合金层所包含的铜和镍中的镍的比例较佳为30质量％以上且85质量％以下。

以下对本实施方式的积层体基板的制造方法进行说明，需要说明的是，就以下所说明的各点之外而言，由于可为与上述积层体基板时同样的构成，故省略其说明。

如上所述，在本实施方式的积层体基板中，对将铜层和低反射率合金层配置在透明基材上时的积层顺序并无特别限定。此外，铜层和低反射率合金层也可分别形成为多层。为此，对上述铜层形成步骤和低反射率合金层形成步骤的实施顺序和/或实施次数并无特别限定，可根据所要形成的积层体基板的结构在任意时机实施任意次数。

对透明基材进行准备的步骤例如为，对由能使可视光透过的高分子薄膜、玻璃基板等构成的透明基材进行准备的步骤，对其具体操作并无特别限定。例如为了供后续各步骤使用，可根据要求将其切断为任意尺寸等。需要说明的是，由于作为能使可视光透过的高分子薄膜的优选材料已在上面被进行了叙述，故这里省略其说明。

接下来对积层体形成步骤进行说明。积层体形成步骤是在透明基材的至少一个表面侧形成积层体的步骤，并具有铜层形成步骤和低反射率合金形成步骤。为此，以下对各步骤进行说明。

首先，对铜层形成步骤进行说明。

在铜层形成步骤中，可在透明基材的至少一个表面侧采用对铜进行堆积的铜层成膜手段形成铜层。

在铜层形成步骤中，较佳采用干式镀法形成铜薄膜层。此外，在使铜层更厚的情况下，较佳为采用干式镀法形成铜薄膜层之后，再采用湿式镀法形成镀铜层。

为此，铜层形成步骤可具有例如采用干式镀法形成铜薄膜层的步骤。此外，铜层形成步骤也可具有采用干式镀法形成铜薄膜层的步骤、及将该铜薄膜层作为供电层并采用湿式镀法形成镀铜层的步骤。

因此，作为上述的铜层成膜手段，并不限定于一个成膜手段，也可组合使用多个成膜手段。

如上所述，藉由仅使用干式镀法或藉由使用干式镀法和湿式镀法组合的方式来形成铜层，可在透明基材或低反射率合金层上不介由黏接剂而直接形成铜层，故为较佳。

作为干式镀法对其并无特别限定，在减压环境气体下，较佳可使用溅射法、离子镀法或蒸镀法等。

特别地，作为形成铜薄膜层时所使用的干式镀法，从使用溅射法可容易进行厚度控制的观点来看，较佳使用溅射法。即，在此情况下，作为铜层形成步骤中的对铜进行堆积的铜层成膜手段，较佳可使用溅射成膜手段(溅射成膜法)。

铜薄膜层优选可使用例如图6所示的卷对卷溅射装置60进行成膜。以下以采用卷对卷溅射装置的情况为例，对铜薄膜层的形成步骤进行说明。

图6示出了卷对卷溅射装置60的结构例。卷对卷溅射装置60具有可将其构成部件基本上都收藏于其内的框体61。图6中所示的框体61的形状为长方体形状，但对框体61的形状并无特别限定，可根据其内部所收藏的装置、设置场所、耐压性能等将其设计为任意形状。例如框体61的形状也可为圆筒形状。然而，为了在成膜开始时可对与成膜无关的残留气体进行去除，框体61的内部较佳为减压至1pa以下，优选为减压至10^-3pa以下，最好为减压至10^-4pa。需要说明的是，并不需要将框体61的内部全都减压至上述压力，也可构成为，仅将配置了进行溅射的后述的成膜辊(canroll)63的图中下侧的区域减压至上述压力。

框体61内可配置用于供给进行铜薄膜层的成膜的基材的卷出辊62、成膜辊63、溅射阴极(cathode)64a～64d、前馈辊65a、后馈辊65b、张力辊66a、66b及卷取辊67。此外，在用于搬送进行铜薄膜层的成膜的基材的搬送路径上，除了上述各辊之外，还可任意地设置导辊68a～68h、加热器69等。

卷出辊62、成膜辊63、前馈辊65a及卷取辊67可藉由伺服电机提供动力。就卷出辊62和卷取辊67而言，可通过基于粉末离合器(powderclutch)等的扭矩控制，对进行铜薄膜层的成膜的基材的张力平衡进行保持。

对成膜辊63的结构并无特限定，然而，较佳被构成为，例如在其表面上进行镀硬质铬的处理，并在其内部对从框体61的外部所供给的冷媒或温媒进行循环，以可将温度调整至一定的温度。

张力辊66a、66b例如优选在其表面上进行镀硬质铬的处理，并具有张力传感器。另外，前馈辊65a、后馈辊65b和/或导辊68a～68h的表面也优选进行镀硬质铬的处理。

溅射阴极64a～64d优选为磁电管(magnetron)阴极式，并与成膜辊63相对配置。对溅射电极64a～64d的尺寸并无特别限定，然而，溅射电极64a～64d的进行铜薄膜层的成膜的基材的宽度方向上的尺寸优选为大于与其相对的进行铜薄膜层的成膜的基材的宽度。

进行铜薄膜层的成膜的基材被搬送至作为卷对卷真空成膜装置的卷对卷溅射装置60内之后，可藉由与成膜辊63相对的溅射电极64a～64d来进行铜薄膜层的成膜。

对使用卷对卷溅射装置60进行铜薄膜层的成膜的情况下的步骤进行说明。

首先，将铜靶安放在溅射电极64a～64d上，并藉由真空泵70a、70b对框体61的内部进行真空排气，该框体61内的卷出辊62上安放了要进行铜薄膜层的成膜的基材。

接下来，将非活性气体(惰性气体)例如氩气等溅射气体藉由气体供给部71导入框体61内。需要说明的是，对气体供给部71的结构并无特别限定，可具有图中未示的气体贮藏罐。此外，还可构成为，在气体贮藏罐和框体61之间按照气体种类分别设置质量流量控制器(mfc)711a、711b和阀门712a、712b，以对各气体的供给至框体61内的供给量进行控制。图6中示出了设置两组质量流量控制器和阀门的实例，然而，对所设置的数量并无特别限定，可根据所使用的气体种类选择所要设置的数量。

另外，在采用气体供给部71将溅射气体供给至框体61内时，优选对溅射气体的流量、及真空泵70b和框体61之间所设置的压力调整阀72的开度进行调整，以将装置内保持在例如0.13pa以上且1.3pa以下的压力，并在此条件下实施成膜。

在此状态下，可一边藉由卷出辊62以例如每分钟1m以上且20m以下的速度对基材进行搬送，一边藉由与溅射电极64a～64d连接的溅射用直流电源施加电力以进行溅射放电。据此，可在基材上连续地进行预期的铜薄膜层的成膜。

需要说明的是，卷对卷溅射装置60还可根据需要配置上述之外的各种部件。例如，可设置用于对框体61内的压力进行测定的压力计73a、73b或排气阀74a、74b。

此外，如上所述，还可在实施干式镀之后再采用湿式镀法进行铜层(镀铜层)的成膜。

在藉由湿式镀法进行镀铜层的成膜的情况下，可将采用上述干式镀法所成膜了的铜薄膜层作为供电层。另外在此情况下，作为铜层形成步骤中的对铜进行堆积的铜层成膜手段，较佳可使用电镀成膜手段。

对将铜薄膜层作为供电层并采用湿式镀法形成镀铜层的步骤的条件、即、电镀处理的条件并无特别限定，可采用常规方法中的各种条件。例如，可藉由将形成了铜薄膜层的基材供给至放入了铜镀液的镀槽，并对电流密度和/或基材搬送速度进行控制的方式来形成镀铜层。

接下来，对低反射率合金层形成步骤进行说明。

低反射率合金形成步骤如上所述，是在透明基材的至少一个表面侧藉由进行含有铜和镍的低反射率合金层的成膜的低反射率合金层成膜手段来形成低反射率合金层的成膜步骤。对低反射率合金层形成步骤中的对含有铜和镍的低反射率合金层进行堆积的低反射率合金层成膜手段并无特别限定，然而，较佳可采用例如减压环境气体下的溅射成膜手段、即、溅射成膜法。

低反射率合金层较佳可采用例如图6所示的卷对卷溅射装置60进行成膜。由于已对卷对卷溅射装置的结构进行了叙述，这里省略其说明。

对使用卷对卷溅射装置60进行低反射率合金层的成膜的步骤的构成例进行说明。

首先，将铜-镍合金靶安放在溅射阴极64a～64d上，并藉由真空泵70a、70b对框体61内进行真空排气，在该框体61内，卷出辊62上安放了要进行低反射率合金层的成膜的基材。之后，将非活性气体、例如、由氩气组成的溅射气体藉由气体供给部71导入框体61内。此时，较佳为藉由对溅射气体的流量、及真空泵70b和框体61之间所设置的压力调整阀72的开度进行调整，以使框体61内的压力例如保持在0.13pa以上且13pa以下，并在此条件下进行成膜。

在此状态下，一边从卷出辊62对基材例如以每分钟0.5m以上且10m以下左右的速度进行搬送，一边从与溅射阴极64a～64d连接的溅射用直流电源施加电力以进行溅射放电。据此，可在基材上连续地进行预期的低反射率合金层的成膜。

至此对本实施方式的积层体基板的制造方法所包含的各步骤进行了说明。

藉由本实施方式的积层体基板的制造方法所获得的积层体基板与上述积层体基板同样，铜层的厚度较佳为50nm以上，优选为60nm以上，最好为150nm以上。对铜层厚度的上限值并无特别限定，然而，铜层的厚度较佳为5000nm以下，优选为3000nm以下。需要说明的是，在铜层如上所述具有铜薄膜层和镀铜层的情况下，铜薄膜层的厚度和镀铜层的厚度的合计较佳位于上述范围内。

此外，对低反射率合金层的厚度并无特别限定，例如，较佳为10nm以上，优选为15nm以上。对低反射率合金层厚度的上限值并无特别限定，然而，较佳为70nm以下，优选为50nm以下。

另外，就藉由本实施方式的积层体基板的制造方法所获得的积层体基板而言，其波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值较佳为55％以下，优选为40％以下，最好为30％以下。

使用藉由本实施方式的积层体基板的制造方法所获得的积层体基板可形成导电性基板，其中形成了在铜层和低反射率合金层上具备开口部的配线图案。导电性基板优选可为具备网状配线的结构。

本实施方式的导电性基板的制造方法可具有对藉由上述的积层体基板的制造方法所获得的积层体基板的铜层和低反射率合金层进行蚀刻，形成具有金属细线的配线图案的蚀刻步骤，该金属细线为具备铜配线层和低反射率合金配线层的积层体。此外，藉由该蚀刻步骤，还可在铜层和低反射率合金层上形成开口部。

在蚀刻步骤中，例如首先在积层体基板的最表面上形成具有与要通过蚀刻进行去除的部分相对应的开口部的光阻(resist)。例如，在图2a所示的积层体基板10a的情况下，可在积层体基板10a上配置的低反射率合金层13的露出了的表面a上形成光阻。需要说明的是，对具有与要藉由蚀刻进行去除的部分相对应的开口部的光阻的形成方法并无特别限定，然而，例如可采用光刻(photolithography)法来形成。

接下来，藉用从光阻上表面进行蚀刻液的供给，可对铜层12和低反射率合金层13实施蚀刻。

需要说明的是，在如图2b所示于透明基材11的两面都配置了铜层和低反射率合金层的情况下，可在积层体基板的表面a及表面b上分别形成具有预定形状的开口部的光阻，并对透明基材11的两面所形成的铜层和低反射率合金层同时进行蚀刻。此外，还可对透明基材11的两侧所形成的铜层和低反射率合金层一侧一侧地进行蚀刻处理。即，例如可在对铜层12a和低反射率合金层13a进行蚀刻之后，再对铜层12b和低反射率合金层13b进行蚀刻。

藉由本实施方式的积层体基板的制造方法所形成的低反射率合金层示出了与铜层同样的相对蚀刻液的反应性。为此，对蚀刻步骤中所使用的蚀刻液并无特别限定，较佳可使用一般常用的蚀刻铜层时所使用的蚀刻液。

作为蚀刻步骤中所使用的蚀刻液，例如较佳可使用包括从硫酸、过氧化氢水、盐酸、氯化铜及氯化铁中所选择的1种的水溶液、或包括从上述硫酸等中所选择的2种以上的混合水溶液。需要说明的是，对蚀刻液中的各组成成分的含量并无特别限定。

蚀刻液可在室温下使用，然而，为了提高反应性，较佳对其进行加温，例如，可将其加热至40℃以上且50℃以下再进行使用。

就藉由上述蚀刻步骤所获得的网状配线的具体形态而言，其与上述相同，故这里省略其说明。

此外，在将两个如图2a、图3a所示的于透明基材11的一个表面侧具有铜层和低反射率合金层的积层体基板提供至蚀刻步骤以形成导电性基板之后，再对这两个导电性基板进行贴合以形成具有网状配线的导电性基板的情况下，还可设置导电性基板贴合步骤。此时，对两个导电性基板的贴合方法并无特别限定，例如可使用光学黏接剂(oca)等进行黏接。

需要说明的是，就藉由本实施方式的导电性基板的制造方法所获得的导电性基板而言，其波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值较佳为55％以下，优选为40％以下，最好为30％以下。

其原因在于，在波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值为55％以下的情况下，例如即使在作为触屏用导电性基板而使用时，也可特别地对显示器的视认性的降低进行抑制。

以上对本实施方式的积层体基板、导电性基板、积层体基板的制造方法及导电性基板的制造方法进行了说明。根据该积层体基板或藉由积层体基板的制造方法所获得的积层体基板可知，铜层和低反射率合金配线层示出了相对蚀刻液的基本相同的反应性。为此，能够提供一种具备可同时被进行蚀刻的铜层和低反射率合金层的积层体基板。此外，由于可同时对铜层和低反射率合金层进行蚀刻，故可容易地形成预期形状的铜配线层和低反射率合金配线层。

此外，藉由设置低反射率合金配线层，可对铜配线层的光反射进行抑制，例如在作为触屏用导电性基板而使用的情况下，可对视认性的降低进行抑制。为此，通过设置低反射率合金配线层，可获得具有良好视认性的导电性基板。

[实施例]

以下，基于本发明的实施例和比较例对本发明进行更详细的说明，然而，本发明并不限定于这些实施例。

(评价方法)

(1)正反射率

对以下各实施例和比较例中所制作的积层体基板进行了正反射率的测定。

测定是通过在紫外可视分光光度计(株式会社岛津制作所制型式：uv-2550)上设置反射率测定单元而进行的。

在各实施例中制作了具有图3a的结构的积层体基板，而反射率的测定则是藉由针对图3a中的第2低反射率合金层132的露出至外部的表面c，以入射角为5°且受光角为5°的方式照射波长为400nm以上且700nm以下的范围的光来实施的。需要说明的是，使照射积层体基板的光在波长为400nm以上且700nm以下的范围内按照每1nm进行变化，并对各波长的光的正反射率进行了测定，之后将测定结果的平均值作为该积层体基板的正反射率的平均值。

(2)开口部的全光线透过率的减少率

对各实施例和比较例中所制作的导电性基板的露出透明基材的金属细线之间的开口部进行了全光线透过率的测定。

测定是藉由在进行正反射率测定时的紫外可视分光光度计上设置积分球付属装置来进行的。使照射的光在波长为400nm以上且700nm以下的范围内按照每1nm进行变化，并对各波长的光的透过率进行了测定，之后将测定结果的平均值作为该导电性基板的开口部的全光线透过率的平均值。

此外，对预先制作积层体基板时所使用的透明基材也同样地进行了全光线透过率的平均值的测定。

之后，对各实施例和比较例中所制作的导电性基板的开口部的全光线透过率的平均值与透明基材的全光线透过率的平均值相比的减少率(在以下和表1中也记载为「开口部的全光线透过率的减少率」)进行了计算。

(试料的制作条件)

作为实施例和比较例，在以下所说明的条件下制作了积层体基板和导电性基板，并藉由上述评价方法进行了评价。

[实施例1]

制作了具有图3a所示结构的积层体基板。

首先，实施透明基材准备步骤。

具体而言，准备了宽度为500mm且厚度为100μm的光学用聚对苯二甲酸乙二酯树脂(pet)制透明基材。

接着，实施积层体形成步骤。

作为积层体形成步骤，实施了第1低反射率合金层形成步骤、铜层形成步骤、及第2低反射率合金层形成步骤。以下具体地进行说明。

首先，实施第1低反射率合金层形成步骤。

将所准备的透明基材安放在图6所示的卷对卷溅射装置60上。此外，在溅射阴极64a～64d上安装了铜-30质量％ni的合金靶(住友金属矿山(株)制)。

接下来，使卷对卷溅射装置60的加热器69加热至100℃，对透明基材进行加热，以将基材中所含的水分除去。

接着，采用真空泵70a、70b将框体61的内部排气至1×10^-4pa后，藉由气体供给部71，以氩气的流量为240sccm的方式向框体61内进行氩气的导入。接下来，一边从卷出辊62以每分钟2m的速度对透明基材进行搬送，一边从与溅射阴极64a～64d连接的溅射用直流电源提供电力以进行溅射放电，据此在基材上连续地进行了预期的第1低反射率合金层的成膜。藉由该操作，在透明基材上形成了厚度为20nm的第1低反射率合金层131。

接下来，实施铜层形成步骤。

在铜层形成步骤中，将安放在磁控溅射阴极上的靶置换为铜靶(住友金属矿山(株)制)，除此之外，与第1低反射率合金层时同样地在第1低反射率合金层的上表面上形成了厚度为200nm的铜层。

需要说明的是，作为形成铜层的基材，使用了在第1低反射率合金层形成步骤中于透明基材上形成了第1低反射率合金层的基材。

接着，实施第2低反射率合金层形成步骤。

在第2低反射率合金层形成步骤中，在与形成第1低反射率合金层131时相同的条件下，在铜层12的上表面上形成了第2低反射率合金层132(参照图3a)。

对所制作的积层体基板的波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值采用上述步骤进行了测定之后可知，其波长为400nm以上且700nm以下的光的正反射率的平均值为55％。

此外，对所获得的积层体基板进行了正反射率的测定之后，实施蚀刻步骤，由此制作了导电性基板。

在蚀刻步骤中，首先，在所制作的积层体基板的图3a的表面c上，形成了具有与要通过蚀刻进行除去的部分相对应的开口部的光阻。接下来，将其浸渍在由10重量％的氯化铁、10重量％的盐酸、及剩余为水所组成的蚀刻液内1分钟，据此制作了导电性基板。

之后，对所制作的导电性基板进行了开口部的全光线透过率的测定。

评价结果示于表1。

[实施例2～实施例6]

除了将第1、第2低反射率合金层成膜时所使用的溅射靶的组成成分变更为表1所示的值这点之外，与实施例1同样地制作了积层体基板，并进行了评价。

此外，基于所制作的积层体基板，与实施例1同样地制作了导电性基板，并进行了评价。

结果示于表1。

[比较例1～比较例3]

在比较例1中，除了将第1、第2低反射率合金层成膜时所使用的溅射靶的组成成分变更为表1所示的值这点之外，与实施例1同样地制作了积层体基板，并进行了评价。

此外，在比较例2、3中，取代第1、第2低反射率合金层而形成了第1、第2黑化层。就第1、第2黑化层而言，除了将成膜时所使用的溅射靶的组成成分变更为表1所示的值、及进行黑化层成膜时同时供给氩气和氧气这点之外，与实施例1的低反射率合金层时同样地进行了成膜。另外，就黑化层之外的部分而言，都与实施例1时相同，据此制作了积层体基板。

需要说明的是，在比较例2、3中，低反射率合金层成膜时，采用表1所示的氧供给量进行了氧气的供给。

基于在比较例1～比较例3中所制作的积层体基板，与实施例1同样地制作了导电性基板，并进行了评价。

结果示于表1。

[表1]

由表1所示结果可知，就实施例1～实施例6而言，开口部的全光线透过率的减少率为3.0％以下。即，可同时对铜层和第1、第2低反射率合金层进行蚀刻。

其原因在于，由于第1、第2低反射率合金层成膜时所使用的溅射靶所包含的铜和镍中的镍的比例为30质量％以上且85质量％以下，故成膜后的低反射率合金层中也具有同样的组成成分。即，可认为低反射率合金层的相对蚀刻液的反应性与铜层相同。

相对于此，在比较例1中，低反射率合金层成膜时所使用的溅射靶所包含的铜和镍中的镍的比例为小于30质量％，故成膜后的低反射率合金层中也具有同样的组成成分。为此，正反射率超过了55％。

此外，在比较例2中可确认到，开口部的全光线透过率的减少率超过了3.0％，黑化层的蚀刻速度与铜层相比变慢了，为此，开口部的全光线透过率的减少率变为3.5％，可确认到目视可看到黄色。

在比较例3中，确认到了底切，还确认到了与铜层相比，黑化层的蚀刻速度变快了。

故，就比较例2、3而言，可确认到不能形成同时可被进行蚀刻处理的铜层和黑化层。

以上对积层体基板、导电性基板、积层体基板的制造方法及导电性基板的制造方法参照实施方式和实施例等进行了说明，然而，本发明并不限定于上述实施方式和实施例等。在权利要求书记载的本发明的要旨的范围内，还可进行各种各样的变形和变更。

本申请主张基于2015年9月28日向日本国专利厅申请的特愿2015-189936号的优先权，并将特愿2015-189936号的内容全部引用于本国际申请。

[符号说明]

10a、10b、20a、20b积层体基板

11透明基材

12、12a、12b铜层

13、13a、13b、131、132、131a、131b、132a、132b低反射率合金层

30导电性基板

31a、31b铜配线层

321a、321b、322a、322b低反射率合金配线层