发光装置以及包括该发光装置的车辆用灯的制作方法

本实用新型涉及发光装置以及包括该发光装置的车辆用灯，更详细而言涉及提供高光量的发光装置以及包括该发光装置的车辆用灯。

背景技术：

发光二极管作为释放通过电子与空穴的再结合而产生的光的无机半导体元件，近年来使用在显示装置、汽车灯、一般照明等多个领域中。发光二极管寿命长，功耗低，并且响应速度快，因此包括发光二极管的发光装置期待代替现有的光源。

并且，由于发光二极管释放具有相对窄的半振幅的光，所以一般的发光二极管释放大致接近单色的光。因此，为了在一个发光模块或者发光机构中释放多个颜色，需要在一个模块设置释放颜色相互不同的光的发光二极管封装体等。

另外，为了使发光模块释放设定值以上的光量，可以设置两个以上的发光二极管而使用。然而，即使通过像这样使用两个以上的发光二极管而能够以设定值以上释放光量，也由于在两个以上的发光二极管之间存在最小限度的间隔，所以存在由于发光二极管的间隔而可能在相应位置产生阴影的问题。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的问题在于，提供使发光装置的光量释放设定值以上的同时能够使阴影的产生最小化的发光装置以及包括该发光装置的车辆用灯。

根据本实用新型的一实施例的发光装置可以包括：发光部，该发光部包括发光元件；以及侧壁部，该侧壁部包围上述发光部的侧面，并与上述发光部的侧面接触，上述发光元件包括从一个生长基板生长的两个以上的发光单元，上述两个以上的发光单元相互电连接。

此时，还可以包括支承上述发光部及侧壁部的基板，上述基板可以包括第一电极及第二电极，上述第一电极及第二电极与上述发光元件电连接。

并且，上述发光部可以包括波长转换部，该波长转换部位于上述发光元件之上，对由上述发光元件释放的光进行波长转换，并且可以包括位于上述发光元件的下表面的焊盘电极(pad electrode)。

并且，上述两个以上的发光单元可以相互以串联的方式电连接。

此时，上述两个以上的发光单元可以分别包括发光构造体，该发光构造体包括n型半导体层、p型半导体层以及夹设于上述n型半导体层与p型半导体层之间的活性层，上述两个以上的发光单元通过形成于上述发光构造体的上部的连接电极而电连接。在此，上述连接电极可以与上述两个以上的发光单元中的一个发光单元的n型半导体层电连接，并与上述两个以上的发光单元中的另一个发光单元的p型半导体层电连接。

另外，上述侧壁部可以在上部边缘形成有突出的鼓出部，上述侧壁部的上部可以从形成有上述鼓出部的位置向内侧倾斜。

另一方面，根据本实用新型的一实施例的车辆用灯可以包括组合灯，该组合灯包括发光装置，该发光装置包括：发光部，该发光部包括发光元件；以及侧壁部，该侧壁部包围上述发光部的侧面，并与上述发光部的侧面接触，上述发光元件包括从一个生长基板生长的两个以上的发光单元，上述两个以上的发光元件相互电连接。

此时，上述发光装置还可以包括支承上述发光部及侧壁部的基板。

根据本实用新型，具有如下效果，即，提供与使用两个以上的发光二极管芯片时相同或更多的光量，并且由于利用包括两个以上的发光单元的一个发光二极管芯片，能够使在发光单元与发光单元之间产生的阴影最小化。

附图说明

图1是示出根据本实用新型的一实施例的发光装置的图。

图2(a)、图2(b)是示出根据本实用新型的一实施例的发光装置的发光部的图。

图3是沿图2(a)的截取线A-A'截取的剖视图。

图4是用于对根据本实用新型的一实施例的发光装置与现有的发光装置进行比较的图。

图5是用于对包括根据本实用新型的一实施例的发光装置的车辆用灯进行说明的图。

具体实施方式

参照随附的附图，对本实用新型的优选实施例进行更详细的说明。

图1是示出根据本实用新型的一实施例的发光装置的图，图2(a) 是示出根据本实用新型的一实施例的发光装置的发光部的图，图2(b) 是示出仅放大了发光部的图。并且，图3是沿图2(a)的截取线A-A' 截取的剖视图。

如图1所示，根据本实用新型的一实施例的发光装置10包括发光部100、侧壁部300及基板400。

基板400可以位于发光装置10的底部，起到支承发光部100和侧壁部300的作用。基板400可以是绝缘性基板或者导电性基板，并且也可以是包括导电性图案的印刷电路基板(PCB)。在基板400为绝缘性基板的情况下，基板400可以包括聚合物物质或者陶瓷物质，作为一例可以包括像AlN这样导热性优异的陶瓷物质。

另外，基板400可以包括基底410、第一电极421和第二电极。

基底410可以起到支承基板400及电极的作用。并且，基底410可以包括导热性优异的像AlN这样的陶瓷物质，也可以包括像铜(Cu) 这样的金属物质。另外，如图3所示，基底410可以在形成有第一电极 421及第二电极的位置形成槽，并且基底410的一部分可以以基底410 能够与发光部100的底面接触的方式突出形成。

第一电极421及第二电极可以形成于基底410的槽以相互绝缘。另外，可以在第一电极421及第二电极与基底410之间夹设绝缘部，以使第一电极421及第二电极与基底410也绝缘。并且，第一电极421及第二电极可以与位于基板400上的发光部100电连接，可以与外部电源电连接而向发光部100供给电源。

第一电极421及第二电极为了与外部电源电连接，可以形成为第一电极421及第二电极的一部分向外部露出，作为一例，第一电极421及第二电极可以形成为经由基底410的侧面向外部露出。

并且，像在上文中提到的那样，第一电极421及第二电极可以与基底410绝缘，此时，在基底410包括金属物质的情况下，可以使第一电极421及第二电极与基底410绝缘。在基底410由陶瓷物质或者非导电性物质形成的情况下，能够省略用于使第一电极421及第二电极与基底 410绝缘的绝缘部。

在基底410包括金属物质的情况下，可以在形成于基底410的槽的底面形成绝缘部，在绝缘部的上部分别形成第一电极421及第二电极，其中，基底410的槽的侧面与第一电极421及第二电极以分离一定距离以上的状态形成。由此，第一电极421及第二电极能够与基底410绝缘。

另一方面，根据需要可以在几个实施例中省略基板400。

再次参照图2(a)、图2(b)及图3，发光装置10包括发光部100，而发光部100包括发光元件110及波长转换部120。

发光元件110可以包括第一发光单元至第四发光单元111a、111b、 111c、111d、第一焊盘电极113、第二焊盘电极115及散热垫117。

第一发光单元至第四发光单元111a、111b、111c、111d分别可以包括n型半导体层、p型半导体层及位于n型半导体层与p型半导体层之间的活性层。由此，能够通过向第一发光单元至第四发光单元111a、 111b、111c、111d供给的电源来释放光。并且，第一焊盘电极113可以与第一发光单元111a电连接，第二焊盘电极115可以与第四发光单元 111d电连接。

如图2(b)所示，第一发光单元至第四发光单元111a、111b、111c、 111d可以相互以串联的方式电连接。由此，通过第一焊盘电极113及第二焊盘电极115施加的电源能够分别供给至第一发光单元至第四发光单元111a、111b、111c、111d。第一发光单元至第四发光单元111a、111b、 111c、111d可以分别在生长基板上生长n型半导体层、活性层及p型半导体层，第一发光单元111a的n型半导体层与第二发光单元111b的p 型半导体层可以通过连接电极相互电连接。并且，第二发光单元的n型半导体层和第三发光单元的p型半导体层可以通过连接电极电连接，第三发光单元的n型半导体层和第四发光单元的p型半导体层可以通过连接电极电连接。

由此，第一发光单元至第四发光单元111a、111b、111c、111d能够电连接。

此时，对于连接电极与n型半导体层及p型半导体层的电连接，在通过绝缘层绝缘的同时能够通过形成于绝缘层的孔分别电连接。

即，第一发光单元至第四发光单元111a、111b、111c、111d虽然通过所施加的电源而分别进行发光，但它们是在同一个生长基板上形成的一个发光元件110。并且，虽然在本实用新型的一实施例中对包括四个发光单元111a、111b、111c、111d的发光元件110进行了说明，但是发光元件110所包括的发光单元的数量可以与此不同。另外，发光单元 111a、111b、111c、111d的形状及配置，也可以根据需要进行多种变形。

第一焊盘电极113及第二焊盘电极115可以分别与第一发光单元 111a的n型半导体层及第四发光单元111d的p型半导体层电连接，或者可以以相反方式连接。尤其是第一焊盘电极113及第二焊盘电极115 可以向下方延伸形成，由此第一焊盘电极113及第二焊盘电极115能够位于发光元件110的下部。或者，第一焊盘电极113及第二焊盘电极115 也可以位于与发光元件110的下表面大致相同的平面上，也可以位于比发光元件110的下表面更高处。在第一焊盘电极113及第二焊盘电极115 位于比发光元件110的下表面更高处的情况下，可以在发光元件110形成槽，并且可以在所形成的槽形成第一焊盘电极113及第二焊盘电极 115。

并且，对于发光元件110的结构性形状并无限定，作为一例，可以是第一焊盘电极113及第二焊盘电极115位于发光元件110的一面上的倒装芯片型半导体发光元件110。

第一焊盘电极113及第二焊盘电极115可以分别与基板400的第一电极421及第二电极电连接，由此能够通过第一电极及第二电极421、 431向发光元件110供给电源。

另外，在第一焊盘电极113与第二焊盘电极115之间可以配置散热垫117。散热垫117可以以与第一焊盘电极113及第二焊盘电极115电绝缘的方式分离一定距离而配置。如图2(b)所示，散热垫117可以以覆盖第一发光单元111a的一部分、第四发光单元111d的一部分和第二发光单元111b整体及第三发光单元111c整体的方式形成。作为本实用新型的一实施例，第一焊盘电极113及第二焊盘电极115和散热垫117 可以以覆盖发光元件110的大部分的方式形成，从而能够将在发光元件 110产生的热有效地传递至基板400等。

波长转换部120可以位于发光元件110的上部，可以至少覆盖发光元件110上表面的一部分。而且，波长转换部120可以以与发光元件110 的射面大致相同的面积形成，由此如图所示，发光元件110的侧面和波长转换部120的侧面能够大致并排形成。

波长转换部120可以包括荧光体和载持荧光体的载持部。波长转换部 120可以包括常规技术人员所知的多个种类的荧光体，作为一例可以包括石榴石型荧光体、铝酸盐荧光体、硫化物荧光体、氮氧化合物荧光体、氮化物荧光体、氟化物系荧光体、硅酸盐荧光体等，可以对由发光元件110 释放的光进行波长转换以释放白色光。作为一例，在发光元件110释放具有青色光频带的峰值波长的光的情况下，波长转换部120可以包括能够释放具有比青色光长的波长的峰值波长的光的荧光体(例如绿色光、红色光或者黄色光)。

载持部可以包括聚合物树脂或者玻璃这样的陶瓷等。并且，荧光体可以配置在载持部内。作为一例，在载持部由环氧树脂或者丙烯酸树脂这样的树脂形成的情况下，可以在发光元件110上将包括荧光体的树脂涂覆并固化而形成波长转换部120。

或者，波长转换部120可以包括单晶物质。包括单晶物质的波长转换部120可以以荧光体片状来提供，片状的波长转换部120本身可以由单晶荧光体构成。在包括单晶荧光体的波长转换部120中通过的光，能够释放具有大致固定的色坐标的光，作为一例，单晶荧光体可以是单晶的YAG:Ce。这种片状的波长转换部120可以粘接在发光元件110上。

虽然作为本实用新型的一实施例，对波长转换部120形成在发光元件110的上部、即第一发光单元至第四发光单元111a、111b、111c、111d 的上部整体的情况进行了说明，但根据需要，波长转换部120可以包括多个波长转换部。即，可以像在第一发光单元111a的上部形成第一波长转换部并在第二发光单元111b的上部形成第二波长转换部这样，形成多个波长转换部。并且，多个波长转换部可以包括相互不同的荧光体，一部分可以不包括荧光体，也可以包括TiO2这样的光散射剂。

另外，在本实用新型的其他实施例中，波长转换部120可以以比发光元件110的上表面大的面积来形成，也可以以覆盖至发光元件110的侧面的方式形成。

侧壁部300可以覆盖发光元件110的侧面，也可以覆盖波长转换部 120的侧面。由此，侧壁部300能够与发光元件110接触，并根据需要以覆盖发光元件110的下表面一部分的方式形成，从而第一焊盘电极113 及第二焊盘电极115的侧面能够被侧壁部300包围。

如图3所示，侧壁部300可以在边缘形成鼓出部310，并以随着从内侧朝向鼓出部310侧而倾斜的方式形成。鼓出部310可以在形成侧壁部300的过程中被利用，可以先形成包括鼓出部310的侧壁部300的一部分，再对所形成的侧壁部300一部分的内侧进行模制而形成侧壁部 300。在此，鼓出部310在对侧壁部300进行二次模制的时候，能够防止模制材料溢到初次形成的侧壁部300的外部。

侧壁部300能够支承发光部100，并且能够在外部环境下保护发光部100。并且，侧壁部300能够起到反射光的作用。侧壁部300形成于发光装置10的外廓侧面，从而能够将由发光部100释放的光向上部集中。当然可以不限定于此，可根据需要对侧壁部300的反射度或者光透过度等进行调节，来调节由发光部释放的光的发散角。

侧壁部300可以包括绝缘性的聚合物物质或者陶瓷，进而还可以包括使光反射或者散射的填充材料。另外，侧壁部300由于可以具有光透过性、光的半透过性或者光的反射性，所以可以包括硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂等这样的聚合物树脂。

填充材料可以在侧壁部300内均匀地分散配置，只要是使光反射或者散射的物质则不进行限定，作为一例，可以是二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)或者氧化锆(ZrO2)等。通过填充材料的种类和浓度等的调节，能够调节侧壁部300的反射度或者光的散射程度。

并且，作为本实用新型的一实施例，发光装置10还可以包括保护元件。保护元件可以配置在侧壁部300内，作为一例，可以包括齐纳二极管。保护元件与发光元件110电连接，从而能够防止发光元件110由于静电放电等被损坏。

图4是对根据本实用新型的一实施例的发光装置和现有的发光装置进行比较的图。

参照图4，对由根据本实用新型的一实施例的发光装置所包括的发光部发出的光、与利用现有的四个发光元件的发光装置进行比较发现，从亮度(lumination)图像来看，能够确认不同于现有技术，由根据本实用新型的发光部发出的光在发光单元之间几乎不出现阴影。

另外，由亮度剖面图像(luminance sectional view)来看，也能够确认在发光单元之间几乎不产生阴影而均匀地发光。

根据上述实施例的发光装置10能够适用于多种装置，作为一例，能够适用于车辆用灯20。下面，参照图5，对包括根据本实用新型的一实施例的发光装置10的车辆用灯20进行说明。

图5是用于对根据本实用新型的一实施例的车辆用灯进行说明的图。

参照图5，车辆用灯20可以包括组合灯23，而且可以还包括主灯 21。车辆用灯20能够适用于前车灯、后车灯或者侧镜灯等车辆的多种部分。

主灯21在车辆用灯20中可以是主发光灯，作为一例，在车辆用灯 20被用作前车灯的情况下，能够起到照亮车辆的前方的前照灯的作用。

组合灯23能够执行两个以上的功能，作为一例，在车辆用灯20被用作前车灯的情况下，组合灯23能够执行日间行车灯(DRL，daytime running light)或者方向指示灯的功能。

根据本实用新型的一实施例的发光装置10若包含于组合灯23，则与在组合灯23内配置多个发光元件110的情况相比，通过利用包括多个发光单元111a、111b的一个发光元件110，能够使在发光元件110之间产生的阴影最小化，从而能够被确认为由一个发光装置10发光。

如上所述，对于本实用新型的具体说明通过参照随附的附图的实施例来进行，但上述实施例只是对本实用新型的优选例进行了举例说明，因此不应理解为本实用新型只局限于上述实施例，并且应当将本实用新型的权利范围理解为随附的请求范围及其等效概念。

附图标记的说明

10：发光装置；100：发光部；110：发光元件；111a：第一发光单元；111b：第二发光单元；113：第一焊盘电极；115：第二焊盘电极； 117：散热垫；120：波长转换部；300：侧壁部；400：基板；410：基底；421：第一电极。