一种2层以上的导热石墨膜的制作方法

本实用新型涉及一种导热石墨膜的改进，特指一种导热性能更佳，使用成本低的2层以上的导热石墨膜。

背景技术：

现有的通信设备中电子元器件在工作时会产生大量的热量，如果该热量不能及时散出，将影响电子元器件的性能及寿命，通常采用石墨膜来导热。

随着通信技术的发展，电子元器件的工况越来越复杂，随之工作时产生的热量也越来越多，原来用单层石墨膜能解决电子元器件的导热问题，后来需要2层以上的石墨膜才能解决导热问题。

现有的2层以上的石墨膜，通常采用石墨膜一层一层叠加的方式排布，相邻的石墨膜层之间采用胶水粘牢。如附图1所示，是一种四层叠放石墨膜，包含第一石墨层1；所述第一石墨层1下叠放有第二石墨层2，所述第一石墨层1与第二石墨层2之间采用胶水粘牢；所述第二石墨层2下叠放有第三石墨层3，所述第二石墨层2与第三石墨层3之间采用胶水粘牢；所述第三石墨层3下叠放有第四石墨层4，所述第三石墨层3与第四石墨层4之间采用胶水粘牢。这种结构的2层以上的石墨膜的导热性能随着通信技术的发展，只能通过增加石墨膜的层数来满足电子元器件的导热问题，造成使用成本不断提高。

为此我们研发了一种导热性能更佳，使用成本低的2层以上的导热石墨膜。

技术实现要素：

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种导热性能更佳，使用成本低的2层以上的导热石墨膜。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种2层以上的导热石墨膜，包含至少2层石墨层；所述石墨层依次叠放在一起；至少有2层石墨层通过连接部实现连接。

优选的，所述连接部上均布有规则排列的通孔。

优选的，所述2层以上的导热石墨膜，包含第一石墨层；所述第一石墨层下设置有第二石墨层，所述第一石墨层与第二石墨层之间采用胶水粘牢，所述第一石墨层的端部与第二石墨层端部之间设置有连接部；所述第二石墨层下设置有第三石墨层，所述第二石墨层与第三石墨层之间采用胶水粘牢，所述第二石墨层的端部与第三石墨层端部之间设置有连接部；所述第三石墨层下设置有第四石墨层，所述第三石墨层与第四石墨层之间采用胶水粘牢，所述第三石墨层的端部与第四石墨层端部之间设置有连接部。

优选的，所述2层以上的导热石墨膜包含有8层石墨层。

优选的，所述2层以上的导热石墨膜包含有12层石墨层。

优选的，所述2层以上的导热石墨膜包含有16层石墨层。

优选的，所述2层以上的导热石墨膜包含有32层石墨层。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型所述的2层以上的导热石墨膜中至少有2层石墨层通过连接部实现连接，导热性能更佳；在满足同等散热要求的情况下，石墨层的层数需要更少，使用成本低。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

附图1为现有的2层以上的导热石墨膜的侧视图；

附图2为本实用新型所述的2层以上的导热石墨膜的侧视图；

附图3为本实用新型所述的2层以上的导热石墨膜的展开图的缩小图；

其中：1、第一石墨层；2、第二石墨层；3、第三石墨层；4、第四石墨层；11、第一石墨层；12、第二石墨层；13、第三石墨层；14、第四石墨层；15、连接部；16、通孔。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

附图2-3为本实用新型所述的2层以上的导热石墨膜，包含第一石墨层11；所述第一石墨层11下设置有第二石墨层12，所述第一石墨层11与第二石墨层12之间采用胶水粘牢，所述第一石墨层11的端部与第二石墨层12端部之间设置有连接部15；所述第二石墨层12下设置有第三石墨层13，所述第二石墨层12与第三石墨层13之间采用胶水粘牢，所述第二石墨层12的端部与第三石墨层13端部之间设置有连接部15；所述第三石墨层13下设置有第四石墨层14，所述第三石墨层13与第四石墨层14之间采用胶水粘牢，所述第三石墨层13的端部与第四石墨层14端部之间设置有连接部15。

此外，为了方便连接部15实现弯曲，本实施例中，所述连接部15上均布有规则排列的通孔16。

本实施例中，所述胶水能用双面胶代替。

本实施例中，所述石墨膜为人工石墨膜或石墨烯膜。

本实施例所述的2层以上的导热石墨膜可以是由一张石墨膜折叠而成，也可以是有2张石墨膜叠加后再折叠而成。

基于以上通过增加连接部15连接不同石墨层来提供石墨膜的导热性能的构思，石墨膜是由2层石墨层或大于2层的石墨层叠加而成，其中至少有2层石墨层通过连接部15实现连接，均应该包含在本发明构思内，在此就不一一举例说明。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型所述的2层以上的导热石墨膜中至少有2层石墨层通过连接部15实现连接，导热性能更佳；在满足同等散热要求的情况下，石墨层的层数需要更少，使用成本低。

以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。