一种拟南芥的嫁接方法

文档序号:8288587阅读:2549来源:国知局
一种拟南芥的嫁接方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种小体型植物的嫁接方法,尤其涉及一种拟南芥的嫁接方法。
【背景技术】
[0002] 嫁接,是无性繁殖中的营养生殖的一种,是利用植物受伤后具有愈伤的机能来进 行的。其作为一项农业生产技术,已被广泛应用于农业、林业以及园艺植物生产及科研开发 中。自上世纪初开始至今,特别是70、80年代,人们对嫁接基础理论进行了大量研究。但有 些机理问题目前仍不十分明晰。
[0003] 拟南芥(Arabidopsisthaliana)是一种十字花科的小型野草,由于其具有生育期 短、个体小、基因组小等特点,长期以来被作为遗传学、分子生物学、发育生物学研究的模式 植物。2000年底拟南芥基因组全序列被公开,作为第一个完成全部基因组序列测定的高等 植物,拟南芥的基因结构与功能分析也逐渐成为科学研究的热点之一。
[0004] 基于拟南芥作为模式植物的独特优点,它被广泛运用于许多植物学、农学和林学 等相关研究中,其研究成果将有助于加深对其他植物相关研究领域的认识和理解,甚至直 接能用于指导重要农林植物的改良和生产。但经检索,在诸多的有关拟南芥的研究方法中 未见关于拟南芥嫁接的方法的报道。

【发明内容】

[0005] 针对现有及的不足,本发明要解决的问题是提出一种拟南芥的嫁接方法。
[0006] 本发明所述拟南芥的嫁接方法,步骤是:
[0007] 1)砧木准备:拟南芥种子无菌环境下经过消毒处理后,播种于1/2MS固体培养基 上,封口后置于4°C培养2-3天进行春化处理,转入长日照条件下培养,待苗长出子叶后为 石占木苗,用于嫁接;
[0008] 2)接穗准备:将拟南芥突变体种子经步骤1)相同的消毒处理和培养,待苗长出子 叶后为接穗苗,用于嫁接;
[0009] 3)无菌环境下嫁接;
[0010] 4)嫁接体培养:嫁接体转入短日照培养,待伤口愈合,长出两片真叶;
[0011] 5)嫁接苗移栽:成活的嫁接苗移栽于培养基质中,烧灌营养液,长日照培养,直至 嫁接苗开花结果,收获种子;
[0012] 其特征在于:
[0013] 步骤1)和2)所述对种子表面进行消毒处理的方法是:将种子用70%乙醇处理 5±2分钟,灭菌水清洗两次后,用2. 6%NaClO消毒处理10±2分钟,用蒸馏水清洗4-6次;
[0014] 步骤1)、2)和5)所述长日照条件是:光周期为16小时光照/8小时黑暗,光照条 件下的温度为22-24°C,黑暗条件下的温度为20-22°C,光强为6000-80001uX,相对湿度大 于 70% ;
[0015] 步骤3)所述嫁接的方法是:在砧木苗下胚轴的上1/3处用剪刀剪断,使地下部保 留有2/3的下胚轴作为砧木;在接穗苗下胚轴的上1/3处用剪刀剪断,使地上部保留有1/3 的下胚轴作为接穗;将接穗和砧木两个伤面的形成层贴合并贴在培养皿沾有水珠的培养皿 内壁上,封口;
[0016] 步骤4)所述短日照条件是:光周期为8小时光照/16小时黑暗,光照条件下的温 度为22-24°C,黑暗条件下的温度为20-22°C,光强为6000-80001UX,相对湿度大于70% ;
[0017] 所述步骤5)中所述的培养基质为蛭石;营养液为B5营养基用水稀释3倍后的溶 液。所述的嫁接移栽过程是:嫁接苗成活后,先打开培养皿口 1/3,对其进行驯化,保持短日 照状态,3-4天后,用镊子将再生苗取出,洗净根部培养基,尽量不伤及根毛,然后移栽到已 灭菌的蛭石培养钵中,保持长日照状态培养管理。
[0018] 上述拟南芥的嫁接方法中:步骤3)中所述的剪刀优选长145mm的特快型手术剪 刀。镊子优选长260_的医学枪状镊子。所述的种子消毒和嫁接的过程,优选在超净工作 台无菌环境下操作。
[0019] 本发明提供了一种拟南芥嫁接的方法,是以拟南芥野生型无菌种子发芽幼苗为砧 木,以拟南芥突变体无菌种子发芽幼苗为接穗的嫁接方法,旨在利用拟南芥野生型和大量 的拟南芥突变体进行嫁接,揭示植物嫁接的砧木和接穗互作分子机理,为林果、蔬菜等植物 的品种改良提供理论依据。本发明的方法具有方法易行、操作简单、伤害小、成活率高、成本 低等特点,为拟南芥嫁接技术提供了新途径,为植物嫁接在分子机理等相关理论研究提供 了直接的科学研究系统。
【附图说明】
[0020] 图1为在培养基上的拟南芥嫁接苗。
[0021] 图2为移栽前的拟南芥嫁接苗。
【具体实施方式】
[0022] 下面结合具体实例对本发明做进一步详细说明。
[0023] 以拟南芥Columbia-0 (Col-O)种子苗为接穗与拟南芥Landsbergerecta(Ler)种 子苗为砧木进行嫁接为实例,种子消毒和嫁接过程均在超净工作台无菌环境下操作。
[0024] 具体的,拟南芥的嫁接方法步骤是:
[0025] 1)砧木准备:拟南芥种子无菌环境下经过消毒处理后,播种于1/2MS固体培养基 上,封口后置于4°C培养2-3天进行春化处理,转入长日照条件下培养,待苗长出子叶后为 石占木苗,用于嫁接;
[0026] 2)接穗准备:将拟南芥突变体种子经步骤1)相同的消毒处理和培养,待苗长出子 叶后为接穗苗,用于嫁接;
[0027] 其中,上述对种子表面进行消毒处理的方法是:将种子用70%乙醇处理5±2分 钟,灭菌水清洗两次后,用2. 6%NaClO消毒处理10±2分钟,用蒸馏水清洗4-6次;所述长 日照条件是:光周期为16小时光照/8小时黑暗,光照条件下的温度为22-24°C,黑暗条件 下的温度为20-22°C,光强为6000-80001ux,相对湿度大于70% ;
[0028] 3)无菌环境下嫁接;
[0029] 其中,所述嫁接的方法是:在砧木苗下胚轴的上1/3处用剪刀剪断,使地下部保留 有2/3的下胚轴作为砧木;在接穗苗下胚轴的上1/3处用剪刀剪断,使地上部保留有1/3的 下胚轴作为接穗;将接穗和砧木两个伤面的形成层贴合并贴在培养皿沾有水珠的培养皿内 壁上,封口;
[0030] 上述的剪刀选长145mm的特快型手术剪刀,镊子选长260mm的医学枪状镊子。
[0031] 4)嫁接体培养:嫁接体转入短日照培养,待伤口愈合,长出两片真叶;
[0032] 其中,所述短日照条件是:光周期为8小时光照/16小时黑暗,光照条件下的温度 为22-24°C,黑暗条件下的温度为20-22°C,光强为6000-80001UX,相对湿度大于70% ;
[0033] 5)嫁接苗移栽:成活的嫁接苗移栽于培养基质中,烧灌营养液,长日照培养,直至 嫁接苗开花结果,收获种子;
[0034] 其中,所述的培养基质为蛭石;营养液为B5营养基用水稀释3倍后的溶液。所述 长日照条件是:光周期为16小时光照/8小时黑暗,光照条件下的温度为22-24°C,黑暗条 件下的温度为20-22°C,光强为6000-80001ux,相对湿度大于70% ;所述的嫁接移栽过程 是:嫁接苗成活后,先打开培养皿口 1/3,对其进行驯化,保持短日照状态,3-4天后,用镊子 将再生苗取出,洗净根部培养基,尽量不伤及根毛,然后移栽到已灭菌的蛭石培养钵中,保 持长日照状态培养管理。
[0035] 上述B5营养基的配方如下(单位mg/L):
[0036]
【主权项】
1. 一种拟南芥的嫁接方法,步骤是: 1) 砧木准备:拟南芥种子无菌环境下经过消毒处理后,播种于1/2MS固体培养基上, 封口后置于4°C培养2-3天进行春化处理,转入长日照条件下培养,待苗长出子叶后为砧木 苗,用于嫁接; 2) 接穗准备:将拟南芥突变体种子经步骤1)相同的消毒处理和培养,待苗长出子叶后 为接穗苗,用于嫁接; 3) 无菌环境下嫁接; 4) 嫁接体培养:嫁接体转入短日照培养,待伤口愈合,长出两片真叶; 5) 嫁接苗移栽:成活的嫁接苗移栽于培养基质中,浇灌营养液,长日照培养,直至嫁接 苗开花结果,收获种子; 其特征在于: 步骤1)和2)所述对种子表面进行消毒处理的方法是:将种子用70%乙醇处理5±2分 钟,灭菌水清洗两次后,用2. 6% NaClO消毒处理10±2分钟,用蒸馏水清洗4-6次; 步骤1)、2)和5)所述长日照条件是:光周期为16小时光照/8小时黑暗,光照条件下的 温度为22-24°C,黑暗条件下的温度为20-22°C,光强为6000-80001UX,相对湿度大于70%; 步骤3)所述嫁接的方法是:在砧木苗下胚轴的上1/3处用剪刀剪断,使地下部保留有 2/3的下胚轴作为砧木;在接穗苗下胚轴的上1/3处用剪刀剪断,使地上部保留有1/3的下 胚轴作为接穗;将接穗和砧木两个伤面的形成层贴合并贴在培养皿沾有水珠的培养皿内壁 上,封口; 步骤4)所述短日照条件是:光周期为8小时光照/16小时黑暗,光照条件下的温度为 22-24°C,黑暗条件下的温度为20-22°C,光强为6000-80001UX,相对湿度大于70% ; 所述步骤5)中所述的培养基质为蛭石;营养液为B5营养基用水稀释3倍后的溶液。
2. 根据权利要求1所述拟南芥的嫁接方法,其特征在于:步骤3)中所述的剪刀为长 145mm的特快型手术剪刀。
【专利摘要】本发明公开了一种拟南芥的嫁接方法,是以拟南芥野生型无菌种子发芽幼苗为砧木,以拟南芥突变体无菌种子发芽幼苗为接穗的嫁接方法。本发明的方法具有方法易行、操作简单、伤害小、成活率高、成本低等特点,为拟南芥嫁接技术提供了新途径,为林果、蔬菜等植物的品种改良提供理论依据,也为植物嫁接在分子机理等相关理论研究提供了直接的科学研究系统。
【IPC分类】A01G1-06
【公开号】CN104604539
【申请号】CN201510049787
【发明人】孙超, 夏阳, 郝玉金, 燕丽萍, 刘翠兰, 李丽
【申请人】山东省林业科学研究院
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年1月30日
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