正方向上偏移所述第一电压的电压的时段期间，将所述第一参考电压钳位在自所述接地电压在正方向上偏移所述第一电压的电压。
[0160]技术方案11.如技术方案9所述的半导体器件，其中，所述第二参考电压发生单元在所述外部电压小于或等于自接地电压在正方向上偏移第二电压的电压的时段期间，输出具有与所述外部电压相同的电压的所述第二参考电压，以及在所述外部电压大于自所述接地电压在正方向上偏移所述第二电压的电压的时段期间，将所述第二参考电压钳位在自所述接地电压在正方向上偏移所述第二电压的电压。
[0161]技术方案12.如技术方案9所述的半导体器件，其中，在上电操作时段之后，所述第三内部电压发生单元在内部电压小于或等于所述第三参考电压的时段期间将外部电压端子耦接至所述第一内部电压端子，以及在内部电压大于所述第三参考电压的时段期间使所述外部电压端子与所述第一内部电压端子分离。
[0162]技术方案13.如技术方案9所述的半导体器件，其中，所述第一参考电压发生单元包括第一耗尽型NMOS晶体管，所述第一耗尽型NMOS晶体管适用于:当阈值电压自所述接地电压在负方向上被偏移所述第一电压时将栅极端子固定为所述接地电压，以及响应于耦接至漏极端子的所述外部电压的变化来调节耦接至源极端子的所述第一参考电压。
[0163]技术方案14.如技术方案9所述的半导体器件，其中，所述第一内部电压发生单元包括第一 NMOS晶体管，所述第一 NMOS晶体管适用于响应于施加至栅极端子的所述第一参考电压来调节在耦接至漏极端子的外部电压端子和耦接至源极端子的所述第一内部电压端子之间流动的电流。
[0164]技术方案15.如技术方案9所述的半导体器件，其中，所述第二参考电压发生单元包括第二耗尽型NMOS晶体管，所述第二耗尽型NMOS晶体管适用于:当阈值电压自所述接地电压在负方向上被偏移所述第二电压时将栅极端子固定为所述接地电压，以及响应于耦接至漏极端子的所述外部电压的变化来调节耦接至源极端子的所述第二参考电压。
[0165]技术方案16.如技术方案9所述的半导体器件，其中，所述第二内部电压发生单元包括第二 NMOS晶体管，所述第二 NMOS晶体管适用于:响应于施加至栅极端子的所述第二参考电压来调节在耦接至漏极端子的外部电压端子和耦接至源极端子的所述第二内部电压端子之间流动的电流。
[0166]技术方案17.如技术方案9所述的半导体器件，其中所述第三内部电压发生单元包括:
[0167]比较单元，适用于产生控制信号，所述控制信号的激活是响应于内部电压与所述第三参考电压之间的比较结果和在上电操作时段之后被激活的使能信号而确定的；以及
[0168]耦接控制单元，适用于:在所述控制信号的激活时段期间将外部电压端子耦接至所述第一内部电压端子，以及在所述控制信号的非激活时段期间使所述外部电压端子与所述第一内部电压端子分离。
[0169]技术方案18.如技术方案9所述的半导体器件，进一步包括:
[0170]第一汇聚单元，被耦接在第一参考电压端子和接地电压端子之间，以将泄漏电流从所述第一参考电压端子汇聚至所述接地电压端子；
[0171]第二汇聚单元，被耦接在第二参考电压端子和所述接地电压端子之间，以将泄漏电流从所述第二参考电压端子汇聚至所述接地电压端子；
[0172]第三汇聚单元，被耦接在第一内部电压端子和外部电压端子之间，以当第一内部电压大于所述外部电压时，将电流从所述第一内部电压端子汇聚至所述外部电压端子；以及
[0173]第四汇聚单元，被耦接在第二内部电压端子和所述外部电压端子之间，以当第二内部电压大于所述外部电压时，将电流从所述第二内部电压端子汇聚至所述外部电压端子。
[0174]技术方案19.如技术方案9所述的半导体器件，其中，当所述外部电压小于或等于自所述接地电压在正方向上偏移所述第一电压的电压时，不管是否进入上电操作时段，所述第一参考电压发生单元和所述第一内部电压发生单元操作以:响应于所述外部电压的变化而改变所述第一参考电压，以及利用第一驱动能力来驱动所述第一内部电压端子，所述第一驱动能力响应于所述第一参考电压的改变电压而变化，
[0175]当所述外部电压大于自所述接地电压在正方向上偏移所述第一电压的所述电压时，不管是否进入所述上电操作时段，所述第一参考电压发生单元和所述第一内部电压发生单元操作以:将所述第一参考电压固定为所述第一电压而不管所述外部电压的变化，以及利用所述第一驱动能力来驱动所述第一内部电压端子，所述第一驱动能力响应于所述第一参考电压的固定电压而被固定，以及
[0176]所述第三内部电压发生单元不管第一内部电压的变化而在所述上电操作时段期间不驱动所述第一内部电压端子，以及在退出所述上电操作时段之后响应于所述第一内部电压的变化来选择性驱动所述第一内部电压端子。
[0177]技术方案20.如技术方案9所述的半导体器件，其中，当所述外部电压小于或等于自所述接地电压在正方向上偏移所述第二电压的电压时，不管是否进入上电操作时段，所述第二参考电压发生单元和所述第二内部电压发生单元操作以:响应于所述外部电压的电压变化而改变所述第二参考电压，以及利用第二驱动能力来驱动所述第二内部电压端子，所述第二驱动能力响应于所述第二参考电压的改变电压而变化，以及
[0178]当所述外部电压大于自所述接地电压在正方向上偏移所述第二电压的电压时，不管是否进入所述上电操作时段，所述第二参考电压发生单元和所述第二内部电压发生单元操作以:将所述第二参考电压固定为所述第二电压而不管所述外部电压的变化，以及利用所述第二驱动能力来驱动所述第二内部电压端子，所述第二驱动能力响应于所述第二参考电压的固定电压而被固定。
【主权项】
1.一种半导体器件包括: 第一参考电压发生单元，适用于输出外部电压作为第一参考电压以及基于自接地电压在正方向上的预设电压来钳位所述第一参考电压； 第一内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压而以与所述第一参考电压相对应的驱动能力来驱动内部电压端子；以及 第二内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压以基于比所述预设电压大的第二参考电压来驱动所述内部电压端子。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一参考电压发生单元在所述外部电压小于或等于自接地电压在正方向上偏移预设电压的电压的时段期间，输出具有与所述外部电压相同的电压的所述第一参考电压，以及在所述外部电压大于自所述接地电压在正方向上偏移所述预设电压的电压的时段期间，将所述第一参考电压钳位在自所述接地电压在正方向上偏移所述预设电压的电压。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在上电操作时段之后，所述第二内部电压发生单元在内部电压小于或等于所述第二参考电压的时段期间，将外部电压端子耦接至所述内部电压端子，以及在所述内部电压大于所述第二参考的电压的时段期间，使所述外部电压端子与所述内部电压端子分离。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一参考电压发生单元包括耗尽型NMOS晶体管，所述耗尽型NMOS晶体管适用于:当阈值电压自所述接地电压在负方向上被偏移所述预设电压时将栅极端子固定为所述接地电压，以及响应于耦接至漏极端子的所述外部电压的变化来调节耦接至源极端子的所述第一参考电压。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一内部电压发生单元包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管适用于:响应于施加至栅极端子的所述第一参考电压来调节在耦接至漏极端子的外部电压端子和耦接至源极端子的内部电压端子之间流动的电流。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二内部电压发生单元包括: 比较单元，适用于产生控制信号，所述控制信号的激活是响应于内部电压与所述第二参考电压之间的比较结果和在上电操作时段之后被激活的使能信号而确定的；以及 耦接控制单元，适用于:在所述控制信号的激活时段期间将外部电压端子耦接至所述内部电压端子，以及在所述控制信号的非激活时段期间使所述外部电压端子与所述内部电压端子分离。7.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括: 第一汇聚单元，被耦接在第一参考电压端子和接地电压端子之间，以将泄漏电流从所述第一参考电压端子汇聚至所述接地电压端子；以及 第二汇聚单元，被耦接在所述内部电压端子和外部电压端子之间，以当内部电压大于所述外部电压时，将电流从所述内部电压端子汇聚至所述外部电压端子。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，当所述外部电压小于或等于自所述接地电压在正方向上偏移所述预设电压的电压时，不管是否进入上电操作时段，所述第一参考电压发生单元和所述第一内部电压发生单元操作以:响应于所述外部电压的变化而改变所述第一参考电压，以及利用响应于所述第一参考电压的改变电压而改变的驱动能力来驱动所述内部电压端子， 当所述外部电压大于自所述接地电压沿正方向上偏移所述预设电压的电压时，不管是否进入所述上电操作时段，所述第一参考电压发生单元和所述第一内部电压发生单元将所述第一参考电压固定为所述预设电压而不管所述外部电压的变化，以及利用响应于所述第一参考电压的固定电压而被固定的驱动能力来驱动所述内部电压端子，以及 所述第二内部电压发生单元在所述上电操作时段期间无论内部电压的变化如何都不驱动所述内部电压端子，以及在退出所述上电操作时段之后响应于所述内部电压的变化来选择性驱动所述内部电压端子。9.一种半导体器件，包括: 第一参考电压发生单元，适用于:输出外部电压作为第一参考电压，以及基于自接地电压在正方向上的第一电压来钳位所述第一参考电压； 第二参考电压发生单元，适用于:输出所述外部电压作为第二参考电压，以及基于自所述接地电压在正方向上的第二电压来钳位所述第二参考电压，所述第二电压小于所述第一电压； 第一内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压而以与所述第一参考电压相对应的第一驱动能力来驱动第一内部电压端子； 第二内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压而以与所述第二参考电压相对应的第二驱动能力来驱动第二内部电压端子，所述第二驱动能力小于所述第一驱动能力；以及第三内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压以基于第三参考电压来驱动所述第一内部电压端子，自所述接地电压在正方向上所述第三参考电压大于所述第一电压。10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一参考电压发生单元在所述外部电压小于或等于自接地电压在正方向上偏移第一电压的电压的时段期间，输出具有与所述外部电压相同的电压的所述第一参考电压，以及在所述外部电压大于自所述接地电压在正方向上偏移所述第一电压的电压的时段期间，将所述第一参考电压钳位在自所述接地电压在正方向上偏移所述第一电压的电压。
【专利摘要】一种半导体器件可以包括：第一参考电压发生单元，适用于输出外部电压作为第一参考电压以及基于自接地电压在正方向上的预设电压来钳位第一参考电压；第一内部电压发生单元，适用于接收外部电压以与第一参考电压相对应的驱动能力来驱动内部电压端子；以及第二内部电压发生单元，适用于接收外部电压以基于自接地电压在正方向上比预设电压大的第二参考电压来驱动内部电压端子。
【IPC分类】G11C5/14
【公开号】CN105679354
【申请号】
【发明人】权兑辉
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年7月20日