技术特征：
1.一种射线屏蔽复合材料，包括第一高分子基屏蔽层、复合于所述第一高分子基屏蔽层的金属层和复合于所述金属层表面的第二高分子基屏蔽层；所述第一高分子基屏蔽层和所述第二高分子基屏蔽层中包括基体树脂，所述基体树脂的密度小于1.0g/cm3，125℃熔融指数为12～22g/10min。2.根据权利要求1所述的射线屏蔽复合材料，其特征在于，所述第一高分子基屏蔽层和所述第二高分子基屏蔽层中还包括屏蔽料和分散剂；，所述第一高分子基屏蔽层和所述第二高分子基屏蔽层中所述基体树脂、所述屏蔽料和所述分散剂的含量独立的分别为5～30重量份、100重量份、1～5重量份。3.根据权利要求1或2所述的射线屏蔽复合材料，其特征在于，所述基体树脂选自低密度聚乙烯、乙烯-辛烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物和乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的射线屏蔽复合材料，其特征在于，所述屏蔽料包括60～98重量份的铅、钨和钽中的一种或多种，2～40重量份的氧化铈、氧化钆、氧化钐和氧化铒中的一种或多种。5.根据权利要求1或2所述的射线屏蔽复合材料，其特征在于，所述金属层中的金属选自金、钨和钽中的一种或多种。6.根据权利要求1或2所述的射线屏蔽复合材料，其特征在于，所述第一高分子基屏蔽层的厚度为0.1～10mm，所述金属层的厚度为0.1～2μm，所述第二高分子基屏蔽层的厚度为0.1～10mm。7.权利要求1所述的射线屏蔽复合材料的制备方法，包括以下步骤：将第一高分子基屏蔽层置于磁控溅射腔内进行金属溅射，得到金属镀层；在所述金属镀层表面覆盖第二高分子基屏蔽层，热压复合，得到射线屏蔽复合材料。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一高分子基屏蔽层和所述第二高分子基屏蔽层的制备方法具体为：将基体树脂、屏蔽粉料和分散剂加入双螺杆中，于100～150℃混炼挤出。9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射腔内，气压为2～5
×
10-3
pa，所述金属溅射的时间为2～10h。10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述热压的温度为50～150℃，压力为0.2～0.5mpa，时间为5～10s。
技术总结
本发明提供了一种射线屏蔽复合材料，包括第一高分子基屏蔽层、复合于所述第一高分子基屏蔽层的金属层和复合于所述金属层表面的第二高分子基屏蔽层；所述第一高分子基屏蔽层和所述第二高分子基屏蔽层中包括基体树脂，所述基体树脂的密度小于1.0g/cm3，125℃熔融指数为12～22g/10min。本申请还提供了射线屏蔽复合材料的制备方法。本发明提供的射线屏蔽复合材料，其具有三层结构，可在屏蔽料用量较少或整体厚度较小的情况下实现高防护效能和轻量化；且树脂基体密度低，可在100～120℃进行加工，有效避免铅粉等在高温作用下的烧结团聚问题。题。
技术研发人员：周妍 刘向东 张航 熊征蓉 杨宇明 盛德鲲
受保护的技术使用者：中国科学院长春应用化学研究所
技术研发日：2022.11.01
技术公布日：2023/1/23