技术特征：
技术总结
本发明公开了一种中子源靶系统，包括真空腔、储存器、离子源以及设置于真空腔内的加速电极及目标靶，其中，储存器释放的气体在离子源的作用下电离成为带电粒子，所述带电粒子经加速电极加速后轰击到目标靶上，其中，真空腔的内壁经激光处理后镀有A型TiZrVHf吸气剂薄膜，加速电极的内壁经激光处理后镀有C型TiZrVHf吸气剂薄膜，目标靶的表面经激光处理后镀有B型TiZrVHf吸气剂薄膜，该系统能够吸附更多的氘及氚。
技术研发人员：王洁;王盛;高勇;游志明;范佳锟;乔朝蓬;许章炼
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2018.12.28
技术公布日：2019.05.17